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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第1843页 > APT50GF120LRG
权力事项。
动力组合
2012-2013
功率半导体
电源模块
RF功率MOSFET
关于Microsemi的
Microsemi的公司（Nasdaq： MSCC ）提供半导体和系统解决方案的综合产品组合
为通信，国防&安全，航空航天和工业市场。产品包括高性能，
防辐射，高可靠性的模拟混合信号集成电路， FPGA的SoC和ASIC的;动力
管理产品;定时和语音处理装置; RF解决方案;分立元件;安全
技术和可扩展反篡改产品;电源的以太网IC和中跨设备;以及定制设计
功能和服务。
Microsemi的总部设在加利福尼亚州Aliso Viejo ，以及在全球拥有约3000名员工。了解更多
在www.microsemi.com 。
目录
高压开关电源晶体管
第页
IGBT（绝缘栅双极型晶体管） ........................................... ........................... 3-5
功率MOS 8
TM
的MOSFET / FREDFETs ............................................... ............................. 6-8
超低栅极电荷的MOSFET ............................................. ......................................... 9
的CoolMOS
TM
MOSFETs..................................................................................................... 10
高电压线性的MOSFET .............................................. ........................................... 10
二极管
SiC肖特基和超快速恢复二极管........................................... ................. 11-13
高压射频MOSFET， .............................................. .......................................... 14
驱动RF MOSFET杂种............................................. ......................................... 14
高频RF的MOSFET .............................................. .................................... 15
参考设计套件............................................... ............................................... 15
电源模块
内容.......................................................................................................................... 16
电气CON组fi guration ................................................ .................................................. 17
包装........................................................................................................................ 18
诀窍和能力.............................................. ......................................... 19-20
部分编号系统............................................... .................................................. .. 21
IGBT（绝缘栅双极型晶体管） ........................................... ..................... 22-26
MOSFET的....................................................................................................................27-31
可再生能源发电模块.............................................. .............................. 31-32
SiC功率Modules.....................................................................................................33-35
二极管和整流器器.................................................................................................36-38
封装外形图............................................... ............................... 39-43
“ COOLMOS ”包括通过在网络霓虹科技股份公司研制的晶体管的一个新的家庭。
“ COOLMOS ”是科幻霓虹科技公司的商标。 “
ASPM ，功率MOS V ，功率MOS 7 & T- MAX？注册的Microsemi Corporation的商标。
绝缘栅双极晶体管（IGBT ）
从Microsemi的IGBT的
从Microsemi的IGBT产品提供广泛的高电压，高功率应用的高品质解决方案。开关
频率范围涵盖从DC的最小导通损耗超过100kHz的非常高的功率密度SMPS应用。该频
昆西范围为每个产品类型显示在下面的曲线图。每个IGBT产品代表了最新的IGBT技术，提供
最佳的性能/成本组合为目标应用。有六个产品系列采用三种不同的
IGBT技术：非穿通型（ NPT ） ，穿通（ PT ）和场站。
IGBT的开关频率范围（ kHz时，硬开关）
10
视场光阑
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
120
600V
霹雳
不扩散核武器条约
霹雳
高速（ HS ） NPT
功率MOS 8
TM
PT
900V
视场光阑
功率MOS 8
TM
PT
快速NPT
1200V
功率MOS 7
TM
PT
霹雳
不扩散核武器条约
功率MOS 8
TM
不扩散核武器条约（ NEW ！ ）
注意：
