600V 54A 0.100
W
APT6010B2LL
APT6010LLL
B2LL
功率MOS 7
TM
功率MOS 7
TM
是新一代低损耗，高电压， N沟道的
增强型功率MOSFET 。这两种传导和开关
损失与功率MOS 7解决
TM
通过显著降低
DS （ ON）
和Q
g
。功率MOS 7
TM
结合了低导通损耗和开关损耗
伴随着异常快速开关速度固有APT的
专利的金属栅极结构。
较低的输入电容
降低米勒电容
更低的栅极电荷QG
最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
V
GSM
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
I
AR
E
AR
E
AS
参数
漏源电压
T- MAX
TO-264
LLL
更高的功耗
容易驾驶
热门
T- MAX
或TO- 264封装
D
G
S
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT6010
单位
伏
安培
连续漏电流@ T
C
= 25°C
漏电流脉冲
1
门源电压连续
栅源电压瞬态
总功率耗散@ T
C
= 25°C
线性降额因子
工作和存储结温范围
焊接温度： 0.063"案件从10秒。
雪崩电流
1
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
L
A
IC
N
H
C
ê ION
T T
E A
C M
n个R
A○
V F
值D N
A
I
54
216
±30
±40
690
5.52
300
54
50
（重复，不重复）
1
4
600
伏
瓦
W / ℃，
°C
安培
mJ
-55到150
3000
静态电气特性
符号
BV
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
特性/测试条件
漏源击穿电压（V
GS
= 0V时，我
D
= 250A)
在国家漏极电流
2
民
典型值
最大
单位
伏
安培
600
54
0.100
100
500
3
5
±100
(V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）
马克斯，V
GS
= 10V)
2
漏源导通电阻
(V
GS
= 10V ， 0.5升
D [续]
)
欧
A
nA
伏
050-7051修订版A 10-2001
零栅极电压漏极电流（V
DS
= V
DSS
, V
GS
= 0V)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 0.8 V
DSS
, V
GS
= 0V ，T
C
= 125°C)
门源漏电流（V
GS
= ±30V, V
DS
= 0V)
栅极阈值电压（V
DS
= V
GS
, I
D
= 2.5毫安）
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
美国
欧洲
405 S.W.哥伦比亚街
舍曼MAGRET
德，俄勒冈州97702-1035
F- 33700梅里捏克 - 法国
电话： （ 541 ） 382-8028
电话： （ 33 ） 5 57 92 15 15
传真： （ 541 ） 388-0364
FAX ： （ 33 ） 10 56 47 97 61
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
3
APT6010 B2LL - LLL
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
V
GS
= 10V
V
DD
= 0.5 V
DSS
I
D
= I
D [续]
@ 25°C
V
GS
= 15V
民
典型值
最大
单位
6795
1260
79
153
34
79
12
19
33
nC
pF
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源极 - 漏极二极管额定值和特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
dv
/
dt
特性/测试条件
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流
1
二极管的正向电压
反向恢复时间（I
S
= -I
D [续]
， DL
S
/ DT = 100A / μs）内
峰值二极管恢复
dv
/
dt
5
L
A
IC
N
H
EC ION
T T
E A
C M
n个R
A○
V F
值D N
A
I
V
DD
= 0.5 V
DSS
R
G
= 0.6W
I
D
= I
D [续]
@ 25°C
ns
9.2
民
典型值
最大
单位
安培
伏
ns
C
54
216
1.3
（体二极管）
2
(V
GS
= 0V时，我
S
= -I
D [续]
)
770
反向恢复电荷（我
S
= -I
D [续]
， DL
S
/ DT = 100A / μs）内
17.5
8
V / ns的
热特性
符号
R
QJC
R
qJA
特征
结到外壳
结到环境
民
典型值
最大
单位
° C / W
0.18
40
1
重复评价：脉冲宽度有限的最高结
3
见MIL -STD -750方法3471
4
启动T = + 25 ° C，L = 2.05mH ， R = 25W ，峰值I = 54A
温度。
j
G
L
2
脉冲测试：脉冲宽度< 380 μS ，占空比< 2 ％
5 DV
/
号反映了测试电路的局限性，而不是
dt
设备本身。
IS
-
ID
[
续。
]二
/
dt
700A/s
VR
VDSS TJ
150
°
C
APT保留更改的权利，恕不另行通知，该说明和信息，包含在本文中。
T-最大
TM
（ B2 ）封装外形
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
TO- 264 （ L）包装外形
4.60 (.181)
5.21 (.205)
1.80 (.071)
2.01 (.079)
19.51 (.768)
20.50 (.807)
3.10 (.122)
3.48 (.137)
5.79 (.228)
6.20 (.244)
漏
20.80 (.819)
21.46 (.845)
漏
25.48 (1.003)
26.49 (1.043)
4.50 （ 0.177 ）最大。
0.40 (.016)
0.79 (.031)
2.87 (.113)
3.12 (.123)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
2.29 (.090)
2.69 (.106)
19.81 (.780)
21.39 (.842)
2.29 (.090)
2.69 (.106)
19.81 (.780)
20.32 (.800)
1.01 (.040)
1.40 (.055)
050-7051修订版A 10-2001
门
漏
来源
0.48 (.019)
0.84 (.033)
2.59 (.102)
3.00 (.118)
门
漏
来源
2.21 (.087)
2.59 (.102)
5.45 （ 0.215 ） BSC
2-Plcs.
