典型性能曲线
APT60GU30B
APT60GU30S
APT60GU30B_S
300V
功率MOS 7 IGBT
功率MOS 7
IGBT是新一代高压功率IGBT的。
使用穿通科技这IGBT适用于多种频率高，
高电压开关应用，并已被优化用于高频率
开关模式电源。
TO-247
D
3
PAK
C
G
E
低传导损耗
低栅极电荷
超快尾电流关断
最大额定值
符号
V
CES
V
GE
V
创业板
I
C1
I
C2
I
CM
SSOA
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
参数
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
栅极 - 射极电压瞬态
连续集电极电流@
额定SSOA
G
C
E
C
G
E
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT60GU30B_S
单位
300
±20
±30
7
伏
T
C
= 25°C
100
60
200
200A @ 300V
417
-55到150
300
瓦
°C
安培
连续集电极电流@ T
C
= 100°C
集电极电流脉冲
1
@ T
C
= 150°C
开关安全工作区@ T
J
= 150°C
总功耗
工作和存储结温范围
马克斯。铅温度。用于焊接： 0.063"案件从10秒。
静态电气特性
符号
BV
CES
V
GE （日）
V
CE （ON）的
特性/测试条件
集电极 - 发射极击穿电压（V
GE
= 0V时，我
C
= 250A)
栅极阈值电压
(V
CE
= V
GE
, I
C
= 1毫安，T
j
= 25°C)
民
典型值
最大
单位
300
3
4.5
1.5
1.5
250
A
nA
3-2004
050-7464
REV A
6
2.0
集电极 - 发射极上的电压（V
GE
= 15V ，我
C
= 30A ，T
j
= 25°C)
集电极 - 发射极上的电压（V
GE
= 15V ，我
C
= 30A ，T
j
= 125°C)
集电极截止电流（V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V ，T
j
= 25°C)
2
2
伏
I
CES
I
GES
集电极截止电流（V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V ，T
j
= 125°C)
栅极 - 射极漏电流（V
GE
= ±20V)
2500
±100
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
动态特性
符号
C
IES
C
OES
C
水库
V
GEP
Q
g
Q
ge
Q
gc
SSOA
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on1
E
on2
E
关闭
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on1
E
on2
E
关闭
符号
R
θJC
R
θJC
W
T
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
门极 - 发射极电压高原
总栅极电荷
3
APT60GU30B_S
测试条件
电容
V
GE
= 0V, V
CE
= 25V
F = 1 MHz的
栅极电荷
V
GE
= 15V
V
CE
= 150V
I
C
= 30A
T
J
= 150℃ ，R
G
= 5, V
GE
=
15V ， L = 100μH ，V
CE
= 300V
电感式开关（ 25 ° C）
V
CC
= 200V
V
GE
= 15V
I
C
= 30A
4
5
民
典型值
最大
单位
pF
V
nC
A
2990
275
21
7.0
100
20
30
200
48
20
215
85
待定
130
240
48
20
250
155
待定
200
340
民
典型值
最大
单位
° C / W
gm
ns
ns
栅极 - 射极电荷
门极 - 集电极（ "Miller " ）充电
开关安全工作区
导通延迟时间
电流上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
导通开关能量
关断开关能量
导通延迟时间
电流上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
导通开关能量
关断开关能量
特征
结到外壳（ IGBT ）
结到管壳（二极管）
包装重量
4
5
R
G
= 20
T
J
= +25°C
导通开关能量（二极管）
6
J
电感式开关（ 125°C ）
V
CC
= 200V
V
GE
= 15V
I
C
= 30A
R
G
= 20
T
J
= +125°C
导通开关能量（二极管）
6
J
热和机械特性
0.30
不适用
5.90
1重复额定值：脉冲宽度有限的最高结温。
2对于Combi机设备，I
CES
包括IGBT和FRED泄漏
3见MIL- STD- 750方法3471 。
4 E
on1
是钳位感性点灯能量只IGBT的未经整流二极管的反向恢复电流的效果
增加了IGBT导通损耗。 （参见图24 ）
5 E
on2
是钳位感性开启能量，包括在IGBT导通一个整流二极管的反向恢复电流的开关
损失。甲组合式装置用于钳位二极管所示电子
on2
测试电路。 （见图21 ， 22 ）
6 E
关闭
是按照JEDEC标准JESD24-1测定的钳位感性关断能量。 （见图21 ， 23 ）
7 Countinous电流限制由封装引线温度。
APT保留更改的权利，恕不另行通知，该说明和信息，包含在本文中。
050-7464
REV A
3-2004
典型性能曲线
60
50
40
30
20
10
0
T
C
=125°C
T
C
=-55°C
VGE = 15V 。
250μs的脉冲测试
<0.5 ％占空比
60
50
40
APT60GU30B_S
VGE = 10V 。
250μs的脉冲测试
