500V 46A
APT5010B2LL
APT5010LLL
B2LL
0.100
功率MOS 7
R
MOSFET
功率MOS 7是新一代低损耗，高电压， N沟道的
增强型功率MOSFET 。这两种传导和开关
亏损显著降低R的处理与功率MOS 7
DS （ ON）
和Q
g
。功率MOS 7结合了更低的传导损耗和开关损耗
伴随着异常快速开关速度固有APT的
专利的金属栅极结构。
较低的输入电容
降低米勒电容
更低的栅极电荷QG
最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
V
GSM
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
I
AR
E
AR
E
AS
参数
漏源电压
连续漏电流@ T
C
= 25°C
漏电流脉冲
1
T- MAX
TO-264
LLL
更高的功耗
容易驾驶
热门
T- MAX
或TO- 264封装
D
G
S
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT5010B2LL_LLL
单位
伏
安培
500
46
184
±30
±40
520
4.0
-55到150
300
50
50
4
门源电压连续
栅源电压瞬态
总功率耗散@ T
C
= 25°C
线性降额因子
工作和存储结温范围
焊接温度： 0.063"案件从10秒。
雪崩电流
1
伏
瓦
W / ℃，
°C
安培
mJ
（重复，不重复）
1
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
1600
静态电气特性
符号
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
特性/测试条件
漏源击穿电压（V
GS
= 0V时，我
D
= 250A)
漏源导通电阻
2
民
典型值
最大
单位
伏
500
0.100
100
500
±100
3
5
(V
GS
= 10V ，我
D
= 23A)
欧
A
nA
伏
9-2004
050-7011修订版D
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 500V, V
GS
= 0V)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 400V, V
GS
= 0V ，T
C
= 125°C)
门源漏电流（V
GS
= ±30V, V
DS
= 0V)
栅极阈值电压（V
DS
= V
GS
, I
D
= 2.5毫安）
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
on
E
关闭
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
3
APT5010B2LL_LLL
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
V
GS
= 10V
V
DD
= 250V
I
D
= 46A @ 25°C
电阻开关
V
GS
= 15V
V
DD
= 250V
I
D
= 46A @ 25°C
R
G
= 0.6
6
电感式开关@ 25°C
V
DD
= 333V, V
GS
= 15V
I
D
= 46A ，R
G
= 5
6
电感式开关@ 125°C
V
DD
= 333V, V
GS
= 15V
I
D
= 46A ，R
G
= 5
民
典型值
最大
单位
4360
895
60
95
24
50
11
15
25
3
545
510
845
595
民
典型值
最大
单位
安培
伏
ns
C
V / ns的
nC
pF
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关能量
关断开关能量
导通开关能量
关断开关能量
ns
J
源极 - 漏极二极管额定值和特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
dv
/
dt
特性/测试条件
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流
二极管的正向电压
1
2
46
184
1.3
608
11.0
8
民
典型值
最大
（体二极管）
(V
GS
= 0V时，我
S
= -
46A
)
反向恢复时间（I
S
= -
46A
， DL
S
/ DT = 100A / μs）内
反向恢复电荷（我
S
= -
46A
， DL
S
/ DT = 100A / μs）内
峰值二极管恢复
dv
/
dt
5
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
特征
结到外壳
结到环境
单位
° C / W
0.25
40
1重复额定值：脉冲宽度有限的最高结
温度
2脉冲测试：脉冲宽度< 380微秒，占空比< 2 ％
3见MIL- STD- 750方法3471
4起始物为
j
= + 25 ° C，L = 1.51mH ，R
G
= 25Ω ，峰值I
L
= 46A
5
dv
/
dt
号反映了测试电路的局限性，而不是
设备本身。
IS
≤
-
ID
46A
di
/
dt
≤
700A/s
VR
≤
VDSS TJ
≤
150
°
C
6李炎包括二极管的反向恢复。参见图18，20 。
APT保留更改的权利，恕不另行通知，该说明和信息，包含在本文中。
0.30
Z
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
θ
0.25
0.20
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
注意：
PDM
t1
t2
0.15
9-2004
0.10
050-7011修订版D
0.05
0
单脉冲
占空比D = T1 /吨
2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
10
-5
10
-3
10
-2
10
-1
矩形脉冲持续时间（秒）
图1 ，最大有效瞬态热阻抗，结点到外壳VS脉冲持续时间
10
-4
1.0
典型性能曲线
连接点
