典型性能曲线
APT50GT60BR_SR(G)
600V
APT50GT60BR
APT50GT60SR
APT50GT60BRG * APT50GT60SRG *
* G表示符合RoHS标准的无铅终端完成。
迅雷IGBT
该Thunderblot IGBT
是新一代高压功率IGBT的。使用非穿
通过技术，该Thunderblot IGBT
提供了优越的耐用性和超快
开关速度。
低正向压降
低尾电流
RBSOA和SCSOA评分
高频率。切换到100KHz的
超低漏电流
G
C
(B)
TO
-2
47
D
3
PAK
C
G
E
(S)
E
C
G
E
最大额定值
符号
V
CES
V
GE
I
C1
I
C2
I
CM
SSOA
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
参数
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
连续集电极电流
7
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT50GT60BR_SR(G)
单位
伏
600
±30
@ T
C
= 25°C
110
52
150
150A @ 600V
446
-55到150
300
瓦
°C
安培
连续集电极电流@ T
C
= 110°C
集电极电流脉冲
1
开关安全工作区@ T
J
= 150°C
总功耗
工作和存储结温范围
马克斯。铅温度。用于焊接： 0.063"案件从10秒。
静态电气特性
符号
V
（ BR ） CES
V
GE （日）
V
CE （ON）的
特性/测试条件
集电极 - 发射极击穿电压（V
GE
= 0V时，我
C
= 2毫安）
栅极阈值电压
(V
CE
= V
GE
, I
C
= 1毫安，T
j
= 25°C)
民
典型值
最大
单位
600
3
1.7
4
2.0
2.2
25
2
5
2.5
集电极 - 发射极上的电压（V
GE
= 15V ，我
C
= 50A ，T
j
= 25°C)
集电极 - 发射极上的电压（V
GE
= 15V ，我
C
= 50A ，T
j
= 125°C)
集电极截止电流（V
CE
= 600V, V
GE
= 0V ，T
j
= 25°C)
2
伏
I
CES
I
GES
A
nA
11-2005
052-6273
版本B
集电极截止电流（V
CE
= 600V, V
GE
= 0V ，T
j
= 125°C)
栅极 - 射极漏电流（V
GE
= ±20V)
待定
120
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
动态特性
符号
C
IES
C
OES
C
水库
V
GEP
Q
g
Q
ge
Q
gc
SSOA
t
D（上）
t
D（关闭）
t
f
E
on1
E
on2
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on1
E
on2
E
关闭
E
关闭
t
r
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
门极 - 发射极电压高原
总栅极电荷
3
APT50GT60BR_SR(G)
测试条件
电容
V
GE
= 0V, V
CE
= 25V
F = 1 MHz的
栅极电荷
V
CE
= 300V
I
C
= 50A
T
J
= 150℃ ，R
G
= 4.3, V
GE
=
15V ， L = 100μH ，V
CE
= 600V
电感式开关（ 25 ° C）
V
CC
= 400V
V
GE
= 15V
R
G
= 4.3
I
C
= 50A
V
GE
= 15V
民
典型值
最大
单位
pF
V
nC
2500
250
155
7.5
240
20
110
150
14
32
240
36
995
1110
1070
14
32
270
95
1035
1655
1505
J
ns
ns
A
栅极 - 射极电荷
门极 - 集电极（ "Miller " ）充电
开关安全工作区
导通延迟时间
电流上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
导通开关能量
关断开关能量
导通延迟时间
电流上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
导通开关能量
关断开关能量
4
4
55
4
5
导通开关能量（二极管）
6
T
J
= +25°C
电感式开关（ 125°C ）
V
CC
= 400V
V
GE
= 15V
R
G
= 4.3
I
C
= 50A
J
导通开关能量（二极管）
6
T
J
= +125°C
热和机械特性
符号
R
θ
JC
R
θ
JC
W
T
特征
结到外壳
（IGBT）
结到外壳
（二极管）
包装重量
民
典型值
最大
单位
° C / W
gm
.28
不适用
5.9
1重复额定值：脉冲宽度有限的最高结温。
2对于Combi机设备，I
CES
包括IGBT和FRED泄漏
3见MIL- STD- 750方法3471 。
4 E
on1
是只对IGBT的钳位感性开启能量未经整流二极管的反向恢复电流的效果
增加了IGBT导通损耗。测试了在网络连接gure 21示出电感式开关测试电路，而是用碳化硅二极管。
5 E
on2
是钳位感性开启能量，包括在IGBT导通一个整流二极管的反向恢复电流的开关
损失。 （见图21 ， 22 ）
6 E
关闭
是按照JEDEC标准JESD24-1测定的钳位感性关断能量。 （见图21 ， 23 ）