<0.5 ％占空比
I
C
，集电极电流（ A）
I
C
，集电极电流（ A）
T
C
=25°C
T
C
=-55°C
T
C
=25°C
30
20
10
0
T
C
=125°C
0
0.5
1
1.5
2
V
CE
，集气器 - 发射极电压（ V）
250μs的脉冲测试
<0.5 ％占空比
0
0.5
1
1.5
2
V
CE
，集气器 - 发射极电压（ V）
I
C
= 30A
T
J
= 25°C
图1中，输出特性（Ⅴ
GE
= 15V)
200
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）
图2中，输出特性（Ⅴ
GE
= 10V)
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
20
40
60
80
100
栅极电荷（ NC）
图4中，栅极电荷
I
C
=
60A
1.5
I
C
=
15A
1.0
I
C
=
30A
120
V
CE
= 240V
V
CE
= 60V
V
CE
= 150V
180
I
C
，集电极电流（ A）
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
1
TJ = -55°C
TJ = 25°C
TJ = 125°C
2 3 4
5 6
7
8 9 10
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）
图3 ，传输特性
TJ = 25°C 。
250μs的脉冲测试
<0.5 ％占空比
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
I
C=
60A
I
C=
30A
I
C=
15A
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
4
2
0.5
VGE = 15V 。
250μs的脉冲测试
<0.5 ％占空比
6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）
图5 ，通态电压VS门极 - 发射极电压
1.2
0
5
-25
0
25
50
75
100 125
T
J
，结温（ ° C）
图6 ，通态电压VS结温
160
0
-50
BV
CES
，集电极 - 发射极击穿
电压（归）
1.10
1.05
1.0
0.95
0.9
0.85
0.8
-50
I
C,
DC集电极电流（ A）
1.15
140
120
100
80
60
40
20
-25
0
25
50
75 100 125 150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图8 ， DC集电极电流与外壳温度
0
-50
焊接温度
有限
050-7464
-25
0
25
50
75
100 125
T
J
，结温（ ° C）
图7 ，击穿电压与结温
REV A
3-2004
60
t
D（上）
，导通延迟时间（纳秒）
300
V
GE
= 15V
t
D（关闭）
，关断延迟时间（纳秒）
APT60GU30B_S
50
40
30
20
10
250
200
150
100
50
0
V
CE
= 200V
R
G
= 20
L = 100 μH
V
GE
=
15V,T
J
=25°C
V
GE
=
15V,T
J
=125°C
0
10
20
30
40
50
60
70
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图9 ，导通延迟时间与集电极电流
60
50
t
r,
上升时间（纳秒）
t
f,
下降时间（纳秒）
R
G
=
20, L
=
100
H，V
CE
=
200V
V
CE
= 200V
T
J
= 25 ° C，T
J
=125°C
R
G
= 20
L = 100 μH
10
20
30
40
50
60
70
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图10 ，关闭延迟时间与集电极电流
180
160
140
40
30
20
10
120
100
80
60
40
T
J
=
125°C ，V
GE
=
10V或15V
T
=
25 ° C，V
GE
=
10V或15V
J
T
=
25或125°C ，V
GE
=
15V
J
20
0
0
10
20
30
40
50
60
70
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图11 ，电流上升时间与集电极电流
600
E
ON2
，开启能量损失（ μJ ）
V
CE
= 200V
L = 100 μH
R
G
= 20
R
G
=
20, L
=
100
H，V
CE
=
200V
10
20
30
40
50
60
70
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图12 ，电流下降时间与集电极电流
1200
E
关闭
，关闭能量损失（ μJ ）
500
400
300
200
100
1000
800
600
400
200
0
T
J
=
125°C ，V
GE
=
10V或15V
T
J
= 125°C ，V
GE
=15V
V
CE
= 200V
L = 100 μH
R
G
= 20
T
J
= 25 ° C，V
GE
=15V
0
10
20
30
40
50
60
70
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图13 ，开启能量损耗VS集电极电流
1400
开关损耗（ μJ ）
V
CE
= 200V
V
GE
= +15V
T
J
= 125°C
T
J
=
25 ° C，V
GE
=
10V或15V
10
20
30
40
50
60
70
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图14 ，关闭能量损失VS集电极电流
