典型性能曲线
APT50GN60BDQ2
APT50GN60BDQ2G*
APT50GN60BDQ2(G)
600V
* G表示符合RoHS标准的无铅终端完成。
利用最新的场站和沟槽栅技术，这些IGBT的具有超
低V
CE （ON）的
并适用于需要绝对最低低频应用
导通损耗。易于并联的参数分布非常紧凑和结果
稍微积极V
CE （ON）的
温度COEF网络cient 。低栅极电荷简化网络连接的ES栅极驱动
设计和最小化损失。
G
C
E
TO
-2
47
600V场截止
沟槽栅：低V
CE （ON）的
简单的并联
6微秒短路功能
175 °C测量
C
G
E
应用范围：焊接，感应加热，太阳能逆变器，开关电源，马达驱动器， UPS
最大额定值
符号
V
CES
V
GE
I
C1
I
C2
I
CM
SSOA
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
参数
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
连续集电极电流
8
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT50GN60BDQ2(G)
单位
伏
600
±30
@ T
C
= 25°C
107
64
150
150A @ 600V
366
-55至175
300
瓦
°C
安培
连续集电极电流@ T
C
= 110°C
集电极电流脉冲
1
@ T
C
= 175°C
开关安全工作区@ T
J
= 175°C
总功耗
工作和存储结温范围
马克斯。铅温度。用于焊接： 0.063"案件从10秒。
静态电气特性
符号
V
（ BR ） CES
V
GE （日）
V
CE （ON）的
特性/测试条件
集电极 - 发射极击穿电压（V
GE
= 0V时，我
C
= 4毫安）
栅极阈值电压
(V
CE
= V
GE
, I
C
= 800μA ，T
j
= 25°C)
民
典型值
最大
单位
600
5.0
1.05
5.8
1.45
1.7
50
2
6.5
1.85
集电极 - 发射极上的电压（V
GE
= 15V ，我
C
= 50A ，T
j
= 25°C)
集电极 - 发射极上的电压（V
GE
= 15V ，我
C
= 50A ，T
j
= 125°C)
集电极截止电流（V
CE
= 600V, V
GE
= 0V ，T
j
= 25°C)
2
伏
I
CES
I
GES
R
G（ INT ）
集电极截止电流（V
CE
= 600V, V
GE
= 0V ，T
j
= 125°C)
栅极 - 射极漏电流（V
GE
= ±20V)
综合型栅极电阻
A
nA
7-2005
050-7613
版本B
待定
600
不适用
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
动态特性
符号
C
IES
C
OES
C
水库
V
GEP
Q
g
Q
ge
Q
gc
SSOA
SCSOA
t
D（上）
t
D（关闭）
t
f
E
on1
E
on2
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on1
E
on2
E
关闭
E
关闭
t
r
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
门极 - 发射极电压高原
总栅极电荷
3
APT50GN60BDQ2(G)
测试条件
电容
V
GE
= 0V, V
CE
= 25V
F = 1 MHz的
栅极电荷
V
CE
= 300V
I
C
= 50A
T
J
= 175 ° C，R
G
= 4.3
7
,
V
GE
=
15V ， L = 100μH ，V
CE
= 600V
V
CC
= 360V, V
GE
= 15V,
T
J
= 150℃ ，R
G
= 4.3
7
电感式开关（ 25 ° C）
V
CC
= 400V
V
GE
= 15V
I
C
= 50A
V
GE
= 15V
民
典型值
最大
单位
pF
V
nC
3200
125
100
9.0
325
25
175
150
6
20
25
230
100
1185
1275
1565
20
25
260
140
1205
1850
2125
J
ns
ns
A
栅极 - 射极电荷
门极 - 集电极（ "Miller " ）充电
开关安全工作区
短路安全工作区
导通延迟时间
