典型性能曲线
APT50GP60B2DF2
APT50GP60B2DF2
600V
功率MOS 7 IGBT
T-最大
TM
功率MOS 7
IGBT是新一代高压功率IGBT的。
使用穿通科技这IGBT适用于多种频率高，
高电压开关应用，并已被优化用于高频率
开关模式电源。
G
低传导损耗
低栅极电荷
超快尾电流关断
200 kHz的工作频率@ 400V ， 28A
100 kHz的工作频率@ 400V ， 44A
额定SSOA
C
E
C
G
E
最大额定值
符号
V
CES
V
GE
V
创业板
I
C1
I
C2
I
CM
SSOA
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
参数
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
栅极 - 射极电压瞬态
连续集电极电流
7
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT50GP60B2DF2
单位
600
±20
±30
@ T
C
= 25°C
伏
100
72
190
190A@600V
625
-55到150
300
瓦
°C
安培
连续集电极电流@ T
C
= 110°C
集电极电流脉冲
1
@ T
C
= 150°C
安全工作区@ T
J
= 150°C
总功耗
工作和存储结温范围
马克斯。铅温度。用于焊接： 0.063"案件从10秒。
静态电气特性
符号
BV
CES
V
GE （日）
V
CE （ON）的
特性/测试条件
集电极 - 发射极击穿电压（V
GE
= 0V时，我
C
= 500A)
栅极阈值电压
(V
CE
= V
GE
, I
C
= 1毫安，T
j
= 25°C)
民
典型值
最大
单位
600
3
4.5
2.2
2.1
750
2
6
2.7
集电极 - 发射极上的电压（V
GE
= 15V ，我
C
= 50A ，T
j
= 25°C)
集电极 - 发射极上的电压（V
GE
= 15V ，我
C
= 50A ，T
j
= 125°C)
集电极截止电流（V
CE
= 600V, V
GE
= 0V ，T
j
= 25°C)
集电极截止电流（V
CE
= 600V, V
GE
= 0V ，T
j
= 125°C)
栅极 - 射极漏电流（V
GE
= ±20V)
2
伏
I
CES
I
GES
A
nA
4-2004
050-7436
REV C
3000
±100
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
动态特性
符号
C
IES
C
OES
C
水库
V
GEP
Q
g
Q
ge
Q
gc
SSOA
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on1
E
on2
E
关闭
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on1
E
on2
E
关闭
符号
R
θJC
R
θJC
W
T
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
门极 - 发射极电压高原
总栅极电荷
3
APT50GP60B2DF2
测试条件
电容
V
GE
= 0V, V
CE
= 25V
F = 1 MHz的
栅极电荷
V
GE
= 15V
V
CE
= 300V
I
C
= 50A
T
J
= 150℃ ，R
G
= 5, V
GE
=
15V ， L = 100μH ，V
CE
= 600V
电感式开关（ 25 ° C）
V
CC
= 400V
V
GE
= 15V
I
C
= 50A
4
5
民
典型值
最大
单位
pF
V
nC
A
5700
465
30
7.5
165
40
50
190
19
36
83
60
465
837
637
19
36
116
86
465
1261
1058
民
典型值
最大
单位
° C / W
gm
ns
ns
栅极 - 射极电荷
门极 - 集电极（ "Miller " ）充电
安全工作区
导通延迟时间
电流上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
导通开关能量
关断开关能量
导通延迟时间
电流上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
导通开关能量
关断开关能量
特征
结到外壳（ IGBT ）
结到管壳（二极管）
包装重量
4
5
R
G
= 5
T
J
= +25°C
导通开关能量（二极管）
6
J
电感式开关（ 125°C ）
V
CC
= 400V
V
GE
= 15V
I
C
= 50A
R
G
= 5
T
J
= +125°C
导通开关能量（二极管）
6
J
热和机械特性
.20
.67
6.10
1重复额定值：脉冲宽度有限的最高结温。
2对于Combi机设备，I
CES
包括IGBT和FRED泄漏
3见MIL- STD- 750方法3471 。
4 E
on1
是钳位感性点灯能量只IGBT的未经整流二极管的反向恢复电流的效果
增加了IGBT导通损耗。 （参见图24 ）
5 E
on2
是钳位感性开启能量，包括在IGBT导通一个整流二极管的反向恢复电流的开关