0.76 (.030)
1.30 (.051)
2.79 (.110)
3.18 (.125)
5.45 （ 0.215 ） BSC
2-Plcs.
这些尺寸是相等的TO-247 ，而不安装孔。
尺寸以毫米（英寸）
尺寸以毫米（英寸）
APT的设备涵盖了以下一个USpatents的一个或多个： 4895810
5,256,583
5,045,903
4,748,103
5,089,434
5,283,202
5,182,234
5,231,474
5,019,522
5,434,095
5,262,336
5,528,058
600V 54A
0.100
APT6010B2LL
*
G
APT6010LLL
APT6010B2LL * APT6010LLLG *
指符合RoHS ，无铅终端完成。
功率MOS 7
R
MOSFET
B2LL
功率MOS 7是新一代低损耗，高电压， N沟道的
增强型功率MOSFET 。这两种传导和开关
亏损显著降低R的处理与功率MOS 7
DS （ ON）
和Q
g
。功率MOS 7结合了更低的传导损耗和开关损耗
伴随着异常快速开关速度固有Microsemi的
专利的金属栅极结构。
较低的输入电容
降低米勒电容
更低的栅极电荷QG
最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
V
GSM
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
I
AR
E
AR
E
AS
参数
漏源电压
连续漏电流@ T
C
= 25°C
漏电流脉冲
1
T- MAX
TO-264
LLL
更高的功耗
容易驾驶
热门
T- MAX
或TO- 264封装
D
G
S
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT6010B2_LLL
单位
伏
安培
600
54
216
±30
±40
690
5.52
-55到150
300
54
50
4
门源电压连续
栅源电压瞬态
总功率耗散@ T
C
= 25°C
线性降额因子
工作和存储结温范围
焊接温度： 0.063"案件从10秒。
雪崩电流
1
伏
瓦
W / ℃，
°C
安培
mJ
（重复，不重复）
1
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
3000
静态电气特性
符号
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
特性/测试条件
漏源击穿电压（V
GS
= 0V时，我
D
= 250A)
漏源导通电阻
2
民
典型值
最大
单位
伏
600
0.100
100
500
±100
3
5
(V
GS
= 10V ，我
D
= 27A)
欧
A
nA
伏
6-2006
050-7051 F版
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 600V, V
GS
= 0V)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 480V, V
GS
= 0V ，T
C
= 125°C)
门源漏电流（V
GS
= ±30V, V
DS
= 0V)
栅极阈值电压（V
DS
= V
GS
, I
D
= 2.5毫安）
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
Microsemi的网站 - http://www.microsemi.com
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
on
E
关闭
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
3
APT6010B2_LLL
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
V
GS
= 10V
V
DD
= 300V
I
D
= 54A @ 25°C
电阻开关
V
GS
= 15V
V
DD
= 300V
I
D
= 54A @ 25°C
R
G
= 0.6
6
电感式开关@ 25°C
V
DD
= 400V, V
GS
= 15V
I
D
= 54A ，R
G
= 5
6
电感式开关@ 125°C
V
DD
= 400V V
GS
= 15V
I
D
= 54A ，R
G
= 5
民
典型值
最大
单位
6710
1250
90
150
30
75
12
19
34
9
885
970
1150
1220
民
典型值
最大
单位
安培
伏
ns
C
V / ns的
nC
pF
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller " ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关能量
关断开关能量
导通开关能量
关断开关能量
ns
J
源极 - 漏极二极管额定值和特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
dv
/
dt
特性/测试条件
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流