电流上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
导通开关能量
关断开关能量
导通延迟时间
电流上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
导通开关能量
关断开关能量
4
4
55
4
5
s
R
G
= 4.3
7
导通开关能量（二极管）
6
T
J
= +25°C
J
电感式开关（ 125°C ）
V
CC
= 400V
V
GE
= 15V
I
C
= 50A
导通开关能量（二极管）
66
T
J
= +125°C
R
G
= 4.3
7
热和机械特性
符号
R
θ
JC
R
θ
JC
W
T
特征
结到外壳
（IGBT）
结到外壳
（二极管）
包装重量
民
典型值
最大
单位
° C / W
gm
.41
.67
5.9
1重复额定值：脉冲宽度有限的最高结温。
2对于Combi机设备，I
CES
包括IGBT和FRED泄漏
3见MIL- STD- 750方法3471 。
4 E
on1
是只对IGBT的钳位感性开启能量未经整流二极管的反向恢复电流的效果
增加了IGBT导通损耗。测试了在网络连接gure 21示出电感式开关测试电路，而是用碳化硅二极管。
5 E
on2
是钳位感性开启能量，包括在IGBT导通一个整流二极管的反向恢复电流的开关
损失。 （见图21 ， 22 ）
7-2005
版本B
6 E
关闭
是按照JEDEC标准JESD24-1测定的钳位感性关断能量。 （见图21 ， 23 ）
7 R
G
是外部栅极电阻，不包括研究
G（ INT ）
或非门驱动器阻抗。 （ MIC4452 ）
8连续电流限制的封装引线温度。
APT保留更改的权利，恕不另行通知，该说明和信息，包含在本文中。
050-7613
典型性能曲线
160
140
I
C
，集电极电流（ A）
I
C
，集电极电流（ A）
120
100
80
60
40
20
0
V
GE
= 15V
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
15V
APT50GN60BDQ2(G)
13V
12V
11V
10V
9V
8V
7V
T
J
= 175°C
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= -55°C
160
I
C
，集电极电流（ A）
140
120
100
图1中，输出特性（T
J
= 25°C)
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）
250μs的脉冲
TEST<0.5 ％占空比
周期
5
4
3
2
1
0
V
CE
，集气器 - 发射极电压（ V）
16
14
12
10
图2中，输出特性（T
J
= 125°C)
I = 50A
C
中T = 25℃
J
30
25
20
15
10
5
0
V
CE
，集气器 - 发射极电压（ V）
T
J
= -55°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
V
CE
= 120V
V
CE
= 300V
V
CE
=480V
80
60
40
20
0
T
J
= 175°C
8
6
4
2
0
0
14
12
10
8
6
4
2
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）
图3 ，传输特性
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
0
50
100 150 200 250 300 350 400
栅极电荷（ NC）
图4中，栅极电荷
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
3.5
3.0
T
J
= 25°C.
250μs的脉冲测试
<0.5 ％占空比
3.0
2.5
I
C
= 100A
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
I
C
= 100A
2.0
I
C
= 50A
I
C
= 25A
I
C
= 50A
1.5
1.0
0.5
0
I
C
= 25A
16
14
12
10
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）
图5 ，通态电压VS门极 - 发射极电压
8
1.10
0
V
GE
= 15V.