7连续电流限制的封装引线温度。
APT保留更改的权利，恕不另行通知，该说明和信息，包含在本文中。
052-6273
版本B
11-2005
典型性能曲线
4,000
C
IES
I
C
，集电极电流（ A）
160
140
120
100
80
60
40
20
APT50GT60BR_SR(G)
C，电容（ F）
P
1,000
500
C
OES
C
水库
0
10
20
30
40
50
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
图17 ，电容VS集电极 - 发射极电压
100
0
100 200 300 400 500 600 700
V
CE
，集电极到发射极电压
图18 ， Minimim开关安全工作区
0
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0
D = 0.9
Z
θ
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
0.7
0.5
注意：
0.3
单脉冲
0.1
0.05
10
-5
10
-4
PDM
t1
t2
占空比D =
1
/
t2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
t
10
-3
10
-2
10
-1
矩形脉冲持续时间（秒）
图19A ，最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间
1.0
120
F
最大
，工作频率（千赫）
50
遥控模型
连接点
TEMP 。 （ ° C）
0.114
动力
（瓦特）
0.113
外壳温度。 （ ° C）
0.0276
0.0057
10
T = 125
°
C
J
T = 75
°
C
C
D = 50 %
V
= 400V
CE
R = 4.3
G
= MIN （F
最大
, f
max2
)
0.05
f
max1
=
t
D（上）
+ t
r
+ t
D（关闭）
+ t
f
最大
F
f
max2
=
P
DISS
=
P
DISS
- P
COND
E
on2
+ E
关闭
T
J
- T
C
R
θJC
图19B ，瞬态热阻抗模型
30 40 50 60 70 80 90 100
I
C
，集电极电流（ A）
图20 ，工作频率与集电极电流
2
10 20
052-6273
版本B
11-2005
典型性能曲线
APT50GT60BR_SR(G)
600V
APT50GT60BR
APT50GT60SR
APT50GT60BRG * APT50GT60SRG *
* G表示符合RoHS标准的无铅终端完成。
迅雷IGBT
该Thunderblot IGBT
是新一代高压功率IGBT的。使用非穿
通过技术，该Thunderblot IGBT
提供了优越的耐用性和超快
开关速度。
低正向压降
低尾电流
RBSOA和SCSOA评分
高频率。切换到100KHz的
超低漏电流
G
C
(B)
TO
-2
47
D
3
PAK
C
G
E
(S)
E
C
G
E
最大额定值
符号
V
CES
V
GE
I
C1
I
C2
I
CM
SSOA
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
参数
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
连续集电极电流
7
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT50GT60BR_SR(G)
单位
伏
600
±30
@ T
C
= 25°C
110
52
150
150A @ 600V
446
-55到150
300
瓦
°C
安培
连续集电极电流@ T
C
= 110°C
集电极电流脉冲
1
开关安全工作区@ T
J
= 150°C
总功耗
工作和存储结温范围
马克斯。铅温度。用于焊接： 0.063"案件从10秒。
静态电气特性
符号
V
（ BR ） CES
V
GE （日）
V
CE （ON）的
特性/测试条件
集电极 - 发射极击穿电压（V
GE
= 0V时，我
C
= 2毫安）
栅极阈值电压
(V
CE
= V
GE
, I
C
= 1毫安，T
j
= 25°C)
民
典型值
最大
单位
600
3
1.7
4
2.0
2.2
25
2
5
2.5
集电极 - 发射极上的电压（V
GE
= 15V ，我
C
= 50A ，T
j
= 25°C)
集电极 - 发射极上的电压（V
GE
= 15V ，我
C
= 50A ，T
j
= 125°C)
集电极截止电流（V
CE
= 600V, V
GE
= 0V ，T
j
= 25°C)
2
伏
I
CES
I
GES
A
nA
11-2005
052-6273
版本B
集电极截止电流（V
CE
= 600V, V
GE
= 0V ，T
j
= 125°C)
栅极 - 射极漏电流（V
GE
= ±20V)
待定
120
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
动态特性
符号
C
IES
C
OES
C
水库
V
GEP
Q
g
Q
ge
Q
gc
SSOA
t
D（上）
t
D（关闭）
t
f
E
on1
E
on2
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on1
E
on2
E
关闭
