APT50GF60JCU2
ISOTOP
升压斩波
NPT IGBT
碳化硅二极管斩波
K
V
CES
= 600V
I
C
= 50A @ T = 90℃
应用
AC和DC电机控制
开关电源
功率因数校正
刹车开关
C
G
特点
非穿通（ NPT ） IGBT快速
- 低电压降
- 低尾电流
- 开关频率高达100kHz
- 低漏电流
- RBSOA和SCSOA评分
菜刀SiC肖特基二极管
- 零反向恢复
- 零正向恢复
- 温度独立的开关行为
- 对VF正温度系数
ISOTOP
封装（ SOT- 227 ）
极低的杂散电感
高集成度
E
E
G
C
K
ISOTOP
好处
突出表现在高频率运行
稳定的温度特性
很皮实
直接安装到散热器（独立包装）
超低的结到外壳热阻
由于易于并联阳性T
C
V的
CESAT
符合RoHS
绝对最大额定值
符号
V
CES
I
C
I
CM
V
GE
P
D
RBSOA
参数
集电极 - 发射极击穿电压
连续集电极电流
集电极电流脉冲
门 - 发射极电压
最大功率耗散
反向偏置安全工作区
T
C
= 25°C
T
C
= 90°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
j
= 125°C
最大额定值
600
70
50
230
±20
277
100A @ 500V
单位
V
APT50GF60JCU2 - 牧师0 2009年9月
A
V
W
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
请参阅应用笔记APT0502上www.microsemi.com
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1-6
APT50GF60JCU2
所有评级@ T
j
= 25 ° C除非另有说明
电气特性
符号特性
I
CES
V
CE （ SAT ）
V
GE （日）
I
GES
零栅极电压集电极电流
集电极 - 发射极饱和电压
栅极阈值电压
门 - 发射极漏电流
测试条件
V
GE
= 0V
V
CE
= 600V
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
V
GE
=15V
I
C
= 50A
T
j
= 125°C
V
GE
= V
CE
, I
C
= 1毫安
V
GE
= 20V, V
CE
= 0V
民
典型值
最大
250
500
2.45
6
400
单位
A
V
V
nA
1.7
4
2.0
2.2
动态特性
符号
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
Q
ge
Q
gc
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
E
on
E
关闭
I
sc
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
门 - 发射极电荷
门 - 集电极费
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关能量
关断开关能量
短路数据
测试条件
V
GE
= 0V
V
CE
= 25V
F = 1MHz的
V
GE
= 15V
V
公共汽车
= 300V
I
C
= 50A
电感式开关（ 25 ° C）
V
GE
= 15V
V
公共汽车
= 400V
I
C
= 50A
R
G
= 2.7Ω
电感式开关（ 125°C ）
V
GE
= 15V
V
公共汽车
= 400V
I
C
= 50A
R
G
= 2.7Ω
V
GE
= 15V
T
j
= 125°C
V
公共汽车
= 400V
I
C
= 50A
T
j
= 125°C
R
G
= 2.7Ω
V
GE
≤15V
; V
公共汽车
= 360V
t
p
≤
为10μs ;牛逼
j
= 125°C
民
典型值
2200
323
200
166
20
100
40
9
120
12
42
10
130
21
0.3
mJ
1
225
A
最大
单位
pF
nC
ns
ns
菜刀碳化硅二极管额定值和特性
符号特性
V
RRM
最大峰值重复反向电压
I
RM
I
F
V
F
Q
C
C
最大反向漏电流
直流正向电流
二极管的正向电压
总容性充电
总电容
I
F
= 20A
测试条件
V
R
=600V
T
j
= 25°C
T
j
= 175°C
TC = 125°C
民
600
典型值
100
200
20
1.6
2
28
130
100
最大
400
2000
1.8
2.4
单位
V
A
A
V
nC
pF
APT50GF60JCU2 - 牧师0 2009年9月
T
j
= 25°C
T
j
= 175°C
I
F
= 20A ，V
R
= 300V
的di / dt = 800A / μs的
F = 1MHz时， V
R
= 200V
F = 1MHz时， V
R
= 400V
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2-6
APT50GF60JCU2
热和包装特点
符号特性
R
thJC
R
thJA
V
ISOL
T
J
,T
英镑
T
L
力矩
Wt
结到外壳热阻
结到环境（ IGBT &二极管）
RMS隔离电压，任何终端来区分T = 1分，我isol<1mA ， 50 / 60Hz的
民
IGBT
碳化硅二极管斩波
2500
-55
典型值
最大
0.45
1.35
20
150
300
1.5
单位
° C / W
V
°C
牛米
g
存储温度范围
最大的铅温度对焊接： 0.063 “从案例10秒
安装力矩
（安装= 8-32或4毫米机和终端为4毫米机）
包装重量
11.8 (.463)
12.2 (.480)
W=4.1 (.161)
W=4.3 (.169)
H=4.8 (.187)
H=4.9 (.193)
（4处）
29.2
SOT- 227 （ ISOTOP
）包装外形
31.5 (1.240)
31.7 (1.248)
7.8 (.307)
8.2 (.322)
8.9 (.350)
9.6 (.378)
六角螺母M4
（4处）
r = 4.0 (.157)
（ 2处）
4.0 (.157)
4.2 (.165)
（ 2处）
25.2 (0.992)
0.75 (.030) 12.6 (.496) 25.4 (1.000)
0.85 (.033) 12.8 (.504)
3.3 (.129)
3.6 (.143)
14.9 (.587)
15.1 (.594)
