600V 60A 0.045Ω
APT60N60BCS
APT60N60SCS
APT60N60BCSG * APT60N60SCSG *
* G表示符合RoHS标准的无铅终端完成。
COOL
MOS
PO WE R硒miconduc器
超级结MOSFET
(B)
TO
-24
7
D
3
PAK
超低低R
DS （ ON）
低米勒电容
超低栅极电荷，Q
g
额定雪崩能量
至尊的dv / dt评分
热门TO- 247或表面贴装
D
3
包
(S)
D
G
S
最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
DV /
dt
I
AR
E
AR
E
AS
参数
漏源电压
连续漏电流@ T
C
= 25°C
连续漏电流@ T
C
= 100°C
漏电流脉冲
1
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT60N60B_SCS(G)
600
60
38
230
±30
431
3.45
-55到150
260
50
11
2
3
单位
伏
安培
门源电压连续
总功率耗散@ T
C
= 25°C
线性降额因子
工作和存储结温范围
焊接温度： 0.063"案件从10秒。
MOSFET的dv / dt坚固（V
DS
= 480V)
雪崩电流
2
伏
瓦
W / ℃，
°C
V / ns的
安培
mJ
重复性雪崩能量
3
1950
单脉冲雪崩能量
静态电气特性
符号
V
（ BR ） DSS
R
DS （ ON）
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
特性/测试条件
漏源击穿电压（V
GS
= 0V时，我
D
= 250μA)
漏源导通电阻
4
民
600
典型值
最大
单位
伏
(V
GS
= 10V ，我
D
= 44A)
0.045
25
250
±100
2.1
3
3.9
欧
μA
nA
伏
4-2011
050-7239版本C
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 600V, V
GS
= 0V)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 600V, V
GS
= 0V ，T
C
= 150°C)
门源漏电流（V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V)
栅极阈值电压（V
DS
= V
GS
, I
D
= 3毫安）
注意：这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
"COOLMOS 包括通过在网络霓虹科技股份公司研制的晶体管的一个新的家庭。 "COOLMOS"是与贸易
对在科幻霓虹技术AG."大关
Microsemi的网站 - http://www.microsemi.com
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
on
E
关闭
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
5
APT60N60B_SCS(G)
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
V
GS
= 10V
V
DD
= 400V
I
D
= 44A @ 25°C
电阻开关
V
GS
= 15V
V
DD
= 400V
I
D
= 44A @ 25°C
R
G
= 4.3Ω
6
民
典型值
最大
单位
pF
7200
8500
290
150
34
50
30
20
100
10
675
520
1100
635
190
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller " ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关能量
关断开关能量
导通开关能量
关断开关能量
6
nC
ns
电感式开关@ 25°C
V
DD
= 400V, V
GS
= 15V
I
D
= 44A ，R
G
= 4.3Ω
电感式开关@ 125°C
V
DD
= 400V, V
GS
= 15V
I
D
= 44A ，R
G
= 4.3Ω
μ
J
源极 - 漏极二极管额定值和特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
dv
特性/测试条件
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流
二极管的正向电压
1
4
民
典型值
最大
单位
安培
伏
ns
μC
44
180
1.2
600
17
4
（体二极管）
(V
GS
= 0V时，我
S
= -
44A
)
反向恢复时间（I
S
= -
44A
， DL
S
/ DT = 100A / μs）内
反向恢复电荷（我
S
= -
44A
， DL
S
/ DT = 100A / μs）内
峰值二极管恢复
dv
/
dt
7
/
dt
V / ns的
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
特征
结到外壳
结到环境
民
典型值
最大
单位
° C / W
0.29
40
1重复额定值：脉冲宽度有限的最高结
温度
2重复雪崩造成额外的功率损耗，可
被计算为P
AV
= E
AR
*f
3起始物为
j
= + 25 ° C，L = 33.23mH ，R
G
= 25Ω ，峰值I
L
= 11A
4脉冲测试：脉冲宽度< 380μs ，占空比< 2 ％