E
关闭
t
r
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
门极 - 发射极电压高原
总栅极电荷
3
APT50GT60BR_SR(G)
测试条件
电容
V
GE
= 0V, V
CE
= 25V
F = 1 MHz的
栅极电荷
V
CE
= 300V
I
C
= 50A
T
J
= 150℃ ，R
G
= 4.3, V
GE
=
15V ， L = 100μH ，V
CE
= 600V
电感式开关（ 25 ° C）
V
CC
= 400V
V
GE
= 15V
R
G
= 4.3
I
C
= 50A
V
GE
= 15V
民
典型值
最大
单位
pF
V
nC
2500
250
155
7.5
240
20
110
150
14
32
240
36
995
1110
1070
14
32
270
95
1035
1655
1505
J
ns
ns
A
栅极 - 射极电荷
门极 - 集电极（ "Miller " ）充电
开关安全工作区
导通延迟时间
电流上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
导通开关能量
关断开关能量
导通延迟时间
电流上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
导通开关能量
关断开关能量
4
4
55
4
5
导通开关能量（二极管）
6
T
J
= +25°C
电感式开关（ 125°C ）
V
CC
= 400V
V
GE
= 15V
R
G
= 4.3
I
C
= 50A
J
导通开关能量（二极管）
6
T
J
= +125°C
热和机械特性
符号
R
θ
JC
R
θ
JC
W
T
特征
结到外壳
（IGBT）
结到外壳
（二极管）
包装重量
民
典型值
最大
单位
° C / W
gm
.28
不适用
5.9
1重复额定值：脉冲宽度有限的最高结温。
2对于Combi机设备，I
CES
包括IGBT和FRED泄漏
3见MIL- STD- 750方法3471 。
4 E
on1
是只对IGBT的钳位感性开启能量未经整流二极管的反向恢复电流的效果
增加了IGBT导通损耗。测试了在网络连接gure 21示出电感式开关测试电路，而是用碳化硅二极管。
5 E
on2
是钳位感性开启能量，包括在IGBT导通一个整流二极管的反向恢复电流的开关
损失。 （见图21 ， 22 ）
6 E
关闭
是按照JEDEC标准JESD24-1测定的钳位感性关断能量。 （见图21 ， 23 ）
7连续电流限制的封装引线温度。
APT保留更改的权利，恕不另行通知，该说明和信息，包含在本文中。
052-6273
版本B
11-2005
典型性能曲线
4,000
C
IES
I
C
，集电极电流（ A）
160
140
120
100
80
60
40
20
APT50GT60BR_SR(G)
C，电容（ F）
P
1,000
500
C
OES
C
水库
0
10
20
30
40
50
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
图17 ，电容VS集电极 - 发射极电压
100
0
100 200 300 400 500 600 700
V
CE
，集电极到发射极电压
图18 ， Minimim开关安全工作区
0
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0
D = 0.9
Z
θ
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
0.7
0.5
注意：
0.3
单脉冲
0.1
0.05
10
-5
10
-4
PDM
t1
t2
占空比D =
1
/
t2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
t
10
-3
10
-2
10
-1
矩形脉冲持续时间（秒）
图19A ，最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间
1.0
120
F
最大
，工作频率（千赫）
50
遥控模型
连接点
TEMP 。 （ ° C）
0.114
动力
（瓦特）
0.113
外壳温度。 （ ° C）
0.0276
0.0057
10
T = 125
°
C
J
T = 75
°
C
C
D = 50 %
V
= 400V
CE
R = 4.3
G
= MIN （F
最大
, f
max2
)
0.05
f
max1
=
t
D（上）
+ t
r
+ t
D（关闭）
+ t
f
最大
F
f
max2
=
P
DISS
=
P
DISS
- P
COND
E
on2
+ E
关闭
T
J
- T
C
R
θJC
图19B ，瞬态热阻抗模型
30 40 50 60 70 80 90 100
I
C
，集电极电流（ A）
图20 ，工作频率与集电极电流
2
10 20
052-6273
版本B
11-2005
典型性能曲线
APT50GT60BR_SR(G)
600V
APT50GT60BR
APT50GT60SR
APT50GT60BRG * APT50GT60SRG *
* G表示符合RoHS标准的无铅终端完成。
迅雷IGBT
该Thunderblot IGBT
是新一代高压功率IGBT的。使用非穿
通过技术，该Thunderblot IGBT
提供了优越的耐用性和超快
开关速度。
低正向压降
低尾电流
RBSOA和SCSOA评分
