APT47N60BC3
APT47N60SC3
600V 47A 0.070
D
3
PAK
超级结MOSFET
TO-247
OLMOS
O
功率半导体
超低低R
DS
(
ON
)
低米勒电容
超低栅极电荷，Q
g
额定雪崩能量
TO- 247或表面贴装
3
PAK封装
最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
V
GSM
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
dv
/
dt
D
G
S
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT47N60BC3_SC3
单位
伏
安培
参数
漏源电压
连续漏电流@ T
C
= 25°C
漏电流脉冲
1
600
47
141
±20
±30
417
3.33
-55到150
260
50
20
1
4
门源电压连续
栅源电压瞬态
总功率耗散@ T
C
= 25°C
线性降额因子
工作和存储结温范围
焊接温度： 0.063"案件从10秒。
漏源电压斜率（V
DS
= 480V ，我
D
= 47A ，T
J
= 125°C)
重复性雪崩电流
重复性雪崩能量
7
7
伏
瓦
W / ℃，
°C
V / ns的
安培
mJ
I
AR
E
AR
E
AS
单脉冲雪崩能量
1800
静态电气特性
符号
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
特性/测试条件
漏源击穿电压（V
GS
= 0V时，我
D
= 250A)
漏源导通电阻
2
民
典型值
最大
单位
伏
600
0.06
0.5
0.07
25
250
±100
2.10
3
3.9
(V
GS
= 10V ，我
D
= 30A)
欧
A
nA
伏
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 600V, V
GS
= 0V)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 600V, V
GS
= 0V ，T
J
= 150°C)
门源漏电流（V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V)
栅极阈值电压（V
DS
= V
GS
, I
D
= 2.7毫安）
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
"COOLMOS
包括由英飞凌科技股份公司研制的晶体管的一个新的家庭。 "COOLMOS"是与贸易
英飞凌科技AG"大关
050-7144冯ê
4-2004
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
on
E
关闭
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
3
APT47N60BC3_SC3
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
V
GS
= 10V
V
DD
= 300V
I
D
= 47A @ 25°C
电阻开关
V
GS
= 13V
V
DD
= 380V
I
D
= 47A @ 125°C
R
G
= 1.8
6
电感式开关@ 25°C
V
DD
= 400V, V
GS
= 15V
I
D
= 47A ，R
G
= 5
6
电感式开关@ 125°C
V
DD
= 400V V
GS
= 15V
I
D
= 47A ，R
G
= 5
民
典型值
最大
单位
7015
2565
210
260
29
110
18
27
110
8
670
980
1100
1200
民
典型值
最大
单位
安培
伏
ns
C
nC
pF
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller " ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关能量
关断开关能量
导通开关能量
关断开关能量
ns
J
源极 - 漏极二极管额定值和特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
dv
/
dt
特性/测试条件
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流
二极管的正向电压
1
2
47
141
1.2
580
23
6
民
典型值
最大
（体二极管）
(V
GS
= 0V时，我
S
= -
47A
)
反向恢复时间（I
S
= -
47A
， DL
S
/ DT = 100A / μs的，V
R
= 350V)
反向恢复电荷（我
S
= -
47A
， DL
S
/ DT = 100A / μs的，V
R
= 350V)
峰值二极管恢复
dv
/
dt
5
V / ns的
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
特征
结到外壳
结到环境
单位
° C / W
0.30
62
1重复额定值：脉冲宽度有限的最高结
温度
2脉冲测试：脉冲宽度< 380微秒，占空比< 2 ％
3见MIL- STD- 750方法3471
APT保留更改的权利，恕不另行通知，该说明和信息，包含在本文中。
0.35
Z
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
θ
4起始物为
j
= + 25 ° C，L = 36.0mH ，R
G
= 25Ω ，峰值I
L
= 10A
5
dv
/
dt
号反映了测试电路的局限性，而不是
设备本身。
IS
≤
-
ID
47A
di
/
dt
≤
700A/s
VR
≤
VDSS TJ
≤
150
°
C
6李炎包括二极管的反向恢复。参见图18，20 。
7 Repetitve雪崩造成额外的功率损耗，可以
计算公式为
P
AV
=E
AR
*f
0.30
0.25
0.9
0.7
0.20
0.15
0.10
0.05
0
0.5
0.3
单脉冲
0.1
0.05
10
-5
10
