D
S
G
D
S
G
S
SO
27
-2
T
APT60M90JN 600V 57A 0.090
"UL Recognized"文件号E145592 （ S）
ISOTOP
功率MOS IV
最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
, l
LM
V
GS
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
参数
漏源电压
连续漏电流@ T
C
= 25°C
漏电流脉冲
栅源电压
总功率耗散@ T
C
= 25°C
线性降额因子
1
单芯片ISOTOP
包
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT
60M90JN
单位
伏
安培
N - 沟道增强型高压功率MOSFET
600
57
228
±30
690
5.52
-55到150
300
和电感电流钳位
伏
瓦
W / ℃，
°C
工作和存储结温范围
焊接温度： 0.063"案件从10秒。
静态电气特性
符号
BV
DSS
特性/测试条件/型号
漏源击穿电压
(V
GS
= 0V时，我
D
= 250
A)
在国家漏极电流
2
民
APT60M90JN
典型值
最大
单位
伏
600
I
D
（上）
APT60M90JN
57
安培
(V
DS
＆ GT ;我
D
（接通）个R
DS
（ON ）最大值，V
GS
= 10V)
漏源导通电阻
(V
GS
= 10V ， 0.5升
D
[续] ）
零栅极电压漏极电流（V
DS
= V
DSS
, V
GS
= 0V)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 0.8 V
DSS
, V
GS
= 0V ，T
C
= 125°C)
门源漏电流（V
GS
=
±30V,
V
DS
= 0V)
栅极阈值电压
(V
DS
= V
GS
, I
D
= 5.0毫安）
2
R
DS
（上）
APT60M90JN
0.090
欧
I
DSS
I
GSS
V
GS
（ TH ）
250
1000
±100
2
4
A
nA
伏
热特性
符号
R
θJC
R
θCS
特征
结到外壳
案例下沉
（采用高效导热化合物和面散热器表面。 ）
民
典型值
最大
单位
° C / W
050-6038 F版
0.18
0.05
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
美国
405 S.W.哥伦比亚街
德，俄勒冈州97702 -1035
F- 33700梅里捏克 - 法国
电话： （ 541 ） 382-8028
电话： （ 33 ） 5 57 92 15 15
传真： （ 541 ） 388-0364
FAX ： （ 33 ） 10 56 47 97 61
欧洲
大道J.F.肯尼迪蝙蝠B4公园Cadéra北
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d
（上）
t
r
t
d
（关闭）
t
f
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
3
APT60M90JN
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
V
GS
= 10V
V
DD
= 0.5 V
DSS
I
D
= I
D
[续] @ 25°C
V
GS
= 15V
V
DD
= 0.5 V
DSS
I
D
= I
D
[续] @ 25°C
R
G
= 0.6
民
典型值
最大
单位
11670
1810
545
446
64
208
22
24
65
12
14000
2530
870
670
95
315
45
50
95
25
ns
nC
pF
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller " ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源极 - 漏极二极管额定值和特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
特性/测试条件
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
1
民
APT60M90JN
典型值
最大
单位
57
228
1.8
800
26
1600
50
安培
APT60M90JN
2
(V
GS
= 0V时，我
S
= -I
D
[续] ）
伏
ns
C
反向恢复时间（I
S
= -I
D
[续] ， DL
S
/ DT = 100A / μs）内
反向恢复电荷（我
S
= -I
D
[续] ， DL
S
/ DT = 100A / μs）内
封装特性
符号
L
D
L
S
V
隔离
C
隔离
力矩
特性/测试条件
内部排水电感
（测量从漏极引脚死去的中心。 ）
内部源极电感
（测量从源极到源邦德片）
RMS电压
（ 50-60赫兹正弦波从终端到安装底座，持续1分钟。 ）
漏到安装底座电容
（ F = 1MHz的）
最大扭矩为设备安装螺钉和电气终端。
民
典型值
最大
单位
nH
伏
3
5
2500
70
13
pF
磅在
1
重复评价：脉冲宽度有限的最高结温。见瞬态热阻抗曲线。 （图1）
2
脉冲测试：脉冲宽度< 380
S,
占空比< 2 ％
3
见MIL -STD -750方法3471
0.2
Z
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
θ
0.1
0.05
D=0.5
0.2
0.1
0.01
0.005
0.05
注意：
PDM
0.02
0.01
t1
t2
050-6038 F版
0.001
0.0005
10
-5
单脉冲
10
-4
占空比D = T1 / T2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
10
-3
10
-2
10
-1
1.0
10
矩形脉冲持续时间（秒）
