APT55M65L2FLL
550V
78A
0.065
功率MOS 7
R
FREDFET
TO-264
最大
功率MOS 7是新一代低损耗，高电压， N沟道的
增强型功率MOSFET 。这两种传导和开关
亏损显著降低R的处理与功率MOS 7
DS （ ON）
和Q
g
。功率MOS 7结合了更低的传导损耗和开关损耗
伴随着异常快速开关速度固有APT的
专利的金属栅极结构。
较低的输入电容
降低米勒电容
更低的栅极电荷QG
最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
V
GSM
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
I
AR
E
AR
E
AS
参数
漏源电压
连续漏电流@ T
C
= 25°C
漏电流脉冲
1
更高的功耗
容易驾驶
热门TO- 264
最大
包
快速恢复体二极管
APT55M65L2FLL
单位
伏
安培
D
G
S
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
550
78
312
±30
±40
893
7.14
-55到150
300
78
50
4
门源电压连续
栅源电压瞬态
总功率耗散@ T
C
= 25°C
线性降额因子
工作和存储结温范围
焊接温度： 0.063"案件从10秒。
雪崩电流
1
伏
瓦
W / ℃，
°C
安培
mJ
（重复，不重复）
1
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
3200
静态电气特性
符号
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
特性/测试条件
漏源击穿电压（V
GS
= 0V时，我
D
= 250A)
漏源导通电阻
2
民
典型值
最大
单位
伏
550
0.065
250
1000
±100
3
5
(V
GS
= 10V ，我
D
= 39A)
欧
A
nA
伏
7-2004
050-7225修订版A
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 550V, V
GS
= 0V)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 440V, V
GS
= 0V ，T
C
= 125°C)
门源漏电流（V
GS
= ±30V, V
DS
= 0V)
栅极阈值电压（V
DS
= V
GS
, I
D
= 5毫安）
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
on
E
关闭
符号
I
S
I
SM
V
SD
dv
/
dt
APT55M65L2FLL
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
V
GS
= 10V
V
DD
= 275V
I
D
= 78A @ 25°C
电阻开关
V
GS
= 15V
V
DD
= 275V
I
D
= 78A @ 25°C
6
电感式开关@ 25°C
V
DD
= 367V, V
GS
= 15V
I
D
= 78A ，R
G
= 5
V
DD
= 367V, V
GS
= 15V
I
D
= 78A ，R
G
= 5
R
G
= 0.6
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
3
民
典型值
最大
单位
pF
9165
1700
80
205
55
105
23
20
55
8
1425
1855
1975
2045
民
典型值
最大
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关能量
关断开关能量
导通开关能量
关断开关能量
特性/测试条件
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流
二极管的正向电压
峰值二极管恢复
1
2
dt
6
nC
ns
电感式开关@ 125°C
J
源极 - 漏极二极管额定值和特性
单位
安培
伏
V / ns的
ns
C
安培
78
312
1.3
15
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
民
（体二极管）
(V
GS
= 0V时，我
S
= -78A)
5
dv
/
t
rr
Q
rr
I
RRM
反向恢复时间
(I
S
= -78A,
di
/
dt
= 100A / μs）内
反向恢复电荷
(I
S
= -78A,
di
/
dt
= 100A / μs）内
峰值恢复电流
(I
S
= -78A,
di
/
dt
= 100A / μs）内
特征
结到外壳
结到环境
300
600
2.6
10
17
34
典型值
最大
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
单位
° C / W
0.14
40
1重复额定值：脉冲宽度有限的最高结
温度
2脉冲测试：脉冲宽度< 380微秒，占空比< 2 ％
3见MIL- STD- 750方法3471
0.16
Z
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
θ
4起始物为
j
= + 25 ° C，L = 1.05mH ，R
G
= 25Ω ，峰值I
L
= 78A
5
dv
/
dt
号反映了测试电路的局限性，而不是
设备本身。
IS
≤
ID
-
78A
di
/
dt
≤
700A/s
VR
≤
550V
TJ
≤
150
°
C
6李炎包括二极管的反向恢复。参见图18，20 。
APT保留更改的权利，恕不另行通知，规格和inforation本文所载。
0.14
0.9
0.12
0.10
0.08
0.06
0.04
0.02
0
10
-5
0.3
0.7
0.5
7-2004
注意：
PDM
t1
t2
050-7225修订版A
0.1
0.05
10
-4
单脉冲
占空比D = T1 /吨
2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
10
-3
10
-2
10
-1
矩形脉冲持续时间（秒）
图1 ，最大有效瞬态热阻抗，结点到外壳VS脉冲持续时间