TEMP 。 （ ° C）
遥控模型
120
100
80
60
40
APT5010B2LL_LLL
15 &10V
8V
7.5V
7V
0.0131
0.00266F
0.0789
动力
（瓦特）
0.0811
0.00584F
I
D
，漏极电流（安培）
6.5V
0.0796F
6V
20
0
5.5V
0.230
外壳温度。 （ ° C）
0.460F
图2 ，瞬态热阻抗模型
90
I
D
，漏极电流（安培）
VDS>的ID （ON ）× R DS（ ON）的最大值。
250微秒。脉冲测试
@ <0.5 ％占空比
R
DS
（ON ） ，漏极至源极导通电阻
100
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图3 ，低电压输出特性
1.2
1.15
1.1
VGS=10V
1.05
VGS=20V
1.0
0.95
0.9
0
20
40
60
80
I
D
，漏极电流（安培）
图5中，R
DS
（ ON）与漏电流
归一
V
= 10V @ 23A
GS
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
TJ = + 125°C
TJ = + 25°C
TJ = -55°C
1 2
3 4 5 6 7
8
9 10
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
图4 ，传热特性
50
BV
DSS
，漏极 - 源极击穿
电压（归）
I
V
D
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
-50
I
D
，漏极电流（安培）
40
30
20
10
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图6 ，最大漏极电流与外壳温度
R
DS
（ON ） ，漏极至源极导通电阻
（归一化）
0
25
2.5
= 23A
= 10V
-25
0
25
50 75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图7 ，击穿电压与温度
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50
GS
2.0
1.5
1.0
V
GS
（ TH ） ，阈值电压
（归一化）
0.5
0.0
-50
-25
0
25 50
75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图8 ，导通电阻与温度
0
25
50
75 100 125 150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图9 ，阈值电压与温度
-25
050-7011修订版D
9-2004
184
I
D
，漏极电流（安培）
20,000
操作点这里
限制根据RDS （ ON）
APT5010B2LL_LLL
西塞
100
10,000
100S
C，电容（pF ）
1,000
1mS
10
10mS
科斯
100
CRSS
TC = + 25°C
TJ = + 150°C
单脉冲
1
1
10
100
500
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图10 ，最大安全工作区
I
D
0
10
20
30
40
50
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图11 ，电容VS漏极至源极电压
I
DR
，反向漏电流（安培）
10
16
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
= 46A
200
100
12
VDS=100V
8
VDS=250V
VDS=400V
TJ = + 150°C
TJ = + 25°C
10
4
20
40
60
80
100 120 140
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
图12 ，栅极电荷VS栅极至源极电压
80
70
60
t
D（上）
和T
D（关闭）
（纳秒）
V
0
0
1
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
V
SD
，源极到漏极电压（伏）
图13 ，源极 - 漏极二极管的正向电压
100
V
DD
G
= 330V
t
D（关闭）
90
80
R
= 5
T = 125°C
J
L = 100μH
t
r
和T
f
（纳秒）
50
40
30
20
10
DD
G
= 330V
70
60
50
40
30
t
D（上）
20
10
t
f
t
r
R
= 5
T = 125°C
J
L = 100μH
0
10
40
50
60
70
I
D
(A)
图14 ，延迟时间 - 电流
V
DD
G
20
30
40
50
60
70
I
D
(A)
图15 ，上升和下降时间 - 电流
2500
V
I
DD
0
10
20
30
1500
= 330V
= 330V
R
= 5
D
J
= 46A
开关能量（ μJ ）
1200
E
on
与ê
关闭
(J)
T = 125°C
J
L = 100μH
E
ON
包括
二极管的反向恢复。
2000
T = 125°C
L = 100μH
E
ON
包括
二极管的反向恢复。
E
on
E
关闭
900
1500
E
on
600
1000
9-2004
300
050-7011修订版D
E
关闭
20
30
500
40
50
60
70
I
D
(A)
图16 ，开关能量 - 电流
0
10
10 15 20 25 30 35 40 45 50
R
G
，栅极电阻（欧姆）
图17 ，交换能量 - 栅极电阻
0
0
5
APT5010 B2LL_LLL
栅极电压
10 %
t
D（上）
t
r
漏电流
90%
栅极电压
T = 125℃
J
t
D（关闭）
漏极电压
T = 125℃
J
90%
5%
10 %
开关能量
5%
漏极电压
90%
tf
10%
开关能量
漏电流
图18 ，导通开关波形和定义
图19 ，关断开关波形和定义
APT30DF60
V
DD
I
D
V
DS
G
D.U.T.
