APT5010JVRU3
500V
44A 0.100
S
G
D
A
功率MOS V
功率MOS V
是新一代高电压N沟道增强
模式的功率MOSFET 。这种新技术的最小的JFET效应，
增加填充密度，并降低了导通电阻。功率MOS V
还实现了门，通过优化布局更快的开关速度。
OT
S
2
-2
7
"UL Recognized"
ISOTOP
更快的开关
低漏
单芯片MOSFET & FRED
最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
V
GSM
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
I
AR
E
AR
E
AS
参数
漏源电压
100 ％雪崩测试
热门SOT- 227封装
PFC "Buck"配置
G
D
A
S
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT5010JVRU3
单位
伏
安培
500
44
176
±30
±40
450
3.6
-55到150
300
44
50
4
1
连续漏电流@ T
C
= 25°C
漏电流脉冲
门源电压连续
栅源电压瞬态
总功率耗散@ T
C
= 25°C
线性降额因子
工作和存储结温范围
焊接温度： 0.063"案件从10秒。
雪崩电流
1
伏
瓦
W / ℃，
°C
安培
mJ
（重复，不重复）
1
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
2500
静态电气特性
符号
BV
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
特性/测试条件
漏源击穿电压（V
GS
= 0V时，我
D
= 250A)
在国家漏极电流
2
民
典型值
最大
单位
伏
安培
500
44
0.100
25
250
±100
2
4
(V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）
马克斯，V
GS
= 10V)
2
漏源导通电阻
(V
GS
= 10V ， 0.5升
D [续]
)
欧
A
nA
伏
050-5559修订版A
零栅极电压漏极电流（V
DS
= V
DSS
, V
GS
= 0V)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 0.8 V
DSS
, V
GS
= 0V ，T
C
= 125°C)
门源漏电流（V
GS
=
±30V,
V
DS
= 0V)
栅极阈值电压（V
DS
= V
GS
, I
D
= 2.5毫安）
APT网站 - http://www.advancedpower.com
德，俄勒冈州97702-1035
F- 33700梅里捏克 - 法国
电话： （ 541 ） 382-8028
电话： （ 33 ） 5 57 92 15 15
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
美国
405 S.W.哥伦比亚街
传真： （ 541 ） 388-0364
FAX ： （ 33 ） 10 56 47 97 61
欧洲
大道J.F.肯尼迪蝙蝠B4公园Cadéra北
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
3
APT5010JVRU3
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
V
GS
= 10V
V
DD
= 0.5 V
DSS
I
D
= I
D [续]
@ 25°C
V
GS
= 15V
V
DD
= 0.5 V
DSS
I
D
= I
D [续]
@ 25°C
R
G
= 0.6
民
典型值
最大
单位
7410
1050
390
312
37
127
18
16
54
5
ns
nC
pF
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller " ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源极 - 漏极二极管额定值和特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
特性/测试条件
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流
二极管的正向电压
1
2
民
典型值
最大
单位
安培
伏
ns
C
44
176
1.3
620
14.7
（体二极管）
(V
GS
= 0V时，我
S
= -I
D [续]
)
反向恢复时间（I
S
= -I
D [续]
， DL
S
/ DT = 100A / μs）内
反向恢复电荷（我
S
= -I
D [续]
， DL
S
/ DT = 100A / μs）内
热/封装特性
符号
R
θJC
R
θJA
V
隔离
力矩
特征
结到外壳
结到环境
RMS电压
（ 50-60赫兹正弦波从终端到安装底座，持续1分钟。 ）
最大扭矩为设备安装螺钉和电气终端。
民
典型值
最大
单位
° C / W
伏
0.28
40
2500
13
磅在
1
重复评价：脉冲宽度有限的最高结
温度。
2
脉冲测试：脉冲宽度< 380
S,
占空比< 2 ％
3
见MIL -STD -750方法3471
4
启动T = + 25 ° C，L = 2.58mH ， R = 25Ω ，峰值I = 44A
j
G
L
APT保留更改的权利，恕不另行通知，该说明和信息，包含在本文中。
0.3
Z
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
θ
D=0.5
0.1
0.2
0.05
0.1
0.05
PDM
0.01
0.005
注意：
0.02
0.01
单脉冲
t2
