APT50M65B2LL
APT50M65LLL
功率MOS 7
500V 67A 0.065
B2LL
T-最大
TM
R
MOSFET
功率MOS 7是新一代低损耗，高电压， N沟道的
增强型功率MOSFET 。这两种传导和开关
亏损显著降低R的处理与功率MOS 7
DS （ ON）
和Q
g
。功率MOS 7结合了更低的传导损耗和开关损耗
伴随着异常快速开关速度固有APT的
专利的金属栅极结构。
较低的输入电容
降低米勒电容
更低的栅极电荷QG
最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
V
GSM
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
I
AR
E
AR
E
AS
参数
漏源电压
连续漏电流@ T
C
= 25°C
漏电流脉冲
1
TO-264
LLL
更高的功耗
容易驾驶
热门T- MAX 或TO- 264封装
D
G
S
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT50M65B2LL_LLL
单位
伏
安培
500
67
268
±30
±40
694
5.5
-55到150
300
67
50
4
门源电压连续
栅源电压瞬态
总功率耗散@ T
C
= 25°C
线性降额因子
工作和存储结温范围
焊接温度： 0.063"案件从10秒。
雪崩电流
1
伏
瓦
W / ℃，
°C
安培
mJ
（重复，不重复）
1
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
3000
静态电气特性
符号
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
特性/测试条件
漏源击穿电压（V
GS
= 0V时，我
D
= 250A)
漏源导通电阻
2
民
典型值
最大
单位
伏
500
0.065
100
500
±100
3
5
(V
GS
= 10V ， 33.5A ）
欧
A
nA
伏
12-2003
050-7012修订版D
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 500V, V
GS
= 0V)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 400V, V
GS
= 0V ，T
C
= 125°C)
门源漏电流（V
GS
= ±30V, V
DS
= 0V)
栅极阈值电压（V
DS
= V
GS
, I
D
= 2.5毫安）
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
on
E
关闭
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
3
APT50M65 B2LL - LLL
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
V
GS
= 10V
V
DD
= 250V
I
D
= 67A @ 25°C
电阻开关
V
GS
= 15V
V
DD
= 250V
I
D
= 67A @ 25°C
R
G
= 0.6
6
电感式开关@ 25°C
V
DD
= 333V, V
GS
= 15V
I
D
= 67A ，R
G
= 3
6
电感式开关@ 125°C
V
DD
= 333V, V
GS
= 15V
I
D
= 67A ，R
G
= 3
民
典型值
最大
单位
7010
1390
87
141
40
70
12
28
29
30
1035
845
1556
1013
J
ns
nC
pF
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller " ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关能量
关断开关能量
导通开关能量
关断开关能量
源极 - 漏极二极管额定值和特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
dv
/
dt
特性/测试条件
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流
二极管的正向电压
1
2
民
典型值
最大
单位
安培
伏
ns
C
67
268
1.3
680
17.0
8
（体二极管）
(V
GS
= 0V时，我
S
= -
67A
)
反向恢复时间（I
S
= -
67A
， DL
S
/ DT = 100A / μs）内
反向恢复电荷（我
S
= -
67A
， DL
S
/ DT = 100A / μs）内
峰值二极管恢复
dv
/
dt
5
V / ns的
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
特征
结到外壳
结到环境
民
典型值
最大
单位
° C / W
0.18
40
1重复额定值：脉冲宽度有限的最高结
温度
2脉冲测试：脉冲宽度< 380微秒，占空比< 2 ％
3见MIL- STD- 750方法3471
4起始物为
j
= + 25 ° C，L = 1.34mH ，R
G
= 25Ω ，峰值I
L
= 67A
5
dv
/
dt
号反映了测试电路的局限性，而不是
设备本身。
IS
≤
-
67A
di
/
dt
≤
700A/s
VR
≤
500V
TJ
≤
150
°
C
6李炎包括二极管的反向恢复。参见图18，20 。
APT保留更改的权利，恕不另行通知，该说明和信息，包含在本文中。
0.20
Z
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
θ
0.9
0.16
0.7
0.12
0.5
0.08
0.3
0.04
0.1
0
0.05
10
-5
10
-4
单脉冲
注意：
PDM
t1
t2
t
占空比D = 1 / T2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
050-7012修订版D
12-2003
10
-3
10
-2
10
-1
矩形脉冲持续时间（秒）
图1 ，最大有效瞬态热阻抗，结点到外壳VS脉冲持续时间
1.0
典型性能曲线
180
遥控模型
APT50M65B2LL - LLL
15 &10V
I
D
，漏极电流（安培）
连接点
温度。 （ “C ）
0.0271
0.00899F
160
140
120
8V
7V
100
80
60
40
20
0
6V
5.5V
5V
6.5V
动力
（瓦特）
0.0656
0.0202F
0.0860
外壳温度
0.293F
图2 ，瞬态热阻抗模型
180
I
D
，漏极电流（安培）
R
DS
（ON ） ，漏极至源极导通电阻
VDS>的ID （ON ）× R DS（ ON）的最大值。
250μSEC 。脉冲测试
@ <0.5 ％占空比
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图3 ，低电压输出特性
1.4
V
GS
160
140
120
100
80
60
40
20
0
归一
= 10V @ 33.5A
1.3
1.2
1.1
1.00
0.90
0.80
VGS=10V
VGS=20V
TJ = + 125°C