1200
开关损耗（ μJ ）
V
CE
= 200V
V
GE
= +15V
R
G
= 20
1200
1000
1000
800
600
E
关闭
60A
E
关闭
60A
800
E
on2
60A
600
400
200
0
5
E
关闭
30A
E
关闭
15A
E
on2
60A
400
200
0
E
关闭
30A
E
on2
30A
E
on2
15A
0
3-2004
E
on2
30A
E
on2
15A
REV A
E
关闭
15A
050-7464
10 15 20 25 30 35 40 45 50
R
G
，栅极电阻（欧姆）
图15 ，开关损耗与栅极电阻
25
50
75
100
125
T
J
，结温（ ° C）
图16 ，开关损耗VS结温
典型性能曲线
5,000
资本投资者入境计划
250
APT60GU30B_S
200
C，电容（ F）
P
1,000
500
卓越中心
100
50
CRES
10
I
C
，集电极电流（ A）
150
100
50
0
10
20
30
40
50
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
图17 ，电容VS集电极 - 发射极电压
0.35
0.30
0.9
0.25
0.7
0.20
0.15
0.10
0.05
0
0.5
0.3
0.1
0.05
10
-5
10
-4
0
50
100 150 200 250 300 350
V
CE
，集电极到发射极电压
图18 ， Minimim开关安全工作区
0
Z
θ
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
注意：
PDM
t1
t2
单脉冲
t
占空比D = 1 / T2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
10
-3
10
-2
10
-1
矩形脉冲持续时间（秒）
图19A ，最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间
1.0
遥控模型
400
F
最大
，工作频率（千赫）
连接点
温度。 （ C）
0.0218
0.00450F
100
动力
（瓦特）
0.119
0.0119F
F
最大
=
分（F
max1
, f
MAX 2
)
50
f
max1
=
T
J
= 125
°
C
T
C
= 75
°
C
D = 50 %
V
CE
= 200V
R
G
= 5
t
D（上）
0.05
+
t
r
+
t
D（关闭）
+
t
f
0.160
外壳温度
0.121F
f
MAX 2
=
P
DISS
=
P
DISS
P
COND
E
ON 2
+
E
关闭
图19B ，瞬态热阻抗模型
20
30
40 50
60 70
80 90
I
C
，集电极电流（ A）
图20 ，工作频率与集电极电流
10
10
T
J
T
C
R
θ
JC
050-7464
REV A
3-2004
典型性能曲线
APT60GU30B
APT60GU30S
APT60GU30B_S
300V
功率MOS 7 IGBT
功率MOS 7
IGBT是新一代高压功率IGBT的。
使用穿通科技这IGBT适用于多种频率高，
高电压开关应用，并已被优化用于高频率
开关模式电源。
TO-247
D
3
PAK
C
G
E
低传导损耗
低栅极电荷
超快尾电流关断
最大额定值
符号
V
CES
V
GE
V
创业板
I
C1
I
C2
I
CM
SSOA
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
参数
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
栅极 - 射极电压瞬态
连续集电极电流@
额定SSOA
G
C
E
C
G
E
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT60GU30B_S
单位
300
±20
±30
7
伏
T
C
= 25°C
100
60
200
200A @ 300V
417
-55到150
300
瓦
°C
安培
连续集电极电流@ T
C
= 100°C
集电极电流脉冲
1
@ T
C
= 150°C
开关安全工作区@ T
J
= 150°C
总功耗
工作和存储结温范围
马克斯。铅温度。用于焊接： 0.063"案件从10秒。
静态电气特性
符号
BV
CES
V
GE （日）
V
CE （ON）的
特性/测试条件
集电极 - 发射极击穿电压（V
GE
= 0V时，我
C
= 250A)
栅极阈值电压
(V
CE
= V
GE
, I
C
= 1毫安，T
j
= 25°C)
民
典型值
最大
单位
300
3
4.5
1.5
1.5
250
A
nA
3-2004
050-7464
REV A
6
2.0
集电极 - 发射极上的电压（V
GE
= 15V ，我
C
= 30A ，T
j
= 25°C)
集电极 - 发射极上的电压（V
GE
= 15V ，我
C
= 30A ，T
j
= 125°C)
集电极截止电流（V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V ，T
j
= 25°C)
2
2
伏
I
CES
I
GES
集电极截止电流（V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V ，T
j
= 125°C)
栅极 - 射极漏电流（V
GE
= ±20V)
2500
±100
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
动态特性
符号
C
IES
C
OES
C
水库
V
GEP
Q
g
Q
ge
Q
gc
SSOA
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on1
E
on2
E
关闭
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on1
