APT60M75JVFR
600V
62A 0.075
S
G
D
S
功率MOS V FREDFET
功率MOS V
是新一代高电压N沟道增强
模式的功率MOSFET 。这种新技术的最小的JFET效应，
增加填充密度，并降低了导通电阻。功率MOS V
还实现了门，通过优化布局更快的开关速度。
OT
S
2
-2
7
"UL Recognized"
ISOTOP
更快的开关
低漏
热门SOT- 227封装
最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
V
GSM
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
I
AR
E
AR
E
AS
参数
漏源电压
额定雪崩能量
快速恢复体二极管
G
D
S
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT60M75JVFR
单位
伏
安培
600
62
248
±30
±40
700
5.6
-55到150
300
62
50
4
1
连续漏电流@ T
C
= 25°C
漏电流脉冲
门源电压连续
栅源电压瞬态
总功率耗散@ T
C
= 25°C
线性降额因子
工作和存储结温范围
焊接温度： 0.063"案件从10秒。
雪崩电流
1
伏
瓦
W / ℃，
°C
安培
mJ
（重复，不重复）
1
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
3600
静态电气特性
符号
BV
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
特性/测试条件
漏源击穿电压（V
GS
= 0V时，我
D
= 250A)
在国家漏极电流
2
民
典型值
最大
单位
伏
安培
600
62
0.075
250
1000
±100
2
4
(V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）
马克斯，V
GS
= 10V)
2
漏源导通电阻
(V
GS
= 10V ，我
D
= 31A)
欧
A
2-2006
050-7267修订版A
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 600V, V
GS
= 0V)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 480V, V
GS
= 0V ，T
C
= 125°C)
门源漏电流（V
GS
= ±30V, V
DS
= 0V)
栅极阈值电压（V
DS
= V
GS
, I
D
= 5毫安）
nA
伏
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d
（上）
t
r
t
d
（关闭）
t
f
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
3
APT60M75JVFR
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
V
GS
= 10V
V
DD
= 300V
I
D
= 62A @ 25°C
V
GS
= 15V
V
DD
= 300V
I
D
= 62A @ 25°C
R
G
= 0.6
民
典型值
最大
单位
pF
16500
1900
750
700
80
330
20
20
80
12
19800
2660
1125
1050
120
495
40
40
120
24
ns
nC
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller " ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源极 - 漏极二极管额定值和特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
dv
/
dt
特性/测试条件
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流
二极管的正向电压
峰值二极管恢复
1
2
dt
民
典型值
最大
单位
安培
伏
V / ns的
ns
C
安培
62
248
1.3
15
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
（体二极管）
(V
GS
= 0V时，我
S
= - 62A)
5
dv
/
t
rr
Q
rr
I
RRM
反向恢复时间
(I
S
= -62A,
di
/
dt
= 100A / μs）内
反向恢复电荷
(I
S
= -62A,
di
/
dt
= 100A / μs）内
峰值恢复电流
(I
S
= -62A,
di
/
dt
= 100A / μs）内
300
600
1.8
7.4
16
30
热/封装特性
符号
R
θJC
R
θJA
V
隔离
力矩
特征
结到外壳
结到环境
RMS电压
（ 50-60赫兹正弦波从终端到安装底座，持续1分钟。 ）
最大扭矩为设备安装螺钉和电气终端。
民
典型值
最大
单位
° C / W
伏
0.18
40
2500
10
磅在
1
重复评价：脉冲宽度有限的最高结
3
见MIL -STD -750方法3471
4
启动T = + 25 ° C，L =
1.87mH,
R = 25Ω ，峰值I = 62A
温度。
j
G
L
2
脉冲测试：脉冲宽度< 380 μS ，占空比< 2 ％
5
I
≤
I = 62A ，
di
/
= 100A / μs的，T
≤
150℃ ，R = 2.0Ω V = 600V 。
S
D
j
G
R
dt
APT保留更改的权利，恕不另行通知，该说明和信息，包含在本文中。
0.2
Z
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
θ
0.1
0.05
D=0.5
0.2
0.1
0.01
0.005
0.05
0.02
0.01
单脉冲
注意：
PDM
t1
t2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
占空比D = T1 / T2