250μs的脉冲测试
<0.5 ％占空比
100 125 150 175
75
50
25
T
J
，结温（ ° C）
图6 ，通态电压VS结温
0
140
BV
CES
，集电极 - 发射极击穿
电压（归）
1.05
I
C,
DC集电极电流（ A）
120
100
80
60
40
20
7-2005
050-7613
版本B
焊接温度
有限
1.00
0.95
0.90
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150 175
T
J
，结温（ ° C）
图7 ，击穿电压与结温
0 25 50 75 100 125 150 175
T
C
，外壳温度（ ° C）
图8 ， DC集电极电流与外壳温度
0
-50 -25
典型性能曲线
5,000
I
C
，集电极电流（ A）
C
IES
160
140
120
100
80
60
40
20
APT50GN60BDQ2(G)
C，电容（ F）
1,000
500
P
100
50
C
0es
C
水库
0
10
20
30
40
50
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
图17 ，电容VS集电极 - 发射极电压
10
0
100 200 300 400 500 600 700
V
CE
，集电极到发射极电压
图18 ， Minimim开关安全工作区
0
0.45
0.40
Z
θ
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
0.35
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0
10
-5
0.1
0.05
10
-4
0.5
注意：
D = 0.9
0.7
PDM
0.3
单脉冲
t1
t2
占空比D =
1
/
t2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
t
10
-3
10
-2
10
-1
矩形脉冲持续时间（秒）
图19A ，最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间
1.0
110
F
最大
，工作频率（千赫）
50
遥控模型
连接点
TEMP 。 （ ° C）
0.212
动力
（瓦特）
0.198
外壳温度。 （ ° C）
0.115
0.00332
F
= MIN （F
最大
, f
max2
)
0.05
f
max1
=
t
D（上）
+ t
r
+ t
D（关闭）
+ t
f
最大
T = 125
°
C
J
T = 75
°
C
C
D = 50 %
V
= 400V
CE
R = 4.3
G
f
max2
=
P
DISS
=
10
6
P
DISS
- P
COND
E
on2
+ E
关闭
T
J
- T
C
R
θJC
图19B ，瞬态热阻抗模型
20
30
40
50
60
70
80
I
C
，集电极电流（ A）
图20 ，工作频率与集电极电流
10
050-7613
版本B
7-2005
典型性能曲线
APT50GN60BDQ2
APT50GN60BD_SDQ2(G)
APT50GN60SDQ2
APT50GN60BDQ2 （ G） APT50GN60SDQ2 （G ）
600V
* G表示符合RoHS标准的无铅终端完成。
利用最新的场站和沟槽栅技术，这些IGBT的具有超
低V
CE （ON）的
并适用于需要绝对最低低频应用
导通损耗。易于并联的参数分布非常紧凑和结果
稍微积极V
CE （ON）的
温度COEF网络cient 。低栅极电荷简化网络连接的ES栅极驱动
设计和最小化损失。
(B)
TO
-2
47
D
3
PAK
(S)
C
G
E
600V场截止
沟槽栅：低V
CE （ON）的
简单的并联
6微秒短路功能
175 °C测量
G
C
E
C
G
E
应用范围：焊接，感应加热，太阳能逆变器，开关电源，马达驱动器， UPS
最大额定值
符号
V
CES
V
GE
I
C1
I
C2
I
CM
SSOA
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
参数
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
连续集电极电流
8
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT50GN60BD_SDQ2(G)
单位
伏
600
±30
@ T
C
= 25°C
107
64
150
150A @ 600V
366
-55至175
°C
瓦
安培
连续集电极电流@ T
C
= 110°C
集电极电流脉冲
1
@ T
C
= 175°C
开关安全工作区@ T
J
= 175°C
总功耗
工作和存储结温范围
马克斯。铅温度。用于焊接： 0.063"案件从10秒。
300
静态电气特性
符号
V
（ BR ） CES
V
GE （日）
V
CE （ON）的
特性/测试条件
集电极 - 发射极击穿电压（V
GE
= 0V时，我
C
= 4毫安）
栅极阈值电压
(V
CE
= V
GE
, I
C
= 800μA ，T
j
= 25°C)
民
典型值
最大
单位
600
5.0
1.05
5.8
1.45
1.7
50
2
6.5
1.85
伏
集电极 - 发射极上的电压（V
GE
= 15V ，我
C
= 50A ，T
j
