APT5010B2LC
APT5010LLC
功率MOS VI
TM
功率MOS VI
TM
是新一代的低栅电荷，高电压
N沟道增强型功率MOSFET 。更低的栅极电荷
通过优化制造工艺以最小化C ++实现
国际空间站
和
C
RSS
。再加上功率MOS VI更低的栅极电荷
TM
优化的栅极
布局，提供了非常快速的开关速度。
相同的规格：
T- MAX
或TO- 264封装
更低的栅极电荷&电容
容易驾驶
100 ％雪崩测试
更快的开关
最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
V
GSM
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
I
AR
E
AR
E
AS
参数
漏源电压
连续漏电流@ T
C
= 25°C
漏电流脉冲
1
500V 47A 0.100
W
B2LC
T- MAX
TO-264
有限责任公司
D
G
S
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT5010
单位
伏
安培
500
47
188
±30
±40
520
4.16
-55到150
300
47
50
4
门源电压连续
栅源电压瞬态
总功率耗散@ T
C
= 25°C
线性降额因子
工作和存储结温范围
焊接温度： 0.063"案件从10秒。
雪崩电流
1
伏
瓦
W / ℃，
°C
安培
mJ
（重复，不重复）
1
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
2500
静态电气特性
符号
BV
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
特性/测试条件
漏源击穿电压（V
GS
= 0V时，我
D
= 250A)
在国家漏极电流
2
民
典型值
最大
单位
伏
安培
500
47
0.100
25
250
±100
3
5
(V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）
马克斯，V
GS
= 10V)
2
漏源导通电阻
(V
GS
= 10V ， 0.5升
D [续]
)
欧
A
nA
伏
050-5900修订版A 8-2000
零栅极电压漏极电流（V
DS
= V
DSS
, V
GS
= 0V)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 0.8 V
DSS
, V
GS
= 0V ，T
C
= 125°C)
门源漏电流（V
GS
= ±30V, V
DS
= 0V)
栅极阈值电压（V
DS
= V
GS
, I
D
= 2.5毫安）
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
美国
欧洲
405 S.W.哥伦比亚街
舍曼MAGRET
德，俄勒冈州97702-1035
F- 33700梅里捏克 - 法国
电话： （ 541 ） 382-8028
电话： （ 33 ） 5 57 92 15 15
传真： （ 541 ） 388-0364
FAX ： （ 33 ） 10 56 47 97 61
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
3
APT5010B2LC - 有限责任公司
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
V
GS
= 10V
V
DD
= 0.5 V
DSS
I
D
= I
D [续]
@ 25°C
V
GS
= 15V
V
DD
= 0.5 V
DSS
I
D
= I
D [续]
@ 25°C
R
G
= 0.6W
民
典型值
最大
单位
5375
1040
185
145
34
76
12
15
28
4.6
6500
1460
280
220
41
120
24
30
42
10.0
ns
nC
pF
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源极 - 漏极二极管额定值和特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
特性/测试条件
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流
二极管的正向电压
1
2
民
典型值
最大
单位
安培
伏
ns
C
47
188
1.3
590
13
（体二极管）
(V
GS
= 0V时，我
S
= -I
D [续]
)
反向恢复时间（I
S
= -I
D [续]
， DL
S
/ DT = 100A / μs）内
反向恢复电荷（我
S
= -I
D [续]
， DL
S
/ DT = 100A / μs）内
热特性
符号
R
QJC
R
qJA
特征
结到外壳
结到环境
民
典型值
最大
单位
° C / W
0.24
40
3
见MIL -STD -750方法3471
4
启动T = + 25 ° C，L = 2.26mH ， R = 25W ，峰值I = 47A
j
G
L
1
重复评价：脉冲宽度有限的最高结
温度。
2
脉冲测试：脉冲宽度< 380 μS ，占空比< 2 ％
APT保留更改的权利，恕不另行通知，该说明和信息，包含在本文中。
0.3
Z
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
q
D=0.5
0.1
0.05
0.2
0.1
0.05
0.02
0.005
0.01
单脉冲
PDM
0.01
注意：
t1
t2
占空比D = T1 /吨
2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
050-5900修订版A 8-2000
0.001
10
-5
10
-3
10
-2
10
-1
1.0
10
矩形脉冲持续时间（秒）
图1 ，最大有效瞬态热阻抗，结点到外壳VS脉冲持续时间
10
-4
APT5010B2LC - 有限责任公司
100
I
D
，漏极电流（安培）