TJ = + 25°C
TJ = -55°C
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
图4 ，传热特性
0
10
20
30
40
50
60
70
I
D
，漏极电流（安培）
图5中，R
DS
（ ON）与漏电流
70
60
50
40
30
20
10
0
25
BV
DSS
，漏极 - 源极击穿
电压（归）
I
D
1.15
1.10
I
D
，漏极电流（安培）
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
-50
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图6 ，最大漏极电流与外壳温度
R
DS
（ON ） ，漏极至源极导通电阻
（归一化）
-25
0
25 50 75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图7 ，击穿电压与温度
1.2
2.5
= 33.5A
= 10V
V
V
GS
（ TH ） ，阈值电压
（归一化）
GS
2.0
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
1.5
1.0
0.5
0.0
-50
-25
0
25 50
75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图8 ，导通电阻与温度
-25
0
25 50 75 100 125 150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图9 ，阈值电压与温度
0.6
-50
050-7012修订版D
12-2003
APT50M65B2LL - LLL
268
I
D
，漏极电流（安培）
操作点这里
限制根据RDS （ ON）
30,000
10,000
C，电容（pF ）
100
西塞
100S
1,000
科斯
10
1mS
TC = + 25°C
TJ = + 150°C
单脉冲
1
1
10
100
500
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图10 ，最大安全工作区
10mS
100
CRSS
0
10
20
30
40
50
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图11 ，电容VS漏极至源极电压
I
DR
，反向漏电流（安培）
10
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
16
I
D
= 67A
200
100
TJ = + 150°C
TJ = + 25°C
10
12
VDS=100V
VDS=250V
8
VDS=400V
4
40
80
120
160
200
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
图12 ，栅极电荷VS栅极至源极电压
80
70
60
t
D（上）
和T
D（关闭）
（纳秒）
V
R
= 3
0
0
1
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
V
SD
，源极到漏极电压（伏）
图13 ，源极 - 漏极二极管的正向电压
160
V
DD
G
= 333V
t
D（关闭）
140
120
R
= 3
T = 125°C
J
L = 100μH
t
f
G
40
30
20
10
0
10
T = 125°C
J
t
r
和T
f
（纳秒）
50
DD
= 333V
100
80
60
40
20
t
r
L = 100μH
t
D（上）
30
50
70
90
110
I
D
(A)
图14 ，延迟时间 - 电流
3000
V
DD
G
70
90
110
I
D
(A)
图15 ，上升和下降时间 - 电流
5000
V
I
DD
0
10
30
50
= 333V
= 333V
R
= 3
D
J
= 67A
2500
开关能量（ μJ ）
T = 125°C
J
E
关闭
开关能量（ μJ ）
L = 100μH
E
on
4000
T = 125°C
L = 100μH
E
ON
包括
二极管的反向恢复。
2000
E
ON
包括
二极管的反向恢复。
3000
1500
2000
12-2003
1000
500
E
关闭
0
10
E
on
1000
050-7012修订版D
0
30
50
70
90
110
10 15 20 25 30 35 40 45 50
R
G
，栅极电阻（欧姆）
图17 ，交换能量 - 栅极电阻
0
5
I
D
(A)
图16 ，开关能量 - 电流
典型性能曲线
90%
10 %
栅极电压
APT50M65B2LL - LLL
栅极电压
TJ = 125℃
t
D（上）
t
r
漏电流
T = 125℃
J
t
D（关闭）
漏极电压
90%
90%
5%
10 %
开关能量
漏极电压
开关能量
10%
t
f
0
漏电流
图18 ，导通开关波形和定义
图19 ，关断开关波形和定义
APT60DF60
V
DD
I
C
V
CE
G
D.U.T.
图20 ，电感式开关测试电路
T-最大
（ B2 ）封装外形
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
TO- 264 （ L）包装外形
4.60 (.181)
5.21 (.205)
1.80 (.071)
2.01 (.079)
19.51 (.768)
20.50 (.807)
3.10 (.122)
3.48 (.137)
5.79 (.228)
6.20 (.244)
漏
20.80 (.819)
21.46 (.845)
漏
25.48 (1.003)
26.49 (1.043)
4.50 （ 0.177 ）最大。
0.40 (.016)
0.79 (.031)
2.87 (.113)
3.12 (.123)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
2.29 (.090)
2.69 (.106)
19.81 (.780)
21.39 (.842)
2.29 (.090)
2.69 (.106)
1.01 (.040)
1.40 (.055)
门
漏
来源
0.48 (.019)
0.84 (.033)
2.59 (.102)
3.00 (.118)
门
漏
来源
2.21 (.087)
2.59 (.102)
5.45 （ 0.215 ） BSC
2-Plcs.
这些尺寸是相等的TO-247 ，而不安装孔。
尺寸以毫米（英寸）
5.45 （ 0.215 ） BSC
2-Plcs.
尺寸以毫米（英寸）
APT的产品受一个或多个USpatents 4895810的5045903 5089434 5182234 5019522
5262336 6503786 5256583 4748103 5283202 5231474 5434095 5528058和外国专利。美国和外国专利正在申请中。版权所有。
050-7012修订版D
0.76 (.030)
1.30 (.051)
2.79 (.110)
3.18 (.125)
12-2003
19.81 (.780)
20.32 (.800)
QQ：2880707522 复制
