【APT60GA60JD60600V高速PT IGBTEE功率MOS 8是一种高速穿通型开关模式IGB】,IC型号APT60GA60JD60,APT60GA60JD60 PDF资料,APT60GA60JD60经销商,ic,电子元器件-51电子网

APT60GA60JD60

600V

高速PT IGBT

E

功率MOS 8

是一种高速穿通型开关模式IGBT 。低辐射

关闭

实现

27

-2

C

G

通过领先的技术，芯片设计和寿命控制过程。降低ê

关闭

-

T

SO

V

CE （ON）的

权衡的结果优于EF网络效率比其他IGBT技术。低

栅极电荷和C的大大降低比例

水库

/C

IES

提供卓越的抗噪声能力，短

"UL Recognized"

ISOTOP

延迟时间和简单的栅极驱动。的本征芯片栅极的电阻和电容

APT60GA60JD60

聚硅氧烷的栅极结构可以帮助控制di / dt的切换，从而导致低的EMI ，即使在

当在高频率切换。

康贝（ IGBT和二极管）

文件＃ E145592

特点

快速，低EMI转换

非常低辐射

关闭

为实现最大的效率

超低低C

水库

为提高抗干扰

低传导损耗

低栅极电荷

低EMI增加的固有栅极电阻

符合RoHS

典型应用

ZVS移相和其他全桥

半桥

高功率PFC升压

焊接

UPS ，太阳能，以及其他逆变器

高频率，高英法fi工业效率

绝对最大额定值

符号

V

CES

I

C1

I

C2

I

CM

V

GE

P

D

SSOA

T

J

, T

英镑

参数

集电极 - 发射极电压

连续集电极电流@ T

C

= 25°C

连续集电极电流@ T

C

= 100°C

集电极电流脉冲

1

栅极 - 发射极电压

2

总功率耗散@ T

C

= 25°C

开关安全工作区@ T

J

= 150°C

工作和存储结温范围

评级

600

112

60

178

±30

356

178A @ 600V

-55到150

单位

V

A

V

W

°C

静态特性

符号

V

BR （CES）上

V

CE （ON）的

V

GE （日）

I

CES

I

GES

T

J

= 25 ° C除非另有规定编

测试条件

V

GE

= 0V时，我

C

= 1.0毫安

V

GE

= 15V,

I

C

= 62A

V

CE

= 600V,

V

GE

= 0V

T

J

= 25°C

T

J

= 125°C

3

T

J

= 25°C

T

J

= 125°C

参数

集电极 - 发射极击穿电压

电压集电极 - 发射极

门射阈值电压

零栅极电压集电极电流

栅极 - 发射极漏电流

民

600

典型值

2.0

1.9

4.5

最大

2.5

6

275

3000

±100

单位

V

GE

=V

CE

, I

C

= 1毫安

μA

052-6340版本C 3 - 2009

V

GS

= ±30V

nA

Microsemi的网站 - http://www.microsemi.com

动态特性

符号

C

IES

C

OES

C

水库

Q

g

3

T

J

= 25 ° C除非另有规定编

测试条件

电容

V

GE

= 0V, V

CE

= 25V

F = 1MHz的

栅极电荷

V

GE

= 15V

V

CE

= 300V

I

C

= 62A

T

J

= 150℃ ，R

G

= 4.7Ω

4

, V

GE

= 15V,

L = 100UH ，V

CE

= 600V

电感式开关（ 25 ° C）

V

CC

= 400V

V

GE

= 15V

I

C

= 62A

R

G

= 4.7Ω

4

T

J

= +25°C

电感式开关（ 125°C ）

V

CC

= 400V

V

GE

= 15V

I

C

= 62A

R

G

= 4.7Ω

4

T

J

= +125°C

178

35

49

175

91

APT60GA60JD60

民

典型值