050-7267修订版A
2-2006
0.001
0.0005
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1.0
矩形脉冲持续时间（秒）
图1 ，最大有效瞬态热阻抗，结点到外壳VS脉冲持续时间
10
APT60M75JVFR
200
VGS = 7V ， 10V 15V &
200
I
D
，漏极电流（安培）
I
D
，漏极电流（安培）
6V
VGS = 7V ， 10V 15V &
6V
160
160
120
5.5V
120
5.5V
80
80
5V
40
5V
40
4.5V
0
50
100
150
200
250
300
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图2 ，典型输出特性
0
4.5V
4V
0
4
8
12
16
20
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图3 ，典型输出特性
0
4V
R
DS
（ON ） ，漏极至源极导通电阻
200
TJ = -55°C
VDS>的ID （ON ）× R DS（ ON）的最大值。
250微秒。脉冲测试
@ <0.5 ％占空比
1.20
V
GS
I
D
，漏极电流（安培）
归一
= 10V @ 0.5 I [续]
D
160
1.15
120
1.10
VGS=10V
80
TJ = + 125°C
1.05
VGS=20V
40
TJ = + 25°C
TJ = -55°C
1.00
0
2
4
6
8
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
图4 ，一般传输特性
70
0
0.95
0
25
50
75
100
125
150
I
D
，漏极电流（安培）
图5中，R
DS
（ ON）与漏电流
I
D
，漏极电流（安培）
60
50
40
30
20
10
0
BV
DSS
，漏极 - 源极击穿
电压（归）
25
I
D
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图6 ，最大漏极电流与外壳温度
-25
0
25
50 75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图7 ，击穿电压与温度
1.2
0.90
-50
R
DS
（ON ） ，漏极至源极导通电阻
（归一化）
2.5
= 0.5 I
V
GS
D
[续]
= 10V
V
GS
（ TH ） ，阈值电压
（归一化）
2.0
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
1.5
1.0
0.5
0.0
-50
-25
0
25 50
75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图8 ，导通电阻与温度
-25
0
25
50
75 100 125 150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图9 ，阈值电压与温度
-50
050-7267修订版A
2-2006
APT60M75JVFR
300
I
D
，漏极电流（安培）
10S
操作点这里
限制根据RDS （ ON）
60,000
100
50
100S
1mS
C，电容（pF ）
西塞
10,000
5,000
10
5
10mS
100mS
DC
科斯
1
.5
TC = + 25°C
TJ = + 150°C
单脉冲
CRSS
1,000
500
.1
1
5 10
50 100
600
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图10 ，最大安全工作区
I = I [续]
D
D
.01
.1
1
10
50
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图11 ，典型电容VS漏极至源极电压
I
DR
，反向漏电流（安培）
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
20
200
100
50
16
VDS=120V
VDS=300V
TJ = + 150°C
TJ = + 25°C
12
VDS=480V
8
10
5
4
250
500
750
1000
1250
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
图12 ，栅极电荷VS栅极至源极电压
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
V
SD
，源极到漏极电压（伏）
图13 ，典型的源极 - 漏极二极管的正向电压
1
SOT- 227 （ ISOTOP
）包装外形
31.5 (1.240)
31.7 (1.248)
7.8 (.307)
8.2 (.322)
W=4.1 (.161)
W=4.3 (.169)
H=4.8 (.187)
H=4.9 (.193)
（4处）
11.8 (.463)
12.2 (.480)
8.9 (.350)
9.6 (.378)
六角螺母M4
（4处）
r = 4.0 (.157)
（ 2处）
4.0 (.157)
4.2 (.165)
（ 2处）
25.2 (0.992)
0.75 (.030) 12.6 (.496) 25.4 (1.000)
0.85 (.033) 12.8 (.504)
3.3 (.129)
3.6 (.143)
14.9 (.587)
15.1 (.594)
30.1 (1.185)
30.3 (1.193)
2-2006
1.95 (.077)
2.14 (.084)
*资料来源
漏
*资料来源端子短路
在内部。目前的处理
能力是相等的任一
源极端子。
38.0 (1.496)
38.2 (1.504)
*资料来源
尺寸以毫米（英寸）
ISOTOP
SGS是汤姆逊公司的注册商标。
APT的产品受一个或多个USpatents 4895810的5045903 5089434 5182234 5019522
门
050-7267修订版A
"UL Recognized"文件号E145592
