APT64GA90B
APT64GA90S
900V
高速PT IGBT
TO
APT64GA90S
功率MOS 8
是一种高速穿通型开关模式IGBT 。低辐射
关闭
实现
-2
47
通过领先的技术，芯片设计和寿命控制过程。降低ê
关闭
-
D
3
PAK
V
CE （ON）的
权衡的结果优于EF网络效率比其他IGBT技术。低
栅极电荷和C的大大降低比例
水库
/C
IES
提供卓越的抗噪声能力，短
延迟时间和简单的栅极驱动。的本征芯片栅极的电阻和电容
APT64GA90B
聚硅氧烷的栅极结构可以帮助控制di / dt的切换，从而导致低的EMI ，即使在
当在高频率切换。
单芯片的IGBT
特点
快速，低EMI转换
非常低辐射
关闭
为实现最大的效率
超低低C
水库
为提高抗干扰
低传导损耗
低栅极电荷
低EMI增加的固有栅极电阻
符合RoHS
典型应用
ZVS移相和其他全桥
半桥
高功率PFC升压
焊接
UPS ，太阳能，以及其他逆变器
高频率，高英法fi工业效率
绝对最大额定值
符号
V
CES
I
C1
I
C2
I
CM
V
GE
P
D
SSOA
T
J
, T
英镑
T
L
参数
集电极 - 发射极电压
连续集电极电流@ T
C
= 25°C
连续集电极电流@ T
C
= 100°C
集电极电流脉冲
1
栅极 - 发射极电压
2
总功率耗散@ T
C
= 25°C
开关安全工作区@ T
J
= 150°C
工作和存储结温范围
无铅焊接温度： 0.063"案件从10秒
评级
900
117
64
193
±30
500
193A @ 900V
-55到150
300
单位
V
A
V
W
°C
静态特性
符号
V
BR （CES）上
V
CE （ON）的
V
GE （日）
I
CES
I
GES
T
J
= 25 ° C除非另有规定编
测试条件
V
GE
= 0V时，我
C
= 1.0毫安
V
GE
= 15V,
I
C
= 38A
V
CE
= 900V,
V
GE
= 0V
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
3
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
参数
集电极 - 发射极击穿电压
电压集电极 - 发射极
门射阈值电压
零栅极电压集电极电流
栅极 - 发射极漏电流
民
900
典型值
2.5
2.2
4.5
最大
3.1
6
250
1000
±100
单位
V
V
GE
=V
CE
, I
C
= 1毫安
μA
nA
6 - 2009
052-6325版本C
V
GS
= ±30V
热和机械特性
符号
R
θJC
W
T
力矩
特征
结到外壳热阻
包装重量
安装扭矩（ TO- 247封装） ， 4-40或M3螺丝
Microsemi的网站 - http://www.microsemi.com
民
-
-
典型值
-
5.9
最大
0.25
-
单位
° C / W
g
·在磅
10
动态特性
符号
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
3
T
J
= 25 ° C除非另有规定编
测试条件
电容
V
GE
= 0V, V
CE
= 25V
F = 1MHz的
栅极电荷
V
GE
= 15V
V
CE
= 450V
I
C
= 38A
T
J
= 150℃ ，R
G
= 4.7Ω
4
, V
GE
= 15V,
L = 100UH ，V
CE
= 900V
电感式开关（ 25 ° C）
V
CC
= 600V
V
GE
= 15V
I
C
= 38A
R
G
= 4.7Ω
4
T
J
= +25°C
电感式开关（ 125°C ）
V
CC
= 600V
V
GE
= 15V
I
C
= 38A
R
G
= 4.7Ω
4
T
J
= +125°C
18
26
131
104
1192
1088
17
27
181
171
1857
2311
193
APT64GA90B_S
典型值
3525
318
53
162
26
64
nC
pF
参数
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 射极电荷
栅极电荷收集
开关安全工作区
导通延迟时间
电流上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
导通开关能量
关断开关能量
导通延迟时间
电流上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
导通开关能量
关断开关能量
民
最大
单位
Q
ge
Q
gc
SSOA
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on2
E
off6
t
D（上
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on2
E
off6
A
ns
μJ
ns
μJ
1重复额定值：脉冲宽度和温度的情况下，通过限制最高结温。
2脉冲测试：脉冲宽度< 380μs ，占空比< 2 ％ 。
3见MIL- STD- 750方法3471 。
4 R
G
