APT5024BFLL
APT5024SFLL
500V 22A 0.240
W
BFLL
D
3
PAK
TO-247
功率MOS 7
TM
FREDFET
功率MOS 7
TM
是新一代低损耗，高电压， N沟道的
增强型功率MOSFET 。这两种传导和开关
损失与功率MOS 7解决
TM
通过显著降低
DS （ ON）
和Q
g
。功率MOS 7
TM
结合了低导通损耗和开关损耗
伴随着异常快速开关速度固有APT的
专利的金属栅极结构。
较低的输入电容
降低米勒电容
更低的栅极电荷QG
最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
V
GSM
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
I
AR
E
AR
E
AS
参数
漏源电压
SFLL
更高的功耗
容易驾驶
TO- 247或表面贴装
3
PAK封装
快速恢复体二极管
D
G
S
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT5024
单位
伏
安培
连续漏电流@ T
C
= 25°C
漏电流脉冲
1
门源电压连续
栅源电压瞬态
总功率耗散@ T
C
= 25°C
线性降额因子
工作和存储结温范围
焊接温度： 0.063"案件从10秒。
雪崩电流
1
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
L
A
IC
N
H
EC ION
T T
E A
C M
n个R
A○
V F
值D N
A
I
500
22
88
±30
±40
265
2.12
300
22
30
（重复，不重复）
1
4
伏
瓦
W / ℃，
°C
安培
mJ
-55到150
960
静态电气特性
符号
BV
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
特性/测试条件
漏源击穿电压（V
GS
= 0V时，我
D
= 250A)
在国家漏极电流
2
民
典型值
最大
单位
伏
安培
500
22
0.240
250
1000
±100
3
5
(V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）
马克斯，V
GS
= 10V)
2
漏源导通电阻
(V
GS
= 10V ， 0.5升
D [续]
)
欧
A
nA
伏
10-2001
050-7131
转 -
零栅极电压漏极电流（V
DS
= V
DSS
, V
GS
= 0V)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 0.8 V
DSS
, V
GS
= 0V ，T
C
= 125°C)
门源漏电流（V
GS
= ±30V, V
DS
= 0V)
栅极阈值电压（V
DS
= V
GS
, I
D
= 1毫安）
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
美国
欧洲
405 S.W.哥伦比亚街
舍曼MAGRET
德，俄勒冈州97702 -1035
F- 33700梅里捏克 - 法国
电话： （ 541 ） 382-8028
电话： （ 33 ） 5 57 92 15 15
传真： （ 541 ） 388-0364
FAX ： （ 33 ） 10 56 47 97 61
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d
（上）
t
r
t
d
（关闭）
t
f
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
3
APT5024 BFLL - SFLL
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
V
GS
= 10V
V
DD
= 0.5 V
DSS
V
GS
= 15V
民
典型值
最大
单位
pF
1910
390
30
48
13
22
12
10
30
7
nC
栅极 - 源电荷
导通延迟时间
上升时间
栅 - 漏极（ "Miller " ）充电
打开-O FF延迟时间
下降时间
源极 - 漏极二极管额定值和特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
dv
/
dt
特性/测试条件
脉冲源电流
1
连续源电流（体二极管）
（体二极管）
5
二极管的正向电压
峰值二极管恢复
dv
/
dt
t
rr
Q
rr
I
RRM
反向恢复时间
(I
S
= -I
D
[续]
di
/
dt
= 100A / μs）内
反向恢复电荷
(I
S
= -I
D
[续]
di
/
dt
= 100A / μs）内
峰值恢复电流
(I
S
= -I
D
[续]
di
/
dt
= 100A / μs）内
L
A
IC
N
H
C
TE TION
E A
C M
n个R
VA FO
值D N
A
I
I
D
= I
D
[续] @ 25°C
V
DD
= 0.5 V
DSS
R
G
= 1.6W
I
D
= I
D
[续] @ 25°C
民
典型值
2
ns
最大
单位
安培
伏
V / ns的
ns
22
88
1.3
15
250
400
(V
GS
= 0V时，我
S
= -I
D
[续] ）
T
j
= 25°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
1.9
6
15
26
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
C
安培
热特性
符号
R
QJC
R
qJA
特征
结到外壳
结到环境
民
典型值
最大
单位
° C / W
0.47
40
1
重复评价：脉冲宽度有限的最高结
3
见MIL -STD -750方法3471
4
启动T = + 25 ° C，L = 3.97mH ， R = 25W ，峰值I = 22A