1.0
典型性能曲线
200
180
I
D
，漏极电流（安培）
APT55M65L2FLL
VGS = 15 & 10V
6.5V
6V
160
140
120
100
80
60
40
20
0
遥控模型
连接点
TEMP 。 （ ° C）
0.0425
动力
（瓦特）
0.0973
外壳温度。 （ ° C）
0.528F
0.0291F
5.5V
5V
4.5V
4V
图2 ，瞬态热阻抗模型
R
DS
（ON ） ，漏极至源极导通电阻
180
160
I
D
，漏极电流（安培）
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图3 ，低电压输出特性
1.40
归一
= 10V @ 39A
V
GS
VDS>的ID （ON ）× R DS（ ON）的最大值。
250微秒。脉冲测试
@ <0.5 ％占空比
1.30
1.20
VGS=10V
1.10
1.00
0.90
0.80
VGS=20V
140
120
100
80
60
40
20
0
TJ = -55°C
TJ = + 25°C
TJ = + 125°C
0
1
2
3
4
5
6
7
8
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
图4 ，传热特性
0
80
70
I
D
，漏极电流（安培）
BV
DSS
，漏极 - 源极击穿
电压（归）
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
40 60 80 100 120 140 160 180
I
D
，漏极电流（安培）
图5中，R
DS
（ ON）与漏电流
20
60
50
40
30
20
10
0
25
R
DS
（ON ） ，漏极至源极导通电阻
（归一化）
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图6 ，最大漏极电流与外壳温度
2.5
I
D
= 39A
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图7 ，击穿电压与温度
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50
V
GS
= 10V
2.0
1.5
1.0
V
GS
（ TH ） ，阈值电压
（归一化）
0.5
0.0
-50
-25
0
25 50
75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图8 ，导通电阻与温度
-25
0
25
50
75 100 125 150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图9 ，阈值电压与温度
050-7225修订版A
7-2004
312
I
D
，漏极电流（安培）
操作点这里
限制根据RDS （ ON）
30,000
10,000
APT55M65L2FLL
西塞
100
50
C，电容（pF ）
100S
1,000
科斯
10
1mS
10mS
TC = + 25°C
TJ = + 150°C
单脉冲
100
CRSS
I
D
= 78A
I
DR
，反向漏电流（安培）
1
10
100
550
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图10 ，最大安全工作区
16
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
1
0
10
20
30
40
50
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图11 ，电容VS漏极至源极电压
300
10
12
100
VDS = 110V
VDS = 275V
TJ = + 150°C
TJ = + 25°C
8
VDS = 440V
10
4
50
100
150
200
250
300
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
图12 ，栅极电荷VS栅极至源极电压
180
160
140
t
D（关闭）
V
= 367V
0
0
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
V
SD
，源极到漏极电压（伏）
图13 ，源极 - 漏极二极管的正向电压
180
160
140
120
V
DD
G
1
= 367V
R
= 5
T = 125°C
J
L = 100μH
t
D（上）
和T
D（关闭）
（纳秒）
t
f
120
100
80
60
40
20
0
10
DD
G
R
= 5
t
r
和T
f
（纳秒）
T = 125°C
J
100
80
60
40
20
t
r
L = 100μH
t
D（上）
70
90
110
130
I
D
(A)
图14 ，延迟时间 - 电流
30
50
70
90
110
130
I
D
(A)
图15 ，上升和下降时间 - 电流
8,000
V
I
DD
0
10
30
50
4500
4000
开关能量（ μJ ）
开关能量（ μJ ）
= 367V
D
J
= 78A
3500
3000
2500
2000
1500
1000
500
0
10
30
E
关闭
50
E
on
V
DD
G
T = 125°C
6,000
L = 100μH
E
ON
包括
二极管的反向恢复。
E
关闭
4,000
E
on
2,000
= 367V
7-2004
R
= 5
T = 125°C
J
L = 100μH
E
ON
包括
二极管的反向恢复。
050-7225修订版A
70
90
110
130
I
D
(A)
图16 ，开关能量 - 电流
10 15 20 25 30 35 40 45 50
R
G
，栅极电阻（欧姆）
图17 ，交换能量 - 栅极电阻
0
0
5
典型性能曲线
栅极电压
10%
T
J
125°C
90%
APT55M65L2FLL
栅极电压
t
D（上）
t
r
90%
漏电流
t
D（关闭）
90%
漏极电压
T
J
125°C
t
f
5%
开关能量
10%
5%
漏极电压
开关能量
10%
0
漏电流
图18 ，导通开关波形和定义
图19 ，关断开关波形和定义
APT60DF60
V
DD
I
D
V
DS
G
D.U.T.
