APT5010B2FLL
APT5010LFLL
功率MOS 7
500V 46A 0.100
B2FLL
R
FREDFET
功率MOS 7是新一代低损耗，高电压， N沟道的
增强型功率MOSFET 。这两种传导和开关
亏损显著降低R的处理与功率MOS 7
DS （ ON）
和Q
g
。功率MOS 7结合了更低的传导损耗和开关损耗
伴随着异常快速开关速度固有APT的
专利的金属栅极结构。
较低的输入电容
更高的功耗
降低米勒电容
容易驾驶
更低的栅极电荷QG
热门
T- MAX
或TO- 264封装
快速恢复体二极管
最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
V
GSM
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
I
AR
E
AR
E
AS
参数
漏源电压
连续漏电流@ T
C
= 25°C
漏电流脉冲
1
T- MAX
TO-264
LFLL
D
G
S
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT5010B2FLL_LFLL
单位
伏
安培
500
46
184
±30
±40
520
4.0
-55到150
300
50
50
4
门源电压连续
栅源电压瞬态
总功率耗散@ T
C
= 25°C
线性降额因子
工作和存储结温范围
焊接温度： 0.063"案件从10秒。
雪崩电流
1
伏
瓦
W / ℃，
°C
安培
mJ
（重复，不重复）
1
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
1600
静态电气特性
符号
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
特性/测试条件
漏源击穿电压（V
GS
= 0V时，我
D
= 250A)
漏源导通电阻
2
民
典型值
最大
单位
伏
500
0.100
250
1000
±100
3
5
(V
GS
= 10V ，我
D
= 23A)
欧
A
nA
伏
9-2004
050-7028修订版D
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 500V, V
GS
= 0V)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 400V, V
GS
= 0V ，T
C
= 125°C)
门源漏电流（V
GS
= ±30V, V
DS
= 0V)
栅极阈值电压（V
DS
= V
GS
, I
D
= 2.5毫安）
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
on
E
关闭
符号
I
S
I
SM
V
SD
dv
/
dt
APT5010B2FLL_LFLL
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
V
GS
= 10V
V
DD
= 250V
I
D
= 46A @ 25°C
电阻开关
V
GS
= 15V
V
DD
= 250V
I
D
= 46A @ 25°C
6
电感式开关@ 25°C
V
DD
= 333V, V
GS
= 15V
I
D
= 46A ，R
G
= 5
电感式开关@ 125°C
V
DD
= 333V V
GS
= 15V
I
D
= 46A ，R
G
= 5
R
G
= 0.6
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
3
民
典型值
最大
单位
pF
4360
895
60
95
24
50
11
15
25
3
545
510
845
595
民
典型值
最大
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关能量
关断开关能量
导通开关能量
关断开关能量
特性/测试条件
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流
二极管的正向电压
峰值二极管恢复
1
2
dt
6
nC
ns
J
源极 - 漏极二极管额定值和特性
单位
安培
伏
V / ns的
ns
C
安培
46
184
1.3
15
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
民
（体二极管）
(V
GS
= 0V时，我
S
= -46A)
5
dv
/
t
rr
Q
rr
I
RRM
反向恢复时间
(I
S
= -46A,
di
/
dt
= 100A / μs）内
反向恢复电荷
(I
S
= -46A,
di
/
dt
= 100A / μs）内
峰值恢复电流
(I
S
= -46A,
di
/
dt
= 100A / μs）内
特征
结到外壳
结到环境
280
600
2.28
6.41
15.7
23.6
典型值
最大
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
单位
° C / W
0.25
40
1重复额定值：脉冲宽度有限的最高结
温度
2脉冲测试：脉冲宽度< 380微秒，占空比< 2 ％
3见MIL- STD- 750方法3471
0.30
Z
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
θ
4起始物为
j
= + 25 ° C，L = 1.51mH ，R
G
= 25Ω ，峰值I
L
= 46A
5
dv
/
dt
号反映了测试电路的局限性，而不是
设备本身。
IS
≤
-
ID
46A
di
/
dt
≤
700A/s
VR
≤
500V
TJ
≤
150
°
C
6李炎包括二极管的反向恢复。参见图18，20 。
APT保留更改的权利，恕不另行通知，规格和inforation本文所载。
0.25
0.20
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
注意：
PDM
t1
t2
0.15
9-2004
0.10
050-7028修订版D
0.05
0
单脉冲
t
占空比D = 1 / T2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
10
-5
10
-3
10
-2
10
-1
矩形脉冲持续时间（秒）
图1 ，最大有效瞬态热阻抗，结点到外壳VS脉冲持续时间
10
-4
1.0
典型性能曲线
连接点
TEMP 。 （ ° C）
遥控模型
120
100
80
60
40
APT5010B2FLL_LFLL
15 &10V
8V
7.5V
7V
0.0131
0.00266F
0.0789
动力
（瓦特）
0.0811
0.00584F
I
D
，漏极电流（安培）
6.5V
0.0796F
6V
20
0
5.5V
0.230
外壳温度。 （ ° C）
0.460F
图2 ，瞬态热阻抗模型
90
I
D
，漏极电流（安培）
VDS>的ID （ON ）× R DS（ ON）的最大值。
250μSEC 。脉冲测试
@ <0.5 ％占空比
R
DS
（ON ） ，漏极至源极导通电阻
100
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图3 ，低电压输出特性
1.2
1.15
1.1
VGS=10V
1.05
VGS=20V
1.0
0.95
0.9
0
20
40
60
80
I
