典型性能曲线
APT50GP60B2DQ2
APT50GP60B2DQ2G*
APT50GP60B2DQ2(G)
600V
* G表示符合RoHS标准的无铅终端完成。
功率MOS 7 IGBT
(B2)
T-最大
功率MOS 7
IGBT是新一代高压功率IGBT的。使用打孔
通过这种技术IGBT适用于多种高频率，高电压开关
应用程序和已优化高频开关模式电源。
低传导损耗
低栅极电荷
超快尾电流关断
额定SSOA
C
G
E
最大额定值
符号
V
CES
V
GE
I
C1
I
C2
I
CM
SSOA
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
参数
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
连续集电极电流
7
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT50GP60B2DQ2(G)
单位
伏
600
±30
@ T
C
= 25°C
150
72
190
190A @ 600V
625
-55到150
300
瓦
°C
安培
连续集电极电流@ T
C
= 110°C
集电极电流脉冲
1
开关安全工作区@ T
J
= 150°C
总功耗
工作和存储结温范围
马克斯。铅温度。用于焊接： 0.063"案件从10秒。
静态电气特性
符号
V
（ BR ） CES
V
GE （日）
V
CE （ON）的
特性/测试条件
集电极 - 发射极击穿电压（V
GE
= 0V时，我
C
= 525A)
栅极阈值电压
(V
CE
= V
GE
, I
C
= 1毫安，T
j
= 25°C)
民
典型值
最大
单位
600
3
4.5
2.2
2.1
525
2
6
2.7
集电极 - 发射极上的电压（V
GE
= 15V ，我
C
= 50A ，T
j
= 25°C)
集电极 - 发射极上的电压（V
GE
= 15V ，我
C
= 50A ，T
j
= 125°C)
集电极截止电流（V
CE
= 600V, V
GE
= 0V ，T
j
= 25°C)
2
伏
I
CES
I
GES
栅极 - 射极漏电流（V
GE
= ±20V)
±100
nA
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
050-7495
APT网站 - http://www.advancedpower.com
REV A
11-2005
集电极截止电流（V
CE
= 600V, V
GE
= 0V ，T
j
= 125°C)
A
3000
动态特性
符号
C
IES
C
OES
C
水库
V
GEP
Q
g
Q
ge
Q
gc
SSOA
t
D（上）
t
D（关闭）
t
f
E
on1
E
on2
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on1
E
on2
E
关闭
E
关闭
t
r
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
门极 - 发射极电压高原
总栅极电荷
3
APT50GP60B2DQ2(G)
测试条件
电容
V
GE
= 0V, V
CE
= 25V
F = 1 MHz的
栅极电荷
V
CE
= 300V
I
C
= 50A
T
J
= 150℃ ，R
G
= 4.3, V
GE
=
15V ， L = 100μH ，V
CE
= 600V
电感式开关（ 25 ° C）
V
CC
= 400V
V
GE
= 15V
R
G
= 4.3
I
C
= 50A
V
GE
= 15V
民
典型值
最大
单位
pF
V
nC
5700
465
30
7.5
165
40
50
190
19
36
85
60
465
835
635
19
36
115
85
465
1260
1060
J
ns
ns
A
栅极 - 射极电荷
门极 - 集电极（ "Miller " ）充电
开关安全工作区
导通延迟时间
电流上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
导通开关能量
关断开关能量
导通延迟时间
电流上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
导通开关能量
关断开关能量
4
4
55
4
5
导通开关能量（二极管）
6
T
J
= +25°C
电感式开关（ 125°C ）
V
CC
= 400V
V
GE
= 15V
R
G
= 4.3
I
C
= 50A
J
导通开关能量（二极管）
6
T
J
= +125°C
热和机械特性
符号
R
θ
JC
R
θ
JC
W
T
特征
结到外壳
（IGBT）
结到外壳
（二极管）
包装重量
民
典型值
最大
单位
° C / W
gm
.20
.67
6.10
1重复额定值：脉冲宽度有限的最高结温。
2对于Combi机设备，I
CES
包括IGBT和FRED泄漏
3见MIL- STD- 750方法3471 。
4 E
on1
是蛤PED认证电感导通能量只IGBT的未经整流二极管的反向恢复电流的效果
增加了IGBT导通损耗。 （参见图24 ）
5 E
on2
是钳位感性开启能量，包括在IGBT导通一个整流二极管的反向恢复电流的开关
损失。 （见图21 ， 22 ）
6 E
关闭
是按照JEDEC标准JESD24-1测定的钳位感性关断能量。 （见图21 ， 23 ）
7连续电流限制的封装引线温度。
APT保留更改的权利，恕不另行通知，该说明和信息，包含在本文中。
050-7495
REV A
11-2005
典型性能曲线
70
60
50
40
70
60
50
40
30
20
10
0
APT50GP60B2DQ2(G)
I
C
，集电极电流（ A）
T
J
= -55°C
30
20
I
C
，集电极电流（ A）
T
J
= -55°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
10
0
100
图1中，输出特性（T
J
= 25°C)
250μs的脉冲
TEST<0.5 ％占空比
周期
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
CE
，集气器 - 发射极电压（ V）
16
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）
14
12
10
图2中，输出特性（T
J
= 125°C)
I = 50A
C
中T = 25℃
J
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
CE
，集气器 - 发射极电压（ V）
90
I
C
，集电极电流（ A）
80
70
60
50
40
30
20
10
0
V
CE
= 120V
V
CE
= 300V
T
J
= -55°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
8
6
4
2
0
33.5
V
CE
= 480V
0
2 3
4 5 6
7 8
9 10
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）
图3 ，传输特性
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
1
0
20
40
60 80 100 120 140 160 180
栅极电荷（ NC）
图4中，栅极电荷
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
I
C
= 100A
T
J
= 25°C.
