APT50M80B2LC
APT50M80LLC
500V 58A 0.080
W
功率MOS VI
TM
B2LC
功率MOS VI
TM
是新一代的低栅电荷，高电压
N沟道增强型功率MOSFET 。更低的栅极电荷
通过优化制造工艺以最小化C ++实现
国际空间站
和C
RSS
.
再加上功率MOS VI更低的栅极电荷
TM
优化的栅极布局，
提供了非常快速的开关速度。
相同的规格：
T- MAX
或TO- 264封装
更低的栅极电荷&电容
容易驾驶
100 ％雪崩测试
更快的开关
最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
V
GSM
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
I
AR
E
AR
E
AS
参数
T- MAX
TO-264
有限责任公司
D
G
S
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT50M80
单位
伏
安培
漏源电压
连续漏电流@ T
C
= 25°C
漏电流脉冲
1
门源电压连续
栅源电压瞬态
总功率耗散@ T
C
= 25°C
线性降额因子
工作和存储结温范围
焊接温度： 0.063"案件从10秒。
雪崩电流
1
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
L
A
IC
N
H
为C n
TE IO
AT
E
C
M
N
R
A
V
FO
d。在
A
500
58
232
±30
±40
625
5.0
-55到150
300
58
50
（重复，不重复）
1
4
伏
瓦
W / ℃，
°C
安培
mJ
3000
静态电气特性
符号
BV
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
特性/测试条件
漏源击穿电压（V
GS
= 0V时，我
D
= 250A)
在国家漏极电流
2
民
典型值
最大
单位
伏
安培
500
58
0.080
25
250
±100
3
5
(V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）
马克斯，V
GS
= 10V)
2
漏源导通电阻
(V
GS
= 10V ， 0.5升
D [续]
)
欧
A
nA
伏
REV- 12-99
050-5933
零栅极电压漏极电流（V
DS
= V
DSS
, V
GS
= 0V)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 0.8 V
DSS
, V
GS
= 0V ，T
C
= 125°C)
门源漏电流（V
GS
= ±30V, V
DS
= 0V)
栅极阈值电压（V
DS
= V
GS
, I
D
= 2.5毫安）
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
美国
欧洲
405 S.W.哥伦比亚街
舍曼MAGRET
德，俄勒冈州97702 -1035
F- 33700梅里捏克 - 法国
电话： （ 541 ） 382-8028
电话： （ 33 ） 5 57 92 15 15
传真： （ 541 ） 388-0364
FAX ： （ 33 ） 10 56 47 97 61
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
3
APT50M80 B2LC - 有限责任公司
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
V
GS
= 10V
V
DD
= 0.5 V
DSS
I
D
= 0.5 I
D [续]
@ 25°C
V
GS
= 15V
民
典型值
最大
单位
6060
1220
230
170
31
89
12
13
34
nC
pF
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller " ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源极 - 漏极二极管额定值和特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
特性/测试条件
连续源电流
脉冲源电流
1
二极管的正向电压
反向恢复时间（I
S
= -I
D [续]
， DL
S
/ DT = 100A / μs）内
L
A
IC
N
H
EC号指令
T I
AT
E
C
M
N
R
A
O
V
INF
A
V
DD
= 0.5 V
DSS
R
G
= 0.6W
I
D
= I
D [续]
@ 25°C
ns
7.1
民
典型值
最大
单位
安培
伏
ns
C
（体二极管）
58
232
1.3
（体二极管）
2
(V
GS
= 0V时，我
S
= -I
D [续]
)
680
反向恢复电荷（我
S
= -I
D [续]
， DL
S
/ DT = 100A / μs）内
17.0
热特性
符号
R
QJC
R
qJA
特征
结到外壳
结到环境
民
典型值
最大
单位
° C / W
0.20
40
3
见MIL -STD -750方法3471
4
启动T = + 25 ° C，L = 1.78mH ， R = 25W ，峰值I = 58A
j
G
L
1
重复评价：脉冲宽度有限的最高结
温度。
2
脉冲测试：脉冲宽度< 380 μS ，占空比< 2 ％
APT保留更改的权利，恕不另行通知，该说明和信息，包含在本文中。
T- MAX （ B2 ）封装外形
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
TO- 264 （ L）包装外形
4.60 (.181)
5.21 (.205)
1.80 (.071)
2.01 (.079)
19.51 (.768)
20.50 (.807)
3.10 (.122)
3.48 (.137)
5.79 (.228)
6.20 (.244)
集热器
集热器
20.80 (.819)
21.46 (.845)
25.48 (1.003)
26.49 (1.043)
4.50
（ 0.177 ）最大。
0.40 (.016)
0.79 (.031)
19.81 (.780)
20.32 (.800)
2.87 (.113)
3.12 (.123)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
2.29 (.090)
2.69 (.106)
19.81 (.780)
21.39 (.842)
2.29 (.090)
2.69 (.106)
REV- 12-99
1.01 (.040)
1.40 (.055)
2.21 (.087)
2.59 (.102)
5.45 （ 0.215 ） BSC
2-Plcs.
门
集热器
辐射源
门
集热器
辐射源
0.48 (.019) 0.76 (.030)
0.84 (.033) 1.30 (.051)
2.79 (.110)
2.59 (.102)
3.18 (.125)
3.00 (.118)
5.45 （ 0.215 ） BSC
2-Plcs.
050-5933
这些尺寸是相等的TO-247 ，而不安装孔。
尺寸以毫米（英寸）
尺寸以毫米（英寸）
APT的设备涵盖了以下一个USpatents的一个或多个： 4895810
5,256,583
5,045,903
4,748,103
5,089,434
5,283,202
5,182,234
5,231,474
5,019,522
5,434,095
5,262,336
5,528,058
QQ：2881677436 复制
