APT609RKVR
600V
1A
9.0
功率MOS V
功率MOS V
是新一代高电压N沟道增强
模式的功率MOSFET 。这种新技术的最小的JFET效应，
增加填充密度，并降低了导通电阻。功率MOS V
还实现了门，通过优化布局更快的开关速度。
G
D
S
TO-220
D
G
S
更快的开关
低漏
100 ％雪崩测试
热门TO- 220封装
最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
V
GSM
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
I
AR
E
AR
E
AS
参数
漏源电压
连续漏电流@ T
C
= 25°C
漏电流脉冲
1
门源电压连续
栅源电压瞬态
总功率耗散@ T
C
= 25°C
线性降额因子
工作和存储结温范围
焊接温度： 0.063"案件从10秒。
雪崩电流
1
L
A
IC
N
H
EC ION
T T
E A
C M
n个R
A○
V F
值D N
A
I
600
1
4
±30
±40
31
.25
-55到150
300
1
15
4
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT609RKVR
单位
伏
安培
伏
瓦
W / ℃，
°C
安培
mJ
（重复，不重复）
1
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
55
静态电气特性
符号
BV
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
特性/测试条件
漏源击穿电压（V
GS
= 0V时，我
D
= 250A)
在国家漏极电流
2
民
典型值
最大
单位
伏
安培
600
1
9.0
25
250
±100
2
4
(V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）
马克斯，V
GS
= 10V)
2
漏源导通电阻
(V
GS
= 10V ， 0.5升
D [续]
)
欧
A
nA
伏
050-7253冯 - 2-2002
零栅极电压漏极电流（V
DS
= V
DSS
, V
GS
= 0V)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 0.8 V
DSS
, V
GS
= 0V ，T
C
= 125°C)
门源漏电流（V
GS
= ±30V, V
DS
= 0V)
栅极阈值电压（V
DS
= V
GS
, I
D
= 1.0毫安）
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
美国
欧洲
405 S.W.哥伦比亚街
舍曼MAGRET
德，俄勒冈州97702 -1035
F- 33700梅里捏克 - 法国
电话： （ 541 ） 382-8028
电话： （ 33 ） 5 57 92 15 15
传真： （ 541 ） 388-0364
FAX ： （ 33 ） 10 56 47 97 61
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
3
APT609RKVR
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
V
GS
= 10V
V
DD
= 0.5 V
DSS
I
D
= 20mA下25°C
V
GS
= 15V
V
DD
= 0.5 V
DSS
I
D
= 1A @ 25°C
R
G
= 1.6
民
典型值
最大
单位
249
42
13
15
1
7
11
13
73
86
ns
nC
pF
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller " ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源极 - 漏极二极管额定值和特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
特性/测试条件
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流
1
二极管的正向电压
反向恢复时间（I
S
= -I
D [续]
， DL
S
/ DT = 100A / μs）内
反向恢复电荷（我
S
= -I
D [续]
， DL
S
/ DT = 100A / μs）内
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
特征
结到外壳
L
A
IC
N
H
为C n
TE TIO
E A
C M
n个R
VA FO
值D N
A
I
民
典型值
（体二极管）
2
最大
单位
安培
伏
ns
C
1
4
1.3
(V
GS
= 0V时，我
S
= -I
D [续]
)
162
1
民
典型值
最大
单位
° C / W
4.0
80
结到环境
1
重复评价：脉冲宽度有限的最高结
温度。
2
脉冲测试：脉冲宽度< 380 μS ，占空比< 2 ％
3
见MIL -STD -750方法3471
4
启动T = + 25 ° C，L = 110mH ， R = 25Ω ，峰值I = 1A
j
G
L
APT保留更改的权利，恕不另行通知，该说明和信息，包含在本文中。
TO- 220AC封装外形
1.39 (.055)
0.51 (.020)
漏
10.66 (.420)
9.66 (.380)
5.33 (.210)
4.83 (.190)
6.85 (.270)
5.85 (.230)
16.51 (.650)
14.23 (.560)
3.42 (.135)
2.54 (.100)
4.08 （ 0.161 ）直径。
3.54 (.139)
6.35 (.250)
马克斯。
14.73 (.580)
12.70 (.500)
0.50 (.020)
0.41 (.016)
门
漏
来源
2-2002
2.92 (.115)
2.04 (.080)
4.82 (.190)
3.56 (.140)
1.01 （ 0.040 ）， 3 -的PLC。
0.38 (.015)
2.79 (.110)
2.29 (.090)
5.33 (.210)
4.83 (.190)
1.77 （ 0.070 ）， 3 -的PLC。
1.15 (.045)
050-7253冯 -
尺寸以毫米（英寸）
APT的设备涵盖了以下一个USpatents的一个或多个： 4895810
5,256,583
5,045,903
4,748,103
5,089,434
5,283,202
5,182,234
5,231,474
5,019,522
5,434,095
5,262,336
5,528,058
QQ：2881677436 复制