High Freq. Switching to 100KHz
超低漏电流
G
C
(B)
TO
-2
47
D
3
PAK
C
G
E
(S)
E
C
G
E
最大额定值
符号
V
CES
V
GE
I
C1
I
C2
I
CM
SSOA
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
参数
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
连续集电极电流
7
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT50GT60BR_SR(G)
单位
伏
600
±30
@ T
C
= 25°C
110
52
150
150A @ 600V
446
-55到150
300
瓦
°C
安培
连续集电极电流@ T
C
= 110°C
集电极电流脉冲
1
开关安全工作区@ T
J
= 150°C
总功耗
工作和存储结温范围
马克斯。铅温度。用于焊接： 0.063"案件从10秒。
静态电气特性
符号
V
（ BR ） CES
V
GE （日）
V
CE （ON）的
特性/测试条件
集电极 - 发射极击穿电压（V
GE
= 0V时，我
C
= 2毫安）
栅极阈值电压
(V
CE
= V
GE
, I
C
= 1毫安，T
j
= 25°C)
民
典型值
最大
单位
600
3
1.7
4
2.0
2.2
25
2
5
2.5
集电极 - 发射极上的电压（V
GE
= 15V ，我
C
= 50A ，T
j
= 25°C)
集电极 - 发射极上的电压（V
GE
= 15V ，我
C
= 50A ，T
j
= 125°C)
集电极截止电流（V
CE
= 600V, V
GE
= 0V ，T
j
= 25°C)
2
伏
I
CES
I
GES
A
nA
6-2008
052-6273
REV C
集电极截止电流（V
CE
= 600V, V
GE
= 0V ，T
j
= 125°C)
栅极 - 射极漏电流（V
GE
= ±20V)
待定
120
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
MicrosemiWebsite -HTTP ： //www.microsemi.com
动态特性
符号
C
IES
C
OES
C
水库
V
GEP
Q
g
Q
ge
Q
gc
SSOA
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on1
E
on2
E
关闭
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on1
E
on2
E
关闭
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
门极 - 发射极电压高原
总栅极电荷
3
APT50GT60BR_SR(G)
测试条件
电容
V
GE
= 0V, V
CE
= 25V
F = 1 MHz的
栅极电荷
V
GE
= 15V
V
CE
= 300V
I
C
= 50A
T
J
= 150℃ ，R
G
= 4.3, V
GE
=
15V ， L = 100μH ，V
CE
= 600V
Inductive Switching (25°C)
V
CC
= 400V
V
GE
= 15V
I
C
= 50A
4
5
民
典型值
最大
单位
pF
V
nC
2660
250
153
7.5
240
20
110
150
14
32
240
36
995
1110
1070
14
32
270
95
1035
1655
1505
J
ns
ns
A
栅极 - 射极电荷
门极 - 集电极（ "Miller" ）充电
开关安全工作区
导通延迟时间
电流上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
导通开关能量
关断开关能量
导通延迟时间
电流上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
导通开关能量
关断开关能量
44
55
R
G
= 4.3
T
J
= +25°C
导通开关能量（二极管）
6
J
Inductive Switching (125°C)
V
CC
= 400V
V
GE
= 15V
I
C
= 50A
R
G
= 4.3
T
J
= +125°C
导通开关能量（二极管）
6
热和机械特性
符号
R
θ
JC
R
θ
JC
W
T
特征
结到外壳
（IGBT）
结到外壳
（二极管）
包装重量
民
典型值
最大
单位
° C / W
gm
.28
不适用
5.9
1重复额定值：脉冲宽度有限的最高结温。
2对于Combi机设备，I
CES
包括IGBT和FRED泄漏
3见MIL- STD- 750方法3471 。
4 E
on1
是只对IGBT的钳位感性开启能量未经整流二极管的反向恢复电流的效果
增加了IGBT导通损耗。测试了在网络连接gure 21示出电感式开关测试电路，而是用碳化硅二极管。
5 E
on2
是钳位感性开启能量，包括在IGBT导通一个整流二极管的反向恢复电流的开关
损失。 （见图21 ， 22 ）
6 E
关闭
是按照JEDEC标准JESD24-1测定的钳位感性关断能量。 （见图21 ， 23 ）
7连续电流限制的封装引线温度。
Microsemi的保留更改的权利，恕不另行通知，规格和信息所包含。
052-6273
REV C
6-2008
典型性能曲线
160
140
I
C