损失。甲组合式装置用于钳位二极管所示电子
on2
测试电路。 （见图21 ， 22 ）
6 E
关闭
是按照JEDEC标准JESD24-1测定的钳位感性关断能量。 （见图21 ， 23 ）
7连续电流限制的封装引线温度。
APT保留更改的权利，恕不另行通知，该说明和信息，包含在本文中。
050-7436
REV C
4-2004
典型性能曲线
70
60
50
40
30
20
T
C
=25°C
T
C
=-55°C
VGE = 15V 。
250μs的脉冲测试
<0.5 ％占空比
70
60
50
40
30
20
10
0
APT50GP60B2DF2
VGE = 10V 。
250μs的脉冲测试
<0.5 ％占空比
I
C
，集电极电流（ A）
I
C
，集电极电流（ A）
T
C
=25°C
T
C
=125°C
T
C
=-55°C
10 T
C
=125°C
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
V
CE
，集气器 - 发射极电压（ V）
250μs的脉冲测试
<0.5 ％占空比
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
V
CE
，集气器 - 发射极电压（ V）
I
C
= 50A
T
J
= 25°C
图1中，输出特性（Ⅴ
GE
= 15V)
100
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）
图2中，输出特性（Ⅴ
GE
= 10V)
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
20
40
60 80 100 120 140 160 180
栅极电荷（ NC）
图4中，栅极电荷
I
C
，集电极电流（ A）
80
TJ = -55°C
TJ = 25°C
TJ = 125°C
V
CE
=120V
V
CE
=300V
V
CE
=480V
60
40
20
0
0
2
3
4 5
6 7
8
9 10
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）
图3 ，传输特性
TJ = 25°C 。
250μs的脉冲测试
<0.5 ％占空比
1
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
3.5
3
2.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
I
C
=100A
I
C
= 50A
I
C
= 25A
I
C
=100A
I
C
= 50A
2
1.5
1
0.5
I
C
= 25A
8
10
12
14
16
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）
图5 ，通态电压VS门极 - 发射极电压
1.2
0
6
-25
0
25
50
75
100 125
T
J
，结温（ ° C）
图6 ，通态电压VS结温
200
0
-50
VGE = 15V 。
250μs的脉冲测试
<0.5 ％占空比
BV
CES
，集电极 - 发射极击穿
电压（归）
I
C,
DC集电极电流（ A）
1.15
1.10
1.05
1.0
0.95
0.9
0.85
0.8
-50
180
160
140
120
100
80
60
40
20
-25
0
25 50 75 100 125 150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图8 ， DC集电极电流与外壳温度
0
-50
4-2004
050-7436
REV C
-25
0
25
50
75
100 125
T
J
，结温（ ° C）
图7 ，击穿电压与结温
典型性能曲线
40
35
30
25
20
15
10
05
V
CE
= 400V
T
J
= 25 ° C或125°C
R
G
= 5
L = 100 μH
V
GE
= 15V
t
D（关闭）
，关断延迟时间（纳秒）
t
D（上）
，导通延迟时间（纳秒）
140
120
100
80
60
40
20
0
V
CE
= 400V
R
G
= 5
L = 100 μH
V
GE
=
15V,T
J
=25°C
APT50GP60B2DF2
V
GE
=
15V,T
J
=125°C
V
GE
=10V,T
J
=125°C
V
GE
= 10V
V
GE
=
10V,T
J
=25°C
0
20 30
40 50
60 70
80 90 100
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图9 ，导通延迟时间与集电极电流
100
90
80
t
r,
上升时间（纳秒）
t
f,
下降时间（纳秒）
T
J
=
25或125°C ，V
GE
=
10V
20 30 40 50 60 70 80 90 100
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图10 ，关闭延迟时间与集电极电流
120
T
=
125°C ，V
GE
=
10V或15V
J
100
80
60