8010

714

74

296

106

60

A

nC

pF

参数

输入电容

输出电容

反向传输电容

总栅极电荷

栅极 - 射极电荷

栅极电荷收集

开关安全工作区

导通延迟时间

电流上升时间

打开-O FF延迟时间

电流下降时间

导通开关能量

关断开关能量

导通延迟时间

电流上升时间

打开-O FF延迟时间

电流下降时间

导通开关能量

关断开关能量

最大

单位

Q

ge

Q

gc

SSOA

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

E

on2

E

off6

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

E

on2

E

off6

ns

1450

1255

33

49

214

119

1995

1760

μJ

ns

μJ

热和机械特性

符号

R

θJC

R

θJC

W

T

V

隔离

特征

结到外壳热阻（ IGBT ）

结到外壳热阻（二极管）

包装重量

RMS电压

（ 50-60赫兹正弦波形，从终端到安装底座，持续1分钟。）

民

-

典型值

-

最大

.35

.60

单位

° C / W

g

伏

-

2500

29.2

-

1重复额定值：脉冲宽度和温度的情况下，通过限制最高结温。

2脉冲测试：脉冲宽度< 380μs ，占空比< 2 ％。

3见MIL- STD- 750方法3471 。

4 R

G

是外部栅极电阻，不包括内部栅极电阻或栅极驱动器阻抗。（ MIC4452 ）

5 E

on2

是对能源的钳位感性转弯，其中包括在IGBT导通损耗的能量一个整流二极管的反向恢复电流。一个组合式的设备用于

钳位二极管。

6 E

关闭

是按照JEDEC标准JESD24-1测定的钳位感性关断能量。

Microsemi的保留权利更改，恕不另行通知，此处包含的说明和信息。

052-6340版本C 3 - 2009

典型性能曲线

200

175

I

C

，集电极电流（ A）

150

125

100

75

50

25

0

1

2

3

4

5

6

V

CE

，集电极 - 发射极电压（V ）

图1中，输出特性（T

J

= 25°C)

V

GE

，门极 - 发射极电压（V ）

250μs的脉冲

TEST<0.5 ％占空比

周期

APT60GA60JD60

350

13V

15V

11V

10V

V

GE

= 15V

I

C

，集电极电流（ A）

T

J

= 55°C

T

J

= 125°C

T

J

= 25°C

T

J

= 150°C

300

250

9V

200

150

100

7V

50

0

6V

0

4

8

12 16 20

24 28 32

V

CE

，集电极 - 发射极电压（V ）

图2中，输出特性（T

J

= 25°C)

I = 62A

C

中T = 25℃

J

8V

200

175

I

C

，集电极电流（ A）

150

125

100

75

50

25

0

16

14

12

10

8

6

4

2

0

V

CE

= 120V

V

CE

= 300V

V

CE

= 480V

T

J

= 25°C

T

J

= 125°C

2

T

J

= -55°C

4

6

8 10 12

13 14

V

GE

，门极 - 发射极电压（V ）

图3 ，传输特性

T

J

= 25°C.

250μs的脉冲测试

<0.5 ％占空比

0

50

V

CE

，集电极 - 发射极电压（V ）

V

CE

，集电极 - 发射极电压（V ）

4

5

100 150 200 250 300

栅极电荷（ NC）

图4中，栅极电荷

350

4

3

I

C

= 124A

I

C

= 62A

3

I

C

= 124A

I

C

= 62A

2

I

C

= 31A

1

2

1

V

GE

= 15V.