图20 ，电感式开关测试电路
TO- 264 MAX
TM
（ L2 ）封装外形
4.60 (.181)
5.21 (.205)
1.80 (.071)
2.01 (.079)
19.51 (.768)
20.50 (.807)
5.79 (.228)
6.20 (.244)
漏
25.48 (1.003)
26.49 (1.043)
2.29 (.090)
2.69 (.106)
19.81 (.780)
21.39 (.842)
2.29 (.090)
2.69 (.106)
5.45 （ 0.215 ） BSC
2-Plcs.
尺寸以毫米（英寸）
ISOTOP
SGS是汤姆逊公司的注册商标。
APT的产品受一个或多个USpatents 4895810的5045903 5089434 5182234 5019522
5262336 6503786 5256583 4748103 5283202 5231474 5434095 5528058和外国专利。美国和外国专利正在申请中。版权所有。
050-7225修订版A
0.48 (.019)
0.84 (.033)
2.59 (.102)
3.00 (.118)
0.76 (.030)
1.30 (.051)
2.79 (.110)
3.18 (.125)
7-2004
门
漏
来源
APT55M65L2FLL
550V 78A 0.065
W
功率MOS 7
TM
FREDFET
TO-264
最大
功率MOS 7
TM
是新一代低损耗，高电压， N沟道的
增强型功率MOSFET 。这两种传导和开关
损失与功率MOS 7解决
TM
通过显著降低
DS （ ON）
和Q
g
。功率MOS 7
TM
结合了低导通损耗和开关损耗
伴随着异常快速开关速度固有APT的
专利的金属栅极结构。
较低的输入电容
降低米勒电容
更低的栅极电荷QG
最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
V
GSM
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
I
AR
E
AR
E
AS
参数
漏源电压
更高的功耗
容易驾驶
热门TO- 264
最大
包
D
G
S
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT55M65L2FLL
单位
伏
安培
连续漏电流@ T
C
= 25°C
漏电流脉冲
1
门源电压连续
栅源电压瞬态
总功率耗散@ T
C
= 25°C
线性降额因子
工作和存储结温范围
焊接温度： 0.063"案件从10秒。
雪崩电流
1
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
L
A
IC
N
H
C
ê ION
T T
E A
C M
n个R
A○
V F
值D N
A
I
78
312
±30
±40
893
7.14
300
78
50
-55到150
（重复，不重复）
1
4
550
伏
瓦
W / ℃，
°C
安培
mJ
3200
静态电气特性
符号
BV
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
特性/测试条件
漏源击穿电压（V
GS
= 0V时，我
D
= 250A)
在国家漏极电流
2
民
典型值
最大
单位
伏
安培
550
78
0.065
250
1000
±100
3
5
(V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）
马克斯，V
GS
= 10V)
2
漏源导通电阻
(V
GS
= 10V ， 0.5升
D [续]
)
欧
A
nA
伏
050-7225冯 - 4-2002
零栅极电压漏极电流（V
DS
= V
DSS
, V
GS
= 0V)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 0.8 V
DSS
, V
GS
= 0V ，T
C
= 125°C)
门源漏电流（V
GS
= ±30V, V
DS
= 0V)
栅极阈值电压（V
DS
= V
GS
, I
D
= 5毫安）
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d
（上）
t
r
t
d
（关闭）
t
f
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
3
APT55M65L2FLL
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
V
GS
= 10V
V
DD
= 0.5 V
DSS
V
GS
= 15V
民
典型值
最大
单位
pF
9710
1870
130
233
58
23
20
55
8
105
nC
栅极 - 源电荷
导通延迟时间
上升时间
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
打开-O FF延迟时间
下降时间
源极 - 漏极二极管额定值和特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
dv
/
dt
特性/测试条件
脉冲源电流
1
连续源电流（体二极管）
（体二极管）
5
二极管的正向电压
峰值二极管恢复
dv
/
dt
t
rr
Q
rr
I
RRM
反向恢复时间
(I
S
= -I
D
[续]
di
/
dt
= 100A / μs）内
反向恢复电荷
(I
S
= -I
D
[续]
di
/
dt
= 100A / μs）内
峰值恢复电流
(I
S
= -I
