【APT50GS60BRDQ2(G)APT50GS60SRDQ2(G)600V ， 50A ，VCE 】,IC型号APT50GS60SRDQ2G,APT50GS60SRDQ2G PDF资料,APT50GS60SRDQ2G经销商,ic,电子元器件-51电子网

APT50GS60BRDQ2(G)

APT50GS60SRDQ2(G)

600V ， 50A ，V

CE （ON）的

= 2.8V典型

霹雳

高速NPT IGBT与反并联“ DQ ”二极管

迅雷HS

系列通型（NPT ）技术相似的基础上薄晶片的非穿

迅雷

系列，但市盈率较高的V

CE （ON）的

对于显着降低导通能量E

关闭

。低

开关损耗，使工作在开关频率在100kHz以上，接近功率MOSFET

性能，但成本更低。

一个非常紧密的参数分布相结合的积极V

CE （ON）的

温度COEF网络cient

可以很容易地并联雷电HS

IGBT的。控压摆率导致非常不错的噪音

振荡性和低EMI。为10μs的短路持续时间的评价，使这些IGBT的

适用于电机驱动器和逆变器应用。可靠性是由雪崩能量进一步增强

耐用性。康贝版本打包带高速软恢复DQ系列二极管。

TO

-2

47

D

3

PAK

特点

快速，低EMI转换

非常低辐射

关闭

为实现最大的效率

额定短路

低栅极电荷

严格的参数分布

易于并联

符合RoHS

典型应用

APT50GS60BRDQ2(G)

APT50GS60SRDQ2(G)

ZVS移相和其他全桥

半桥

高功率PFC升压

焊接

感应加热

高频开关电源

单芯片

IGBT用

独立的DQ

二极管芯片

绝对最大额定值

符号

I

C1

I

C1

I

CM

V

GE

SSOA

E

AS

t

SC

I

F

I

FRM

符号

P

D

R

θJC

R

θCS

T

J

, T

英镑

T

L

W

T

力矩

参数

连续集电极电流T

C

= @ 25°C

连续集电极电流T

C

= @ 100°C

集电极电流脉冲

1

栅极 - 发射极电压

开关安全工作区

单脉冲雪崩能量

2

总之Circut承受时间

3

二极管连续正向电流

二极管最大。重复正向电流

参数

总功率耗散T

C

= @ 25°C

结到外壳热阻

案件散热器的热阻，平油脂润滑表面

工作和存储结温范围

焊接温度为10秒（从案例1.6毫米）

包装重量

安装扭矩（ TO- 247 ）， 6-32 M3螺丝

IGBT

二极管

-

-55

-

0.11

-

0.22

5.9

-

民

-

T

C

= 25°C

T

C

= 100°C

等级

93

50

195

±30V

195

280

10

90

55

195

典型值

-

最大

415

0.30

0.67

-

150

300

-

10

1.1

°C

oz

g

·在磅

N·m的

8-2007

052-6300

REV A

单位

A

V

mJ

s

A

热和机械特性

单位

W

° C / W

注意事项：

这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。

Microsemi的网站 - http://www.microsemi.com

静态特性

符号

V

BR （CES）上

V

BR （CES）上

/T

J

T

J

= 25 ° C除非另有规定编

测试条件

V

GE

= 0V时，我

C

= 250A

参考至25℃ ，我

C

= 250A

APT50GS60B_SRDQ2(G)