= 25°C)
集电极 - 发射极上的电压（V
GE
= 15V ，我
C
= 50A ，T
j
= 125°C)
I
CES
I
GES
R
G（ INT ）
集电极截止电流（V
CE
= 600V, V
GE
= 0V ，T
j
= 25°C)
2
A
nA
Ω
7-2009
050-7613
REV C
集电极截止电流（V
CE
= 600V, V
GE
= 0V ，T
j
= 125°C)
栅极 - 射极漏电流（V
GE
= ±20V)
综合型栅极电阻
待定
600
不适用
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
Microsemi的网站 - http://www.microsemi.com
动态特性
符号
C
IES
C
OES
C
水库
V
GEP
Q
g
Q
ge
Q
gc
SSOA
SCSOA
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on1
E
on2
E
关闭
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on1
E
on2
E
关闭
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
门极 - 发射极电压高原
总栅极电荷
3
APT50GN60BD_SDQ2(G)
测试条件
电容
V
GE
= 0V, V
CE
= 25V
F = 1 MHz的
栅极电荷
V
GE
= 15V
V
CE
= 300V
I
C
= 50A
T
J
= 175 ° C，R
G
= 4.3Ω
7
,
V
GE
=
15V ， L = 100μH ，V
CE
= 600V
V
CC
= 360V, V
GE
= 15V,
T
J
= 150℃ ，R
G
= 4.3Ω
7
电感式开关（ 25 ° C）
V
CC
= 400V
V
GE
= 15V
I
C
= 50A
4
5
民
典型值
最大
单位
3200
125
100
9.0
325
25
175
150
6
20
25
230
100
1185
1275
1565
20
25
260
140
1205
1850
2125
J
ns
ns
A
nC
V
pF
栅极 - 射极电荷
门极 - 集电极（ "Miller" ）充电
开关安全工作区
短路安全工作区
导通延迟时间
电流上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
导通开关能量
s
R
G
= 4.3Ω
7
导通开关能量（二极管）
关断开关能量
导通延迟时间
电流上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
导通开关能量
44
6
T
J
= +25°C
J
电感式开关（ 125°C ）
V
CC
= 400V
V
GE
= 15V
I
C
= 50A
R
G
= 4.3Ω
55
7
导通开关能量（二极管）
关断开关能量
66
T
J
= +125°C
热和机械特性
符号
R
θ
JC
R
θ
JC
W
T
特征
结到外壳
（IGBT）
结到外壳
（二极管）
包装重量
民
典型值
最大
单位
° C / W
gm
.41
.67
5.9
1重复额定值：脉冲宽度有限的最高结温。
2对于Combi机设备，I
CES
包括IGBT和FRED泄漏
3见MIL- STD- 750方法3471 。
4 E
on1
是只对IGBT的钳位感性开启能量未经整流二极管的反向恢复电流的效果
增加了IGBT导通损耗。测试了在网络连接gure 21示出电感式开关测试电路，而是用碳化硅二极管。
5 E
on2
是钳位感性开启能量，包括在IGBT导通一个整流二极管的反向恢复电流的开关
损失。 （见图21 ， 22 ）
7-2009
REV C
050-7613
6 E
关闭
是按照JEDEC标准JESD24-1测定的钳位感性关断能量。 （见图21 ， 23 ）
7 R
G
是外部栅极电阻，不包括研究
G（ INT ）
或非门驱动器阻抗。 （ MIC4452 ）
8连续电流限制的封装引线温度。
Microsemi的
保留随时更改，恕不另行通知，此处包含的说明和信息。
典型性能曲线
160
V
GE
APT50GN60BD_SDQ2(G)
200
180
I
C
，集电极电流（ A）
160
140
120
100
80
60
9V
40
20
0
8V
7V
0
5
10
15
20
25
30
V
CE
，集气器 - 发射极电压（ V）
11V
10V
15V
13V
12V
= 15V
140
I
C
，集电极电流（ A）
120
100
80
T
J
= 25°C
60
40
20
0
T
J
= -55°C
T
J
= 175°C
T
J
= 125°C
0
1
2
3
4
5
V
CE
，集气器 - 发射极电压（ V）
250μs的脉冲
TEST<0.5 ％占空比
周期
图1中，输出特性（T
J
= 25°C)
160
140
I
C
，集电极电流（ A）
120
T
J
= 125°C
100
T
J
= 175°C
80
60
40
20
0
0
2
4
6
8
10
12
14
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）
图3 ，传输特性
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
T
J
= 25°C.