VGS = 8V ， 10V 15V &
I
D
，漏极电流（安培）
100
VGS = 10V 15V &
8V
7.5V
60
7V
40
6.5V
20
6V
5.5V
0
2
4
6
8
10 12 14
16
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图3 ，典型输出特性
0
R
DS
（ON ） ，漏极至源极导通电阻
80
7.5V
80
60
7V
40
6.5V
20
6V
0
5.5V
0
50
100
150
200
250
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图2 ，典型输出特性
160
TJ = -55°C
I
D
，漏极电流（安培）
1.5
V
GS
140
120
100
80
60
归一
= 10V @ 0.5 I [续]
D
TJ = + 25°C
TJ = + 125°C
VDS>的ID （ON ）× R DS（ ON）的最大值。
250μSEC 。脉冲测试
@ <0.5 ％占空比
1.4
1.3
1.2
VGS=10V
1.1
1.0
0.9
VGS=20V
TJ = + 125°C
40
TJ = + 25°C
20
TJ = -55°C
0
2
4
6
8
10
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
图4 ，一般传输特性
50
0
0
20
40
60
80
100
I
D
，漏极电流（安培）
图5中，R
DS
（ ON）与漏电流
40
BV
DSS
，漏极 - 源极击穿
电压（归）
1.15
I
D
，漏极电流（安培）
1.10
30
1.05
20
1.00
10
0.95
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图6 ，最大漏极电流与外壳温度
R
DS
（ON ） ，漏极至源极导通电阻
（归一化）
0
25
-25
0
25 50 75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图7 ，击穿电压与温度
1.2
0.90
-50
2.5
I = 0.5 I [续]
D
D
V
GS
（ TH ） ，阈值电压
（归一化）
V
GS
= 10V
2.0
1.1
1.0
1.5
0.9
0.8
0.7
050-5900修订版A 8-2000
1.0
0.5
0.0
-50
-25
0
25 50
75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图8 ，导通电阻与温度
-25
0
25 50 75 100 125 150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图9 ，阈值电压与温度
0.6
-50
APT5010B2LC - 有限责任公司
200
I
D
，漏极电流（安培）
20,000
操作点这里
限制根据RDS （ ON）
100
50
100S
C，电容（pF ）
10,000
西塞
5,000
1mS
10
5
TC = + 25°C
TJ = + 150°C
单脉冲
1
10mS
科斯
1,000
500
CRSS
1
5 10
50 100
500
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图10 ，最大安全工作区
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
.01
.1
1
10
50
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图11 ，典型电容VS漏极至源极电压
I
DR
，反向漏电流（安培）
100
20
I = I [续]
D
D
200
100
50
TJ = + 150°C
TJ = + 25°C
16
VDS=100V
VDS=250V
12
VDS=400V
8
10
5
4
50
100
150
200
250
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
图12 ，栅极电荷VS栅极至源极电压
0
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
V
SD
，源极到漏极电压（伏）
图13 ，典型的源极 - 漏极二极管的正向电压
1
T-最大
TM
（ B2 ）封装外形
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
TO- 264 （ L）包装外形
4.60 (.181)
5.21 (.205)
1.80 (.071)
2.01 (.079)
19.51 (.768)
20.50 (.807)
3.10 (.122)
3.48 (.137)
5.79 (.228)
6.20 (.244)
漏
20.80 (.819)
21.46 (.845)
漏
25.48 (1.003)
26.49 (1.043)
4.50 （ 0.177 ）最大。
0.40 (.016)
0.79 (.031)
2.87 (.113)
3.12 (.123)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
2.29 (.090)
2.69 (.106)
19.81 (.780)
21.39 (.842)
2.29 (.090)
2.69 (.106)
19.81 (.780)
20.32 (.800)
1.01 (.040)
1.40 (.055)
门
漏
来源
0.48 (.019)
0.84 (.033)
2.59 (.102)
3.00 (.118)
门
漏
来源
050-5900修订版A 8-2000
2.21 (.087)
2.59 (.102)
5.45 （ 0.215 ） BSC
2-Plcs.
0.76 (.030)
1.30 (.051)
2.79 (.110)
3.18 (.125)
5.45 （ 0.215 ） BSC
2-Plcs.