250μs的脉冲测试

<0.5 ％占空比

I

C

= 31A

0

6

8

10

12

14

16

0

25

50

75

100

125

150

V

GE

，门极 - 发射极电压（V ）

图5 ，通态电压VS门极 - 发射极电压

1.15

T

J

，结温（ ° C）

图6 ，通态电压VS结温

125

V

GS （ TH）

阈值电压

（归一化）

1.10

1.05

1.00

0.95

0.90

0.85

0.80

0.75

0.70

I

C

， DC集电极电流（ A）

100

75

50

25

0

25 50 75 100 125 150

T

J

，结温

图7 ，阈值电压随结温

-50 -25

50

75

100

125

150

T

C

，外壳温度（ ° C）

图8 ， DC集电极电流与外壳温度

0

25

052-6340版本C 3 - 2009

典型性能曲线

50

t

D（关闭）

，关断延迟时间（纳秒）

t

D（上）

，导通延迟时间（纳秒）

45

40

35

30

25

20

15

10

5

0

V

CE

= 400V

T

J

= 25°C

,

或125°C

R

G

= 4.7Ω

L = 100μH

APT60GA60JD60

300

250

200

150

100

50

0

V

CE

=

400V

R

G

=

4.7Ω

L = 100μH

V

GE

=15V,T

J

=25°C

V

GE

= 15V

V

GE

=15V,T

J

=125°C

0

25

50

75

100

125

I

CE

，集电极 - 发射极电流（A ）

图9 ，导通延迟时间与集电极电流

R

G

=

4.7Ω, L

=

100

μ

H，V

CE

=

400V

0

25

50

75

100

125

I

CE

，集电极 - 发射极电流（A ）

图10 ，关闭延迟时间与集电极电流

200

R

G

=

4.7Ω, L

=

100

μ

H，V

CE

=

400V

150

125

100

75

50

25

0

160

T

J

=

125°C ，V

GE

=

15V

t

r

，上升时间（ NS ）

t

r

，下降时间（ NS ）

120

80

T

J

=

25 ° C，V

GE

=

15V

T

J

=

25或125°C ，V

GE

=

15V

40

25

50

75

100

125

I

CE

，集电极 - 发射极电流（A ）

图11 ，电流上升时间与集电极电流

7000

6000

5000

4000

3000

2000

1000

0

T

J

=

25°C

T

J

=

125°C

0

E

关闭

,

TURN OFF能量损失（ μJ ）

E

on2

,

开启能量损失（ μJ ）

V

= 400V

CE

V

= +15V

GE

R = 4.7Ω

G

0

25

50

75

100

125

I

CE

，集电极 - 发射极电流（A ）

图12 ，电流下降时间与集电极电流

5000

V

= 400V

CE

V

= +15V

GE

R = 4.7Ω

G

0

4000

3000

T

J

=

125°C

2000

1000

T

J

=

25°C

25

50

75

100

125

I

CE

，集电极 - 发射极电流（A ）

图13 ，开启能量损耗VS集电极电流

12000

开关损耗（ μJ ）

10000

8000

6000

4000

2000

0

E

关，

26A

E

on2,

26A

E

关，

13A

E

on2,

13A

V

= 400V

CE

V

= +15V

GE

T = 125°C

J

0

25

50

75

100

125

I

CE

，集电极 - 发射极电流（A ）

图14 ，关断能量损耗VS集电极电流

7500

开关损耗（ μJ ）

V

= 400V

CE

V

= +15V

GE

R = 4.7Ω

G

0

E

on2,

52A

E

on2,

52A

E

on2,

52A

6000

E

on2,

52A

4500

052-6340版本C 3 - 2009

3000

E

关，

26A

E

关，

26A

E

on2,

13A

E

关，

13A

1500

10

20

30

40

50

R

G

，栅极电阻（欧姆）

图15 ，开关损耗VS栅极电阻

0

25

50

75

100

125

T

J

，结温（ ° C）

图16 ，开关损耗VS结温

0

典型性能曲线

10000

500

C

IES

C，电容（pF ）

1000

APT60GA60JD60

I

C

，集电极电流（ A）

100

10

C

OES

100

C

水库

10

1

0

100

200

300

400

500

V

CE

，集电极 - 发射极电压（伏）

图17 ，电容VS集电极 - 发射极电压

1

10

100

1000

V

CE

，集电极 - 发射极电压

图18 ，最小开关安全工作区

0.1

0.40

Z

θ

JC

，热阻抗（ ℃/ W）

0.35

0.30

0.25

0.20

0.15

0.3

0.10

0.05

0

10

-5

0.1

0.05

10

-4

D = 0.9

0.7

0.5

注意：

PDM

t1

t2

单脉冲

10

-3

10

-2

占空比D =

1

/

t2

山顶TJ = PDM X Z

θJC

+ TC

t

10

-1

1.0

矩形脉冲持续时间（秒）

图19A ，最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间

10

T

J

(°C)

T

C

(°C)

耗散功率

（瓦特）

.0075

.3033

5.2132

Z

EXT

是外热

阻抗：案例下沉，

下沉到环境等设置为

只有建模时零

的情况下结。

图19B ，瞬态热阻抗模型

Z

EXT

.0736

.2093

.0658

052-6340版本C 3 - 2009

权力事项。

动力组合

2012-2013

功率半导体

电源模块

RF功率MOSFET

关于Microsemi的

Microsemi的公司（Nasdaq： MSCC ）提供半导体和系统解决方案的综合产品组合

为通信，国防&安全，航空航天和工业市场。产品包括高性能，

防辐射，高可靠性的模拟混合信号集成电路， FPGA的SoC和ASIC的;动力

管理产品;定时和语音处理装置; RF解决方案;分立元件;安全

技术和可扩展反篡改产品;电源的以太网IC和中跨设备;以及定制设计

功能和服务。

Microsemi的总部设在加利福尼亚州Aliso Viejo ，以及在全球拥有约3000名员工。了解更多

在www.microsemi.com 。

高压开关电源晶体管

第页

IGBT（绝缘栅双极型晶体管） ........................................... ........................... 3-5