占空比D = T1 / T2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
t1
050-5559修订版A
0.001
10
-5
10
-3
10
-2
10
-1
1.0
10
矩形脉冲持续时间（秒）
图1 ，最大有效瞬态热阻抗，结点到外壳VS脉冲持续时间
10
-4
APT5010JVRU3
100
I
D
，漏极电流（安培）
VGS = 7V ， 8V ， 10V 15V &
100
6V
I
D
，漏极电流（安培）
80
VGS=15V
6V
VGS = 7V ， 8V 10V &
5.5V
80
60
5.5V
60
40
5V
40
5V
20
4.5V
4V
0
50
100
150
200
250
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图2 ，典型输出特性
0
20
4.5V
0
4V
0
2
4
6
8
10
12
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图3 ，典型输出特性
R
DS
（ON ） ，漏极至源极导通电阻
1.5
V
GS
100
I
D
，漏极电流（安培）
TJ = -55°C
TJ = + 25°C
TJ = + 125°C
归一
= 10V @ 0.5 I [续]
D
80
1.4
1.3
1.2
VGS=10V
1.1
1.0
0.9
VGS=20V
60
VDS>的ID （ON ）× R DS（ ON）的最大值。
250μSEC 。脉冲测试
@ <0.5 ％占空比
40
TJ = + 125°C
TJ = + 25°C
0
TJ = -55°C
20
0
2
4
6
8
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
图4 ，一般传输特性
50
I
D
，漏极电流（安培）
0
20
40
60
80
100
120
I
D
，漏极电流（安培）
图5中，R
DS
（ ON）与漏电流
40
BV
DSS
，漏极 - 源极击穿
电压（归）
25
I = 0.5 I [续]
D
D
1.15
1.10
30
1.05
20
1.00
10
0.95
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图6 ，最大漏极电流与外壳温度
R
DS
（ON ） ，漏极至源极导通电阻
（归一化）
2.5
0
-25
0
25 50 75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图7 ，击穿电压与温度
1.2
0.90
-50
V
V
GS
（ TH ） ，阈值电压
（归一化）
GS
= 10V
2.0
1.1
1.0
1.5
0.9
0.8
0.7
050-5559修订版A
1.0
0.5
0.0
-50
-25
0
25 50
75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图8 ，导通电阻与温度
-25
0
25 50 75 100 125 150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图9 ，阈值电压与温度
0.6
-50
APT5010JVRU3
动态特性
符号
t
rr1
t
rr2
t
rr3
t
fr1
t
fr2
I
RRM1
I
RRM2
Q
rr1
Q
rr2
V
fr1
V
fr2
DIM / DT
I
F
= 30A ，二
F
/ DT = -240A / μs的，V
R
= 350V （见图10）
特征
反向恢复时间，我
F
= 1.0A ，二
F
/ DT = -15A /微秒，V
R
= 30V ，T
J
= 25°C
反向恢复时间
I
F
= 30A ，二
F
/ DT = -240A / μs的，V
R
= 350V
正向恢复时间
I
F
= 30A ，二
F
/ DT = 240A / μs的，V
R
= 350V
反向恢复电流
I
F
= 30A ，二
F
/ DT = -240A / μs的，V
R
= 350V
恢复电荷
I
F
= 30A ，二
F
/ DT = -240A / μs的，V
R
= 350V
正向恢复电压
I
F
= 30A ，二
F
/ DT = 240A / μs的，V
R
= 350V
率恢复电流的秋天
T
J
= 25°C
T
J
= 100°C
T
J
= 25°C
T
J
= 100°C
T
J
= 25°C
T
J
= 100°C
T
J
= 25°C
T
J
= 100°C
T
J
= 25°C
T
J
= 100°C
T
J
= 25°C
T
J
= 100°C
民
典型值
最大
单位
50
50
80
155
155
4
7.5
100
65
nS
10
安培
15
nC
300
5
伏
5
400
A / μs的
200
热和机械特性
符号
R
θJC
R
θJA
W
T
特性/测试条件
结到外壳热阻
结至环境热阻
民
典型值
最大
单位
° C / W
盎司
通用汽车公司。
0.90
20
1.06
包装重量
30
2.0
1.0
D=0.5
Z
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
θ
0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.05
0.02
注意：
PDM
0.01
单脉冲
0.01
t1
t2
0.005
-5
10
10
-3
10
-2
10
-1
1.0
矩形脉冲持续时间（秒）
图14 ，最大有效瞬态热阻抗，结点到外壳VS脉冲持续时间
10
-4
10
050-5559修订版A
t
占空比D = 1 / T2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
APT5010JVRU3
ISOTOP
降压斩波
MOSFET功率模块
D
V
DSS
= 500V
R
DSON