民

600

-

3

-

典型值

-

0.60

2.8

3.25

2.15

1.8

4

6.7

-

最大

-

3.15

-

5

-

50

待定

±100

毫伏/°C的

A

nA

V

单位

V

V /°C的

参数

集电极 - 发射极击穿电压

击穿电压温度COEFF

V

CE （ON）的

V

EC

V

GE （日）

电压集电极 - 发射极

4

二极管的正向电压

4

栅极 - 发射极阈值电压

V

GE

= 15V

I

C

= 50A

I

C

= 50A

T

J

= 25°C

T

J

= 125°C

T

J

= 25°C

T

J

= 125°C

V

GE （日）

/T

J

阈值电压温度COEFF

I

CES

I

GES

零栅极电压集电极电流

栅极 - 发射极漏电流

V

GE

= V

CE

, I

C

= 1毫安

V

CE

= 600V,

V

GE

= 0V

T

J

= 25°C

T

J

= 125°C

V

GE

= ±20V

动态特性

符号

g

fs

C

IES

C

OES

C

水库

C

O（ CR ）

C

O（ ER ）

Q

g

Q

ge

G

gc

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

E

on1

E

on2

E

关闭

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

E

on1

E

on2

E

关闭

t

rr

8-2007

参数

输入电容

输出电容

T

J

= 25 ° C除非另有规定编

测试条件

V

CE

= 50V ，我

C

= 50A

民

-

典型值

31

2635

240

145

115

85

最大

-

单位

S

正向跨导

反向传输电容

相关负责

5

反向传输电容

目前相关

6

总栅极电荷

栅极 - 射极电荷

栅极电荷收集

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

导通开关能量

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

导通开关能量

8

9

8

9

V

GE

= 0V, V

CE

= 25V

F = 1MHz的

pF

V

GE

= 0V

V

CE

= 0 400V

V

GE

= 0到15V

I

C

= 50A ，V

CE

= 300V

-

235

18

100

16

33

225

37

待定

1.2

0.755

33

250

23

待定

1.7

0.950

25

35

3

-

ns

nC

A

mJ

ns

mJ

ns

nC

电感式开关IGBT和

二极管：

T

J

= 25 ° C，V

CC

= 400V,

I

C

= 50A

R

G

= 4.7

7

, V

GG

= 15V

关断开关能量

10

电感式开关IGBT和

二极管：

T

J

= 125°C ，V

CC

= 400V,

I

C

= 50A

R

G

= 4.7

7

, V

GG

= 15V

-

关断开关能量

10

二极管的反向恢复时间

二极管的反向恢复电荷

峰值反向恢复电流

I

F

= 50A

V

R

= 400V

di

F

/ DT = 200A / μs的

Q

rr

I

RRM

052-6300

REV A

典型性能曲线

150

125

100

75

T

J

= 25°C

V

GE

= 15V

250

225

APT50GS60B_SRDQ2(G)

T = 125°C

J

I

C

，集电极电流（ A）

I

C

，集电极电流（ A）

200

175

150

125

100

75

50

25

0

V

GE

= 13 & 15V

11V

10V

9V

8V

7V

6V

50

25

0

T

J

= 125°C

T

J

= 150°C

1

2

3

4

5

6

V

CE （ON）的

，集气器 - 发射极电压（ V）

图1中，输出特性

250μs的脉冲

TEST<0.5 ％占空比

周期

0

5

10

15

20

25

30

V

CE

，集气器 - 发射极电压（ V）

图2中，输出特性

T

J

= 25°C.

250μs的脉冲测试

<0.5 ％占空比

I

C

，集电极电流（ A）

125

100

75

50

25

0

V

CE

，集电极 - 发射极电压（V ）

150

6

5

I

C

= 100A

4

3

2

1

0

I

C

= 50A

I

C

= 25A

T

J

= 25°C

T

J

= 125°C

0

2

4

6

8

10

12

V

GE

，门极 - 发射极电压（V ）

图3 ，传输特性

6

图4 ，通态电压VS门极 - 发射极电压

16

V

GE

，门极 - 发射极电压（V ）

14

12

10

8

6

4

2

0

50

100

150

200

栅极电荷（ NC）

图6 ，栅极电荷

250

V

CE

= 120V

V

CE

= 300V

8

10

12

14

16

V

GE

，门极 - 发射极电压（V ）

V

CE

，集电极 - 发射极电压（V ）

5

I = 25A

C

中T = 25℃

J

I

C

= 100A

4

V

GE

= 15V.

250μs的脉冲测试

<0.5 ％占空比

3

I

C

= 50A

2

I

C

= 25A

V

CE

= 480V

1

25

50

75

100

125

150

T

J

，结温（ ° C）

图5 ，通态电压VS结温

5000

0

100

C

IES

I

C,

DC集电极电流（ A）

1000

90

80

70

60

50

40

30

20

10

50

75

100

125

150

T

C

，外壳温度（ ° C）

图8 ， DC集电极电流与外壳温度

0

25

C，电容（ F）

P

100

C

水库

10

052-6300

0

100

200

300

400

500

600

V

CE

，集电极 - 发射极电压（V ）

图7 ，电容VS集电极 - 发射极电压

REV A

8-2007

C

OES

典型性能曲线

20

18

16

14

12

10

8

6

4

V

CE

= 400V

T

J

= 25°C

,

T

J

=125°C

2

R

G

= 4.7

0

20

40

60

80

100

120

I

CE

，集电极到发射极电流（ A）

图9 ，导通延迟时间与集电极电流

100

R

G

= 4.7Ω ， L = 100μH ，V

CE

= 400V

300

t

D（关闭）

，关断延迟时间（纳秒）

250

200

150

100

50

V

CE

= 400V

R

G

=

4.7

V

GE

=15V,T

J

=125°C

APT50GS60B_SRDQ2(G)