5见MIL - STD- 750方法3471
6李炎包括二极管的反向恢复。看
居雷什18,20 。
7 ，我们不建议在拓扑中使用这种的CoolMOS 产品
有费用回流负载电流中的体二极管即进行
硬换相。电流换向是非常"snappy" ，导致
高di / dt在完成换向的，并且严重的可能性
过电压瞬变，由于所得到的高dv / dt 。
Microsemi的保留权利更改，恕不另行通知，此处包含的说明和信息。
0.30
D = 0.9
Z
θ
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
0.25
0.7
0.20
0.15
0.5
注意：
4-2011
P
DM
0.10
0.3
t1
t2
050-7239版本C
0.05
0
0.1
0.05
10
-5
10
-4
单脉冲
占空比D =
1
/
t2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θJC + T C
t
10
-3
10
-2
10
-1
1.0
矩形脉冲持续时间（秒）
图1 ，最大有效瞬态热阻抗，结点到外壳VS脉冲持续时间
APT60N60B_SCS(G)
230
I
D
，漏极电流（安培）
100
C，电容（pF ）
50
10,000
100,000
操作点这里
限于由R
（上）
DS
C
国际空间站
C
国际空间站
100μS
10
5
T
C
=+25°C
T
J
=+150°C
单脉冲
1
1
10
100
600
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图9 ，最大安全工作区
I = 44A
D
1,000
C
OSS
C
OSS
100
C
RSS
C
RSS
1mS
10mS
0
0
10
20
30
40
50
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图10 ，电容VS漏极至源极电压
I
DR
，反向漏电流（安培）
200
100
T
J
=+150°C
T
J
=+25°C
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
V
DS
=480V
V
DS
=120V
V
DS
=300V
10
50
100
150
200
250
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
图11 ，栅电荷VS栅极至源极电压
250
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
V
SD
，源极到漏极电压（伏）
图12 ，源极 - 漏极二极管的正向电压
110
100
V
DD
G
1
= 400V
R
= 4.3W
200
t
D（上）
和T
D（关闭）
（纳秒）
t
D（关闭）
V
DD
G
90
80
t
r
和T
f
（纳秒）
70
60
50
40
30
T = 125°C
J
L = 100μH
150
= 400V
t
f
R
= 4.3W
100
T = 125°C
J
L = 100μH
50
t
D（上）
0
0
20
40
I
D
(A)
60
80
20
10
0
0
20
40
I
D
(A)
t
r
60
80
图13 ，延迟时间 - 电流
2000
V
DD
G
图14 ，上升和下降时间 - 电流
2500
= 400V
R
= 4.3W
T = 125°C
开关能量（ μJ ）
1500
L = 100μH
E
二极管的反向恢复。
on
开关能量（ μJ ）
J
2000
E
关闭
包括
E
on
1500
E
on
1000
1000
V
DD
050-7239 C版本4-2011
E
关闭
= 400V
500
I = 44A
D
500
T = 125°C
L = 100μH
E
二极管的反向恢复。
on
J
包括
40
60
80
I
D
(A)
图15 ，开关能量 - 电流
0
0
20
10 15 20 25 30 35 40 45 50
R
G
，栅极电阻（欧姆）
图16 ，交换能量 - 栅极电阻
0
0
5
600V 60A 0.045Ω
APT60N60BCS
APT60N60SCS
APT60N60BCSG * APT60N60SCSG *
* G表示符合RoHS标准的无铅终端完成。
OLMOS
O
功率半导体
超级结MOSFET
(B)
TO
-2
47
D
3
PAK
超低低R
DS （ ON）
低米勒电容
超低栅极电荷，Q
g
额定雪崩能量
至尊的dv / dt评分
热门TO- 247或表面贴装
D
3
包
(S)
D
G
S
最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
DV /
dt
I
AR
E
AR
E
AS
参数
漏源电压
连续漏电流@ T
C
= 25°C
连续漏电流@ T
C
= 100°C
漏电流脉冲
1
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT60N60B_SCS(G)
600
60
38
230
±30
431
3.45
-55到150
260
50
11
2
3
单位
伏
安培
门源电压连续
总功率耗散@ T
C
= 25°C
线性降额因子
工作和存储结温范围
焊接温度： 0.063"案件从10秒。
MOSFET的dv / dt坚固（V
DS
= 480V)
雪崩电流
2
伏
瓦
W / ℃，
°C
V / ns的
安培
mJ
重复性雪崩能量
3
1950
单脉冲雪崩能量
静态电气特性
符号
V
（ BR ） DSS
R
DS （ ON）
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