250μs的脉冲测试
<0.5 ％占空比
3
2.5
2
I
C
= 100A
I
C
= 50A
I
C
= 25A
I
C
= 50A
I
C
= 25A
1.5
1
0.5
8
10
12
14
16
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）
图5 ，通态电压VS门极 - 发射极电压
1.20
0
6
-25
0
25
50
75
100 125
T
J
，结温（ ° C）
图6 ，通态电压VS结温
200
0
-50
V
GE
= 15V.
250μs的脉冲测试
<0.5 ％占空比
BV
CES
，集电极 - 发射极击穿
电压（归）
I
C,
DC集电极电流（ A）
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
0.80
-50
180
160
140
120
100
80
60
40
20
11-2005
050-7495
REV A
焊接温度
有限
-25
0
25
50
75
100 125
T
J
，结温（ ° C）
图7 ，击穿电压与结温
-25
0
25 50 75 100 125 150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图8 ， DC集电极电流与外壳温度
0
-50
25
t
D（上）
，导通延迟时间（纳秒）
V
GE
= 15V
t
D（关闭）
，关断延迟时间（纳秒）
140
120
100
80
60
40
20
V
CE
=
400V
R
G
=
4.3
APT50GP60B2DQ2(G)
20
V
GE
=15V,T
J
=125°C
15
10
V
GE
=15V,T
J
=25°C
5
20 30 40 50 60 70 80 90 100 110
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图9 ，导通延迟时间与集电极电流
90
80
70
t
f,
下降时间（纳秒）
t
r,
上升时间（纳秒）
R
G
=
4.3, L
=
100
H，V
CE
=
400V
0
V
CE
= 400V
T
J
= 25°C
or
125°C
R
G
= 4.3
L = 100μH
20 30 40 50 60 70 80 90 100 110
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图10 ，关闭延迟时间与集电极电流
120
100
80
60
40
20
0
T
J
=
25 ° C，V
GE
=
15V
R
G
=
4.3, L
=
100
H，V
CE
=
400V
0
L = 100μH
T
J
=
125°C ，V
GE
=
15V
60
50
40
30
20
10
T
J
=
25或125°C ，V
GE
=
15V
20 30 40 50 60 70 80 90 100 110
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图11 ，电流上升时间与集电极电流
4000
E
ON2
，开启能量损失（ μJ ）
E
关闭
，关闭能量损失（ μJ ）
= 400V
V
CE
= +15V
V
GE
R = 4.3
G
0
20 30 40 50 60 70 80 90 100 110
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图12 ，电流下降时间与集电极电流
3500
= 400V
V
CE
= +15V
V
GE
R = 4.3
G
3500
3000
2500
2000
1500
1000
500
0
T
J
=
125°C
3000
2500
2000
1500
1000
500
T
J
=
125°C
T
J
=
25°C
T
J
=
25°C
20 30 40 50 60 70 80 90 100 110
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图13 ，开启能量损耗VS集电极电流
6000
开关损耗（ μJ ）
= 400V
V
CE
= +15V
V
GE
T = 125°C
J
20 30 40 50 60 70 80 90 100 110
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图14 ，关闭能量损失VS集电极电流
4000
开关损耗（ μJ ）
3500
3000
2500
2000
1500
1000
500
0
E
on2,
50A
E
关，
50A
E
on2,
25A
E
关，
25A
= 400V
V
CE
= +15V
V
GE
R = 4.3
G
0
5000
4000
3000
2000
E
on2,
100A
E
关，
100A
E
on2,
100A
E
关，
100A
11-2005
E
on2,
50A
E
关，
50A
E
关，
25A
REV A
1000
ê 25A
on2,
0
050-7495
10
20
30
40
50
R
G
，栅极电阻（欧姆）
图15 ，开关损耗与栅极电阻
0
25
50
75
100
125
T
J
，结温（ ° C）
图16 ，开关损耗VS结温
0
典型性能曲线
10,000