D
[续]
di
/
dt
= 100A / μs）内
L
A
IC
N
H
C
ê ION
T T
E A
C M
n个R
A○
V F
值D N
A
I
I
D
= I
D
[续] @ 25°C
V
DD
= 0.5 V
DSS
R
G
=0.6
I
D
= I
D
[续] @ 25°C
民
典型值
2
ns
最大
单位
安培
伏
V / ns的
ns
78
312
1.3
15
300
600
(V
GS
= 0V时，我
S
= -I
D
[续] ）
T
j
= 25°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
2.6
10
17
34
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
C
安培
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
特征
结到外壳
结到环境
民
典型值
最大
单位
° C / W
0.14
40
3
见MIL -STD -750方法3471
4
启动T = + 25 ° C，L = 1.05mH ， R = 25Ω ，峰值I = 78A
j
G
L
5 DV
/
号反映了测试电路的局限性，而不是
dt
设备本身。
IS
≤
-
ID
续。
di
/
dt
≤
700A/s
VR
≤
VDSS TJ
≤
150
°
C
[
]
1
重复评价：脉冲宽度有限的最高结
温度。
2
脉冲测试：脉冲宽度< 380 μS ，占空比< 2 ％
APT保留权利更改，
恕不另行通知，规格
与此处包含的信息。
TO- 264 MAX
TM
（ L2 ）封装外形
4.60 (.181)
5.21 (.205)
1.80 (.071)
2.01 (.079)
19.51 (.768)
20.50 (.807)
5.79 (.228)
6.20 (.244)
漏
25.48 (1.003)
26.49 (1.043)
2.29 (.090)
2.69 (.106)
19.81 (.780)
21.39 (.842)
2.29 (.090)
2.69 (.106)
050-7225冯 - 4-2002
门
漏
来源
0.48 (.019)
0.84 (.033)
2.59 (.102)
3.00 (.118)
0.76 (.030)
1.30 (.051)
2.79 (.110)
3.18 (.125)
5.45 （ 0.215 ） BSC
2-Plcs.
尺寸以毫米（英寸）
APT的设备涵盖了以下一个USpatents的一个或多个： 4895810
5,256,583
5,045,903
4,748,103
5,089,434
5,283,202
5,182,234
5,231,474
5,019,522
5,434,095
5,262,336
5,528,058
APT55M65L2FLL
550V
78A
0.065
功率MOS 7
R
FREDFET
TO-264
最大
功率MOS 7是新一代低损耗，高电压， N沟道的
增强型功率MOSFET 。这两种传导和开关
亏损显著降低R的处理与功率MOS 7
DS （ ON）
和Q
g
。功率MOS 7结合了更低的传导损耗和开关损耗
伴随着异常快速开关速度固有APT的
专利的金属栅极结构。
较低的输入电容
降低米勒电容
更低的栅极电荷QG
最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
V
GSM
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
I
AR
E
AR
E
AS
参数
漏源电压
连续漏电流@ T
C
= 25°C
漏电流脉冲
1
更高的功耗
容易驾驶
热门TO- 264
最大
包
快速恢复体二极管
APT55M65L2FLL
单位
伏
安培
D
G
S
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
550
78
312
±30
±40
893
7.14
-55到150
300
78
50
4
门源电压连续
栅源电压瞬态
总功率耗散@ T
C
= 25°C
线性降额因子
工作和存储结温范围
焊接温度： 0.063"案件从10秒。
雪崩电流
1
伏
瓦
W / ℃，
°C
安培
mJ
（重复，不重复）
1
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
3200
静态电气特性
符号
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
特性/测试条件
漏源击穿电压（V
GS
= 0V时，我
D
= 250A)
漏源导通电阻
2
民
典型值
最大
单位
伏
550
0.065
250
1000
±100
3
5
(V
GS
= 10V ，我
D
= 39A)
欧
A
nA
伏
7-2004
050-7225修订版A
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 550V, V
GS
= 0V)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 440V, V
GS
= 0V ，T
C
= 125°C)
门源漏电流（V
GS
= ±30V, V
DS
= 0V)
栅极阈值电压（V
DS
= V
GS
, I
D
= 5毫安）
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
on
E
关闭
符号
I
S
I
SM
V
SD
dv
/
dt