，集电极电流（ A）
I
C
，集电极电流（ A）
120
100
80
60
40
10
0
0
1
2
3
4
5
V
CE
，集气器 - 发射极电压（ V）
250μs的脉冲
TEST<0.5 ％占空比
周期
V
GE
= 15V
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
APT50GT60BR_SR(G)
15V 13V
11V
10V
T
J
= 25°C
T
J
= -55°C
T
J
= 125°C
9V
8V
7V
6V
0
5
10
15
20
V
CE
，集气器 - 发射极电压（ V）
FIGURE 1, Output Characteristics(T
J
= 25°C)
160
140
I
C
，集电极电流（ A）
120
100
80
60
40
20
0
0
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）
FIGURE 2, Output Characteristics (T
J
= 125°C)
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
50
100
150
200
栅极电荷（ NC）
250
I = 50A
C
中T = 25℃
J
T
J
= -55°C
V
CE
= 120V
V
CE
= 300V
V
CE
= 480V
2
4
6
8
10
12
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）
FIGURE 3, Transfer Characteristics
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
FIGURE 4, Gate Charge
3.5
3.0
2.5
I
C
= 50A
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0
V
GE
= 15V.
250μs的脉冲测试
<0.5 ％占空比
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
5
T
J
= 25°C.
250μs的脉冲测试
<0.5 ％占空比
4
I
C
= 100A
3
I
C
= 50A
2
I
C
= 25A
I
C
= 100A
I
C
= 25A
1
8
10
12
14
16
V
GE
，栅极 - 发射极电压（V）的
FIGURE 5, On State Voltage vs Gate-to- Emitter Voltage
1.15
0
6
25
50
75
100
125
T
J
，结温（ ° C）
FIGURE 6, On State Voltage vs Junction Temperature
160
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
0.80
0.75
0.70
-50 -25
0
25 50 75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
FIGURE 7, Threshold Voltage vs. Junction Temperature
I
C,
DC集电极电流（ A）
1.10
V
GS （ TH）
阈值电压
（归一化）
140
120
100
80
60
40
20
-25
0
25 50 75 100 125 150
T
C
，外壳温度（ ° C）
FIGURE 8, DC Collector Current vs Case Temperature
0
-50
焊接温度
有限
052-6273
REV C
6-2008
25
t
D（关闭）
，关断延迟时间（纳秒）
t
D（上）
，导通延迟时间（纳秒）
350
300
250
200
150
50
V
CE
=
400V
R
G
=
4.3
APT50GT60BR_SR(G)
20
V
GE
= 15V
15
V
GE
=15V,T
J
=125°C
V
GE
=15V,T
J
=25°C
10
5
V
CE
= 400V
T
J
= 25°C
,
或125°C
0
20
40
60
80
100
120
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
FIGURE 9, Turn-On Delay Time vs Collector Current
90
80
70
R
G
=
4.3, L
=
100
H，V
CE
=
400V
0
R
G
= 4.3
L = 100μH
0
20
40
60
80
100
125
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
FIGURE 10, Turn-Off Delay Time vs Collector Current
180
160
140
t
f,
下降时间（纳秒）
120
100
80
60
40
20
0
T
J
=
25 ° C，V
GE
=
15V
T
J
=
125°C ，V
GE
=
15V
R
G
=
4.3, L
=
100
H，V
CE
=
400V
0
L = 100μH
t
r,
上升时间（纳秒）
60
50
40
30
20
10
0
0
T
J
=
25或125°C ，V
GE
=
15V
20
40
60
80
100
120
