APT50M75JLL
500V
51A 0.075
S
G
D
S
功率MOS 7
R
MOSFET
功率MOS 7是新一代低损耗，高电压， N沟道的
增强型功率MOSFET 。这两种传导和开关
亏损显著降低R的处理与功率MOS 7
DS （ ON）
和Q
g
。功率MOS 7结合了更低的传导损耗和开关损耗
伴随着异常快速开关速度固有APT的
专利的金属栅极结构。
较低的输入电容
降低米勒电容
更低的栅极电荷QG
最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
V
GSM
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
I
AR
E
AR
E
AS
参数
漏源电压
连续漏电流@ T
C
= 25°C
漏电流脉冲
1
S
ISOTOP
T-
O
27
2
"UL Recognized"
更高的功耗
容易驾驶
热门SOT- 227封装
D
G
S
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT50M75JLL
单位
伏
安培
500
51
204
±30
±40
460
3.68
-55到150
300
51
50
4
门源电压连续
栅源电压瞬态
总功率耗散@ T
C
= 25°C
线性降额因子
工作和存储结温范围
焊接温度： 0.063"案件从10秒。
雪崩电流
1
伏
瓦
W / ℃，
°C
安培
mJ
（重复，不重复）
1
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
2500
静态电气特性
符号
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
特性/测试条件
漏源击穿电压（V
GS
= 0V时，我
D
= 250A)
漏源导通电阻
2
民
典型值
最大
单位
伏
500
0.075
100
500
±100
3
5
(V
GS
= 10V ，我
D
= 25.5A)
欧
A
nA
伏
9-2004
050-7001冯ê
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 500V, V
GS
= 0V)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 400V, V
GS
= 0V ，T
C
= 125°C)
门源漏电流（V
GS
= ±30V, V
DS
= 0V)
栅极阈值电压（V
DS
= V
GS
, I
D
= 2.5毫安）
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
on
E
关闭
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
3
APT50M75JLL
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
V
GS
= 10V
V
DD
= 250V
I
D
= 51A @ 25°C
电阻开关
V
GS
= 15V
V
DD
= 250V
I
D
= 51A @ 25°C
R
G
= 0.6
6
电感式开关@ 25°C
V
DD
= 333V, V
GS
= 15V
I
D
= 51A ，R
G
= 5
6
电感式开关@ 125°C
V
DD
= 333V V
GS
= 15V
I
D
= 51A ，R
G
= 5
民
典型值
最大
单位
5590
1180
85
125
33
65
8
17
21
3
675
650
1110
755
民
典型值
最大
单位
安培
伏
ns
C
nC
pF
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关能量
关断开关能量
导通开关能量
关断开关能量
ns
J
源极 - 漏极二极管额定值和特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
dv
/
dt
特性/测试条件
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流
二极管的正向电压
1
2
51
228
1.3
655
13.5
8
民
典型值
最大
（体二极管）
(V
GS
= 0V时，我
S
= -51A)
反向恢复时间（I
S
= -51A ， DL
S
/ DT = 100A / μs）内
反向恢复电荷（我
S
= -51A ， DL
S
/ DT = 100A / μs）内
峰值二极管恢复
dv
/
dt
5
V / ns的
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
特征
结到外壳
结到环境
单位
° C / W
0.27
40
1重复额定值：脉冲宽度有限的最高结
温度
2脉冲测试：脉冲宽度< 380微秒，占空比< 2 ％
3见MIL- STD- 750方法3471
4起始物为
j
= + 25 ° C，L = 1.92mH ，R
G
= 25Ω ，峰值I
L
= 51A
5
dv
/
dt
号反映了测试电路的局限性，而不是
设备本身。
IS
≤
-
ID
51A
di
/
dt
≤
700A/s
VR
≤
VDSS TJ
≤
150
°
C
6李炎包括二极管的反向恢复。参见图18，20 。
APT保留更改的权利，恕不另行通知，该说明和信息，包含在本文中。
0.30
Z
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
θ
0.25
0.20
0.9
0.7
0.15
0.5
注意：
PDM
t1
t2
9-2004
0.10
0.3
050-7001冯ê
0.05
0
0.1
0.05
10
-5
10
-4
占空比D = T1 /吨
2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
单脉冲
10
-3
10
-2
10
-1
矩形脉冲持续时间（秒）
图1 ，最大有效瞬态热阻抗，结点到外壳VS脉冲持续时间
1.0
典型性能曲线
连接点
TEMP 。 （ ° C）
遥控模型
120
100
80
60
40
APT50M75 JLL
15 &10V
8V
7.5V
I
D
，漏极电流（安培）
0.0409
0.0246F
7V
动力
（瓦特）
0.255
0.406F
6.5V
0.00361
外壳温度。 （ ° C）
148F
6V
20
5.5V
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图3 ，低电压输出特性
1.2
V
GS
0
140
I
D
，漏极电流（安培）
VDS>的ID （ON ）× R DS（ ON）的最大值。
250μSEC 。脉冲测试
@ <0.5 ％占空比
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
图2 ，瞬态热阻抗模型
160