图1 ，最大有效瞬态热阻抗，结点到外壳VS脉冲持续时间
APT60M90JN
150
I
D
，漏极电流（安培）
VGS = 8,10 & 15V
I
D
，漏极电流（安培）
150
VGS=15V
10V
8V
100
6V
75
5.5V
50
5V
25
4.5V
4V
0
4
8
12
16
20
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图3 ，典型输出特性
0
R
DS
（ON ） ，漏极至源极导通电阻
3.0
TJ = 25°C
250μSEC 。脉冲测试
@ <0.5 ％占空比
归一
V
= 10V @ 0.5 I [续]
GS
D
125
100
6V
75
5.5V
50
5V
25
4.5V
4V
0
0
60
120
180
240
300
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图2 ，典型输出特性
100
TJ = -55°C
TJ = + 25°C
TJ = + 125°C
125
I
D
，漏极电流（安培）
80
VDS>的ID （ON ）× R DS（ ON）的最大值。
250μSEC 。脉冲测试
@ <0.5 ％占空比
2.5
60
2.0
VGS=10V
1.5
VGS=20V
1.0
40
20
TJ = + 125°C
TJ = + 25°C
TJ = -55°C
0
2
4
6
8
10
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
图4 ，一般传输特性
60
I
D
，漏极电流（安培）
0
0.5
0
50
100
150
200
250
I
D
，漏极电流（安培）
图5中，R
DS
（ ON）与漏电流
BV
DSS
（ON ） ，漏极 - 源极击穿
电压（归）
V
GS
（ TH ） ，阈值电压
（归一化）
1.2
50
40
30
20
1.1
1.0
0.9
10
0
0.8
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图6 ，最大漏极电流与外壳温度
R
DS
（ON ） ，漏极至源极导通电阻
（归一化）
2.5
I = 0.5 I [续]
D
D
25
-25
0
25 50 75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图7 ，击穿电压与温度
1.4
0.7
-50
V
GS
= 10V
2.0
1.2
1.5
1.0
1.0
0.8
0.5
0.6
050-6038 F版
0.0
-50
-25
0
25 50
75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图8 ，导通电阻与温度
-25
0
25 50 75 100 125 150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图9 ，阈值电压与温度
0.4
-50
APT60M90JN
500
I
D
，漏极电流（安培）
10S
C，电容（pF ）
100
50
操作点这里
限制根据RDS （ ON）
50,000
100S
西塞
10,000
5,000
科斯
CRSS
1mS
10
5
10mS
100mS
DC
1,000
500
1
.5
TC = + 25°C
TJ = + 150°C
单脉冲
.1
1
5 10
50 100
600
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图10 ，最大安全工作区
I = I [续]
D
D
.1
.5
1
5
10
50
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图11 ，典型电容VS漏极至源极电压
I
DR
，反向漏电流（安培）
400
100
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
20
VDS=120V
VDS=300V
VDS=480V
16
100
50
TJ = + 150°C
TJ = + 25°C
12
8
10
5
TJ = -55°C
4
200
400
600
800
1000
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
图12 ，栅极电荷VS栅极至源极电压
0
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
V
SD
，源极到漏极电压（伏）
图13 ，典型的源极 - 漏极二极管的正向电压
1
APT保留更改的权利，恕不另行通知，该说明和信息，包含在本文中。
SOT- 227 （ ISOTOP
）包装外形
11.8 (.463)
12.2 (.480)
31.5 (1.240)
31.7 (1.248)
7.8 (.307)
8.2 (.322)
W=4.1 (.161)
W=4.3 (.169)
H=4.8 (.187)
H=4.9 (.193)
（4处）
8.9 (.350)
9.6 (.378)
六角螺母M4
（4处）
r = 4.0 (.157)
（ 2处）
4.0 (.157)
4.2 (.165)
（ 2处）
25.2 (0.992)
0.75 (.030) 12.6 (.496) 25.4 (1.000)
0.85 (.033) 12.8 (.504)
3.3 (.129)
3.6 (.143)
14.9 (.587)
15.1 (.594)
30.1 (1.185)
30.3 (1.193)
38.0 (1.496)
38.2 (1.504)
1.95 (.077)
2.14 (.084)
*资料来源
漏
*资料来源端子短路
在内部。目前的处理
能力是相等的任一
源极端子。
*资料来源
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门
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