所示的频率范围是典型的一50A的IGBT 。参考产品数据表的最大频率 - 电流曲线以了解更多信息。
标准
系列
THUNDERBOLT
Thundebolt
高速
快
MOS 7
MOS 8
视场光阑
沟槽栅
电压
评级（ V）
600, 1200
600
1200
1200
600, 900, 1200
600, 1200
技术
不扩散核武器条约
不扩散核武器条约
不扩散核武器条约
PT
PT ， NPT
视场光阑
便于
并行
X
X
X
短路评论
SOA
X
X
X
通用，高速
最高速度
通用型，中
速度
超低栅极电荷
最高EF网络效率
X
X
最低的导通损耗
产品选项
所有标准的IGBT产品可作为一个单一的IGBT或作为组合式产品包装与反并联DQ系列二极管。
封装形式包括TO- 220 ， TO- 247 ，T -MAX
， TO- 264和SOT- 227 。定制产品可供选择;请与工厂联系获取详细信息。
3
绝缘栅双极晶体管（IGBT ）
BV
CES
伏
V
CE （ON）的
典型值25
O
C
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
1200
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
70
70
70
85
85
85*
100
o
C
I
C2
我最大
C
在频率
50千赫
80千赫
21
21
28
28
36
36
25
25
38
38
48
48
产品型号
APT25GR120B
APT25GR120S
APT40GR120B
APT40GR120S
APT50GR120B2
APT50GR120L
APT70GR120B2
APT70GR120L
APT70GR120J
APT85GR120B2
APT85GR120L
APT85GR120J
包
风格
TO-247
D
3
TO-247
D
3
T-最大
TO-264
T-最大
TO-264
ISOTOP
T-最大
TO-264
ISOTOP
功率MOS 8
TM
单身
25
25
40
40
50
50
新！
1200V
25千赫
66
66
42
72
72
46
50千赫
42
42
30
46
46
31
TO-247[B]
康贝（ IGBT &二极管）
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
25
25
25
25
40
40
50*
70*
85*
36
44
54
68
80
102
35
43
64
80
50千赫
25
25
25
25
38
38
80千赫
21
21
21
21
28
28
APT25GR120BD15
APT25GR120SD15
APT25GR120BSCD10
APT25GR120SSCD10
APT40GR120B2D30
APT40GR120B2SCD10
APT50GR120JD30
APT70GR120JD60
APT85GR120JD60
APT36GA60B
APT44GA60B
APT54GA60B
APT68GA60B
APT80GA60B
APT102GA60B2
APT35GA90B
APT43GA90B
APT64GA90B
APT80GA90B
的TO- 247 （DQ）
维生素D3 （DQ）
的TO- 247 （碳化硅SBD）
D3碳化硅（SiC SBD ）
T-最大
（DQ）
T-最大
碳化硅（SiC SBD ）
ISOTOP
（DQ）
ISOTOP
（DQ）
ISOTOP
（DQ）
TO-247
TO-247
TO-247
TO-247
TO-247
T-最大
或TO- 264
TO-247
TO-247
TO-247
的TO- 247或D
3
D
3
PAK [S]
对于D部分号码
3
包 - 替换
B “和” S“部分
数
1200
25千赫
42
42
46
50千赫
32
30
31
功率MOS 8
TM
单身
600
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.5
2.5
2.5
2.5
50千赫
21
26
30
35
40
51
80千赫
17
20
23
27
31
39
T-MAX[B2]
25千赫
900
17
21
29
34
50千赫
10
13
19
23
康贝（ IGBT & “ DQ ”FRED ）
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.7
1.7
1.7
1.7
1.7
1.7
1.7
36
44
54
60
68
80
27
35
43
46
64
80
24
37
64
93
123
135
190
230
158
33
46
66
70
99
120
99
50千赫
21
26
30
48
35
40
80千赫
17
20
23
36
27
31
APT36GA60BD15
APT44GA60BD30
APT54GA60BD30
APT60GA60JD60
APT68GA60B2D40
APT80GA60LD40
APT27GA90BD15
APT35GA90BD15
APT43GA90BD30
APT46GA90JD40
APT64GA90B2D30
APT80GA90LD40
APT20GN60BG
APT30GN60BG
APT50GN60BG
APT75GN60BG
APT150GN60J
APT100GN60B2G
APT150GN60B2G
APT200GN60B2G
APT200GN60J
APT25GN120BG
APT35GN120BG
APT50GN120B2G
APT100GN120J
APT75GN120B2G
APT100GN120B2G
APT150GN120J
TO-247
TO-247
TO-247
ISOTOP
T-最大
或TO- 264
TO-264
TO-247
TO-247
TO-247
ISOTOP
T-最大
或TO- 264
TO-264
TO-247
TO-247
TO-247
TO-247
ISOTOP
T-最大
T-最大
T-最大
ISOTOP
的TO- 247或D
3
TO-247
T-最大
ISOTOP
T-最大
或TO- 264
T-最大
ISOTOP
600
TO-264[L]
25千赫
900
14
17
21
33
29
34
50千赫
8
10
13
21
19
23
视场光阑
单身
15千赫
15
20
30
42
75
54
79
103
100
30千赫
10
14
21
30
47
39
57
75
66
264-MAX
TM
[L2]
有关部件号
TO- 264封装 -
替换"B2"
"L"部分号码
600
10千赫
19
24
32
44
45
58
60
20千赫
13
17
22
27
30
38
36
1200
ISOTOP
[J]
SOT-227
C
G
E
目前@频率测试条件：
TJ = 125
o
C，锝= 100
o
除了Isotop C，其中TC = 80
o
C， VCC = 67 ％额定电压硬开关
可www.microsemi.com数据表
4
所有产品符合RoHS
绝缘栅双极晶体管（IGBT ）
BV
CES
伏
V
CE （ON）的
典型值25
o
C
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.7
1.7
1.7
1.7
1.7
1.7
1.7
3.3
3.3
3.3
3.3
3.3
3.3
3.3
3.3
3.3
3.3
3.3
3.3
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