250μs的脉冲测试
<0.5 ％占空比
图2中，输出特性（T
J
= 125°C)
16
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）
I = 50A
C
中T = 25℃
J
T
J
= -55°C
T
J
= 25°C
14
12
10
8
6
4
2
0
0
V
CE
= 120V
V
CE
= 300V
V
CE
=480V
50
100 150 200 250 300 350 400
栅极电荷（ NC）
图4中，栅极电荷
3.0
I
C
= 100A
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
3.5
3.0
2.5
I
C
= 100A
2.0
I
C
= 50A
1.5
1.0
0.5
0
I
C
= 25A
I
C
= 50A
I
C
= 25A
V
GE
= 15V.
250μs的脉冲测试
<0.5 ％占空比
10
12
14
16
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）
图5 ，通态电压VS门极 - 发射极电压
1.10
8
25
50
75
100 125 150 175
T
J
，结温（ ° C）
图6 ，通态电压VS结温
140
0
BV
CES
，集电极 - 发射极击穿
电压（归）
1.05
I
C,
DC集电极电流（ A）
120
100
80
60
40
20
0
-50 -25
7-2009
050-7613
REV C
焊接温度
有限
1.00
0.95
0.90
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150 175
T
J
，结温（ ° C）
图7 ，击穿电压与结温
0 25 50 75 100 125 150 175
T
C
，外壳温度（ ° C）
图8 ， DC集电极电流与外壳温度
典型性能曲线
5,000
I
C
，集电极电流（ A）
C
IES
160
140
120
100
80
60
40
20
0
10
20
30
40
50
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
图17 ，电容VS集电极 - 发射极电压
10
APT50GN60BD_SDQ2(G)
C，电容（ F）
1,000
500
P
100
50
C
0es
C
水库
100 200 300 400 500 600 700
V
CE
，集电极到发射极电压
图18 ， Minimim开关安全工作区
0
0
0.45
0.40
Z
θ
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
D = 0.9
0.35
0.30
0.25
0.5
0.20
0.15
0.10
0.05
0
10
-5
10
-3
10
-2
10
-1
矩形脉冲持续时间（秒）
图19 ，最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间
10
-4
1.0
0.1
0.05
0.3
单脉冲
注意：
0.7
PDM
t1
t2
占空比D =
1
/
t2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
t
110
F
最大
，工作频率（千赫）
50
F
最大
= MIN （F
最大
, f
max2
)
0.05
f
max1
=
t
D（上）
+ t
r
+ t
D（关闭）
+ t
f
T = 125
°
C
J
T = 75
°
C
C
D = 50 %
= 400V
V
CE
R = 4.3Ω
G
f
max2
=
P
DISS
=
10
6
P
DISS
- P
COND
E
on2
+ E
关闭
T
J
- T
C
R
θJC
20
30
40
50
60
70
80
I
C
，集电极电流（ A）
图20 ，工作频率与集电极电流
10
050-7613
REV C
7-2009
典型性能曲线
APT50GN60BDQ2
APT50GN60BDQ2G*
APT50GN60BDQ2(G)
600V
* G表示符合RoHS标准的无铅终端完成。
利用最新的场站和沟槽栅技术，这些IGBT的具有超
低V
CE （ON）的
并适用于需要绝对最低低频应用
导通损耗。易于并联的参数分布非常紧凑和结果
稍微积极V
CE （ON）的
温度COEF网络cient 。低栅极电荷简化网络连接的ES栅极驱动
设计和最小化损失。
G
C
E
TO
-2
47
600V场截止
沟槽栅：低V
CE （ON）的
简单的并联
6微秒短路功能
175 °C测量
C
G
E
应用范围：焊接，感应加热，太阳能逆变器，开关电源，马达驱动器， UPS
最大额定值
符号
V
CES
V
GE
I
C1
I
C2
I
CM
SSOA
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
参数
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
连续集电极电流
8
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT50GN60BDQ2(G)
单位
伏
600
±30
@ T
C
= 25°C
107
64