功率MOS 8

TM

的MOSFET / FREDFETs ............................................... ............................. 6-8

超低栅极电荷的MOSFET ............................................. ......................................... 9

的CoolMOS

TM

MOSFETs..................................................................................................... 10

高电压线性的MOSFET .............................................. ........................................... 10

二极管

SiC肖特基和超快速恢复二极管........................................... ................. 11-13

高压射频MOSFET， .............................................. .......................................... 14

驱动RF MOSFET杂种............................................. ......................................... 14

高频RF的MOSFET .............................................. .................................... 15

参考设计套件............................................... ............................................... 15

电源模块

内容.......................................................................................................................... 16

电气CON组fi guration ................................................ .................................................. 17

包装........................................................................................................................ 18

诀窍和能力.............................................. ......................................... 19-20

部分编号系统............................................... .................................................. .. 21

IGBT（绝缘栅双极型晶体管） ........................................... ..................... 22-26

MOSFET的....................................................................................................................27-31

可再生能源发电模块.............................................. .............................. 31-32

SiC功率Modules.....................................................................................................33-35

二极管和整流器器.................................................................................................36-38

封装外形图............................................... ............................... 39-43

“ COOLMOS ”包括通过在网络霓虹科技股份公司研制的晶体管的一个新的家庭。

“ COOLMOS ”是科幻霓虹科技公司的商标。 “

ASPM ，功率MOS V ，功率MOS 7 & T- MAX？注册的Microsemi Corporation的商标。

绝缘栅双极晶体管（IGBT ）

从Microsemi的IGBT的

从Microsemi的IGBT产品提供广泛的高电压，高功率应用的高品质解决方案。开关

频率范围涵盖从DC的最小导通损耗超过100kHz的非常高的功率密度SMPS应用。该频

昆西范围为每个产品类型显示在下面的曲线图。每个IGBT产品代表了最新的IGBT技术，提供

最佳的性能/成本组合为目标应用。有六个产品系列采用三种不同的

IGBT技术：非穿通型（ NPT ），穿通（ PT ）和场站。

IGBT的开关频率范围（ kHz时，硬开关）

10

视场光阑

20

30

40

50

60

70

80

90

100

110

120

600V

霹雳

不扩散核武器条约

霹雳

高速（ HS ） NPT

功率MOS 8

TM

PT

900V

视场光阑

功率MOS 8

TM

PT

快速NPT

1200V

功率MOS 7

TM

PT

霹雳

不扩散核武器条约

功率MOS 8

TM

不扩散核武器条约（ NEW ！）

注意：

所示的频率范围是典型的一50A的IGBT 。参考产品数据表的最大频率 - 电流曲线以了解更多信息。

标准

系列

THUNDERBOLT

Thundebolt

高速

快

MOS 7

MOS 8

视场光阑

沟槽栅

电压

评级（ V）

600, 1200

600

1200

600, 900, 1200

600, 1200

技术

不扩散核武器条约

PT

PT ， NPT

视场光阑

便于

并行

X

短路评论

SOA

X

通用，高速

最高速度

通用型，中

速度

超低栅极电荷

最高EF网络效率

X

最低的导通损耗

产品选项

所有标准的IGBT产品可作为一个单一的IGBT或作为组合式产品包装与反并联DQ系列二极管。

封装形式包括TO- 220 ， TO- 247 ，T -MAX

， TO- 264和SOT- 227 。定制产品可供选择;请与工厂联系获取详细信息。

3

绝缘栅双极晶体管（IGBT ）

BV

CES

伏

V

CE （ON）的

典型值25

O

C

2.5

1200

2.5

70

85

85*

100

o

C

I

C2

我最大

C

在频率

50千赫

80千赫

21

28

36

25

38

48

产品型号

APT25GR120B

APT25GR120S

APT40GR120B

APT40GR120S

APT50GR120B2

APT50GR120L

APT70GR120B2

APT70GR120L

APT70GR120J

APT85GR120B2

APT85GR120L

APT85GR120J

包

风格

TO-247

D

3

TO-247

D

3

T-最大

TO-264

T-最大

TO-264

ISOTOP

T-最大

TO-264

ISOTOP

功率MOS 8

TM

单身

25

40

50

新！

1200V

25千赫

66

42

72

46

50千赫

42

30

46

31

TO-247[B]

