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APT50GF60JU2
ISOTOP
升压斩波
NPT IGBT
K
V
CES
= 600V
I
C
= 50A @ T = 90℃
C
应用
AC和DC电机控制
开关电源
功率因数校正
刹车开关
特点
非穿通（ NPT ） IGBT THUNDERBOLT
G
E
E
G
C
K
- 低电压降
- 低尾电流
- 开关频率高达100kHz
- 软恢复二极管并联
- 低二极管VF
- 低漏电流
- 额定雪崩能量
- RBSOA和SCSOA评分
ISOTOP
封装（ SOT- 227 ）
极低的杂散电感
高集成度
ISOTOP
好处
突出表现在高频率运行
稳定的温度特性
很皮实
直接安装到散热器（独立包装）
超低的结到外壳热阻
由于易于并联阳性T
C
V的
CESAT
符合RoHS
绝对最大额定值
符号
V
CES
I
C1
I
C2
I
CM
V
GE
P
D
I
LM
IF
A V
IF
RMS
参数
集电极 - 发射极击穿电压
连续集电极电流
集电极电流脉冲
门 - 发射极电压
最大功率耗散
RBSOA钳位感性负载电流
G
=11
最大平均正向电流
占空比= 0.5
RMS正向电流（方波，占空比为50％ ）
T
C
= 25°C
T
C
= 90°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 80°C
100
30
39
A
A
这些器件对静电放电敏感。适当汉鼎程序应遵循。
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1-8
APT50GF60JU2 - 版本1
2006年6月，
最大额定值
600
75
50
160
±20
277
单位
V
A
V
W
APT50GF60JU2
所有评级@ T
j
= 25 ° C除非另有说明
电气特性
符号特性
I
CES
V
CE （ SAT ）
V
GE （日）
I
GES
零栅极电压集电极电流
集电极 - 发射极饱和电压
栅极阈值电压
门 - 发射极漏电流
测试条件
V
GE
= 0V
V
CE
= 600V
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
2.1
2.2
5.5
民
典型值
最大
40
1000
2.7
2.8
6.5
±100
单位
A
V
V
nA
T
j
= 25°C
V
GE
=15V
I
C
= 50A
T
j
= 125°C
V
GE
= V
CE
, I
C
= 700A
V
GE
= ±20V, V
CE
= 0V
4.5
动态特性
符号
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
Q
ge
Q
gc
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
E
ts
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
E
on
E
关闭
E
ts
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
门 - 发射极电荷
门 - 集电极费
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总开关损耗
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关能量
关断开关能量
总开关损耗
测试条件
V
GE
= 0V
V
CE
= 25V
F = 1MHz的
V
GS
= 15V
V
公共汽车
= 300V
I
C
= 50A
电阻开关（ 25 ° C）
V
GE
= 15V
V
公共汽车
= 300V
I
C
= 50A
R
G
= 10
电感式开关（ 25 ° C）
V
GE
= 15V
V
公共汽车
= 400V
I
C
= 50A
R
G
= 10
电感式开关（ 150 ° C）
V
GE
= 15V
V
公共汽车
= 400V
I
C
= 50A
R
G
= 10
民
典型值
2250
255
155
175
18
100
29
118
150
190
30
80
240
43
3.6
28
75
265
185
1.8
2.4
4.2
最大
单位
pF
nC
ns
ns
mJ
ns
mJ
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2-8
APT50GF60JU2 - 版本1
2006年6月，
APT50GF60JU2
菜刀二极管额定值和特性
符号
V
F
I
RM
C
T
t
rr
反向恢复时间
I
RRM
Q
rr
t
rr
Q
rr
I
RRM
最大反向恢复电流
反向恢复电荷
反向恢复时间
反向恢复电荷
最大反向恢复电流
I
F
= 30A
V
R
= 400V
的di / dt = 1000A / μs的
I
F
= 30A
V
R
= 400V
的di / dt = 200A / μs的
特征
二极管的正向电压
最大反向漏电流
结电容
反向恢复时间
测试条件
I
F
= 30A
I
F
= 60A
I
F
= 30A
V
R
= 600V
V
R
= 600V
V
R
= 200V
I
F
=1A,V
R
=30V
的di / dt = 100A / μs的
民
典型值
1.6
1.9
1.4
44
T
j
= 25°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 125°C
23
85
160
4
8
130
700
70
1300
30
ns
最大
1.8
250
500
单位
V
A
pF
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
A
nC
ns
nC
A
热和包装特点
符号
R
thJC
R
thJA
V
ISOL
T
J
,T
英镑
T
L
力矩
Wt
特征
结到外壳热阻
结到环境（ IGBT &二极管）
RMS隔离电压，任何终端来区分T = 1分，我isol<1mA ， 50 / 60Hz的
民
IGBT
二极管
2500
-55
典型值
最大
0.45
1.21
20
150
300
1.5
单位
° C / W
V
°C
牛米
g
存储温度范围
最大的铅温度对焊接： 0.063 “从案例10秒
安装力矩
（安装= 8-32或4毫米机和终端为4毫米机）
包装重量
29.2
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3-8
APT50GF60JU2 - 版本1
2006年6月，
APT50GF60JU2
典型的IGBT性能曲线
0.5
0.45
热阻抗（ ℃/ W）
0.4
0.35
0.3
0.25
0.2
0.15
0.1
0.05
0.3
0.5
0.7
0.9
0.1
单脉冲
0.0001
0.001
0.01
0.1
矩形脉冲持续时间（秒）
1
10
图7 ，最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间
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4-8
APT50GF60JU2 - 版本1
0.05
0
0.00001
2006年6月，
APT50GF60JU2
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5-8
APT50GF60JU2 - 版本1
2006年6月，
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