150
150A @ 600V
366
-55至175
300
瓦
°C
安培
连续集电极电流@ T
C
= 110°C
集电极电流脉冲
1
@ T
C
= 175°C
开关安全工作区@ T
J
= 175°C
总功耗
工作和存储结温范围
马克斯。铅温度。用于焊接： 0.063"案件从10秒。
静态电气特性
符号
V
（ BR ） CES
V
GE （日）
V
CE （ON）的
特性/测试条件
集电极 - 发射极击穿电压（V
GE
= 0V时，我
C
= 4毫安）
栅极阈值电压
(V
CE
= V
GE
, I
C
= 800μA ，T
j
= 25°C)
民
典型值
最大
单位
600
5.0
1.05
5.8
1.45
1.7
50
2
6.5
1.85
集电极 - 发射极上的电压（V
GE
= 15V ，我
C
= 50A ，T
j
= 25°C)
集电极 - 发射极上的电压（V
GE
= 15V ，我
C
= 50A ，T
j
= 125°C)
集电极截止电流（V
CE
= 600V, V
GE
= 0V ，T
j
= 25°C)
2
伏
I
CES
I
GES
R
G（ INT ）
集电极截止电流（V
CE
= 600V, V
GE
= 0V ，T
j
= 125°C)
栅极 - 射极漏电流（V
GE
= ±20V)
综合型栅极电阻
A
nA
7-2005
050-7613
版本B
待定
600
不适用
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
动态特性
符号
C
IES
C
OES
C
水库
V
GEP
Q
g
Q
ge
Q
gc
SSOA
SCSOA
t
D（上）
t
D（关闭）
t
f
E
on1
E
on2
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on1
E
on2
E
关闭
E
关闭
t
r
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
门极 - 发射极电压高原
总栅极电荷
3
APT50GN60BDQ2(G)
测试条件
电容
V
GE
= 0V, V
CE
= 25V
F = 1 MHz的
栅极电荷
V
CE
= 300V
I
C
= 50A
T
J
= 175 ° C，R
G
= 4.3
7
,
V
GE
=
15V ， L = 100μH ，V
CE
= 600V
V
CC
= 360V, V
GE
= 15V,
T
J
= 150℃ ，R
G
= 4.3
7
电感式开关（ 25 ° C）
V
CC
= 400V
V
GE
= 15V
I
C
= 50A
V
GE
= 15V
民
典型值
最大
单位
pF
V
nC
3200
125
100
9.0
325
25
175
150
6
20
25
230
100
1185
1275
1565
20
25
260
140
1205
1850
2125
J
ns
ns
A
栅极 - 射极电荷
门极 - 集电极（ "Miller " ）充电
开关安全工作区
短路安全工作区
导通延迟时间
电流上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
导通开关能量
关断开关能量
导通延迟时间
电流上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
导通开关能量
关断开关能量
4
4
55
4
5
s
R
G
= 4.3
7
导通开关能量（二极管）
6
T
J
= +25°C
J
电感式开关（ 125°C ）
V
CC
= 400V
V
GE
= 15V
I
C
= 50A
导通开关能量（二极管）
66
T
J
= +125°C
R
G
= 4.3
7
热和机械特性
符号
R
θ
JC
R
θ
JC
W
T
特征
结到外壳
（IGBT）
结到外壳
（二极管）
包装重量
民
典型值
最大
单位
° C / W
gm
.41
.67
5.9
1重复额定值：脉冲宽度有限的最高结温。
2对于Combi机设备，I
CES
包括IGBT和FRED泄漏
3见MIL- STD- 750方法3471 。
4 E
on1
是只对IGBT的钳位感性开启能量未经整流二极管的反向恢复电流的效果
增加了IGBT导通损耗。测试了在网络连接gure 21示出电感式开关测试电路，而是用碳化硅二极管。
5 E
on2
是钳位感性开启能量，包括在IGBT导通一个整流二极管的反向恢复电流的开关
损失。 （见图21 ， 22 ）
7-2005
版本B
6 E
关闭
是按照JEDEC标准JESD24-1测定的钳位感性关断能量。 （见图21 ， 23 ）
7 R
G
是外部栅极电阻，不包括研究
G（ INT ）
或非门驱动器阻抗。 （ MIC4452 ）
8连续电流限制的封装引线温度。
APT保留更改的权利，恕不另行通知，该说明和信息，包含在本文中。
050-7613
典型性能曲线
160
140
I
C
，集电极电流（ A）
I
C
，集电极电流（ A）
120
100
80
60
40
20
0
V
GE
= 15V
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
15V
APT50GN60BDQ2(G)
13V
12V
11V
10V
9V
8V
7V
T
J
= 175°C