图20 ，电感式开关测试电路
T-最大
TM
（ B2 ）封装外形
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
TO- 264 （ L）包装外形
4.60 (.181)
5.21 (.205)
1.80 (.071)
2.01 (.079)
19.51 (.768)
20.50 (.807)
3.10 (.122)
3.48 (.137)
5.79 (.228)
6.20 (.244)
漏
20.80 (.819)
21.46 (.845)
漏
25.48 (1.003)
26.49 (1.043)
4.50 （ 0.177 ）最大。
0.40 (.016)
0.79 (.031)
2.87 (.113)
3.12 (.123)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
2.29 (.090)
2.69 (.106)
19.81 (.780)
21.39 (.842)
2.29 (.090)
2.69 (.106)
1.01 (.040)
1.40 (.055)
门
漏
来源
0.48 (.019)
0.84 (.033)
2.59 (.102)
3.00 (.118)
2.21 (.087)
2.59 (.102)
5.45 （ 0.215 ） BSC
2-Plcs.
这些尺寸是相等的TO-247 ，而不安装孔。
尺寸以毫米（英寸）
5.45 （ 0.215 ） BSC
2-Plcs.
尺寸以毫米（英寸）
APT的产品受一个或多个USpatents 4895810的5045903 5089434 5182234 5019522
5262336 6503786 5256583 4748103 5283202 5231474 5434095 5528058和外国专利。美国和外国专利正在申请中。版权所有。
050-7011修订版D
0.76 (.030)
1.30 (.051)
2.79 (.110)
3.18 (.125)
8-2004
19.81 (.780)
20.32 (.800)
门
漏
来源
500V 46A 0.100
W
APT5010B2LL
APT5010LLL
B2LL
功率MOS 7
TM
功率MOS 7
TM
是新一代低损耗，高电压， N沟道的
增强型功率MOSFET 。这两种传导和开关
损失与功率MOS 7解决
TM
通过显著降低
DS （ ON）
和Q
g
。功率MOS 7
TM
结合了低导通损耗和开关损耗
伴随着异常快速开关速度固有APT的
专利的金属栅极结构。
较低的输入电容
降低米勒电容
更低的栅极电荷QG
最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
V
GSM
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
I
AR
E
AR
E
AS
参数
漏源电压
T- MAX
TO-264
LLL
更高的功耗
容易驾驶
热门
T- MAX
或TO- 264封装
D
G
S
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT5010
单位
伏
安培
连续漏电流@ T
C
= 25°C
漏电流脉冲
1
门源电压连续
栅源电压瞬态
总功率耗散@ T
C
= 25°C
线性降额因子
工作和存储结温范围
焊接温度： 0.063"案件从10秒。
雪崩电流
1
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
L
A
IC
N
H
C
ê ION
T T
E A
C M
n个R
A○
V F
值D N
A
I
46
184
±30
±40
500
4.0
300
46
50
（重复，不重复）
1
4
500
伏
瓦
W / ℃，
°C
安培
mJ
-55到150
1800
静态电气特性
符号
BV
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
特性/测试条件
漏源击穿电压（V
GS
= 0V时，我
D
= 250A)
在国家漏极电流
2
民
典型值
最大
单位
伏
安培
500
46
0.100
25
250
±100
3
5
(V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）
马克斯，V
GS
= 10V)
2
漏源导通电阻
(V
GS
= 10V ， 0.5升
D [续]
)
欧
A
nA
伏
050-7011 REV- 1-2001
零栅极电压漏极电流（V
DS
= V
DSS
, V