5262336 6503786 5256583 4748103 5283202 5231474 5434095 5528058和外国专利。美国和外国专利正在申请中。版权所有。
APT60M75JVFR
600V
62A 0.075
S
G
D
S
功率MOS V FREDFET
功率MOS V
是新一代高电压N沟道增强
模式的功率MOSFET 。这种新技术的最小的JFET效应，
增加填充密度，并降低了导通电阻。功率MOS V
还实现了门，通过优化布局更快的开关速度。
OT
S
2
-2
7
"UL Recognized"
ISOTOP
更快的开关
低漏
热门SOT- 227封装
最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
V
GSM
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
I
AR
E
AR
E
AS
参数
漏源电压
额定雪崩能量
快速恢复体二极管
G
D
S
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT60M75JVFR
单位
伏
安培
600
62
248
±30
±40
700
5.6
-55到150
300
62
50
4
1
连续漏电流@ T
C
= 25°C
漏电流脉冲
门源电压连续
栅源电压瞬态
总功率耗散@ T
C
= 25°C
线性降额因子
工作和存储结温范围
焊接温度： 0.063"案件从10秒。
雪崩电流
1
伏
瓦
W / ℃，
°C
安培
mJ
（重复，不重复）
1
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
3600
静态电气特性
符号
BV
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
特性/测试条件
漏源击穿电压（V
GS
= 0V时，我
D
= 250A)
在国家漏极电流
2
民
典型值
最大
单位
伏
安培
600
62
0.075
250
1000
±100
2
4
(V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）
马克斯，V
GS
= 10V)
2
漏源导通电阻
(V
GS
= 10V ，我
D
= 31A)
欧
A
2-2006
050-7267修订版A
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 600V, V
GS
= 0V)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 480V, V
GS
= 0V ，T
C
= 125°C)
门源漏电流（V
GS
= ±30V, V
DS
= 0V)
栅极阈值电压（V
DS
= V
GS
, I
D
= 5毫安）
nA
伏
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d
（上）
t
r
t
d
（关闭）
t
f
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
3
APT60M75JVFR
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
V
GS
= 10V
V
DD
= 300V
I
D
= 62A @ 25°C
V
GS
= 15V
V
DD
= 300V
I
D
= 62A @ 25°C
R
G
= 0.6
民
典型值
最大
单位
pF
16500
1900
750
700
80
330
20
20
80
12
19800
2660
1125
1050
120
495
40
40
120
24
ns
nC
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller " ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源极 - 漏极二极管额定值和特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
dv
/
dt
特性/测试条件
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流
二极管的正向电压
峰值二极管恢复
1
2
dt
民
典型值
最大
单位
安培
伏
V / ns的
ns
C
安培
62
248
1.3
15
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
（体二极管）
(V
GS
= 0V时，我
S
= - 62A)
5
dv
/
t
rr
Q
rr
I
RRM
反向恢复时间
(I
S
= -62A,
di
/
dt
= 100A / μs）内
反向恢复电荷
(I
S
= -62A,
di
/
dt
= 100A / μs）内
峰值恢复电流
(I
S
= -62A,
di
/
dt
= 100A / μs）内
300
600
1.8
7.4
16
30
热/封装特性
符号
R
θJC
R
θJA
V
隔离
力矩
特征
结到外壳
结到环境
RMS电压
（ 50-60赫兹正弦波从终端到安装底座，持续1分钟。 ）
最大扭矩为设备安装螺钉和电气终端。
民
典型值
最大
单位
° C / W
伏
0.18
40
2500
10
磅在
1
重复评价：脉冲宽度有限的最高结
3
见MIL -STD -750方法3471
4
启动T = + 25 ° C，L =
1.87mH,
R = 25Ω ，峰值I = 62A
温度。
j
G
L
2
脉冲测试：脉冲宽度< 380 μS ，占空比< 2 ％
5
I
≤
I = 62A ，
di
/
= 100A / μs的，T
≤
150℃ ，R = 2.0Ω V = 600V 。
S
D
j
G
R
dt
APT保留更改的权利，恕不另行通知，该说明和信息，包含在本文中。
0.2
Z
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
θ
0.1
0.05
D=0.5
0.2
0.1
0.01
0.005
0.05
0.02
0.01
单脉冲
注意：
PDM
t1