归一
= 10V @ I = 25.5A
D
120
100
80
60
40
20
0
TJ = + 125°C
TJ = + 25°C
TJ = -55°C
1.1
VGS=10V
1.0
VGS=20V
0.9
0 1 2
3 4 5 6 7
8
9 10
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
图4 ，传热特性
0.8
0
60
BV
DSS
，漏极 - 源极击穿
电压（归）
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
-50
20
40
60
80
100
I
D
，漏极电流（安培）
图5中，R
DS （ ON）
VS漏电流
I
D
，漏极电流（安培）
50
40
30
20
10
0
25
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图6 ，最大漏极电流与外壳温度
2.5
I
D
= 25.5A
-25
0
25 50 75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图7 ，击穿电压与温度
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50
V
GS
= 10V
2.0
1.5
1.0
V
GS （ TH）
阈值电压
（归一化）
0.5
0.0
-50
-25
0
25 50
75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图8中，R
DS （ ON）
与温度的关系
0
25 50 75 100 125 150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图9 ，阈值电压与温度
-25
050-7001冯ê
9-2004
204
I
D
，漏极电流（安培）
20,000
操作点这里
限制根据RDS （ ON）
APT50M75 JLL
西塞
100
10,000
100S
C，电容（pF ）
1,000
科斯
10
1mS
10mS
TC = + 25°C
TJ = + 150°C
单脉冲
100
CRSS
I
DR
，反向漏电流（安培）
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
1
10
100
500
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图10 ，最大安全工作区
16
I = 51A
VDS=100V
D
VDS=250V
12
VDS=400V
8
1
0
10
20
30
40
50
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图11 ，电容VS漏极至源极电压
200
100
10
TJ = + 150°C
TJ = + 25°C
10
4
40
80
120
160
200
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
图12 ，栅电荷VS栅极至源极电压
100
90
80
t
D（关闭）
V
DD
G
0
0
1
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
V
SD
，源极到漏极电压（伏）
图13 ，源极 - 漏极二极管的正向电压
120
110
100
90
80
V
DD
G
= 333V
R
= 5
T = 125°C
J
L = 100μH
t
D（上）
和T
D（关闭）
（纳秒）
70
60
50
40
30
20
10
= 333V
t
f
t
r
和T
f
（纳秒）
R
= 5
T = 125°C
J
70
60
50
40
30
20
10
t
r
L = 100μH
t
D（上）
1
10
50
60
70
80
90
I
D
(A)
图14 ，延迟时间 - 电流
V
DD
G
20
30
40
50 60
70 80
90
I
D
(A)
图15 ，上升和下降时间 - 电流
3000
2500
开关能量（ μJ ）
V
I
DD
10
20
30
40
2500
= 333V
= 333V
R
= 5
D
J
= 51A
开关能量（ μJ ）
2000
T = 125°C
J
T = 125°C
L = 100μH
E
ON
包括
二极管的反向恢复
L = 100μH
E
ON
包括
二极管的反向恢复
E
on
E
关闭
2000
1500
1000
500
0
1500
1000
E
on
9-2004
500
050-7001冯ê
E
关闭
50
60
70
80 90
I
D
(A)
图16 ，开关能量 - 电流
0
10
20
30
40
10 15 20 25 30 35 40 45 50
R
G
，栅极电阻（欧姆）
图17 ，交换能量 - 栅极电阻
0
5
APT50M75 JLL
90 %
栅极电压
10 %
t
D（上）
T
J
= 125 C
漏电流
90%
t
r
5%
10%
开关能量
5%
漏极电压
10%
0
漏电流
t
D（关闭）
t
f
90%
漏极电压
栅极电压
T
J
= 125 C
开关能量
图18 ，导通开关波形和定义
图19 ，关断开关波形和定义
APT60DF60
V
DD
I
D
V
DS
G
D.U.T.
图20 ，电感式开关测试电路
SOT- 227 （ ISOTOP
）包装外形
31.5 (1.240)
31.7 (1.248)
7.8 (.307)
8.2 (.322)
W=4.1 (.161)
W=4.3 (.169)
H=4.8 (.187)
H=4.9 (.193)
（4处）
11.8 (.463)
12.2 (.480)
8.9 (.350)
9.6 (.378)
六角螺母M4
（4处）
r = 4.0 (.157)
（ 2处）
4.0 (.157)
4.2 (.165)
（ 2处）
25.2 (0.992)
0.75 (.030) 12.6 (.496) 25.4 (1.000)
0.85 (.033) 12.8 (.504)
14.9 (.587)
15.1 (.594)
30.1 (1.185)
30.3 (1.193)
38.0 (1.496)
38.2 (1.504)
*资料来源
漏
*资料来源端子短路
在内部。目前的处理
能力是相等的任一
源极端子。
*资料来源
尺寸以毫米（英寸）
ISOTOP
SGS是汤姆逊公司的注册商标。
门
APT的产品受一个或多个USpatents 4895810的5045903 5089434 5182234 5019522
5262336 6503786 5256583 4748103 5283202 5231474 5434095 5528058和外国专利。美国和外国专利正在申请中。版权所有。
050-7001冯ê
9-2004
3.3 (.129)
3.6 (.143)
1.95 (.077)
2.14 (.084)
QQ：2881677436 复制