二极管的正向电压
1
2
54
216
1.3
790
18
8
民
典型值
最大
（体二极管）
(V
GS
= 0V时，我
S
= -
54A
)
反向恢复时间（I
S
= -
54A
， DL
S
/ DT = 100A / μs）内
反向恢复电荷（我
S
= -
54A
， DL
S
/ DT = 100A / μs）内
峰值二极管恢复
dv
/
dt
5
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
特征
结到外壳
结到环境
单位
° C / W
0.18
40
1重复额定值：脉冲宽度有限的最高结
温度
2脉冲测试：脉冲宽度< 380微秒，占空比< 2 ％
3见MIL- STD- 750方法3471
4起始物为
j
= + 25 ° C，L = 2.06mH ，R
G
= 25Ω ，峰值I
L
= 54A
5
dv
/
dt
号反映了测试电路的局限性，而不是
设备本身。
IS
≤
-
ID
54A
di
/
dt
≤
700A/s
VR
≤
600V
TJ
≤
150
°
C
6李炎包括二极管的反向恢复。参见图18，20 。
Microsemi的保留更改的权利，恕不另行通知，规格和inforation所包含。
0.20
Z
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
θ
0.16
D = 0.9
0.7
0.12
0.5
0.08
0.3
0.04
0.1
0
0.05
10
-5
10
-4
单脉冲
注意：
PDM
t1
t2
t
占空比D = 1 / T2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
050-7051 F版
6-2006
10
-3
10
-2
10
-1
矩形脉冲持续时间（秒）
图1 ，最大有效瞬态热阻抗，结点到外壳VS脉冲持续时间
1.0
典型性能曲线
I
D
，漏极电流（安培）
140
120
100
80
60
APT6010B2_LLL
VGS = 15 &10V
8V
7.5V
T
J
( C)
0.0271
耗散功率
（瓦特）
0.009
0.0202
0.293
0.0656
T
C
( C)
0.859
7V
Z
EXT
6.5V
40
20
0
6V
5.5V
Z
EXT
是外热
阻抗：案例下沉，
下沉到环境等设置为
只有建模时零
的情况下结。
R
DS
（ON ） ，漏极至源极导通电阻
图2 ，瞬态热阻抗模型
160
I
D
，漏极电流（安培）
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图3 ，低电压输出特性
1.40
归一
V
= 10V @ 27A
GS
140
120
100
80
60
40
20
0
VDS>的ID （ON ）× R DS（ ON）的最大值。
250μSEC 。脉冲测试
@ <0.5 ％占空比
1.30
1.20
1.10
1.00
0.90
0.80
VGS=10V
VGS=20V
TJ = + 125°C
TJ = + 25°C
TJ = -55°C
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
图4 ，传热特性
0
60
BV
DSS
，漏极 - 源极击穿
电压（归）
I
D
，漏极电流（安培）
1.15
20
40
60
80
100
I
D
，漏极电流（安培）
图5中，R
DS
（ ON）与漏电流
50
1.10
30
1.05
20
1.00
10
0.95
R
DS
（ON ） ，漏极至源极导通电阻
（归一化）
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图6 ，最大漏极电流与外壳温度
2.5
I
V
D
0
25
0.90
-50
-25
0
25 50 75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图7 ，击穿电压与温度
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50
6-2006
050-7051 F版
= 27A
= 10V
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-50
-25
0
25 50
75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图8 ，导通电阻与温度
V
GS
（ TH ） ，阈值电压
（归一化）
GS
-25
0
25 50 75 100 125 150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图9 ，阈值电压与温度
220
I
D
，漏极电流（安培）
20,000
操作点这里
限制根据RDS （ ON）
APT6010B2_LLL
西塞
100
10,000
C，电容（pF ）
100S
10
TC = + 25°C
TJ = + 150°C
单脉冲
1
1mS
10mS
1,000
科斯
100
CRSS
I
D
= 54A
VDS=120V
12
VDS=300V
I
DR
，反向漏电流（安培）