I
C
，集电极电流（ A）
C
IES
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
APT50GP60B2DQ2(G)
C，电容（ F）
1,000
500
C
OES
P
100
50
C
水库
0
10
20
30
40
50
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
图17 ，电容VS集电极 - 发射极电压
10
0
100 200 300 400 500 600 700
V
CE
，集电极到发射极电压
图18 ， Minimim开关安全工作区
0
0.20
D = 0.9
Z
θ
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
0.16
0.7
0.12
0.5
0.08
0.3
0.04
单脉冲
0.1
0.05
10
-5
10
-4
注意：
PDM
t1
t2
0
占空比D =
1
/
t2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
t
10
-3
10
-2
10
-1
矩形脉冲持续时间（秒）
图19A ，最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间
1.0
220
F
最大
，工作频率（千赫）
连接点
TEMP 。 （ ° C）
遥控模型
100
0.00908
0.00463
50
F
0.0193
动力
（瓦特）
0.0658
0.00218
= MIN （F
最大
, f
max2
)
0.05
f
max1
=
t
D（上）
+ t
r
+ t
D（关闭）
+ t
f
最大
T = 125
°
C
J
T = 75
°
C
C
D = 50 %
V
= 667V
CE
R = 5
G
0.0142
f
max2
=
P
DISS
=
P
DISS
- P
COND
E
on2
+ E
关闭
T
J
- T
C
R
θJC
0.0658
外壳温度。 （ ° C）
0.0142
图19B ，瞬态热阻抗模型
30 40 50 60 70 80 90 100
I
C
，集电极电流（ A）
图20 ，工作频率与集电极电流
10
10 20
050-7495
REV A
11-2005
典型性能曲线
APT50GP60B2DQ2
APT50GP60B2DQ2G*
APT50GP60B2DQ2(G)
600V
* G表示符合RoHS标准的无铅终端完成。
功率MOS 7 IGBT
(B2)
T-最大
功率MOS 7
IGBT是新一代高压功率IGBT的。使用打孔
通过这种技术IGBT适用于多种高频率，高电压开关
应用程序和已优化高频开关模式电源。
低传导损耗
低栅极电荷
超快尾电流关断
额定SSOA
C
G
E
最大额定值
符号
V
CES
V
GE
I
C1
I
C2
I
CM
SSOA
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
参数
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
连续集电极电流
7
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT50GP60B2DQ2(G)
单位
伏
600
±30
@ T
C
= 25°C
150
72
190
190A @ 600V
625
-55到150
300
瓦
°C
安培
连续集电极电流@ T
C
= 110°C
集电极电流脉冲
1
开关安全工作区@ T
J
= 150°C
总功耗
工作和存储结温范围
马克斯。铅温度。用于焊接： 0.063"案件从10秒。
静态电气特性
符号
V
（ BR ） CES
V
GE （日）
V
CE （ON）的
特性/测试条件
集电极 - 发射极击穿电压（V
GE
= 0V时，我
C
= 525A)
栅极阈值电压
(V
CE
= V
GE
, I
C
= 1毫安，T
j
= 25°C)
民
典型值
最大
单位
600
3
4.5
2.2
2.1
525
2
6
2.7
集电极 - 发射极上的电压（V
GE
= 15V ，我
C
= 50A ，T
j
= 25°C)
集电极 - 发射极上的电压（V
GE
= 15V ，我
C
= 50A ，T
j
= 125°C)
集电极截止电流（V
CE
= 600V, V
GE
= 0V ，T
j
= 25°C)
2
伏
I
CES
I
GES
栅极 - 射极漏电流（V
GE
= ±20V)
±100
nA
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
050-7495
APT网站 - http://www.advancedpower.com
REV A
11-2005
集电极截止电流（V
CE
= 600V, V
GE
= 0V ，T
j
= 125°C)
A
3000
动态特性
符号
C
IES
C
OES
C
水库
V
GEP
Q
g
Q
ge
Q
gc
SSOA
t
D（上）
t
D（关闭）
t
f
E
on1
E
on2
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on1
E
on2
E
关闭
E
关闭
t