特性/测试条件
漏源击穿电压（V
GS
= 0V时，我
D
= 250A)
漏源导通电阻
4
民
600
典型值
最大
单位
伏
(V
GS
= 10V ，我
D
= 44A)
0.045
25
250
±100
2.1
3
3.9
欧
A
nA
伏
3-2006
050-7239修订版B
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 600V, V
GS
= 0V)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 600V, V
GS
= 0V ，T
C
= 150°C)
门源漏电流（V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V)
栅极阈值电压（V
DS
= V
GS
, I
D
= 3毫安）
APT网站 - http://www.advancedpower.com
注意：这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
"COOLMOS 包括通过在网络霓虹科技股份公司研制的晶体管的一个新的家庭。 "COOLMOS"是与贸易
对在科幻霓虹技术AG."大关
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gd
t
D（上）
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
on
E
关闭
t
r
Q
gs
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
5
APT60N60B_SCS(G)
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
V
GS
= 10V
V
DD
= 400V
I
D
= 44A @ 25°C
电阻开关
V
GS
= 15V
V
DD
= 400V
I
D
= 44A @ 25°C
R
G
= 3.3
6
民
典型值
最大
单位
pF
7200
8500
290
150
34
50
30
20
100
10
675
520
1100
635
190
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller " ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关能量
关断开关能量
导通开关能量
关断开关能量
6
nC
ns
电感式开关@ 25°C
V
DD
= 400V, V
GS
= 15V
I
D
= 44A ，R
G
= 4.3
电感式开关@ 125°C
V
DD
= 400V, V
GS
= 15V
I
D
= 44A ，R
G
= 4.3
J
源极 - 漏极二极管额定值和特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
dv
特性/测试条件
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流
二极管的正向电压
1
4
民
典型值
最大
单位
安培
伏
ns
C
44
180
1.2
600
17
4
（体二极管）
(V
GS
= 0V时，我
S
= -
44A
)
反向恢复时间（I
S
= -
44A
， DL
S
/ DT = 100A / μs）内
反向恢复电荷（我
S
= -
44A
， DL
S
/ DT = 100A / μs）内
峰值二极管恢复
dv
/
dt
7
/
dt
V / ns的
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
特征
结到外壳
结到环境
民
典型值
最大
单位
° C / W
0.29
62
1重复额定值：脉冲宽度有限的最高结
温度
2重复雪崩造成额外的功率损耗，可
被计算为
P
AV
= E
AR
*f
3起始物为
j
= + 25 ° C，L = 33.23mH ，R
G
= 25Ω ，峰值I
L
= 11A
4脉冲测试：脉冲宽度< 380μs ，占空比< 2 ％
5见MIL - STD- 750方法3471
6李炎包括二极管的反向恢复。看到科幻居雷什18 ， 20 。
7 ，我们不建议在拓扑中使用这种的CoolMOS 产品
有费用回流负载电流中的体二极管即进行
硬换相。电流换向是非常"snappy" ，导致
高di / dt在完成换向的，并且严重的可能性
过电压瞬变，由于所得到的高dv / dt 。
APT保留更改的权利，恕不另行通知，该说明和信息，包含在本文中。
0.30
Z
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
θ
D = 0.9
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0
0.7
3-2006
0.5
注意：
PDM
050-7239修订版B
0.3
t1
t2
0.1
0.05
10
-5
10
-4
单脉冲
占空比D =
1
/
t2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
t
10
-3
10
-2
10
-1
1.0
矩形脉冲持续时间（秒）
图1 ，最大有效瞬态热阻抗，结点到外壳VS脉冲持续时间
230
I
D
，漏极电流（安培）
100
50
操作点这里
限于由R
（上）
DS
10
5
APT60N60B_SCS(G)
10
4
C，电容（pF ）
C
国际空间站
10
3
C
OSS
10
2
100S