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
1
10
100
600
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图10 ，最大安全工作区
16
0
10
20
30
40
50
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图11 ，电容VS漏极至源极电压
200
100
10
TJ = + 150°C
TJ = + 25°C
10
8
VDS=480V
4
50
100
150
200
250
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
图12 ，栅极电荷VS栅极至源极电压
120
100
t
D（关闭）
0
0
1
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
V
SD
，源极到漏极电压（伏）
图13 ，源极 - 漏极二极管的正向电压
140
V
DD
G
= 400V
120
100
t
r
和T
f
（纳秒）
R
= 5
T = 125°C
J
L = 100μH
t
D（上）
和T
D（关闭）
（纳秒）
80
60
40
20
0
V
DD
G
= 400V
R
= 5
T = 125°C
J
80
t
f
60
t
r
40
L = 100μH
t
D（上）
20
0
10
50 60
70
80
90
I
D
(A)
图14 ，延迟时间 - 电流
V
DD
G
20
30
40
50 60
70
80 90
I
D
(A)
图15 ，上升和下降时间 - 电流
5000
V
I
DD
10
20
30
40
2500
= 400V
= 400V
R
= 5
D
J
= 54A
L = 100μH
E
ON
包括
二极管的反向恢复
开关能量（ μJ ）
2000
E
on
与ê
关闭
(J)
T = 125°C
J
E
关闭
4000
T = 125°C
L = 100μH
E
ON
包括
二极管的反向恢复
E
关闭
1500
3000
1000
E
on
500
2000
E
on
1000
050-7051 F版
6-2006
0
50
60
70 80 90
I
D
(A)
图16 ，开关能量 - 电流
10
20
30
40
10 15 20 25 30 35 40 45 50
R
G
，栅极电阻（欧姆）
图17 ，交换能量 - 栅极电阻
0
0
5
APT6010B2_LLL
90%
10%
栅极电压
T
J
125°C
栅极电压
T
J
125°C
t
D（关闭）
t
D（上）
t
r
90%
漏电流
90%
漏极电压
t
f
5%
开关能量
10%
5%
漏极电压
开关能量
10%
0
漏电流
图18 ，导通开关波形和定义
图19 ，关断开关波形和定义
APT30DF60
V
DD
I
D
V
DS
G
D.U.T.
图20 ，电感式开关测试电路
T-最大
TM
（ B2 ）封装外形
E1国资委：锡，银，铜
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
TO- 264 （ L）包装外形
E1国资委：锡，银，铜
4.60 (.181)
5.21 (.205)
1.80 (.071)
2.01 (.079)
19.51 (.768)
20.50 (.807)
3.10 (.122)
3.48 (.137)
5.79 (.228)
6.20 (.244)
漏
20.80 (.819)
21.46 (.845)
漏
25.48 (1.003)
26.49 (1.043)
4.50 （ 0.177 ）最大。
0.40 (.016)
0.79 (.031)
2.87 (.113)
3.12 (.123)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
2.29 (.090)
2.69 (.106)
19.81 (.780)
21.39 (.842)
2.29 (.090)
2.69 (.106)
1.01 (.040)
1.40 (.055)
2.21 (.087)
2.59 (.102)
5.45 （ 0.215 ） BSC
2-Plcs.
这些尺寸是相等的TO-247 ，而不安装孔。
尺寸以毫米（英寸）
5.45 （ 0.215 ） BSC
2-Plcs.
尺寸以毫米（英寸）
Microsemi的产品受一个或多个USpatents 4895810的5045903 5089434 5182234 5019522 5262336 6503786
5256583 4748103 5283202 5231474 5434095 5528058和外国专利。美国和外国专利正在申请中。版权所有。
050-7051 F版
0.48 (.019)
0.84 (.033)
2.59 (.102)
3.00 (.118)
0.76 (.030)
1.30 (.051)
2.79 (.110)
3.18 (.125)
6-2006
19.81 (.780)
20.32 (.800)
门
漏
来源
门
漏
来源
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