康贝（ IGBT &二极管）

2.5

25

40

50*

70*

85*

36

44

54

68

80

102

35

43

64

80

50千赫

25

38

80千赫

21

28

APT25GR120BD15

APT25GR120SD15

APT25GR120BSCD10

APT25GR120SSCD10

APT40GR120B2D30

APT40GR120B2SCD10

APT50GR120JD30

APT70GR120JD60

APT85GR120JD60

APT36GA60B

APT44GA60B

APT54GA60B

APT68GA60B

APT80GA60B

APT102GA60B2

APT35GA90B

APT43GA90B

APT64GA90B

APT80GA90B

的TO- 247 （DQ）

维生素D3 （DQ）

的TO- 247 （碳化硅SBD）

D3碳化硅（SiC SBD ）

T-最大

（DQ）

T-最大

碳化硅（SiC SBD ）

ISOTOP

（DQ）

ISOTOP

（DQ）

ISOTOP

（DQ）

TO-247

T-最大

或TO- 264

TO-247

的TO- 247或D

3

D

3

PAK [S]

对于D部分号码

3

包 - 替换

B “和” S“部分

数

1200

25千赫

42

46

50千赫

32

30

31

功率MOS 8

TM

单身

600

2.0

2.5

50千赫

21

26

30

35

40

51

80千赫

17

20

23

27

31

39

T-MAX[B2]

25千赫

900

17

21

29

34

50千赫

10

13

19

23

康贝（ IGBT & “ DQ ”FRED ）

2.0

2.5

1.5

1.7

36

44

54

60

68

80

27

35

43

46

64

80

24

37

64

93

123

135

190

230

158

33

46

66

70

99

120

99

50千赫

21

26

30

48

35

40

80千赫

17

20

23

36

27

31

APT36GA60BD15

APT44GA60BD30

APT54GA60BD30

APT60GA60JD60

APT68GA60B2D40

APT80GA60LD40

APT27GA90BD15

APT35GA90BD15

APT43GA90BD30

APT46GA90JD40

APT64GA90B2D30

APT80GA90LD40

APT20GN60BG

APT30GN60BG

APT50GN60BG

APT75GN60BG

APT150GN60J

APT100GN60B2G

APT150GN60B2G

APT200GN60B2G

APT200GN60J

APT25GN120BG

APT35GN120BG

APT50GN120B2G

APT100GN120J

APT75GN120B2G

APT100GN120B2G

APT150GN120J

TO-247

ISOTOP

T-最大

或TO- 264

TO-264

TO-247

ISOTOP

T-最大

或TO- 264

TO-264

TO-247

ISOTOP

T-最大

ISOTOP

的TO- 247或D

3

TO-247

T-最大

ISOTOP

T-最大

或TO- 264

T-最大

ISOTOP

600

TO-264[L]

25千赫

900

14

17

21

33

29

34

50千赫

8

10

13

21

19

23

视场光阑

单身

15千赫

15

20

30

42

75

54

79

103

100

30千赫

10

14

21

30

47

39

57

75

66

264-MAX

TM

[L2]

有关部件号

TO- 264封装 -

替换"B2"

"L"部分号码

600

10千赫

19

24

32

44

45

58

60

20千赫

13

17

22

27

30

38

36

1200

ISOTOP

[J]