APT55M65L2FLL
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
V
GS
= 10V
V
DD
= 275V
I
D
= 78A @ 25°C
电阻开关
V
GS
= 15V
V
DD
= 275V
I
D
= 78A @ 25°C
6
电感式开关@ 25°C
V
DD
= 367V, V
GS
= 15V
I
D
= 78A ，R
G
= 5
V
DD
= 367V, V
GS
= 15V
I
D
= 78A ，R
G
= 5
R
G
= 0.6
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
3
民
典型值
最大
单位
pF
9165
1700
80
205
55
105
23
20
55
8
1425
1855
1975
2045
民
典型值
最大
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关能量
关断开关能量
导通开关能量
关断开关能量
特性/测试条件
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流
二极管的正向电压
峰值二极管恢复
1
2
dt
6
nC
ns
电感式开关@ 125°C
J
源极 - 漏极二极管额定值和特性
单位
安培
伏
V / ns的
ns
C
安培
78
312
1.3
15
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
民
（体二极管）
(V
GS
= 0V时，我
S
= -78A)
5
dv
/
t
rr
Q
rr
I
RRM
反向恢复时间
(I
S
= -78A,
di
/
dt
= 100A / μs）内
反向恢复电荷
(I
S
= -78A,
di
/
dt
= 100A / μs）内
峰值恢复电流
(I
S
= -78A,
di
/
dt
= 100A / μs）内
特征
结到外壳
结到环境
300
600
2.6
10
17
34
典型值
最大
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
单位
° C / W
0.14
40
1重复额定值：脉冲宽度有限的最高结
温度
2脉冲测试：脉冲宽度< 380微秒，占空比< 2 ％
3见MIL- STD- 750方法3471
0.16
Z
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
θ
4起始物为
j
= + 25 ° C，L = 1.05mH ，R
G
= 25Ω ，峰值I
L
= 78A
5
dv
/
dt
号反映了测试电路的局限性，而不是
设备本身。
IS
≤
ID
-
78A
di
/
dt
≤
700A/s
VR
≤
550V
TJ
≤
150
°
C
6李炎包括二极管的反向恢复。参见图18，20 。
APT保留更改的权利，恕不另行通知，规格和inforation本文所载。
0.14
0.9
0.12
0.10
0.08
0.06
0.04
0.02
0
10
-5
0.3
0.7
0.5
7-2004
注意：
PDM
t1
t2
050-7225修订版A
0.1
0.05
10
-4
单脉冲
占空比D = T1 /吨
2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
10
-3
10
-2
10
-1
矩形脉冲持续时间（秒）
图1 ，最大有效瞬态热阻抗，结点到外壳VS脉冲持续时间
1.0
典型性能曲线
200
180
I
D
，漏极电流（安培）
APT55M65L2FLL
VGS = 15 & 10V
6.5V
6V
160
140
120
100
80
60
40
20
0
遥控模型
连接点
TEMP 。 （ ° C）
0.0425
动力
（瓦特）
0.0973
外壳温度。 （ ° C）
0.528F
0.0291F
5.5V
5V
4.5V
4V
图2 ，瞬态热阻抗模型
R
DS
（ON ） ，漏极至源极导通电阻
180
160
I
D
，漏极电流（安培）
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图3 ，低电压输出特性
1.40
归一
= 10V @ 39A
V
GS
VDS>的ID （ON ）× R DS（ ON）的最大值。
250微秒。脉冲测试
@ <0.5 ％占空比
1.30
1.20
VGS=10V
1.10
1.00
0.90
0.80
VGS=20V
140
120
100
80
60
40
20
0
TJ = -55°C
TJ = + 25°C
TJ = + 125°C
0
1
2
3
4
5
6
7
8
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
图4 ，传热特性
0
80
70
I
D
，漏极电流（安培）
BV
DSS
，漏极 - 源极击穿
电压（归）
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
40 60 80 100 120 140 160 180
I
D
，漏极电流（安培）
图5中，R
DS
（ ON）与漏电流
20
60
50
40
30
20
10
0
25
R
DS
（ON ） ，漏极至源极导通电阻
（归一化）
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图6 ，最大漏极电流与外壳温度
2.5
I
D
= 39A