r
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
门极 - 发射极电压高原
总栅极电荷
3
APT50GP60B2DQ2(G)
测试条件
电容
V
GE
= 0V, V
CE
= 25V
F = 1 MHz的
栅极电荷
V
CE
= 300V
I
C
= 50A
T
J
= 150℃ ，R
G
= 4.3, V
GE
=
15V ， L = 100μH ，V
CE
= 600V
电感式开关（ 25 ° C）
V
CC
= 400V
V
GE
= 15V
R
G
= 4.3
I
C
= 50A
V
GE
= 15V
民
典型值
最大
单位
pF
V
nC
5700
465
30
7.5
165
40
50
190
19
36
85
60
465
835
635
19
36
115
85
465
1260
1060
J
ns
ns
A
栅极 - 射极电荷
门极 - 集电极（ "Miller " ）充电
开关安全工作区
导通延迟时间
电流上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
导通开关能量
关断开关能量
导通延迟时间
电流上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
导通开关能量
关断开关能量
4
4
55
4
5
导通开关能量（二极管）
6
T
J
= +25°C
电感式开关（ 125°C ）
V
CC
= 400V
V
GE
= 15V
R
G
= 4.3
I
C
= 50A
J
导通开关能量（二极管）
6
T
J
= +125°C
热和机械特性
符号
R
θ
JC
R
θ
JC
W
T
特征
结到外壳
（IGBT）
结到外壳
（二极管）
包装重量
民
典型值
最大
单位
° C / W
gm
.20
.67
6.10
1重复额定值：脉冲宽度有限的最高结温。
2对于Combi机设备，I
CES
包括IGBT和FRED泄漏
3见MIL- STD- 750方法3471 。
4 E
on1
是蛤PED认证电感导通能量只IGBT的未经整流二极管的反向恢复电流的效果
增加了IGBT导通损耗。 （参见图24 ）
5 E
on2
是钳位感性开启能量，包括在IGBT导通一个整流二极管的反向恢复电流的开关
损失。 （见图21 ， 22 ）
6 E
关闭
是按照JEDEC标准JESD24-1测定的钳位感性关断能量。 （见图21 ， 23 ）
7连续电流限制的封装引线温度。
APT保留更改的权利，恕不另行通知，该说明和信息，包含在本文中。
050-7495
REV A
11-2005
典型性能曲线
70
60
50
40
70
60
50
40
30
20
10
0
APT50GP60B2DQ2(G)
I
C
，集电极电流（ A）
T
J
= -55°C
30
20
I
C
，集电极电流（ A）
T
J
= -55°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
10
0
100
图1中，输出特性（T
J
= 25°C)
250μs的脉冲
TEST<0.5 ％占空比
周期
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
CE
，集气器 - 发射极电压（ V）
16
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）
14
12
10
图2中，输出特性（T
J
= 125°C)
I = 50A
C
中T = 25℃
J
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
CE
，集气器 - 发射极电压（ V）
90
I
C
，集电极电流（ A）
80
70
60
50
40
30
20
10
0
V
CE
= 120V
V
CE
= 300V
T
J
= -55°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
8
6
4
2
0
33.5
V
CE
= 480V
0
2 3
4 5 6
7 8
9 10
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）
图3 ，传输特性
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
1
0
20
40
60 80 100 120 140 160 180
栅极电荷（ NC）
图4中，栅极电荷
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
I
C
= 100A
T
J
= 25°C.
250μs的脉冲测试
<0.5 ％占空比
3
2.5
2
I
C
= 100A
I
C
= 50A
I
C
= 25A
I
C
= 50A
I
C
= 25A
1.5
1
0.5
8
10
12
14
16
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）
图5 ，通态电压VS门极 - 发射极电压
1.20
0
6
-25
0
25
50
75
100 125
T
J
，结温（ ° C）
图6 ，通态电压VS结温
200
0
-50
V
GE
= 15V.