温度。
j
G
L
2
脉冲测试：脉冲宽度< 380 μS ，占空比< 2 ％
5 DV
/
号反映了测试电路的局限性，而不是
dt
设备本身。
IS
-
ID
[
续。
]二
/
dt
700A/s
VR
VDSS TJ
150
°
C
APT保留更改的权利，恕不另行通知，该说明和信息，包含在本文中。
TO- 247封装外形
漏
（散热器）
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
6.15 （ 0.242 ） BSC
PAK封装外形
4.98 (.196)
5.08 (.200)
1.47 (.058)
1.57 (.062)
15.95 (.628)
16.05 (.632)
13.41 (.528)
13.51 (.532)
3
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
1.04 (.041)
1.15 (.045)
漏
20.80 (.819)
21.46 (.845)
3.50 (.138)
3.81 (.150)
修订
4/18/95
13.79 (.543)
13.99 (.551)
修订
8/29/97
11.51 (.453)
11.61 (.457)
0.46 (.018)
0.56 （ 0.022 ） { 3 }的PLC
4.50 （ 0.177 ）最大。
2.87 (.113)
3.12 (.123)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
1.01 (.040)
1.40 (.055)
10-2001
0.40 (.016)
0.79 (.031)
0.020 (.001)
0.178 (.007)
2.67 (.105)
2.84 (.112)
1.27 (.050)
1.40 (.055)
1.98 (.078)
2.08 (.082)
5.45 （ 0.215 ） BSC
{ 2的PLC。 }
19.81 (.780)
20.32 (.800)
1.22 (.048)
1.32 (.052)
3.81 (.150)
4.06 (.160)
（铅基）
转 -
门
漏
来源
散热器（漏）
并导致
镀
2.21 (.087)
2.59 (.102)
050-7131
5.45 （ 0.215 ） BSC
2-Plcs.
尺寸以毫米（英寸）
来源
漏
门
单位为毫米（英寸）
APT的设备涵盖了以下一个USpatents的一个或多个：
4,895,810
5,256,583
5,045,903
4,748,103
5,089,434
5,283,202
5,182,234
5,231,474
5,019,522
5,434,095
5,262,336
5,528,058
APT5024BFLL
APT5024SFLL
500V 22A 0.240
BFLL
D
3
PAK
TO-247
功率MOS 7
R
FREDFET
功率MOS 7是新一代低损耗，高电压， N沟道的
增强型功率MOSFET 。这两种传导和开关
亏损显著降低R的处理与功率MOS 7
DS （ ON）
和Q
g
。功率MOS 7结合了更低的传导损耗和开关损耗
伴随着异常快速开关速度固有APT的
专利的金属栅极结构。
较低的输入电容
降低米勒电容
更低的栅极电荷QG
最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
V
GSM
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
I
AR
E
AR
E
AS
参数
漏源电压
连续漏电流@ T
C
= 25°C
漏电流脉冲
1
SFLL
更高的功耗
容易驾驶
TO- 247或表面贴装
3
PAK封装
快速恢复体二极管
D
G
S
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT5024BFLL_SFLL
单位
伏
安培
500
22
88
±30
±40
265
2.12
-55到150
300
22
30
4
门源电压连续
栅源电压瞬态
总功率耗散@ T
C
= 25°C
线性降额因子
工作和存储结温范围
焊接温度： 0.063"案件从10秒。
雪崩电流
1
伏
瓦
W / ℃，
°C
安培
mJ
（重复，不重复）
1
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
960
静态电气特性
符号
BV
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
特性/测试条件
漏源击穿电压（V
GS
= 0V时，我
D
= 250A)
在国家漏极电流
2
民
典型值
最大
单位
伏
安培
500
22
0.240
250
1000
±100
3
5
(V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）
马克斯，V
GS
= 10V)
2
漏源导通电阻
(V
GS
= 10V ， 11A ）
欧
A
nA
伏
1-2005
050-7131版本C
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 500V, V
GS
= 0V)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 400V, V
GS
= 0V ，T
C
= 125°C)
门源漏电流（V
GS
= ±30V, V
DS
= 0V)
栅极阈值电压（V
DS
= V
GS
, I
D
= 1毫安）
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
on
E
关闭
符号
I
S
I
SM
V
SD
dv
/
dt
APT5024BFLL_SFLL