10
5
T
C
=+25°C
T
J
=+150°C
单脉冲
1mS
10mS
10
1
10
0
C
RSS
1
10
100
600
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图10 ，最大安全工作区
1
0
50
100
150
200
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图11 ，电容VS漏极至源极电压
I = 44A
D
I
DR
，反向漏电流（安培）
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
200
100
T
J
=+150°C
T
J
=+25°C
V
DS
=120V
V
DS
=300V
10
V
DS
=480V
50
100
150
200
250
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
图12 ，栅电荷VS栅极至源极电压
250
1
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
V
SD
，源极到漏极电压（伏）
图13 ，源极 - 漏极二极管的正向电压
110
100
V
DD
G
= 400V
R
= 4.3
200
90
t
D（上）
和T
D（关闭）
（纳秒）
t
D（关闭）
V
DD
G
80
T = 125°C
J
L = 100μH
= 400V
t
r
和T
f
（纳秒）
150
70
60
50
40
30
t
f
R
= 4.3
100
T = 125°C
J
L = 100μH
50
t
D（上）
0
20
10
0
t
r
0
20
图14 ，延迟时间 - 电流
2000
V
DD
G
40
I
D
(A)
60
80
0
20
图15 ，上升和下降时间 - 电流
2500
40
I
D
(A)
60
80
= 400V
R
= 4.3
T = 125°C
开关能量（ μJ ）
1500
L = 100μH
E
二极管的反向恢复。
on
开关能量（ μJ ）
J
2000
E
关闭
包括
E
on
1500
E
on
1000
1000
V
DD
3-2006
E
关闭
= 400V
500
I = 44A
D
500
T = 125°C
L = 100μH
E
二极管的反向恢复。
on
J
050-7239修订版B
包括
40
60
80
I
D
(A)
图16 ，开关能量 - 电流
0
0
20
10 15 20 25 30 35 40 45 50
R
G
，栅极电阻（欧姆）
图17 ，交换能量 - 栅极电阻
0
0
5
典型性能曲线
90%
10%
栅极电压
T
J
125°C
APT60N60B_SCS(G)
栅极电压
T
J
125°C
t
D（上）
t
r
90%
t
D（关闭）
漏电流
t
f
漏极电压
90%
5%
10%
漏极电压
10%
0
漏电流
开关能量
开关能量
图18 ，导通开关波形和De科幻nitions
图19 ，关断开关波形和De科幻nitions
APT60DQ60
V
DD
ID
VDS
G
D.U.T.
图20 ，电感式开关测试电路
TO- 247封装外形
E1国资委：锡，银，铜
漏
（散热器）
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
6.15 （ 0.242 ） BSC
PAK封装外形
E3 100 ％锡
4.98 (.196)
5.08 (.200)
1.47 (.058)
1.57 (.062)
15.95 (.628)
16.05(.632)
13.41 (.528)
13.51(.532)
3
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
1.04 (.041)
1.15(.045)
漏
20.80 (.819)
21.46 (.845)
3.50 (.138)
3.81 (.150)
修订
4/18/95
13.79 (.543)
13.99(.551)
修订
8/29/97
11.51 (.453)
11.61 (.457)
0.46 (.018)
0.56 （ 0.022 ） { 3 }的PLC
4.50 （ 0.177 ）最大。
0.40 (.016)
0.79 (.031)
2.87 (.113)
3.12 (.123)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
1.01 (.040)
1.40 (.055)
19.81 (.780)
20.32 (.800)
1.22 (.048)
1.32 (.052)
1.98 (.078)
2.08 (.082)
5.45 （ 0.215 ） BSC
{ 2的PLC。 }
2.21 (.087)
2.59 (.102)
5.45 （ 0.215 ） BSC
2-Plcs.
尺寸以毫米（英寸）
来源
漏
门
单位为毫米（英寸）
APT的产品受一个或多个USpatents 4895810的5045903 5089434 5182234 5019522
5262336 6503786 5256583 4748103 5283202 5231474 5434095 5528058和外国专利。美国和外国专利正在申请中。版权所有。
050-7239修订版B
门
漏
来源
散热器（漏）
并导致
镀
3-2006
0.020 (.001)
0.178 (.007)
2.67 (.105)
2.84 (.112)
1.27 (.050)
1.40 (.055)
3.81 (.150)
4.06 (.160)
（铅基）
QQ：2881677436 复制