E
on2
E
关闭
符号
R
θJC
R
θJC
W
T
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
门极 - 发射极电压高原
总栅极电荷
3
APT60GU30B_S
测试条件
电容
V
GE
= 0V, V
CE
= 25V
F = 1 MHz的
栅极电荷
V
GE
= 15V
V
CE
= 150V
I
C
= 30A
T
J
= 150℃ ，R
G
= 5, V
GE
=
15V ， L = 100μH ，V
CE
= 300V
电感式开关（ 25 ° C）
V
CC
= 200V
V
GE
= 15V
I
C
= 30A
4
5
民
典型值
最大
单位
pF
V
nC
A
2990
275
21
7.0
100
20
30
200
48
20
215
85
待定
130
240
48
20
250
155
待定
200
340
民
典型值
最大
单位
° C / W
gm
ns
ns
栅极 - 射极电荷
门极 - 集电极（ "Miller " ）充电
开关安全工作区
导通延迟时间
电流上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
导通开关能量
关断开关能量
导通延迟时间
电流上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
导通开关能量
关断开关能量
特征
结到外壳（ IGBT ）
结到管壳（二极管）
包装重量
4
5
R
G
= 20
T
J
= +25°C
导通开关能量（二极管）
6
J
电感式开关（ 125°C ）
V
CC
= 200V
V
GE
= 15V
I
C
= 30A
R
G
= 20
T
J
= +125°C
导通开关能量（二极管）
6
J
热和机械特性
0.30
不适用
5.90
1重复额定值：脉冲宽度有限的最高结温。
2对于Combi机设备，I
CES
包括IGBT和FRED泄漏
3见MIL- STD- 750方法3471 。
4 E
on1
是钳位感性点灯能量只IGBT的未经整流二极管的反向恢复电流的效果
增加了IGBT导通损耗。 （参见图24 ）
5 E
on2
是钳位感性开启能量，包括在IGBT导通一个整流二极管的反向恢复电流的开关
损失。甲组合式装置用于钳位二极管所示电子
on2
测试电路。 （见图21 ， 22 ）
6 E
关闭
是按照JEDEC标准JESD24-1测定的钳位感性关断能量。 （见图21 ， 23 ）
7 Countinous电流限制由封装引线温度。
APT保留更改的权利，恕不另行通知，该说明和信息，包含在本文中。
050-7464
REV A
3-2004
典型性能曲线
60
50
40
30
20
10
0
T
C
=125°C
T
C
=-55°C
VGE = 15V 。
250μs的脉冲测试
<0.5 ％占空比
60
50
40
APT60GU30B_S
VGE = 10V 。
250μs的脉冲测试
<0.5 ％占空比
I
C
，集电极电流（ A）
I
C
，集电极电流（ A）
T
C
=25°C
T
C
=-55°C
T
C
=25°C
30
20
10
0
T
C
=125°C
0
0.5
1
1.5
2
V
CE
，集气器 - 发射极电压（ V）
250μs的脉冲测试
<0.5 ％占空比
0
0.5
1
1.5
2
V
CE
，集气器 - 发射极电压（ V）
I
C
= 30A
T
J
= 25°C
图1中，输出特性（Ⅴ
GE
= 15V)
200
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）
图2中，输出特性（Ⅴ
GE
= 10V)
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
20
40
60
80
100
栅极电荷（ NC）
图4中，栅极电荷
I
C
=
60A
1.5
I
C
=
15A
1.0
I
C
=
30A
120
V
CE
= 240V
V
CE
= 60V
V
CE
= 150V
180
I
C
，集电极电流（ A）
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
1
TJ = -55°C
TJ = 25°C
TJ = 125°C
2 3 4
5 6
7
8 9 10
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）
图3 ，传输特性
TJ = 25°C 。
250μs的脉冲测试
<0.5 ％占空比
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
I
C=
60A
I
C=
30A
I
C=
15A
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
4
2
0.5
VGE = 15V 。
250μs的脉冲测试
<0.5 ％占空比
6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）
图5 ，通态电压VS门极 - 发射极电压
1.2
0
5
-25
0
25
50
75
100 125
T
J
，结温（ ° C）
图6 ，通态电压VS结温
160
0
-50
BV
CES
，集电极 - 发射极击穿
电压（归）
1.10
1.05
1.0
0.95
0.9
0.85
0.8
-50
I
C,
DC集电极电流（ A）
1.15
140
120
100
80
60
40
20
-25
0
25
50
75 100 125 150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图8 ， DC集电极电流与外壳温度
0
-50
焊接温度
有限
050-7464
-25
0
25
50
75
100 125
T
J
，结温（ ° C）
图7 ，击穿电压与结温
REV A
3-2004
60
t
D（上）
，导通延迟时间（纳秒）