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
V
GS
= 10V
V
DD
= 250V
I
D
= 22A @ 25°C
电阻开关
V
GS
= 15V
V
DD
= 250V
I
D
= 22A @ 25°C
6
电感式开关@ 25°C
V
DD
= 333V, V
GS
= 15V
I
D
= 22A ，R
G
= 5
电感式开关@ 125°C
V
DD
= 333V V
GS
= 15V
I
D
= 22A ，R
G
= 5
R
G
= 0.6
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
3
民
典型值
最大
单位
pF
1900
417
27
43
12
24
8
6
18
2
167
86
262
99
民
典型值
最大
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关能量
关断开关能量
导通开关能量
关断开关能量
特性/测试条件
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流
二极管的正向电压
峰值二极管恢复
1
2
6
nC
ns
J
源极 - 漏极二极管额定值和特性
单位
安培
伏
V / ns的
ns
C
安培
22
88
1.3
15
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
民
（体二极管）
(V
GS
= 0V时，我
S
= -I
D
22A)
dv
/
5
dt
t
rr
Q
rr
I
RRM
反向恢复时间
(I
S
= -I
D
22A,
di
/
dt
= 100A / μs）内
反向恢复电荷
(I
S
= -I
D
22A,
di
/
dt
= 100A / μs）内
峰值恢复电流
(I
S
= -I
D
22A,
di
/
dt
= 100A / μs）内
特征
结到外壳
结到环境
250
400
1.9
6
15
26
典型值
最大
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
单位
° C / W
0.47
40
1重复额定值：脉冲宽度有限的最高结
温度
2脉冲测试：脉冲宽度< 380微秒，占空比< 2 ％
3见MIL- STD- 750方法3471
0.50
Z
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
θ
4起始物为
j
= + 25 ° C，L = 3.97mH ，R
G
= 25Ω ，峰值I
L
= 22A
5
dv
/
dt
号反映了测试电路的局限性，而不是
设备本身。
IS
≤
-
ID
27A
di
/
dt
≤
700A/s
VR
≤
VDSS TJ
≤
150
°
C
6李炎包括二极管的反向恢复。参见图18，20 。
APT保留更改的权利，恕不另行通知，该说明和信息，包含在本文中。
0.9
0.40
0.7
0.30
0.5
0.20
0.3
0.10
0.1
0
0.05
10
-5
10
-4
注意：
PDM
t1
t2
占空比D = T1 /吨
2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
050-7131版本C
1-2005
单脉冲
10
-3
10
-2
10
-1
矩形脉冲持续时间（秒）
图1 ，最大有效瞬态热阻抗，结点到外壳VS脉冲持续时间
1.0
典型性能曲线
60
50
40
30
20
10
0
VGS = 15 &10V
8V
7.5V
7V
6.5V
6V
5.5V
APT5024BFLL_SFLL
遥控模型
连接点
温度。 （ “C ）
0.205
动力
（瓦特）
0.264
外壳温度
0.0981F
0.00544F
I
D
，漏极电流（安培）
R
DS
（ON ） ，漏极至源极导通电阻
图2 ，瞬态热阻抗模型
60
50
40
30
20
TJ = + 125°C
10
0
TJ = + 25°C
0
TJ = -55°C
VDS>的ID （ON ）× R DS（ ON）的最大值。
250μSEC 。脉冲测试
@ <0.5 ％占空比
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图3 ，低电压输出特性
1.7
1.6
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0
10
20
30
40
50
60
I
D
，漏极电流（安培）
图5中，R
DS
（ ON）与漏电流
VGS=10V
VGS=20V
归一
V
= 10V @ 11A
GS
I
D
，漏极电流（安培）
1 2
3 4 5 6 7
8
9 10
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
图4 ，传热特性
25
BV
DSS
，漏极 - 源极击穿
电压（归）
I
V
D
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
-50
I
D
，漏极电流（安培）
20
15
10
5
R
DS
（ON ） ，漏极至源极导通电阻
（归一化）
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图6 ，最大漏极电流与外壳温度
2.5
= 11A
= 10V
GS
0
25
-25
0
25
50 75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图7 ，击穿电压与温度
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50
1.5
1.0
V
GS
（ TH ） ，阈值电压
（归一化）
2.0
0.5
0.0
-50
-25
0
25 50
75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图8 ，导通电阻与温度