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= -55°C
160
I
C
，集电极电流（ A）
140
120
100
图1中，输出特性（T
J
= 25°C)
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）
250μs的脉冲
TEST<0.5 ％占空比
周期
5
4
3
2
1
0
V
CE
，集气器 - 发射极电压（ V）
16
14
12
10
图2中，输出特性（T
J
= 125°C)
I = 50A
C
中T = 25℃
J
30
25
20
15
10
5
0
V
CE
，集气器 - 发射极电压（ V）
T
J
= -55°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
V
CE
= 120V
V
CE
= 300V
V
CE
=480V
80
60
40
20
0
T
J
= 175°C
8
6
4
2
0
0
14
12
10
8
6
4
2
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）
图3 ，传输特性
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
0
50
100 150 200 250 300 350 400
栅极电荷（ NC）
图4中，栅极电荷
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
3.5
3.0
T
J
= 25°C.
250μs的脉冲测试
<0.5 ％占空比
3.0
2.5
I
C
= 100A
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
I
C
= 100A
2.0
I
C
= 50A
I
C
= 25A
I
C
= 50A
1.5
1.0
0.5
0
I
C
= 25A
16
14
12
10
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）
图5 ，通态电压VS门极 - 发射极电压
8
1.10
0
V
GE
= 15V.
250μs的脉冲测试
<0.5 ％占空比
100 125 150 175
75
50
25
T
J
，结温（ ° C）
图6 ，通态电压VS结温
0
140
BV
CES
，集电极 - 发射极击穿
电压（归）
1.05
I
C,
DC集电极电流（ A）
120
100
80
60
40
20
7-2005
050-7613
版本B
焊接温度
有限
1.00
0.95
0.90
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150 175
T
J
，结温（ ° C）
图7 ，击穿电压与结温
0 25 50 75 100 125 150 175
T
C
，外壳温度（ ° C）
图8 ， DC集电极电流与外壳温度
0
-50 -25
典型性能曲线
5,000
I
C
，集电极电流（ A）
C
IES
160
140
120
100
80
60
40
20
APT50GN60BDQ2(G)
C，电容（ F）
1,000
500
P
100
50
C
0es
C
水库
0
10
20
30
40
50
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
图17 ，电容VS集电极 - 发射极电压
10
0
100 200 300 400 500 600 700
V
CE
，集电极到发射极电压
图18 ， Minimim开关安全工作区
0
0.45
0.40
Z
θ
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
0.35
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0
10
-5
0.1
0.05
10
-4
0.5
注意：
D = 0.9
0.7
PDM
0.3
单脉冲
t1
t2
占空比D =
1
/
t2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
t
10
-3
10
-2
10
-1
矩形脉冲持续时间（秒）
图19A ，最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间
1.0
110
F
最大
，工作频率（千赫）
50
遥控模型
连接点
TEMP 。 （ ° C）
0.212
动力
（瓦特）
0.198
外壳温度。 （ ° C）
0.115
0.00332
F
= MIN （F
最大
, f
max2
)
0.05
f
max1
=
t
D（上）
+ t
r
+ t
D（关闭）
+ t
f
最大
T = 125
°
C
J
T = 75
°
C
C
D = 50 %
V
= 400V
CE
R = 4.3
G
f
max2
=
P
DISS
=
10
6
P
DISS
- P
COND
E
on2
+ E
关闭
T
J
- T
C
R
θJC
图19B ，瞬态热阻抗模型
20
30
40
50
60
70
80
I
C
，集电极电流（ A）
图20 ，工作频率与集电极电流
10
050-7613
版本B
7-2005
QQ：2881677436 复制