GS
= 0V)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 0.8 V
DSS
, V
GS
= 0V ，T
C
= 125°C)
门源漏电流（V
GS
= ±30V, V
DS
= 0V)
栅极阈值电压（V
DS
= V
GS
, I
D
= 2.5毫安）
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
美国
欧洲
405 S.W.哥伦比亚街
舍曼MAGRET
德，俄勒冈州97702-1035
F- 33700梅里捏克 - 法国
电话： （ 541 ） 382-8028
电话： （ 33 ） 5 57 92 15 15
传真： （ 541 ） 388-0364
FAX ： （ 33 ） 10 56 47 97 61
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
3
APT5010 B2LL - LLL
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
V
GS
= 10V
V
DD
= 0.5 V
DSS
I
D
= I
D [续]
@ 25°C
V
GS
= 15V
民
典型值
最大
单位
4410
900
69
110
29
50
15
13
32
7
nC
pF
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源极 - 漏极二极管额定值和特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
特性/测试条件
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流
1
二极管的正向电压
L
A
IC
N
H
EC ION
T T
E A
C M
n个R
A○
V F
值D N
A
I
V
DD
= 0.5 V
DSS
R
G
= 0.6W
I
D
= I
D [续]
@ 25°C
民
典型值
（体二极管）
2
ns
最大
单位
安培
伏
ns
C
46
184
1.3
(V
GS
= 0V时，我
S
= -I
D [续]
)
反向恢复时间（I
S
= -I
D [续]
， DL
S
/ DT = 100A / μs）内
反向恢复电荷（我
S
= -I
D [续]
， DL
S
/ DT = 100A / μs）内
595
11.0
热特性
符号
R
QJC
R
qJA
特征
结到外壳
结到环境
民
典型值
最大
单位
° C / W
0.25
40
3
见MIL -STD -750方法3471
4
启动T = + 25 ° C，L = 1.70mH ， R = 25W ，峰值I = 46A
j
G
L
1
重复评价：脉冲宽度有限的最高结
温度。
2
脉冲测试：脉冲宽度< 380 μS ，占空比< 2 ％
APT保留更改的权利，恕不另行通知，该说明和信息，包含在本文中。
T-最大
TM
（ B2 ）封装外形
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
TO- 264 （ L）包装外形
4.60 (.181)
5.21 (.205)
1.80 (.071)
2.01 (.079)
19.51 (.768)
20.50 (.807)
3.10 (.122)
3.48 (.137)
5.79 (.228)
6.20 (.244)
漏
20.80 (.819)
21.46 (.845)
漏
25.48 (1.003)
26.49 (1.043)
4.50 （ 0.177 ）最大。
0.40 (.016)
0.79 (.031)
2.87 (.113)
3.12 (.123)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
2.29 (.090)
2.69 (.106)
19.81 (.780)
21.39 (.842)
2.29 (.090)
2.69 (.106)
19.81 (.780)
20.32 (.800)
1.01 (.040)
1.40 (.055)
050-7011 REV- 1-2001
门
漏
来源
0.48 (.019)
0.84 (.033)
2.59 (.102)
3.00 (.118)
门
漏
来源
2.21 (.087)
2.59 (.102)
5.45 （ 0.215 ） BSC
2-Plcs.
0.76 (.030)
1.30 (.051)
2.79 (.110)
3.18 (.125)
5.45 （ 0.215 ） BSC
2-Plcs.