30.1 (1.185)
30.3 (1.193)
38.0 (1.496)
38.2 (1.504)
1.95 (.077)
2.14 (.084)
阴极
集热器
*发射极端子短路
在内部。目前的处理
能力是相等的任一
发射极端子。
尺寸以毫米（英寸）
辐射源
门
典型的IGBT性能曲线
电容VS集电极到发射极电压
F
最大
，工作频率（千赫）
10000
C，电容（pF ）
240
200
160
120
80
40
0
工作频率与集电极电流
V
CE
= 400V
D = 50%
R
G
= 2.7
T
J
= 125°C
T
C
= 75°C
资本投资者入境计划
ZCS
1000
卓越中心
CRES
HARD
开关
ZVS
100
0
10
20
30
40
50
V
CE
，集电极到发射极电压（ V）
0
20
40
60
80
100
120
I
C
，集电极电流（ A）
最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间
0.5
热阻抗（ ℃/ W）
0.4
0.3
0.5
0.2
0.3
0.1
0.1
0.05
0.0001
单脉冲
0.001
0.01
0.1
矩形脉冲持续时间（秒）
1
10
0.9
0.7
0
0.00001
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3-6
APT50GF60JCU2 - 牧师0 2009年9月
APT50GF60JCU2
输出特性（Ⅴ
GE
=15V)
输出特性（Ⅴ
GE
=10V)
100
IC ，集电极电流（ A）
250μs的脉冲测试
< 0.5 ％占空比
100
IC ，集电极电流（ A）
250μs的脉冲测试
< 0.5 ％占空比
75
T
J
=25°C
T
J
=125°C
75
T
J
=25°C
50
50
T
J
=125°C
25
25
0
0
1
2
3
4
V
CE
，集电极到发射极电压（ V）
传输特性
150
125
100
75
50
25
T
J
=25°C
0
0
1
2
3
V
CE
，集电极到发射极电压（ V）
栅极电荷
I
C
= 50A
T
J
= 25°C
V
CE
=120V
V
CE
=300V
V
CE
=480V
4
18
V
GE
，门到发射极电压（ V）
250μs的脉冲测试
< 0.5 ％占空比
IC ，集电极电流（ A）
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
T
J
=125°C
0
0
1
3
4
5
6
7
8
9
V
GE
，门到发射极电压（ V）
2
10
25
50
75
100 125 150 175 200
栅极电荷（ NC）
集电极直流电流与外壳温度
击穿电压VS结温。
集电极到发射极击穿
电压（归）
1.20
IC ， DC集电极电流（ A）
25
50
75
100
125
70
60
50
40
30
20
10
0
25
50
75
100
125
150
APT50GF60JCU2 - 牧师0 2009年9月
T
C
，外壳温度（ ° C）
1.10
1.00
0.90
0.80
T
J
，结温（ ° C）
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4-6
APT50GF60JCU2
导通延迟时间与集电极电流
TD （上） ，导通延迟时间（纳秒）
TD （关） ，关断延迟时间（纳秒）
60
V
GE
= 15V
关断延迟时间与集电极电流
175
150
125
100
75
50
0
25
50
75
100
125
150
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
电流下降时间与集电极电流
V
CE
= 400V, V
GE
= 15V ，R
G
= 2.7
V
CE
= 400V
R
G
= 2.7
V
GE
=15V,
T
J
=125°C
50
40
TJ = 125°C
V
CE
= 400V
R
G
= 2.7
30
V
GE
=15V,
T
J
=25°C
20
0
25
50
75
100
125
150
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
电流上升时间与集电极电流
60
50
V
CE
= 400V
R
G
= 2.7
60
50
TF ，下降时间（纳秒）
TR ，上升时间（纳秒）
40
30
20
10
0
0
25
50
75
100
125
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
150
V
GE
=15V,
T
J
=125°C
40
30
20
10
0
0
25
50
75
100
125
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
150
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
E
on
，开启能量损失（兆焦耳）
1.25
1
0.75
0.5
0.25
0
0
V
CE
= 400V
R
G
= 2.7
T
J
=125°C,
V
GE
=15V
E
关闭
，关断能量损失（兆焦耳）
开启能量损耗VS集电极电流
1.5
2.5
2
1.5
1
0.5
0
关断能量损耗VS集电极电流
V
CE
= 400V
V
GE
= 15V
R
G
= 2.7
T
J
= 125°C
25
50
75
100
125
150
0
25
50
75
100
125
150
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
开关损耗VS栅极电阻
1.5
开关损耗（兆焦耳）
I
C
，集电极电流（ A）
1.25
1
0.75
0.5
0.25
0
0
5
10
15
20
栅极电阻（欧姆）
25
V
CE
= 400V
V
GE
= 15V
T
J
= 125°C
EON， 50A
EOFF ， 50A
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
反向偏置安全工作区
120
100
60
40
20
0
0
200
400
600
V
CE
，集电极到发射极电压（ V）
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5-6
APT50GF60JCU2 - 牧师0 2009年9月
80
QQ：2880707522 复制
