APT58M50JCU3

ISOTOP

降压斩波

MOSFET和SiC二极管的菜刀

电源模块

D

V

DSS

= 500V

R

DSON

= 65mΩ最大@ TJ = 25°C

I

D

= 58A @ T C = 25°C

应用

AC和DC电机控制

开关电源

特点

G

S

功率MOS 8 MOSFET

- 低R

DSON

- 低投入和米勒电容

- 低栅极电荷

- 额定雪崩能量

A

SiC肖特基二极管

- 零反向恢复

- 零正向恢复

- 温度独立的开关行为

- 对VF正温度系数

ISOTOP

封装（ SOT- 227 ）

极低的杂散电感

高集成度

S

D

A

G

ISOTOP

好处

突出表现在高频率

手术

稳定的温度特性

很皮实

直接安装到散热器（独立包装）

超低的结到外壳热阻

由于易于并联的VCEsat晶体管积极TC

符合RoHS

绝对最大额定值

符号

V

DSS

I

D

I

DM

V

GS

R

DSON

P

D

I

AR

参数

漏极 - 源极击穿电压

连续漏电流

漏电流脉冲

栅 - 源电压

漏 - 源极导通电阻

最大功率耗散

雪崩电流（重复，不重复）

T

c

= 25°C

T

c

= 80°C

最大额定值

500

58

43

270

±30

65

543

42

单位

V

A

V

mΩ

W

A

APT58M50JCU3 - 牧师0 2009年9月

T

c

= 25°C

这些器件对静电放电敏感。适当汉鼎程序应遵循。请参阅应用笔记

APT0502上www.microsemi.com

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1-5

APT58M50JCU3

所有评级@ T

j

= 25 ° C除非另有说明

电气特性

符号特性

I

DSS

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

I

GSS

零栅极电压漏极电流

漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

门 - 源极漏电流

测试条件

T

j

= 25°C

V

DS

= 500V

V

GS

= 0V

T

j

= 125°C

V

GS

= 10V ，我

D

= 42A

V

GS

= V

DS

, I

D

= 2.5毫安

V

GS

= ±30 V

民

典型值

最大

250

1000

65

5

±100

单位

A

mΩ

V

nA

3

4

动态特性

符号

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

T

D（上）

T

r

T

D（关闭）

T

f

特征

输入电容

输出电容

反向传输电容

总栅极电荷

栅 - 源电荷

栅 - 漏极电荷

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

测试条件

V

GS

= 0V

V

DS

= 25V

F = 1MHz的

V

GS

= 10V

V

公共汽车

= 250V

I

D

= 42A

电阻开关@ 25°C

V

GS

= 15V

V

公共汽车

= 333V

I

D

= 42A

R

G

= 2.2Ω

民

典型值

10800

1164

148

340

75

155

60

70

155

50

ns

nC

最大

单位

pF

碳化硅二极管菜刀额定值和特性

符号特性

V

RRM

最大峰值重复反向电压

I

RM

I

F

V

F

Q

C

C

最大反向漏电流

直流正向电流

二极管的正向电压

总容性充电

总电容

I

F

= 20A

测试条件

V

R

=600V

T

j

= 25°C

T

j

= 175°C

TC = 100℃

T

j

= 25°C

T

j

= 175°C

民

600

典型值

100

200

20

1.6

2

28

130

100

最大

400

2000

1.8

2.4

单位

V

A

A

V

nC

pF

I

F

= 20A ，V

R

= 300V

的di / dt = 800A / μs的

F = 1MHz时， V

R

= 200V

F = 1MHz时， V

R

= 400V

热和包装特点

R

thJC

R

thJA

V

ISOL

T

J

,T

英镑

T

L

力矩

Wt

结到外壳热阻

结到环境（ IGBT &二极管）

RMS隔离电压，任何终端来区分T = 1分，我isol<1mA ， 50 / 60Hz的

MOSFET

碳化硅二极管

2500

-40

° C / W

V

存储温度范围

最大的铅温度对焊接： 0.063 “从案例10秒

安装力矩

（安装= 8-32或4毫米机和终端为4毫米机）

包装重量

150

300

1.5

29.2

°C

牛米

g

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2-5

APT58M50JCU3 - 牧师0 2009年9月

符号特性

民

典型值

最大

0.23

1.35

20

单位

APT58M50JCU3

SOT- 227 （ ISOTOP

）包装外形

31.5 (1.240)

31.7 (1.248)

7.8 (.307)

8.2 (.322)