这些尺寸是相等的TO-247 ，而不安装孔。
尺寸以毫米（英寸）
尺寸以毫米（英寸）
APT的设备涵盖了以下一个USpatents的一个或多个： 4895810
5,256,583
5,045,903
4,748,103
5,089,434
5,283,202
5,182,234
5,231,474
5,019,522
5,434,095
5,262,336
5,528,058
500V 46A
APT5010B2LL(G)
APT5010LLL
(G)
* G表示符合RoHS标准的无铅终端完成。
0.100
功率MOS 7
R
MOSFET
B2LL
功率MOS 7是新一代低损耗，高电压， N沟道的
增强型功率MOSFET 。这两种传导和开关
亏损显著降低R的处理与功率MOS 7
DS （ ON）
和Q
g
。功率MOS 7结合了更低的传导损耗和开关损耗
伴随着异常快速开关速度固有APT的
专利的金属栅极结构。
较低的输入电容
降低米勒电容
更低的栅极电荷QG
最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
V
GSM
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
I
AR
E
AR
E
AS
参数
漏源电压
连续漏电流@ T
C
= 25°C
漏电流脉冲
1
T- MAX
TO-264
LLL
更高的功耗
容易驾驶
热门
T- MAX
或TO- 264封装
D
G
S
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT5010B2LL_LLL
(G)
单位
伏
安培
500
46
184
±30
±40
520
4.0
-55到150
300
50
50
4
门源电压连续
栅源电压瞬态
总功率耗散@ T
C
= 25°C
线性降额因子
工作和存储结温范围
焊接温度： 0.063"案件从10秒。
雪崩电流
1
伏
瓦
W / ℃，
°C
安培
mJ
（重复，不重复）
1
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
1600
静态电气特性
符号
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
特性/测试条件
漏源击穿电压（V
GS
= 0V时，我
D
= 250A)
漏源导通电阻
2
民
典型值
最大
单位
伏
500
0.100
100
500
±100
3
5
(V
GS
= 10V ，我
D
= 23A)
欧
A
nA
伏
9-2004
050-7011修订版D
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 500V, V
GS
= 0V)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 400V, V
GS
= 0V ，T
C
= 125°C)
门源漏电流（V
GS
= ±30V, V
DS
= 0V)
栅极阈值电压（V
DS
= V
GS
, I
D
= 2.5毫安）
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
on
E
关闭
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
3
APT5010B2LL_LLL(G)
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
V
GS
= 10V
V
DD
= 250V
I
D
= 46A @ 25°C
电阻开关
V
GS
= 15V
V
DD
= 250V
I
D
= 46A @ 25°C
R
G
= 0.6
6
电感式开关@ 25°C
V
DD
= 333V, V
GS
= 15V
I
D
= 46A ，R
G
= 5
6
电感式开关@ 125°C
V
DD
= 333V, V
GS
= 15V
I
D
= 46A ，R
G
= 5
民
典型值
最大
单位
4360
895
60
95
24
50
11
15
25
3
545
510
845
595
民
典型值
最大
单位
安培
伏
ns
C
V / ns的
nC
pF
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关能量
关断开关能量
导通开关能量
关断开关能量
ns
J
源极 - 漏极二极管额定值和特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
dv
/
dt
特性/测试条件
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流
二极管的正向电压
1
2
46
184
1.3
608
11.0
8
民
典型值
最大
（体二极管）
(V
GS
= 0V时，我
S
= -
46A
)
反向恢复时间（I
S
= -
46A
， DL
S
/ DT = 100A / μs）内
反向恢复电荷（我
S
= -
46A
， DL
S
/ DT = 100A / μs）内
峰值二极管恢复
dv
/
dt
5
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
特征
结到外壳
结到环境
单位
° C / W
0.25
40
1重复额定值：脉冲宽度有限的最高结
温度
2脉冲测试：脉冲宽度< 380微秒，占空比< 2 ％
3见MIL- STD- 750方法3471
4起始物为
j
= + 25 ° C，L = 1.51mH ，R
G
= 25Ω ，峰值I
L
= 46A
5
dv
/
dt
号反映了测试电路的局限性，而不是
设备本身。
IS
≤
-
ID
46A
di
/
dt
≤
700A/s
VR
≤
VDSS TJ
≤
150
°
C
6李炎包括二极管的反向恢复。参见图18，20 。
APT保留更改的权利，恕不另行通知，该说明和信息，包含在本文中。
0.30
Z
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
θ
0.25
0.20
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
注意：
PDM
t1
t2