=最大值为100mΩ @ TJ = 25°C
I
D
= 44A @ T C = 25°C
应用
AC和DC电机控制
开关电源
特点
功率MOS V
MOSFET的
- 低R
DSON
- 低投入和米勒电容
- 低栅极电荷
- 快速内在二极管
- 额定雪崩能量
- 非常坚固
ISOTOP
封装（ SOT- 227 ）
极低的杂散电感
高集成度
好处
突出表现在高频率运行
直接安装到散热器（独立包装）
超低的结到外壳热阻
很皮实
低调
符合RoHS
G
S
A
S
G
D
A
ISOTOP
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
R
DSON
P
D
I
AR
E
AR
E
AS
IF
A V
IF
RMS
参数
漏极 - 源极击穿电压
连续漏电流
漏电流脉冲
栅 - 源电压
漏 - 源极导通电阻
最大功率耗散
雪崩电流（重复，不重复）
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
最大平均正向电流
占空比= 0.5
RMS正向电流（方波，占空比为50％ ）
T
c
= 25°C
T
c
= 80°C
T
c
= 25°C
TC = 80℃
A
这些器件对静电放电敏感。适当汉鼎程序应遵循。
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1–7
APT5010JVRU3 - 修订版2006年6月1日
最大额定值
500
44
33
176
±30
100
450
44
50
2500
30
39
单位
V
A
V
m
W
A
mJ
APT5010JVRU3
所有评级@ T
j
= 25 ° C除非另有说明
电气特性
符号
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
I
GSS
特征
零栅极电压漏极电流
漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
门 - 源极漏电流
测试条件
V
GS
= 0V,V
DS
= 500V
V
GS
= 0V,V
DS
= 400V
民
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
2
典型值
V
GS
= 10V ，我
D
= 22A
V
GS
= V
DS
, I
D
= 2.5毫安
V
GS
= ±20 V, V
DS
= 0V
最大
25
250
100
4
±100
单位
A
m
V
nA
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅 - 源电荷
栅 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1MHz的
V
GS
= 10V
V
公共汽车
= 250V
I
D
= 44A @ T
J
=25°C
V
GS
= 15V
V
公共汽车
= 250V
I
D
= 44A @ T
J
=25°C
R
G
= 0.6
民
典型值
7410
1050
390
312
37
127
18
16
54
5
最大
单位
pF
nC
ns
菜刀二极管额定值和特性
符号
V
F
I
RM
C
T
t
rr
反向恢复时间
I
RRM
Q
rr
t
rr
Q
rr
I
RRM
最大反向恢复电流
反向恢复电荷
反向恢复时间
反向恢复电荷
最大反向恢复电流
特征
二极管的正向电压
最大反向漏电流
结电容
反向恢复时间
测试条件
I
F
= 30A
I
F
= 60A
I
F
= 30A
V
R
= 600V
V
R
= 600V
V
R
= 200V
I
F
=1A,V
R
=30V
的di / dt = 100A / μs的
I
F
= 30A
V
R
= 400V
的di / dt = 200A / μs的
民
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 125°C
典型值
1.6
1.9
1.4
44
23
85
160
4
8
130
700
70
1300
30
最大
1.8
250
500
单位
V
A
pF
ns
A
nC
ns
nC
A
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2–7
APT5010JVRU3 - 修订版2006年6月1日
I
F
= 30A
V
R
= 400V
的di / dt = 1000A / μs的
APT5010JVRU3
热和包装特点
符号
R
thJC
R
thJA
V
ISOL
T
J
,T
英镑
T
L
力矩
Wt
特征
结到外壳热阻
结到环境（ IGBT &二极管）
RMS隔离电压，任何终端来区分T = 1分，我isol<1mA ， 50 / 60Hz的
民
MOSFET
二极管
2500
-55
典型值
最大
0.28
1.21
20
150
300
1.5
单位
° C / W
V
°C
牛米
g
存储温度范围
最大的铅温度对焊接： 0.063 “从案例10秒
安装力矩
（安装= 8-32或4毫米机和终端为4毫米机）
包装重量
29.2
典型
MOSFET
性能曲线
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APT5010JVRU3 - 修订版2006年6月1日
APT5010JVRU3
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APT5010JVRU3 - 修订版2006年6月1日
APT5010JVRU3
典型的二极管特性曲线
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5–7
APT5010JVRU3 - 修订版2006年6月1日
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