SOT-227

C

G

E

目前@频率测试条件：

TJ = 125

o

C，锝= 100

o

除了Isotop C，其中TC = 80

o

C， VCC = 67 ％额定电压硬开关

可www.microsemi.com数据表

4

所有产品符合RoHS

绝缘栅双极晶体管（IGBT ）

BV

CES

伏

V

CE （ON）的

典型值25

o

C

1.5

1.7

3.3

2.0

3.2

2.0

3.2

2.8

2.5

I

C2

100

o

C

24

37

64

93

123

135

190

158

22

33

46

57

66

70

99

33

46

54

34

91

57

20

33

46

54

34

57

20

30

40

50

60

100

200

18

25

50

60

90

15

20

30

50

100

18

25

50

42

60

50

30

50

14

20

35

75

我最大

C

在频率

15千赫

15

20

30

42

75

54

79

100

产品型号

APT20GN60BDQ1G

APT30GN60BDQ2G

APT50GN60BDQ2G

APT75GN60LDQ3G

APT150GN60JDQ4

APT100GN60LDQ4G

APT150GN60LDQ4G

APT200GN60JDQ4

APT15GN120BDQ1G

APT25GN120B2DQ2G

APT35GN120L2DQ2G

APT75GN120JDQ3

APT50GN120L2DQ2G

APT100GN120JDQ4

APT150GN120JDQ4

APT25GP120BG

APT35GP120BG

APT45GP120BG

APT45GP120J

APT75GP120B2G

APT75GP120J

APT13GP120BDQ1G

APT25GP120BDQ1G

APT35GP120B2DQ2G

APT45GP120B2DQ2G

APT45GP120JDQ2

APT75GP120JDQ3

APT20GT60BRG

APT30GT60BRG

APT40GT60BRG

APT50GT60BRG

APT60GT60BRG

APT100GT60B2RG

APT200GT60JR

APT15GT120BRG

APT25GT120BRG

APT50GT120B2RG

APT100GT120JR

APT150GT120JR

APT15GT60BRDQ1G

APT20GT60BRDQ1G

APT30GT60BRDQ2G

APT50GT60BRDQ2G

APT100GT60JRDQ4

APT15GT120BRDQ1G

APT25GT120BRDQ2G

APT50GT120B2RDQ2G

APT75GT120JRDQ3

APT100GT120JRDQ4

APT50GS60BRG

APT30GS60BRDQ2G

APT50GS60BRDQ2G

APT11GF120KRG

APT20GF120KRG

APT33GF120BRG

APT50GF120B2RG

APT50GF120LRG

包

风格

TO-247

TO-264

ISOTOP

TO-264

ISOTOP

的TO- 247或D

3

T-最大

264-MAX

ISOTOP

264-MAX

ISOTOP

T0-247

ISOTOP

T- MAX

ISOTOP

T0-247

T- MAX

ISOTOP

TO-247

的TO- 247或D

3

T-最大

或TO- 264

ISOTOP

TO-247

T-最大

或TO- 264

ISOTOP

TO-247

的TO- 247或D

3

ISOTOP

TO-247

T-最大

或TO- 264

ISOTOP

TO-247

TO-220

TO-247

T-最大

TO-264

康贝（ IGBT & "DQ" FRED ）

30千赫

10

14

21

30

47

39

57

66

TO-220[K]

600

10千赫

14

19

24

36

32

44

60

20千赫

10

13

17

22

27

36

D

3

PAK [S]

1200

功率MOS 7

和IGBT

单身

20千赫

19

24

29

28

42

40

40千赫

12

15

18

24

23

1200

TO-247[B]

对于D部分号码

3

包 -

替换"B"

"S"部分号码

康贝（ IGBT & "DQ" FRED ）

1200

20千赫

11

19

24

29

28

40

40千赫

7

12

15

18

23

THUNDERBOLT

单身

600

30千赫

14

19

25

30

35

56

72

60千赫

10

13

16

20

22

35

--

T-最大

[B2]

20千赫

1200

11

16

27

40

52

40千赫

8

11

17

21

25

康贝（ IGBT & "DQ" FRED ）

600

30千赫

11

14

19

30

37

60千赫

8

10

13

20

22

TO-264[L]

对于L零件编号

包 -

替换"B2"

"L"部分号码

20千赫

1200

11

16

27

34

40

40千赫

8

11

17

19

21

THUNDERBOLT

高速

单身

600

50千赫

23

80千赫

16

康贝（ IGBT & "DQ" FRED ）

单身

1200

50千赫

14

23

80千赫

9

16

15千赫

8

11

16

27

30千赫

5

7

10

17

ISOTOP

[J]

SOT-227

C

G

目前@频率测试条件：

TJ = 125

o

C，锝= 100

o

除了Isotop C，其中TC = 80

o

C， VCC = 67 ％额定电压硬开关

可www.microsemi.com数据表

所有产品符合RoHS

E

5

权力事项。

动力组合

2012-2013

功率半导体

电源模块

RF功率MOSFET