0.15
9-2004
0.10
050-7011修订版D
0.05
0
单脉冲
占空比D = T1 /吨
2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
10
-5
10
-3
10
-2
10
-1
矩形脉冲持续时间（秒）
图1 ，最大有效瞬态热阻抗，结点到外壳VS脉冲持续时间
10
-4
1.0
典型性能曲线
连接点
TEMP 。 （ ° C）
遥控模型
120
100
80
60
40
APT5010B2LL_LLL
(G)
15 &10V
8V
7.5V
7V
0.0131
0.00266F
0.0789
动力
（瓦特）
0.0811
0.00584F
I
D
，漏极电流（安培）
6.5V
0.0796F
6V
20
0
5.5V
0.230
外壳温度。 （ ° C）
0.460F
图2 ，瞬态热阻抗模型
90
I
D
，漏极电流（安培）
VDS>的ID （ON ）× R DS（ ON）的最大值。
250微秒。脉冲测试
@ <0.5 ％占空比
R
DS
（ON ） ，漏极至源极导通电阻
100
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图3 ，低电压输出特性
1.2
1.15
1.1
VGS=10V
1.05
VGS=20V
1.0
0.95
0.9
0
20
40
60
80
I
D
，漏极电流（安培）
图5中，R
DS
（ ON）与漏电流
归一
V
= 10V @ 23A
GS
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
TJ = + 125°C
TJ = + 25°C
TJ = -55°C
1 2
3 4 5 6 7
8
9 10
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
图4 ，传热特性
50
BV
DSS
，漏极 - 源极击穿
电压（归）
I
V
D
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
-50
I
D
，漏极电流（安培）
40
30
20
10
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图6 ，最大漏极电流与外壳温度
R
DS
（ON ） ，漏极至源极导通电阻
（归一化）
0
25
2.5
= 23A
= 10V
-25
0
25
50 75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图7 ，击穿电压与温度
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50
GS
2.0
1.5
1.0
V
GS
（ TH ） ，阈值电压
（归一化）
0.5
0.0
-50
-25
0
25 50
75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图8 ，导通电阻与温度
0
25
50
75 100 125 150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图9 ，阈值电压与温度
-25
050-7011修订版D
9-2004
184
I
D
，漏极电流（安培）
20,000
操作点这里
限制根据RDS （ ON）
APT5010B2LL_LLL
(G)
西塞
100
10,000
100S
C，电容（pF ）
1,000
1mS
10
10mS
科斯
100
CRSS
TC = + 25°C
TJ = + 150°C
单脉冲
1
1
10
100
500
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图10 ，最大安全工作区
I
D
0
10
20
30
40
50
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图11 ，电容VS漏极至源极电压
I
DR
，反向漏电流（安培）
10
16
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
= 46A
200
100
12
VDS=100V
8
VDS=250V
VDS=400V
TJ = + 150°C
TJ = + 25°C
10
4
20
40
60
80
100 120 140
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
图12 ，栅极电荷VS栅极至源极电压
80
70
60
t
D（上）
和T
D（关闭）
（纳秒）
V
0
0
1
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
V
SD
，源极到漏极电压（伏）
图13 ，源极 - 漏极二极管的正向电压
100
V
DD
G
= 330V
t
D（关闭）
90
80
R
= 5
T = 125°C
J
L = 100μH
t
r
和T
f
（纳秒）
50
40
30
20
10
DD
G
= 330V
70
60
50
40
30
t
D（上）
20
10
t
f
t
r
R
= 5
T = 125°C
J
L = 100μH
0
10
40
50
60
70
I
D
(A)
图14 ，延迟时间 - 电流
V
DD
G
20
30
40
50
60
70
I
D
(A)
图15 ，上升和下降时间 - 电流
2500
V
I
DD
0
10
20
30
1500
= 330V
= 330V
R
= 5
D
J
= 46A
开关能量（ μJ ）
1200
E
on
与ê
关闭
(J)
T = 125°C
J
L = 100μH
E
ON
包括
二极管的反向恢复。
2000
T = 125°C
L = 100μH
E
ON
包括
二极管的反向恢复。
E
on
E
关闭
900
1500
E
on
600
1000
9-2004
300
050-7011修订版D
E
关闭
20
30
500
40
50
60
70
I
D
(A)
图16 ，开关能量 - 电流
0
10
10 15 20 25 30 35 40 45 50
R
G
，栅极电阻（欧姆）
图17 ，交换能量 - 栅极电阻
0
0
5
QQ：2881677436 复制