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
FIGURE 11, Current Rise Time vs Collector Current
5000
E
ON2
，开启能量损失（ μJ ）
V
= 400V
CE
V
= +15V
GE
R = 4.3
G
0
20
40
60
80
100
120
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
FIGURE 12, Current Fall Time vs Collector Current
3500
E
关闭
，关闭能量损失（ μJ ）
3000
2500
2000
1500
1000
500
0
T
J
=
25°C
V
= 400V
CE
V
= +15V
GE
R = 4.3
G
4000
T
J
=
125°C
T
J
=
125°C
3000
2000
1000
T
J
=
25°C
0
20
40
60
80
100
120
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
FIGURE 13, Turn-On Energy Loss vs Collector Current
10,000
开关损耗（ μJ ）
V
= 400V
CE
V
= +15V
GE
T = 125°C
J
0
0
20
40
60
80
100
120
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
FIGURE 14, Turn Off Energy Loss vs Collector Current
5,000
开关损耗（ μJ ）
V
= 400V
CE
V
= +15V
GE
R = 4.3
G
E
on2,
100A
E
on2,
100A
8,000
4,000
E
关，
100A
6,000
3,000
4,000
E
关，
100A
E
关，
50A
E
on2,
50A
E
关，
25A
2,000
E
on2,
50A
E
关，
50A
E
on2,
25A
E
关，
25A
6-2008
2,000
1,000
REV C
052-6273
10
20
30
40
50
R
G
，栅极电阻（欧姆）
FIGURE 15, Switching Energy Losses vs. Gate Resistance
0
E
on2,
25A
0
25
50
75
100
125
T
J
，结温（ ° C）
FIGURE 16, Switching Energy Losses vs Junction Temperature
0
0
典型性能曲线
4,000
C
IES
I
C
，集电极电流（ A）
160
140
120
100
80
60
40
20
APT50GT60BR_SR(G)
C，电容（ F）
P
1,000
500
C
OES
C
水库
0
10
20
30
40
50
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
Figure 17, Capacitance vs Collector-To-Emitter Voltage
100
100 200 300 400 500 600 700
V
CE
，集电极到发射极电压
Figure 18,Minimim Switching Safe Operating Area
0
0
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0
D = 0.9
Z
θ
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
0.7
0.5
注意：
0.3
单脉冲
0.1
0.05
10
-5
10
-4
PDM
t1
t2
占空比D =
1
/
t2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
t
10
-3
10
-2
10
-1
矩形脉冲持续时间（秒）
Figure 19a, Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-To-Case vs Pulse Duration
1.0
T
J
(°C)
0.114
耗散功率
（瓦特）
0.0057
0.0276
T
C
(°C)
0.113
Z
EXT
是外热
阻抗：案例下沉，
下沉到环境等设置为
只有建模时零
的情况下结。
FIGURE 19b, TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE MODEL
120
F
最大
，工作频率（千赫）
50
Z
EXT
F
最大
= MIN （F
最大
, f
max2
)
6-2008
052-6273
REV C
10
T = 125
°
C
J
T = 75
°
C
C
D = 50 %
V
= 400V
CE
R = 4.3
G
f
max1
=
f
max2
=
P
DISS
=
0.05
t
D（上）
+ t
r
+ t
D（关闭）
+ t
f
P
DISS
- P
COND
E
on2
+ E
关闭
T
J
- T
C
R
θJC
30 40 50 60 70 80 90 100
I
C
，集电极电流（ A）
Figure 20, Operating Frequency vs Collector Current
2
10 20
QQ：2880707522 复制