3.2
3.2
3.2
3.2
3.2
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
3.2
3.2
3.2
3.2
3.2
2.8
2.8
2.8
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
I
C2
100
o
C
24
37
64
93
123
135
190
158
22
33
46
57
66
70
99
33
46
54
34
91
57
20
33
46
54
34
57
20
30
40
50
60
100
200
18
25
50
60
90
15
20
30
50
100
18
25
50
42
60
50
30
50
14
20
35
75
75
我最大
C
在频率
15千赫
15
20
30
42
75
54
79
100
产品型号
APT20GN60BDQ1G
APT30GN60BDQ2G
APT50GN60BDQ2G
APT75GN60LDQ3G
APT150GN60JDQ4
APT100GN60LDQ4G
APT150GN60LDQ4G
APT200GN60JDQ4
APT15GN120BDQ1G
APT25GN120B2DQ2G
APT35GN120L2DQ2G
APT75GN120JDQ3
APT50GN120L2DQ2G
APT100GN120JDQ4
APT150GN120JDQ4
APT25GP120BG
APT35GP120BG
APT45GP120BG
APT45GP120J
APT75GP120B2G
APT75GP120J
APT13GP120BDQ1G
APT25GP120BDQ1G
APT35GP120B2DQ2G
APT45GP120B2DQ2G
APT45GP120JDQ2
APT75GP120JDQ3
APT20GT60BRG
APT30GT60BRG
APT40GT60BRG
APT50GT60BRG
APT60GT60BRG
APT100GT60B2RG
APT200GT60JR
APT15GT120BRG
APT25GT120BRG
APT50GT120B2RG
APT100GT120JR
APT150GT120JR
APT15GT60BRDQ1G
APT20GT60BRDQ1G
APT30GT60BRDQ2G
APT50GT60BRDQ2G
APT100GT60JRDQ4
APT15GT120BRDQ1G
APT25GT120BRDQ2G
APT50GT120B2RDQ2G
APT75GT120JRDQ3
APT100GT120JRDQ4
APT50GS60BRG
APT30GS60BRDQ2G
APT50GS60BRDQ2G
APT11GF120KRG
APT20GF120KRG
APT33GF120BRG
APT50GF120B2RG
APT50GF120LRG
包
风格
TO-247
TO-247
TO-247
TO-264
ISOTOP
TO-264
TO-264
ISOTOP
的TO- 247或D
3
T-最大
264-MAX
ISOTOP
264-MAX
ISOTOP
ISOTOP
T0-247
T0-247
T0-247
ISOTOP
T- MAX
ISOTOP
T0-247
T0-247
T- MAX
T- MAX
ISOTOP
ISOTOP
TO-247
TO-247
TO-247
TO-247
的TO- 247或D
3
T-最大
或TO- 264
ISOTOP
TO-247
TO-247
T-最大
或TO- 264
ISOTOP
ISOTOP
TO-247
TO-247
TO-247
的TO- 247或D
3
ISOTOP
TO-247
TO-247
T-最大
或TO- 264
ISOTOP
ISOTOP
TO-247
TO-247
TO-247
TO-220
TO-220
TO-247
T-最大
TO-264
康贝（ IGBT & "DQ" FRED ）
30千赫
10
14
21
30
47
39
57
66
TO-220[K]
600
10千赫
14
19
24
36
32
44
60
20千赫
10
13
17
22
22
27
36
D
3
PAK [S]
1200
功率MOS 7
和IGBT
单身
20千赫
19
24
29
28
42
40
40千赫
12
15
18
18
24
23
1200
TO-247[B]
对于D部分号码
3
包 -
替换"B"
"S"部分号码
康贝（ IGBT & "DQ" FRED ）
1200
20千赫
11
19
24
29
28
40
40千赫
7
12
15
18
18
23
THUNDERBOLT
单身
600
30千赫
14
19
25
30
35
56
72
60千赫
10
13
16
20
22
35
--
T-最大
[B2]
20千赫
1200
11
16
27
40
52
40千赫
8
11
17
21
25
康贝（ IGBT & "DQ" FRED ）
600
30千赫
11
14
19
30
37
60千赫
8
10
13
20
22
TO-264[L]
对于L零件编号
包 -
替换"B2"
"L"部分号码
20千赫
1200
11
16
27
34
40
40千赫
8
11
17
19
21
THUNDERBOLT
高速
单身
600
600
50千赫
23
80千赫
16
康贝（ IGBT & "DQ" FRED ）
单身
1200
50千赫
14
23
80千赫
9
16
15千赫
8
11
16
27
27
30千赫
5
7
10
17
17
ISOTOP
[J]
SOT-227
C
G
目前@频率测试条件：
TJ = 125
o
C，锝= 100
o
除了Isotop C，其中TC = 80
o
C， VCC = 67 ％额定电压硬开关
可www.microsemi.com数据表
所有产品符合RoHS
E
5
查看更多APT50GF120LRGPDF信息
推荐型号
ASM3I1819NF-08-TR
AT17LV256A-10JC
AM4T-2415SZ
AT24C1024W-10SI-2.7
ATMEGA644PA-AUR
A6RV-101RS
AAT3114AISN-20-T1
A-4455-BH04D
AM29LV004BB-70REE
AM5TW-4803D-RZ
AD741CH
AH291Q-PLA
AD4016M91VCA-5
AT24C32-10TC-2.5
ADR02BR-REEL7
AOC2800
ASD08-24D12
A-501Y
A0509D-2W
AAT1143
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    APT50GF120LRG
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市珩瑞科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2938238007 复制 点击这里给我发消息 QQ：1840507767 复制

电话：0755-82578309/18898790342
联系人：李小姐
地址：深圳市福田区华强北海外装饰大厦B座7B33
APT50GF120LRG
Microchip
21+
10500
███原装现货正品
深圳市芯泽盛世科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881147140 复制

电话：0755-89697985
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