t2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
占空比D = T1 / T2
050-7267修订版A
2-2006
0.001
0.0005
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1.0
矩形脉冲持续时间（秒）
图1 ，最大有效瞬态热阻抗，结点到外壳VS脉冲持续时间
10
APT60M75JVFR
200
VGS = 7V ， 10V 15V &
200
I
D
，漏极电流（安培）
I
D
，漏极电流（安培）
6V
VGS = 7V ， 10V 15V &
6V
160
160
120
5.5V
120
5.5V
80
80
5V
40
5V
40
4.5V
0
50
100
150
200
250
300
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图2 ，典型输出特性
0
4.5V
4V
0
4
8
12
16
20
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图3 ，典型输出特性
0
4V
R
DS
（ON ） ，漏极至源极导通电阻
200
TJ = -55°C
VDS>的ID （ON ）× R DS（ ON）的最大值。
250微秒。脉冲测试
@ <0.5 ％占空比
1.20
V
GS
I
D
，漏极电流（安培）
归一
= 10V @ 0.5 I [续]
D
160
1.15
120
1.10
VGS=10V
80
TJ = + 125°C
1.05
VGS=20V
40
TJ = + 25°C
TJ = -55°C
1.00
0
2
4
6
8
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
图4 ，一般传输特性
70
0
0.95
0
25
50
75
100
125
150
I
D
，漏极电流（安培）
图5中，R
DS
（ ON）与漏电流
I
D
，漏极电流（安培）
60
50
40
30
20
10
0
BV
DSS
，漏极 - 源极击穿
电压（归）
25
I
D
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图6 ，最大漏极电流与外壳温度
-25
0
25
50 75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图7 ，击穿电压与温度
1.2
0.90
-50
R
DS
（ON ） ，漏极至源极导通电阻
（归一化）
2.5
= 0.5 I
V
GS
D
[续]
= 10V
V
GS
（ TH ） ，阈值电压
（归一化）
2.0
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
1.5
1.0
0.5
0.0
-50
-25
0
25 50
75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图8 ，导通电阻与温度
-25
0
25
50
75 100 125 150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图9 ，阈值电压与温度
-50
050-7267修订版A
2-2006
APT60M75JVFR
300
I
D
，漏极电流（安培）
10S
操作点这里
限制根据RDS （ ON）
60,000
100
50
100S
1mS
C，电容（pF ）
西塞
10,000
5,000
10
5
10mS
100mS
DC
科斯
1
.5
TC = + 25°C
TJ = + 150°C
单脉冲
CRSS
1,000
500
.1
1
5 10
50 100
600
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图10 ，最大安全工作区
I = I [续]
D
D
.01
.1
1
10
50
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图11 ，典型电容VS漏极至源极电压
I
DR
，反向漏电流（安培）
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
20
200
100
50
16
VDS=120V
VDS=300V
TJ = + 150°C
TJ = + 25°C
12
VDS=480V
8
10
5
4
250
500
750
1000
1250
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
图12 ，栅极电荷VS栅极至源极电压
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
V
SD
，源极到漏极电压（伏）
图13 ，典型的源极 - 漏极二极管的正向电压
1
SOT- 227 （ ISOTOP
）包装外形
31.5 (1.240)
31.7 (1.248)
7.8 (.307)
8.2 (.322)
W=4.1 (.161)
W=4.3 (.169)
H=4.8 (.187)
H=4.9 (.193)
（4处）
11.8 (.463)
12.2 (.480)
8.9 (.350)
9.6 (.378)
六角螺母M4
（4处）
r = 4.0 (.157)
（ 2处）
4.0 (.157)
4.2 (.165)
（ 2处）
25.2 (0.992)
0.75 (.030) 12.6 (.496) 25.4 (1.000)
0.85 (.033) 12.8 (.504)
3.3 (.129)
3.6 (.143)
14.9 (.587)
15.1 (.594)
30.1 (1.185)
30.3 (1.193)
2-2006
1.95 (.077)
2.14 (.084)
*资料来源
漏
*资料来源端子短路
在内部。目前的处理
能力是相等的任一
源极端子。
38.0 (1.496)
38.2 (1.504)
*资料来源
尺寸以毫米（英寸）
ISOTOP
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