【APT50N60JCU2ISOTOP升压斩波超级结MOSFET功率模块KVDSS= 600VRDSO】,IC型号APT50N60JCU2,APT50N60JCU2 PDF资料,APT50N60JCU2经销商,ic,电子元器件-51电子网

APT50N60JCU2

ISOTOP

升压斩波

超级结

MOSFET功率模块

DSS

= 600V

DSON

= 45mΩ最大@ TJ = 25°C

= 52A @ T C = 25°C

应用

AC和DC电机控制

开关电源

功率因数校正

刹车开关

特点

- 超低R

DSON

- 低米勒电容

- 超低栅极电荷

- 额定雪崩能量

ISOTOP

封装（ SOT- 227 ）

极低的杂散电感

高集成度

好处

突出表现在高频率

手术

稳定的温度特性

很皮实

直接安装到散热器（独立包装）

超低的结到外壳热阻

由于易于并联的VCEsat晶体管积极TC

符合RoHS

绝对最大额定值

符号

DSS

DSON

参数

漏极 - 源极击穿电压

连续漏电流

漏电流脉冲

栅 - 源电压

漏 - 源极导通电阻

最大功率耗散

雪崩电流（重复，不重复）

重复性雪崩能量

单脉冲雪崩能量

= 25°C

= 80°C

最大额定值

600

130

±20

290

1900

单位

mΩ

这些器件对静电放电敏感。适当汉鼎程序应遵循。

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APT50N60JCU2 - 第2版

2008年4月，

= 25°C

APT50N60JCU2

所有评级@ T

= 25 ° C除非另有说明

电气特性

符号特性

DSS

DS （ ON）

GS （ TH）

GSS

零栅极电压漏极电流

漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

门 - 源极漏电流

测试条件

= 0V,V

= 600V

= 0V,V

= 600V

民

= 25°C

= 125°C

2.1

典型值

= 10V ，我

= 22.5A

= V

, I

= 3毫安

= ±20 V, V

= 0V

最大

250

500

3.9

100

单位

mΩ

动态特性

符号特性

国际空间站

输入电容

OSS

输出电容

D（上）

D（关闭）

关闭

总栅极电荷

栅 - 源电荷

栅 - 漏极电荷

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

导通开关能量

关断开关能量

导通开关能量

关断开关能量

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

测试条件

= 0V ; V

= 25V

F = 1MHz的

= 10V

公共汽车

= 300V

= 49A

电感式开关（ 125°C ）

= 10V

公共汽车

= 400V

= 49A

= 5Ω

电感式开关@ 25°C

= 10V ; V

公共汽车

= 400V

= 49A ;

= 5Ω

电感式开关@ 125°C

= 10V ; V

公共汽车

= 400V

= 49A ;

= 5Ω

= 0V时，我

= - 49A

= 25°C

= 400V

= 25°C

/ DT = 100A / μs的

民

典型值

7.2

8.5

150

100

675

520

1100

635

0.9

600

1.2

最大

单位

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APT50N60JCU2 - 第2版

2008年4月，

APT50N60JCU2

菜刀二极管额定值和特性

符号

RRM

反向恢复时间

RRM

最大反向恢复电流

反向恢复电荷

反向恢复时间

反向恢复电荷

最大反向恢复电流

= 30A

= 400V

的di / dt = 1000A / μs的

= 30A

= 400V

的di / dt = 200A / μs的

特征

马克斯。反向重复峰值电压

二极管的正向电压

最大反向漏电流

结电容

反向恢复时间

测试条件

= 30A

= 60A

= 30A

= 600V

= 200V

=1A,V

=30V

的di / dt = 100A / μs的

民

600

典型值

1.8

1.3

最大

2.2

100

500

= 25°C

= 125°C

= 25°C

= 125°C

= 25°C

= 125°C

160

480

920

单位

= 125°C

= 25°C

= 125°C

热和包装特点

符号特性

thJC

thJA

ISOL

英镑

力矩

结到外壳热阻

结到环境（ IGBT &二极管）

RMS隔离电压，任何终端来区分T = 1分，我isol<1mA ， 50 / 60Hz的

民

的CoolMOS

二极管

2500

-40

典型值

最大

0.43

1.1

150

300

1.5

单位

° C / W

°C

牛米

存储温度范围

最大的铅温度对焊接： 0.063 “从案例10秒

安装力矩

（安装= 8-32或4毫米机和终端为4毫米机）

包装重量

29.2

SOT- 227 （ ISOTOP

）包装外形

31.5 (1.240)

31.7 (1.248)

7.8 (.307)

8.2 (.322)

W=4.1 (.161)

W=4.3 (.169)

H=4.8 (.187)

H=4.9 (.193)

（4处）

11.8 (.463)

12.2 (.480)

8.9 (.350)

9.6 (.378)

六角螺母M4

（4处）

r = 4.0 (.157)

（ 2处）

4.0 (.157)

4.2 (.165)

（ 2处）

25.2 (0.992)

0.75 (.030) 12.6 (.496) 25.4 (1.000)

0.85 (.033) 12.8 (.504)

14.9 (.587)

15.1 (.594)

30.1 (1.185)

30.3 (1.193)

38.0 (1.496)

38.2 (1.504)

阴极

漏

*发射极端子短路

在内部。目前的处理

能力是相等的任一

发射极端子。

来源

尺寸以毫米（英寸）

门

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APT50N60JCU2 - 第2版

2008年4月，

3.3 (.129)

3.6 (.143)

1.95 (.077)

2.14 (.084)

APT50N60JCU2

典型性能曲线

0.45

热阻抗（ ℃/ W）

0.4

0.35

0.3

0.25

0.2

0.15

0.1

0.05

0.3

0.1

0.05

0.0001

最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间

0.9

0.7

0.5

单脉冲

0.001

0.01

0.1

0.00001

矩形脉冲持续时间（秒）

低电压输出特性

360

320

，漏电流（ A）

280

240

200

160

120

，漏源极电压（ V）

（ ON）与漏电流

1.3

，直流漏电流（ A）

1.25

1.2

1.15

1.1

1.05

0.95

0.9

100 120 140

，漏电流（ A）

=20V

归一

= 10V @ 50A

=10V

4.5V

=15&10V

Transfert特点

140

，漏电流（ A）

120

100

，门源电压（ V）

=125°C

=25°C

＆ GT ;我

（上） xR的

（上）最大

250μs的脉冲测试@ < 0.5占空比

6.5V

5.5V

（上）漏源导通电阻

直流漏电流与外壳温度

100

125

，外壳温度（ ° C）

150

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APT50N60JCU2 - 第2版

2008年4月，

APT50N60JCU2

（上），漏极至源极导通电阻

（归一化）

击穿电压与温度

DSS

，漏源击穿

电压（归）

1.2

1.1

1.0

0.9

0.8

100

125

150

，结温（ ° C）

阈值电压与温度

1.1

（ TH ），阈值电压

（归一化）

1.0

0.9

0.8

0.7

0.6

100

125

150

，外壳温度（ ° C）

电容VS漏极至源极电压

100000

科斯

C，电容（pF ）

10000

西塞

1000

，漏电流（ A）

在电阻与温度

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

0.0

100

125

150

，结温（ ° C）

最大安全工作区

=10V

= 50A

100

限于由R

100 s

单脉冲

=150°C

=25°C

1毫秒

10毫秒

100

1000

，漏源极电压（ V）

栅极电荷VS门源电压

，门源电压（ V）

60 80 100 120 140 160

栅极电荷（ NC）

=480V

=50A

=25°C

=120V

=300V

1000

CRSS

100

，漏源极电压（ V）

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2008年4月，