是外部栅极电阻，不包括内部栅极电阻或栅极驱动器阻抗。 （ MIC4452 ）
5 E
on2
是对能源的钳位感性转弯，其中包括在IGBT导通损耗的能量一个整流二极管的反向恢复电流。一个组合式的设备用于
钳位二极管。
6 E
关闭
是按照JEDEC标准JESD24-1测定的钳位感性关断能量。
Microsemi的保留权利更改，恕不另行通知，此处包含的说明和信息。
052-6325版本C
6 - 2009
典型性能曲线
100
V
GE
APT64GA90B_S
300
250
10V
200
150
100
50
0
9V
8V
7V
6V
15V
13V
11V
= 15V
T
J
= 55°C
T
J
= 125°C
I
C
，集电极电流（ A）
I
C
，集电极电流（ A）
80
T
J
= 25°C
60
T
J
= 150°C
40
20
0
0
1
2
3
4
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
图1中，输出特性（T
J
= 25°C)
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）
250μs的脉冲
TEST<0.5 ％占空比
周期
160
140
I
C
，集电极电流（ A）
120
100
80
60
40
20
0
0
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
4
8
12
16 20 24 28
32
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
图2中，输出特性（T
J
= 25°C)
I = 38A
C
中T = 25℃
J
V
CE
= 180V
V
CE
= 450V
V
CE
= 720V
T
J
= -55°C
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
T
J
= 25°C.
250μs的脉冲测试
<0.5 ％占空比
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
4
2
4
6
8
10
12
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）
图3 ，传输特性
0
20
40 60 80 100 120 140 160 180
栅极电荷（ NC）
图4中，栅极电荷
5
3
I
C
= 76A
I
C
= 38A
4
3
I
C
= 76A
I
C
= 38A
2
I
C
= 13A
1
2
I
C
= 19A
1
V
GE
= 15V.
250μs的脉冲测试
<0.5 ％占空比
0
6
8
10
12
14
16
0
0
25
50
75
100
125
150
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）
图5 ，通态电压VS门极 - 发射极电压
1.15
T
J
，结温（ ° C）
图6 ，通态电压VS结温
160
140
I
C
， DC集电极电流（ A）
120
100
80
60
40
20
0
6 - 2009
25
50
052-6325版本C
V
GS （ TH）
阈值电压
（归一化）
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
0.80
0.75
0.70
0
25 50 75 100 125 150
T
J
，结温
图7 ，阈值电压随结温
-50 -25
75
100
125
150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图8 ， DC集电极电流与外壳温度
典型性能曲线
10,000
C
IES
I
C
，集电极电流（ A）
100
C，电容（pF ）
1000
APT64GA90B_S
1,000
10
100
C
OES
1
C
水库
0
100 200 300 400 500 600 700
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
图17 ，电容VS集电极 - 发射极电压
10
1
10
100
1000
V
CE
，集电极 - 发射极电压
图18 ，最小开关安全工作区
0.1
0.30
Z
θ
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
0.25
0.10
0.15
0.10
0.05
0
D = 0.9
0.7
0.5
注意：
PDM
0.3
t1
t2
0.1
0.05
10
-5
10
-4
单脉冲
占空比D =
1
/
t2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
t
0.1
1
10
-2
10
-3
矩形脉冲持续时间（秒）
图19A ，最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间
10
052-6325版本C
6 - 2009
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