250μs的脉冲测试
<0.5 ％占空比
BV
CES
，集电极 - 发射极击穿
电压（归）
I
C,
DC集电极电流（ A）
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
0.80
-50
180
160
140
120
100
80
60
40
20
11-2005
050-7495
REV A
焊接温度
有限
-25
0
25
50
75
100 125
T
J
，结温（ ° C）
图7 ，击穿电压与结温
-25
0
25 50 75 100 125 150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图8 ， DC集电极电流与外壳温度
0
-50
25
t
D（上）
，导通延迟时间（纳秒）
V
GE
= 15V
t
D（关闭）
，关断延迟时间（纳秒）
140
120
100
80
60
40
20
V
CE
=
400V
R
G
=
4.3
APT50GP60B2DQ2(G)
20
V
GE
=15V,T
J
=125°C
15
10
V
GE
=15V,T
J
=25°C
5
20 30 40 50 60 70 80 90 100 110
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图9 ，导通延迟时间与集电极电流
90
80
70
t
f,
下降时间（纳秒）
t
r,
上升时间（纳秒）
R
G
=
4.3, L
=
100
H，V
CE
=
400V
0
V
CE
= 400V
T
J
= 25°C
or
125°C
R
G
= 4.3
L = 100μH
20 30 40 50 60 70 80 90 100 110
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图10 ，关闭延迟时间与集电极电流
120
100
80
60
40
20
0
T
J
=
25 ° C，V
GE
=
15V
R
G
=
4.3, L
=
100
H，V
CE
=
400V
0
L = 100μH
T
J
=
125°C ，V
GE
=
15V
60
50
40
30
20
10
T
J
=
25或125°C ，V
GE
=
15V
20 30 40 50 60 70 80 90 100 110
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图11 ，电流上升时间与集电极电流
4000
E
ON2
，开启能量损失（ μJ ）
E
关闭
，关闭能量损失（ μJ ）
= 400V
V
CE
= +15V
V
GE
R = 4.3
G
0
20 30 40 50 60 70 80 90 100 110
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图12 ，电流下降时间与集电极电流
3500
= 400V
V
CE
= +15V
V
GE
R = 4.3
G
3500
3000
2500
2000
1500
1000
500
0
T
J
=
125°C
3000
2500
2000
1500
1000
500
T
J
=
125°C
T
J
=
25°C
T
J
=
25°C
20 30 40 50 60 70 80 90 100 110
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图13 ，开启能量损耗VS集电极电流
6000
开关损耗（ μJ ）
= 400V
V
CE
= +15V
V
GE
T = 125°C
J
20 30 40 50 60 70 80 90 100 110
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图14 ，关闭能量损失VS集电极电流
4000
开关损耗（ μJ ）
3500
3000
2500
2000
1500
1000
500
0
E
on2,
50A
E
关，
50A
E
on2,
25A
E
关，
25A
= 400V
V
CE
= +15V
V
GE
R = 4.3
G
0
5000
4000
3000
2000
E
on2,
100A
E
关，
100A
E
on2,
100A
E
关，
100A
11-2005
E
on2,
50A
E
关，
50A
E
关，
25A
REV A
1000
ê 25A
on2,
0
050-7495
10
20
30
40
50
R
G
，栅极电阻（欧姆）
图15 ，开关损耗与栅极电阻
0
25
50
75
100
125
T
J
，结温（ ° C）
图16 ，开关损耗VS结温
0
典型性能曲线
10,000
I
C
，集电极电流（ A）
C
IES
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
APT50GP60B2DQ2(G)
C，电容（ F）
1,000
500
C
OES
P
100
50
C
水库
0
10
20
30
40
50
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
图17 ，电容VS集电极 - 发射极电压
10
0
100 200 300 400 500 600 700
V
CE
，集电极到发射极电压
图18 ， Minimim开关安全工作区
0
0.20
D = 0.9
Z
θ
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
0.16
0.7
0.12
0.5
0.08
0.3
0.04
单脉冲
0.1
0.05
10
-5
10
-4
注意：
PDM
t1
t2
0
占空比D =
1
/
t2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
t
10
-3
10
-2
10
-1
矩形脉冲持续时间（秒）
图19A ，最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间
1.0
220
F
最大
，工作频率（千赫）
连接点
TEMP 。 （ ° C）
遥控模型
100
0.00908
0.00463
50
F
0.0193
动力
（瓦特）
0.0658
0.00218
= MIN （F
最大
, f
max2
)
0.05
f
max1
=
t
D（上）
+ t
r
+ t
D（关闭）
+ t
f
最大
T = 125
°
C
J
T = 75
°
C
C
D = 50 %
V
= 667V
CE
R = 5
G
0.0142
f
max2
=
P
DISS
=
P
DISS
- P
COND
E
on2
+ E
关闭
T
J
- T
C
R
θJC
0.0658
外壳温度。 （ ° C）
0.0142
图19B ，瞬态热阻抗模型
30 40 50 60 70 80 90 100
I
C
，集电极电流（ A）
图20 ，工作频率与集电极电流
10
10 20
050-7495
REV A
11-2005
QQ：2880707522 复制