这些尺寸是相等的TO-247 ，而不安装孔。
尺寸以毫米（英寸）
尺寸以毫米（英寸）
APT的设备涵盖了以下一个USpatents的一个或多个： 4895810
5,256,583
5,045,903
4,748,103
5,089,434
5,283,202
5,182,234
5,231,474
5,019,522
5,434,095
5,262,336
5,528,058
APT5010B2LC
500V
47A 0.100
W
功率MOS VI
TM
功率MOS VI
TM
是新一代的低栅电荷，高电压
N沟道增强型功率MOSFET 。更低的栅极电荷
通过优化制造工艺以最小化C ++实现
国际空间站
和C
RSS
.
再加上功率MOS VI更低的栅极电荷
TM
优化的栅极布局，
提供了非常快速的开关速度。
更低的栅极电荷
更快的开关
100 ％雪崩测试
最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
V
GSM
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
I
AR
E
AR
E
AS
参数
漏源电压
连续漏电流@ T
C
= 25°C
漏电流脉冲
1
T- MAX
Y
民
较低的输入电容
容易驾驶
??热门TMAX套餐
D
G
S
R
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
A
APT5010B2LC
单位
伏
安培
伏
瓦
W / ℃，
°C
安培
mJ
500
47
188
±30
±40
520
4.16
-55到150
300
47
50
2500
栅源电压瞬态
总功率耗散@ T
C
= 25°C
线性降额因子
工作和存储结温范围
雪崩电流
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
静态电气特性
符号
BV
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
特性/测试条件
漏源击穿电压（V
GS
= 0V时，我
D
= 250A)
在国家漏极电流
2
PR
1
1
焊接温度： 0.063"案件从10秒。
（重复，不重复）
4
EL
I
M
门源电压连续
IN
典型值
最大
单位
伏
安培
500
47
0.100
25
250
±100
3
5
(V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）
马克斯，V
GS
= 10V)
2
漏源导通电阻
(V
GS
= 10V ， 0.5升
D [续]
)
欧
A
nA
伏
050-5902冯 -
零栅极电压漏极电流（V
DS
= V
DSS
, V
GS
= 0V)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 0.8 V
DSS
, V
GS
= 0V ，T
C
= 125°C)
门源漏电流（V
GS
= ±30V, V
DS
= 0V)
栅极阈值电压（V
DS
= V
GS
, I
D
= 2.5毫安）
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注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
美国
405 S.W.哥伦比亚街
欧洲
德，俄勒冈州97702 -1035
F- 33700梅里捏克 - 法国
电话： （ 541 ） 382-8028
电话： （ 33 ） 5 57 92 15 15
传真： （ 541 ） 388-0364
FAX ： （ 33 ） 10 56 47 97 61
舍曼MAGRET
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
3
APT5010B2LC
测试条件
V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
V
GS
= 10V
V
GS
= 0V
民
典型值
最大
单位
5120
1030
190
145
26
73
11
12
30
6
ns
nC
pF
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
I
D
= I
D [续]
@ 25°C
V
DD
= 0.5 V
DSS
R
G
= 0.6W
V
GS
= 15V
V
DD
= 0.5 V
DSS
I
D
= I
D [续]
@ 25°C
源极 - 漏极二极管额定值和特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
特性/测试条件
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流
二极管的正向电压
1
2
Y
民
典型值
最大
单位
安培
伏
ns
C
R
A
IN
570
11.0
47
188
1.3
（体二极管）
(V
GS
= 0V时，我
S
= -I
D [续]
)
反向恢复时间（I
S
= -I
D [续]
， DL
S
/ DT = 100A / μs）内
反向恢复电荷（我
S
= -I
D [续]
， DL
S
/ DT = 100A / μs）内
符号
R
QJC
R
qJA
EL
I
热特性
特征
结到外壳
结到环境
M
民
典型值
最大
单位
° C / W
0.24
40
1
重复评价：脉冲宽度有限的最高结
2
脉冲测试：脉冲宽度< 380 μS ，占空比< 2 ％
PR
温度。
3
见MIL -STD -750方法3471
4
启动T = + 25 ° C，L = 2.26mH ， R = 25W ，峰值I = 47A
j
G
L
APT保留更改的权利，恕不另行通知，该说明和信息，包含在本文中。
T- MAX 封装外形
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
漏
20.80 (.819)
21.46 (.845)
4.50 （ 0.177 ）最大。
0.40 (.016)
0.79 (.031)
2.87 (.113)
3.12 (.123)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
19.81 (.780)
20.32 (.800)
1.01 (.040)
1.40 (.055)
050-5902冯 -
门
漏
来源
2.21 (.087)
2.59 (.102)
5.45 （ 0.215 ） BSC
2-Plcs.
尺寸以毫米（英寸）
QQ：2880707522 复制