300
V
GE
= 15V
t
D（关闭）
，关断延迟时间（纳秒）
APT60GU30B_S
50
40
30
20
10
250
200
150
100
50
0
V
CE
= 200V
R
G
= 20
L = 100 μH
V
GE
=
15V,T
J
=25°C
V
GE
=
15V,T
J
=125°C
0
10
20
30
40
50
60
70
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图9 ，导通延迟时间与集电极电流
60
50
t
r,
上升时间（纳秒）
t
f,
下降时间（纳秒）
R
G
=
20, L
=
100
H，V
CE
=
200V
V
CE
= 200V
T
J
= 25 ° C，T
J
=125°C
R
G
= 20
L = 100 μH
10
20
30
40
50
60
70
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图10 ，关闭延迟时间与集电极电流
180
160
140
40
30
20
10
120
100
80
60
40
T
J
=
125°C ，V
GE
=
10V或15V
T
=
25 ° C，V
GE
=
10V或15V
J
T
=
25或125°C ，V
GE
=
15V
J
20
0
0
10
20
30
40
50
60
70
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图11 ，电流上升时间与集电极电流
600
E
ON2
，开启能量损失（ μJ ）
V
CE
= 200V
L = 100 μH
R
G
= 20
R
G
=
20, L
=
100
H，V
CE
=
200V
10
20
30
40
50
60
70
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图12 ，电流下降时间与集电极电流
1200
E
关闭
，关闭能量损失（ μJ ）
500
400
300
200
100
1000
800
600
400
200
0
T
J
=
125°C ，V
GE
=
10V或15V
T
J
= 125°C ，V
GE
=15V
V
CE
= 200V
L = 100 μH
R
G
= 20
T
J
= 25 ° C，V
GE
=15V
0
10
20
30
40
50
60
70
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图13 ，开启能量损耗VS集电极电流
1400
开关损耗（ μJ ）
V
CE
= 200V
V
GE
= +15V
T
J
= 125°C
T
J
=
25 ° C，V
GE
=
10V或15V
10
20
30
40
50
60
70
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图14 ，关闭能量损失VS集电极电流
1200
开关损耗（ μJ ）
V
CE
= 200V
V
GE
= +15V
R
G
= 20
1200
1000
1000
800
600
E
关闭
60A
E
关闭
60A
800
E
on2
60A
600
400
200
0
5
E
关闭
30A
E
关闭
15A
E
on2
60A
400
200
0
E
关闭
30A
E
on2
30A
E
on2
15A
0
3-2004
E
on2
30A
E
on2
15A
REV A
E
关闭
15A
050-7464
10 15 20 25 30 35 40 45 50
R
G
，栅极电阻（欧姆）
图15 ，开关损耗与栅极电阻
25
50
75
100
125
T
J
，结温（ ° C）
图16 ，开关损耗VS结温
典型性能曲线
5,000
资本投资者入境计划
250
APT60GU30B_S
200
C，电容（ F）
P
1,000
500
卓越中心
100
50
CRES
10
I
C
，集电极电流（ A）
150
100
50
0
10
20
30
40
50
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
图17 ，电容VS集电极 - 发射极电压
0.35
0.30
0.9
0.25
0.7
0.20
0.15
0.10
0.05
0
0.5
0.3
0.1
0.05
10
-5
10
-4
0
50
100 150 200 250 300 350
V
CE
，集电极到发射极电压
图18 ， Minimim开关安全工作区
0
Z
θ
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
注意：
PDM
t1
t2
单脉冲
t
占空比D = 1 / T2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
10
-3
10
-2
10
-1
矩形脉冲持续时间（秒）
图19A ，最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间
1.0
遥控模型
400
F
最大
，工作频率（千赫）
连接点
温度。 （ C）
0.0218
0.00450F
100
动力
（瓦特）
0.119
0.0119F
F
最大
=
分（F
max1
, f
MAX 2
)
50
f
max1
=
T
J
= 125
°
C
T
C
= 75
°
C
D = 50 %
V
CE
= 200V
R
G
= 5
t
D（上）
0.05
+
t
r
+
t
D（关闭）
+
t
f
0.160
外壳温度
0.121F
f
MAX 2
=
P
DISS
=
P
DISS
P
COND
E
ON 2
+
E
关闭
图19B ，瞬态热阻抗模型
20
30
40 50
60 70
80 90
I
C
，集电极电流（ A）
图20 ，工作频率与集电极电流
10
10
T
J
T
C
R
θ
JC
050-7464
REV A
3-2004
QQ：2881677436 复制