D
，漏极电流（安培）
图5中，R
DS
（ ON）与漏电流
归一
V
= 10V @ 23A
GS
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
TJ = + 125°C
TJ = + 25°C
TJ = -55°C
1 2
3 4 5 6 7
8
9 10
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
图4 ，传热特性
50
BV
DSS
，漏极 - 源极击穿
电压（归）
I
V
D
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
-50
I
D
，漏极电流（安培）
40
30
20
10
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图6 ，最大漏极电流与外壳温度
R
DS
（ON ） ，漏极至源极导通电阻
（归一化）
0
25
2.5
= 23A
= 10V
-25
0
25
50 75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图7 ，击穿电压与温度
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50
GS
2.0
1.5
1.0
V
GS
（ TH ） ，阈值电压
（归一化）
0.5
0.0
-50
-25
0
25 50
75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图8 ，导通电阻与温度
0
25
50
75 100 125 150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图9 ，阈值电压与温度
-25
050-7028修订版D
9-2004
184
I
D
，漏极电流（安培）
20,000
操作点这里
限制根据RDS （ ON）
APT5010B2FLL_LFLL
西塞
100
10,000
100S
C，电容（pF ）
1,000
1mS
10
10mS
科斯
100
CRSS
TC = + 25°C
TJ = + 150°C
单脉冲
1
1
10
100
500
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图10 ，最大安全工作区
I
D
0
10
20
30
40
50
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图11 ，电容VS漏极至源极电压
I
DR
，反向漏电流（安培）
10
16
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
= 46A
200
100
12
VDS=100V
8
VDS=250V
VDS=400V
TJ = + 150°C
TJ = + 25°C
10
4
20
40
60
80
100 120 140
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
图12 ，栅极电荷VS栅极至源极电压
80
70
60
t
D（上）
和T
D（关闭）
（纳秒）
V
0
0
1
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
V
SD
，源极到漏极电压（伏）
图13 ，源极 - 漏极二极管的正向电压
100
V
DD
G
= 330V
t
D（关闭）
90
80
R
= 5
T = 125°C
J
L = 100μH
t
r
和T
f
（纳秒）
50
40
30
20
10
DD
G
= 330V
70
60
50
40
30
t
D（上）
20
10
t
f
t
r
R
= 5
T = 125°C
J
L = 100μH
0
10
40
50
60
70
I
D
(A)
图14 ，延迟时间 - 电流
V
DD
G
20
30
40
50
60
70
I
D
(A)
图15 ，上升和下降时间 - 电流
2500
V
I
DD
0
10
20
30
1500
= 330V
= 330V
R
= 5
D
J
= 46A
L = 100μH
E
ON
包括
二极管的反向恢复。
开关能量（ μJ ）
1200
E
on
与ê
关闭
(J)
T = 125°C
J
2000
T = 125°C
L = 100μH
E
ON
包括
二极管的反向恢复。
E
on
E
关闭
900
1500
E
on
600
1000
9-2004
300
050-7028修订版D
E
关闭
20
30
500
40
50
60
70
I
D
(A)
图16 ，开关能量 - 电流
0
10
10 15 20 25 30 35 40 45 50
R
G
，栅极电阻（欧姆）
图17 ，交换能量 - 栅极电阻
0
0
5
APT5010B2FLL_LFLL
栅极电压
10 %
t
D（上）
t
r
漏电流
90%
栅极电压
T = 125℃
J
t
D（关闭）
漏极电压
T = 125℃
J
90%
5%
10 %
开关能量
5%
漏极电压
90%
tf
10%
开关能量
漏电流
图18 ，导通开关波形和定义
图19 ，关断开关波形和定义
APT30DF60
V
DD
I
D
V
DS
G
D.U.T.
图20 ，电感式开关测试电路
T-最大
TM
（ B2 ）封装外形
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
TO- 264 （ L）包装外形
4.60 (.181)
5.21 (.205)
1.80 (.071)
2.01 (.079)
19.51 (.768)
20.50 (.807)
3.10 (.122)
3.48 (.137)
5.79 (.228)
6.20 (.244)
漏
20.80 (.819)
21.46 (.845)
漏
25.48 (1.003)
26.49 (1.043)
4.50 （ 0.177 ）最大。
0.40 (.016)
0.79 (.031)
2.87 (.113)
3.12 (.123)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
2.29 (.090)
2.69 (.106)
19.81 (.780)
21.39 (.842)
2.29 (.090)
2.69 (.106)
1.01 (.040)
1.40 (.055)
门
漏
来源
0.48 (.019)
0.84 (.033)
2.59 (.102)
3.00 (.118)
2.21 (.087)
2.59 (.102)
5.45 （ 0.215 ） BSC
2-Plcs.
这些尺寸是相等的TO-247 ，而不安装孔。
尺寸以毫米（英寸）
5.45 （ 0.215 ） BSC
2-Plcs.
尺寸以毫米（英寸）
APT的产品受一个或多个USpatents 4895810的5045903 5089434 5182234 5019522
5262336 6503786 5256583 4748103 5283202 5231474 5434095 5528058和外国专利。美国和外国专利正在申请中。版权所有。
050-7028修订版D
0.76 (.030)
1.30 (.051)
2.79 (.110)
3.18 (.125)
9-2004
19.81 (.780)
20.32 (.800)
门
漏
来源
QQ：2881677436 复制