W=4.1 (.161)

W=4.3 (.169)

H=4.8 (.187)

H=4.9 (.193)

（4处）

11.8 (.463)

12.2 (.480)

8.9 (.350)

9.6 (.378)

六角螺母M4

（4处）

r = 4.0 (.157)

（ 2处）

4.0 (.157)

4.2 (.165)

（ 2处）

25.2 (0.992)

0.75 (.030) 12.6 (.496) 25.4 (1.000)

0.85 (.033) 12.8 (.504)

3.3 (.129)

3.6 (.143)

14.9 (.587)

15.1 (.594)

30.1 (1.185)

30.3 (1.193)

38.0 (1.496)

38.2 (1.504)

1.95 (.077)

2.14 (.084)

阳极

漏

*发射极端子短路

在内部。目前的处理

能力是相等的任一

发射极端子。

来源

尺寸以毫米（英寸）

门

典型MOSFET的性能曲线

美心庵有效的瞬态千卡人林pedance ，结到外壳与脉冲持续时间

0.25

热阻抗（ ℃/ W）

0.9

0.2

0.7

0.15

0.5

0.1

0.3

0.05

0.1

0

0.00001

0.05

单P ulse

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

10

矩形脉冲持续时间（秒）

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3-5

APT58M50JCU3 - 牧师0 2009年9月

APT58M50JCU3

250

I

D

，漏电流（ A）

200

150

100

50

0

0

5

10

15

20

V

DS

，漏源极电压（ V）

R

DSON

，漏极至源极导通电阻

归一化

DSON

与温度的关系

2.5

I

D

，漏电流（ A）

V

GS

=10V

I

D

=42A

低电压输出特性

V

GS

=10V

T

J

=25°C

低电压输出特性

160

140

I

D

，漏电流（ A）

120

100

80

60

40

20

0

0

5

10

15

20

25

30

V

DS

，漏源极电压（ V）

Transfert特点

125

100

75

50

25

T

J

=25°C

V

DS

＆ GT ;我

D

（上） xR的

DS

（上）最大

250μs的脉冲测试@ < 0.5占空比

T

J

=125°C

T

J

=125°C

5.5V

6V

V

GS

= 7,8 &10V

6.5V

T

J

=125°C

2

1.5

1

0.5

25

50

75

100

125

150

0

0

1

2

3

4

5

6

7

T

J

，结温（ ° C）

栅极电荷VS门源

12

V

GS

，门源电压

10

8

6

4

2

0

0

60

120

180

240

300

360

栅极电荷（ NC）

10

0

V

DS

=400V

I

D

=42A

T

J

=25°C

V

DS

=100V

V

GS

，门源电压（ V）

电容VS漏极至源极电压

100000

C，电容（pF ）

西塞

V

DS

=250V

10000

1000

科斯

CRSS

100

50

100

150

200

APT58M50JCU3 - 牧师0 2009年9月

V

DS

，漏源极电压（ V）

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4-5

APT58M50JCU3

典型的SiC二极管的性能曲线

最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间

1.4

热阻抗（ ℃/ W）

1.2

1

0.8

0.6

0.3

0.4

0.2

0.1

0.05

0.0001

0.001

单脉冲

0.01

0.1

1

10

0.7

0.5

0.9

0

0.00001

矩形脉冲持续时间（秒）

正向特性

反向特性

400

T

J

=25°C

40

I

F

正向电流（ A）

I

R

反向电流（ μA ）

350

300

250

200

150

100

50

0

200

300

400

T

J

=175°C

30

T

J

=75°C

T

J

=175°C

T

J

=125°C

T

J

=75°C

20

T

J

=125°C

10

T

J

=25°C

0

0

0.5

1

1.5

2

2.5

3

3.5

V

F

正向电压（ V）

电容vs.Reverse电压

500

600

700

800

V

R

反向电压（ V）

800

C，电容（pF ）

600

400

200

0

APT58M50JCU3 - 牧师0 2009年9月

1

10

100

V

R

反向电压

1000

ISOTOP是意法半导体NV的注册商标。

Microsemi的保留更改的权利，恕不另行通知，此处包含的规格和信息

Microsemi的产品受一项或多项美国专利4895810 5045903 5089434 5182234 5019522 5262336 6503786 5256583 4748103

5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 6,939,743 7,352,045 5,283,201 5,801,417 5,648,283 7,196,634 6,664,594 7,157,886 6,939,743 7,342,262

和外国专利。中美和国外专利正在申请中。版权所有。

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