APT50GT120B2R(G)
APT50GT120LR(G)
1200V ， 50A ，V
CE （ON）的
= 3.2V典型
迅雷IGBT
迅雷IGBT
是新一代高压功率IGBT的。运用
非穿通科技，迅雷IGBT
提供卓越的rugged-
度和超快的转换速度。
特点
低正向压降
低尾电流
符合RoHS
RBSOA和SCSOA评分
高开关频率为50kHz
超低漏电流
除非另有说明， Microsemi的分立式IGBT含有单一的IGBT芯片。此装置是由具有两个平行
IGBT死。它是用于开关模式操作。它不适合于线性模式操作。
最大额定值
符号参数
V
CES
V
GE
I
C1
I
C2
I
CM
SSOA
P
D
T
J
, T
英镑
T
L
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
连续集电极电流@ T
C
= 25°C
连续集电极电流@ T
C
= 100°C
集电极电流脉冲
1
开关安全工作区@ T
J
= 150°C
总功耗
工作和存储结温范围
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
评级
1200
±30
94
50
150
150A @ 1200V
625
-55到150
300
瓦
°C
安培
单位
伏
马克斯。铅温度。用于焊接： 0.063 “从案例10秒。
静态电气特性
符号特性/测试条件
V
（ BR ） CES
V
GE （日）
V
CE （ON）的
I
CES
I
GES
集电极 - 发射极击穿电压（V
GE
= 0V时，我
C
= 3毫安）
栅极阈值电压（V
CE
= V
GE
, I
C
= 2毫安，T
j
= 25°C)
集电极发射极上电压（V
GE
= 15V ，我
C
= 50A ，T
j
= 25°C)
集电极发射极上电压（V
GE
= 15V ，我
C
= 50A ，T
j
= 125°C)
集电极截止电流（V
CE
= 1200V, V
GE
= 0V ，T
j
= 25°C)
2
集电极截止电流（V
CE
= 1200V, V
GE
= 0V ，T
j
= 125°C)
2
栅极 - 射极漏电流（V
GE
= ±20V)
民
1200
4.5
2.7
-
-
-
-
典型值
-
5.5
3.2
4.0
-
-
-
最大
-
6.5
3.7
-
200
2.0
300
单位
伏
μA
mA
nA
052-6270修订版D 9-2008
注意：这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循
.
Microsemi的网站 - http://www.microsemi.com
动态特性
符号
C
IES
C
OES
C
水库
V
GEP
Q
g
Q
ge
Q
gc
SSOA
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on1
E
on2
E
关闭
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on1
E
on2
E
关闭
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
门极 - 发射极电压高原
总栅极电荷
栅极 - 射极电荷
栅极电荷收集
开关安全工作区
导通延迟时间
电流上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
导通开关能量
4
导通开关能量
5
APT50GT120B2R_LR(G)
测试条件
V
GE
= 0V, V
CE
= 25V
F = 1MHz的
栅极电荷
V
GE
= 15V
V
CE
= 600V
I
C
= 50A
T
J
= 150℃ ，R
G
= 1.0Ω
7
, V
GE
= 15V,
L = 100μH ，V
CE
= 1200V
电感式开关（ 25 ° C）
V
CC
= 800V
V
GE
= 15V
I
C
= 50A
R
G
= 4.7Ω
T
J
= +25°C
民
-
-
-
-
-
-
-
150
-
-
-
-
-
-
-
-
电感式开关（ 125°C ）
V
CC
= 800V
V
GE
= 15V
4
典型值
3300
500
220
10.5
340
40
210
最大
-
-
-
-
-
-
-
单位
pF
V
nC
A
24
53
230
26
待定
5330
2330
24
53
255
48
待定
5670
2850
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
μJ
ns
μJ
ns
关断开关能量
6
导通延迟时间
电流上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
导通开关能量
-
-
-
-
-
-
I
C
= 50A
R
G
= 4.7Ω
T
J
= 125°C
导通开关能量
5
关断开关能量
6
热和机械特性
符号特性/测试条件
R
θ
JC
民
-
-
典型值
-
-
最大
0.20
5.9
单位
° C / W
gm
结到外壳
包装重量
W
T
1重复额定值：脉冲宽度有限的最高结温。
2对于Combi机设备，I
CES
包括IGBT和FRED泄漏
3见MIL- STD- 750方法3471 。
4 E
on1
是只对IGBT的钳位感性开启能量，没有一个整流二极管的反向恢复电流增加的效果
IGBT的导通损耗。经过测试，在所示电感式开关测试电路
gure 21 ，而是用碳化硅二极管。
5 E
on2
是钳位感性开启能量，包括在IGBT导通一个整流二极管的反向恢复电流的开关
损失。 （见图21 ， 22 ）
6 E
关闭
是按照JEDEC标准JESD24-1测定的钳位感性关断能量。 （见图21 ， 23 ）
7 R
G
不包括栅极驱动器阻抗外部栅极电阻。
Microsemi的保留权利更改，恕不另行通知，此处包含的说明和信息。
052-6270修订版D 9-2008
典型性能曲线
5000
C
IES
I
C
，集电极电流（ A）
C，电容（pF ）
160
140
120
100
80
60
40
20
APT50GT120B2R_LR(G)
1000
100
C
OES
C
水库
0
100
200
300
400
500 600
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
图17 ，电容VS集电极 - 发射极电压
10
200 400 600 800 1000 1200 1400
V
CE
，集电极 - 发射极电压
图18 ，最小开关安全工作区
0
0
0.25
Z
θ
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
0. 2
D = 0.9
0.7
0.5
0.3
注意：
0.15
0. 1
PDM
t1
t2
0.05
0.1
0
0.05
10
-5
10
-4
单脉冲
占空比D =
1
/
t2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
t
10
-3
10
-2
10
-1
矩形脉冲持续时间（秒）
图19A ，最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间
1.0
120
F
最大
，工作频率（千赫）
100
80
60
40
100°C
T = 125
°
C
J
T = 75
°
C
C
D = 50 %
V
= 800V
CE
R = 1.0Ω
G
T
J
(°C)
0.0487
耗散功率
（瓦特）
0.00909
0.389
T
C
(°C)
0.151
75°C
F
最大
= MIN （F
最大
, f
max2
)
0.05
f
max1
=
t
D（上）
+ t
r
+ t
D（关闭）
+ t
f
f
max2
=
P
DISS
=
P
DISS
- P
COND
E
on2
+ E
关闭
T
J
- T
C
R
θJC
Z
EXT
是外热
阻抗：案例下沉，
下沉到环境等设置为
只有建模时零
的情况下结。
Z
EXT
20
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
图19B ，瞬态热阻抗模型
I
C
，集电极电流（ A）
图20 ，工作频率与集电极电流
052-6270修订版D 9-2008
QQ：2881677436 复制