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图7 ，击穿电压与温度
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50
V
GS
= 10V
2.0
1.5
1.0
V
GS
（ TH ） ，阈值电压
（归一化）
0.5
0.0
-50
-25
0
25 50
75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图8 ，导通电阻与温度
-25
0
25
50
75 100 125 150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图9 ，阈值电压与温度
050-7225修订版A
7-2004
312
I
D
，漏极电流（安培）
操作点这里
限制根据RDS （ ON）
30,000
10,000
APT55M65L2FLL
西塞
100
50
C，电容（pF ）
100S
1,000
科斯
10
1mS
10mS
TC = + 25°C
TJ = + 150°C
单脉冲
100
CRSS
I
D
= 78A
I
DR
，反向漏电流（安培）
1
10
100
550
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图10 ，最大安全工作区
16
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
1
0
10
20
30
40
50
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图11 ，电容VS漏极至源极电压
300
10
12
100
VDS = 110V
VDS = 275V
TJ = + 150°C
TJ = + 25°C
8
VDS = 440V
10
4
50
100
150
200
250
300
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
图12 ，栅极电荷VS栅极至源极电压
180
160
140
t
D（关闭）
V
= 367V
0
0
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
V
SD
，源极到漏极电压（伏）
图13 ，源极 - 漏极二极管的正向电压
180
160
140
120
V
DD
G
1
= 367V
R
= 5
T = 125°C
J
L = 100μH
t
D（上）
和T
D（关闭）
（纳秒）
t
f
120
100
80
60
40
20
0
10
DD
G
R
= 5
t
r
和T
f
（纳秒）
T = 125°C
J
100
80
60
40
20
t
r
L = 100μH
t
D（上）
70
90
110
130
I
D
(A)
图14 ，延迟时间 - 电流
30
50
70
90
110
130
I
D
(A)
图15 ，上升和下降时间 - 电流
8,000
V
I
DD
0
10
30
50
4500
4000
开关能量（ μJ ）
开关能量（ μJ ）
= 367V
D
J
= 78A
3500
3000
2500
2000
1500
1000
500
0
10
30
E
关闭
50
E
on
V
DD
G
T = 125°C
6,000
L = 100μH
E
ON
包括
二极管的反向恢复。
E
关闭
4,000
E
on
2,000
= 367V
7-2004
R
= 5
T = 125°C
J
L = 100μH
E
ON
包括
二极管的反向恢复。
050-7225修订版A
70
90
110
130
I
D
(A)
图16 ，开关能量 - 电流
10 15 20 25 30 35 40 45 50
R
G
，栅极电阻（欧姆）
图17 ，交换能量 - 栅极电阻
0
0
5
典型性能曲线
栅极电压
10%
T
J
125°C
90%
APT55M65L2FLL
栅极电压
t
D（上）
t
r
90%
漏电流
t
D（关闭）
90%
漏极电压
T
J
125°C
t
f
5%
开关能量
10%
5%
漏极电压
开关能量
10%
0
漏电流
图18 ，导通开关波形和定义
图19 ，关断开关波形和定义
APT60DF60
V
DD
I
D
V
DS
G
D.U.T.
图20 ，电感式开关测试电路
TO- 264 MAX
TM
（ L2 ）封装外形
4.60 (.181)
5.21 (.205)
1.80 (.071)
2.01 (.079)
19.51 (.768)
20.50 (.807)
5.79 (.228)
6.20 (.244)
漏
25.48 (1.003)
26.49 (1.043)
2.29 (.090)
2.69 (.106)
19.81 (.780)
21.39 (.842)
2.29 (.090)
2.69 (.106)
5.45 （ 0.215 ） BSC
2-Plcs.
尺寸以毫米（英寸）
ISOTOP
SGS是汤姆逊公司的注册商标。
APT的产品受一个或多个USpatents 4895810的5045903 5089434 5182234 5019522
5262336 6503786 5256583 4748103 5283202 5231474 5434095 5528058和外国专利。美国和外国专利正在申请中。版权所有。
050-7225修订版A
0.48 (.019)
0.84 (.033)
2.59 (.102)
3.00 (.118)
0.76 (.030)
1.30 (.051)
2.79 (.110)
3.18 (.125)
7-2004
门
漏
来源
QQ：2881677436 复制