0
25
50
75 100 125 150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图9 ，阈值电压与温度
-25
050-7131版本C
1-2005
89
操作点这里
限制根据RDS （ ON）
10,000
5,000
APT5024BFLL_SFLL
I
D
，漏极电流（安培）
西塞
C，电容（pF ）
1,000
科斯
100S
10
100
TC = + 25°C
TJ = + 150°C
单脉冲
1
1
10
100
500
1mS
10mS
10
CRSS
0
10
20
30
40
50
16
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图10 ，最大安全工作区
D
VDS=100V
VDS=250V
I
DR
，反向漏电流（安培）
I
= 22A
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图11 ，电容VS漏极至源极电压
200
100
12
VDS=400V
8
TJ = + 150°C
10
TJ = + 25°C
4
20
30
40
50
60
70
80
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
图12 ，栅极电荷VS栅极至源极电压
40
t
D（关闭）
30
0
0
10
1
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
V
SD
，源极到漏极电压（伏）
图13 ，源极 - 漏极二极管的正向电压
50
V
DD
G
= 333V
R
= 5
40
V
DD
G
T = 125°C
J
L = 100μH
= 333V
t
D（上）
和T
D（关闭）
（纳秒）
t
r
和T
f
（纳秒）
R
= 5
30
t
f
20
t
r
20
T = 125°C
J
L = 100μH
10
t
D（上）
10
0
0
20
30
40
I
D
(A)
图14 ，延迟时间 - 电流
V
DD
G
10
20
30
40
I
D
(A)
图15 ，上升和下降时间 - 电流
500
E
关闭
开关能量（ μJ ）
0
0
10
500
= 333V
R
= 5
开关能量（ μJ ）
400
T = 125°C
J
L = 100μH
E
ON
包括
二极管的反向恢复。
E
on
400
E
on
300
300
200
200
V
I
1-2005
DD
= 333V
D
J
= 22A
100
E
关闭
100
T = 125°C
L = 100μH
E
ON
包括
二极管的反向恢复。
050-7131版本C
20
30
40
I
D
(A)
图16 ，开关能量 - 电流
0
0
10
10 15 20 25 30 35 40 45 50
R
G
，栅极电阻（欧姆）
图17 ，交换能量 - 栅极电阻
0
0
5
APT5024BFLL_SFLL
栅极电压
10 %
TJ = 125℃
t
D（上）
t
r
5%
90%
5%
10 %
漏极电压
90%
栅极电压
T = 125℃
J
t
D（关闭）
漏电流
漏极电压
90%
t
f
10%
0
漏电流
开关能量
开关能量
图18 ，导通开关波形和定义
图19 ，关断开关波形和定义
APT15DF60
V
DD
I
D
V
DS
G
D.U.T.
图20 ，电感式开关测试电路
TO- 247封装外形
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
PAK封装外形
漏
（散热器）
4.98 (.196)
5.08 (.200)
1.47 (.058)
1.57 (.062)
15.95 (.628)
16.05 (.632)
1.04 (.041)
1.15 (.045)
13.41 (.528)
13.51 (.532)
3
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
6.15 （ 0.242 ） BSC
漏
20.80 (.819)
21.46 (.845)
3.50 (.138)
3.81 (.150)
修订
4/18/95
13.79 (.543)
13.99 (.551)
修订
8/29/97
11.51 (.453)
11.61 (.457)
0.46 (.018)
0.56 （ 0.022 ） { 3 }的PLC
4.50 （ 0.177 ）最大。
0.40 (.016)
0.79 (.031)
2.87 (.113)
3.12 (.123)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
1.01 (.040)
1.40 (.055)
19.81 (.780)
20.32 (.800)
2.21 (.087)
2.59 (.102)
5.45 （ 0.215 ） BSC
2-Plcs.
尺寸以毫米（英寸）
来源
漏
门
单位为毫米（英寸）
APT的产品受一个或多个USpatents 4895810的5045903 5089434 5182234 5019522
5262336 6503786 5256583 4748103 5283202 5231474 5434095 5528058和外国专利。美国和外国专利正在申请中。版权所有。
050-7131版本C
门
漏
来源
5.45 （ 0.215 ） BSC
{ 2的PLC。 }
散热器（漏）
并导致
镀
1-2005
0.020 (.001)
0.178 (.007)
2.67 (.105)
2.84 (.112)
1.27 (.050)
1.40 (.055)
1.98 (.078)
2.08 (.082)
1.22 (.048)
1.32 (.052)
3.81 (.150)
4.06 (.160)
（铅基）
QQ：2881677436 复制