40
20
0
R
G
=
5, L
=
100
H，V
CE
=
400V
T
=
25 ° C，V
GE
=
10V或15V
J
70
60
50
40
30
20
10
T
=
25或125°C ，V
GE
=
15V
J
R
G
=
5, L
=
100
H，V
CE
=
400V
0
20 30
40 50 60
70 80 90 100
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图11 ，电流上升时间与集电极电流
20 30 40 50 60 70 80
90 100
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图12 ，电流下降时间与集电极电流
3500
E
关闭
，关闭能量损失（ μJ ）
V
CE
= 400V
L = 100 μH
R
G
= 5
4000
E
ON2
，开启能量损失（ μJ ）
3500
3000
2500
2000
1500
1000
500
V
CE
= 400V
L = 100 μH
R
G
= 5
T
J
= 125°C ，V
GE
=15V
3000
2500
2000
1500
1000
500
T
J
=
125°C ，V
GE
=
10V或15V
T
J
=125°C,V
GE
=10V
T
J
= 25 ° C，V
GE
=15V
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图13 ，开启能量损耗VS集电极电流
6000
开关损耗（ μJ ）
V
CE
= 400V
V
GE
= +15V
T
J
= 125°C
T
J
= 25 ° C，V
GE
=10V
T
J
=
25 ° C，V
GE
=
10V或15V
20 30 40 50 60
70 80 90 100
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图14 ，关闭能量损失VS集电极电流
4000
开关损耗（ μJ ）
V
CE
= 400V
V
GE
= +15V
R
G
= 5
0
5000
4000
3000
2000
3500
3000
2500
2000
1500
1000
500
E
on2
100A
E
关闭
100A
E
on2
100A
E
关闭
100A
4-2004
E
on2
50A
1000
0
E
on2
25A
0
E
关闭
50A
E
关闭
25A
E
on2
50A
E
on2
25A
E
关闭
50A
E
关闭
25A
REV C
050-7436
10
20
30
40
50
R
G
，栅极电阻（欧姆）
图15 ，开关损耗与栅极电阻
-25
0
25
50
75 100 125
T
J
，结温（ ° C）
图16 ，开关损耗VS结温
0
-50
典型性能曲线
10,000
5,000
I
C
，集电极电流（ A）
资本投资者入境计划
200
180
160
140
120
100
180
160
140
120
APT50GP60B2DF2
C，电容（ F）
1,000
500
卓越中心
P
100
50
CRES
0
10
20
30
40
50
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
图17 ，电容VS集电极 - 发射极电压
10
0
100 200 300 400 500 600 700
V
CE
，集电极到发射极电压
图18 ， Minimim开关安全工作区
0
0.20
0.9
Z
θ
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
0.16
0.7
0.12
0.5
0.08
0.3
0.04
注意：
PDM
t1
t2
t
占空比D = 1 / T2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
0.1
0.05
单脉冲
10
-4
0
10
-5
10
-3
10
-2
10
-1
矩形脉冲持续时间（秒）
图19A ，最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间
1.0
遥控模型
210
F
最大
，工作频率（千赫）
0.0090806
0.0046253
100
0.0192963
连接点
温度。 （ “C ）
动力
（瓦特）
0.0658343
0.0021766
50
0.0142175
0.1055619
0.345873
10
10 20
T
J
= 125
°
C
T
C
= 75
°
C
D = 50 %
V
CE
= 400V
R
G
= 5
外壳温度
30 40 50 60 70 80 90 100
I
C
，集电极电流（ A）
图20 ，工作频率与集电极
当前
图19B ，瞬态热阻抗模型
F
最大
=
分（F
max1
, f
MAX 2
)
f
max1
=
f
MAX 2
=
P
DISS
=
t
D（上）
0.05
+
t
r
+
t
D（关闭）
+
t
f
4-2004
050-7436
REV C
P
DISS
P
COND
E
ON 2
+
E
关闭
T
J
T
C
R
θ
JC
QQ：2880707522 复制