t

D（上）

，导通延迟时间（纳秒）

V

GE

= 15V

V

GE

=15V,T

J

=25°C

0

L = 100μH

0

20

40

60

80

100

120

I

CE

，集电极到发射极电流（ A）

图10 ，关闭延迟时间与集电极电流

80

70

R

G

= 4.7Ω ， L = 100μH ，V

CE

= 400V

0

L = 100μH

80

t

r,

上升时间（纳秒）

T

J

=

25或125°C ，V

GE

=

15V

60

t

f,

下降时间（纳秒）

50

40

30

20

10

T

J

=

25 ° C，V

GE

=

15V

T

J

=

125°C ，V

GE

=

15V

60

40

20

40

60

80

100

120

I

CE

，集电极到发射极电流（ A）

图11 ，电流上升时间与集电极电流

6000

E

ON2

，开启能量损失（ μJ ）

5000

4000

3000

2000

1000

T

J

=

25°C,V

GE

=

15V

0

20

40

60

80

100

120

I

CE

，集电极到发射极电流（ A）

图12 ，电流下降时间与集电极电流

2500

E

关闭

，关闭能量损失（ μJ ）

= 400V

V

CE

= +15V

V

GE

R = 4.7

G

0

V

= 400V

CE

V

= +15V

GE

R = 4.7

G

2000

T

J

=

125°C,V

GE

=

15V

T

J

=

125°C ，V

GE

=

15V

1500

1000

500

T

J

=

25 ° C，V

GE

=

15V

0

20

40

60

80

100

120

I

CE

，集电极到发射极电流（ A）

图13 ，开启能量损耗VS集电极电流

10

开关损耗兆焦耳）

= 400V

V

CE

= +15V

V

GE

T = 125°C

J

0

20

40

60

80

100

120

I

CE

，集电极到发射极电流（ A）

图14 ，关闭能量损失VS集电极电流

6

= 400V

V

CE

= +15V

V

GE

R = 4.7

G

0

8

E

on2,

100A

开关损耗（兆焦耳）

5

4

3

2

E

on2,

100A

6

E

关，

100A

4

E

on2,

50A

E

关，

100A

8-2007

2

E

关，

50A

E

on2

,

50A

REV A

E

关，

25A

E

on2,

25A

1

E

on2

,

25A

E

关闭

,

50A

E

关，

25A

052-6300

10

20

30

40

50

R

G

，栅极电阻（欧姆）

图15 ，开关损耗与栅极电阻

0

25

50

75

100

125

T

J

，结温（ ° C）

图16 ，开关损耗VS结温

0

典型性能曲线

200

100

I

C

，集电极电流（ A）

I

CM

APT50GS60B_SRDQ2(G)

200

100

I

C

，集电极电流（ A）

I

CM

10

V

CE

（上）

13s

100s

1ms

10ms

10

V

CE

（上）

13s

100s

1ms

10ms

1

100ms

1

DC线

T

J

=

150°C

T

C

=

25°C

100ms

DC线

0.1

T

J

=

125°C

T

C

=

75°C

1

10

100

800

V

CE

，集电极 - 发射极电压（V ）

图17 ，正向安全工作区

0.1

缩放为不同的案例&结

温度：

I

C

=

I

C（ΔT = 25

°

C)

*(

T

J

-

T

C

)/125

C

1

10

100

800

V

CE

，集电极 - 发射极电压（V ）

图18 ，最大正向安全工作区

0.35

0.30

0.25

Z

θ

JC

，热阻抗（ ℃/ W）

0.9

0.7

0.20

0.15

0.10

0.05

0

0.5

注意：

PDM

0.3

0.1

0.05

10

-5

10

-4

单脉冲

t1

t2

占空比D =

1

/

t2

山顶TJ = PDM X Z

θJC

+ TC

t

10

-1

10

-2

10

-3

矩形脉冲持续时间（秒）

图19 ，最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间

1.0

160

F

最大

，工作频率（千赫）

140

120

100

80

60

40

20

0

T = 125

°

C

J

T = 75

°

C

D = 50 %

= 400V

V

CE

R = 4.7

G

75°C

T

J

(°C)

0.0731

耗散功率

（瓦特）

0.00606

0.260

T

C

(°C)

0.226

Z

EXT

F

最大

= MIN （F

最大

, f

max2

)

0.05

f

max1

=

t

D（上）

+ t

r

+ t

D（关闭）

+ t

f

100°C

f

max2

=

P

DISS

=

P

DISS

- P

COND

E

on2

+ E

关闭

T

J

- T

C

R

θJC

Z

EXT

是外热

阻抗：案例下沉，

下沉到环境等设置为

只有建模时零

的情况下结。

图20中的瞬态热阻抗模型

20 30 40 50 60 70 80 90

I

C

，集电极电流（ A）

图21 ，工作频率与集电极电流

10

052-6300

REV A

8-2007