-3
10
-2
10
-1
矩形脉冲持续时间（秒）
图1 ，最大有效瞬态热阻抗，结点到外壳VS脉冲持续时间
10
-4
1.0
注意：
PDM
t1
t2
t
占空比D = 1 / T2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
050-7144冯ê
4-2004
典型性能曲线
遥控模型
连接点
TEMP 。 （ ° C）
0.0136
0.00308
180
160
I
D
，漏极电流（安培）
APT47N60BC3_SC3
VGS = 15 & 10V
6.5V
140
120
100
80
60
40
20
0
4.5V
4V
5.5V
5V
6V
0.0289
动力
（瓦特）
0.0988
0.00145
0.00948
0.158
外壳温度（ ° C）
0.231
图2 ，瞬态热阻抗模型
VDS>的ID （ON ）× R DS（ ON）的最大值。
250微秒。脉冲测试
@ <0.5 ％占空比
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图3 ，低电压输出特性
R
DS
（ON ） ，漏极至源极导通电阻
120
I
D
，漏极电流（安培）
1.40
V
GS
归一
= 10V @ 23.5A
100
80
60
40
20
0
1.30
1.20
1.10
1.00
VGS=20V
0.90
0.80
TJ = -55°C
TJ = + 25°C
TJ = + 125°C
VGS=10V
0
1
2
3
4
5
6
7
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
图4 ，传热特性
0
50
BV
DSS
，漏极 - 源极击穿
电压（归）
1.15
20 30 40 50 60 70 80 90
I
D
，漏极电流（安培）
图5中，R
DS
（ ON）与漏电流
10
I
D
，漏极电流（安培）
40
1.10
30
1.05
20
1.00
10
0.95
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图6 ，最大漏极电流与外壳温度
R
DS
（ON ） ，漏极至源极导通电阻
（归一化）
0
25
0.90
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图7 ，击穿电压与温度
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50
3
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
-50
I
V
D
= 47A
= 10V
GS
V
GS
（ TH ） ，阈值电压
（归一化）
-25
0
25 50
75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图8 ，导通电阻与温度
-25
0
25
50
75 100 125 150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图9 ，阈值电压与温度
050-7144冯ê
4-2004
典型性能曲线
188
100
50
操作点这里
限制根据RDS （ ON）
30,000
10,000
C，电容（pF ）
APT47N60BC3_SC3
西塞
I
D
，漏极电流（安培）
1,000
科斯
10
5
TC = + 25°C
TJ = + 150°C
单脉冲
100S
100
CRSS
1mS
10mS
10
1
1
10
100
600
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图10 ，最大安全工作区
I
D
= 47A
I
DR
，反向漏电流（安培）
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
16
0
10
20
30
40
50
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图11 ，电容VS漏极至源极电压
200
100
TJ = + 150°C
TJ = + 25°C
10
12
VDS = 120V
8
VDS = 300V
VDS = 480V
4
100 150 200 250 300 350 400
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
图12 ，栅极电荷VS栅极至源极电压
350
300
250
200
150
100
50
0
t
D（关闭）
V
= 400V
0
0
50
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
V
SD
，源极到漏极电压（伏）
图13 ，源极 - 漏极二极管的正向电压
120
100
80
V
DD
G
1
= 400V
R
= 5
T = 125°C
J
L = 100μH
DD
G
t
f
t
D（上）
和T
D（关闭）
（纳秒）
R
= 5
T = 125°C
J
t
r
和T
f
（纳秒）
L = 100μH
60
40
20
t
r
t
D（上）
0
40
50
60
70
80
I
D
(A)
图14 ，延迟时间 - 电流
V
DD
G
10
20
30
40 50 60
70
80
I
D
(A)
图15 ，上升和下降时间 - 电流
4500
V
I
DD
0
0
10
20
30
2500
= 400V
R
= 5
= 400V
E
关闭
开关能量（ μJ ）
4000
3500
3000
2500
2000
1500
1000
500
D
J
= 47A
E
关闭
2000
开关能量（ μJ ）
T = 125°C
J
T = 125°C
L = 100μH
E
ON
包括
二极管的反向恢复。
L = 100μH
E
ON
包括
二极管的反向恢复。
1500
1000
4-2004
E
on
500
E
on
050-7144冯ê
40
50
60
70 80
I
D
(A)
图16 ，开关能量 - 电流
0
0
10
20
30
10 15 20 25 30 35 40 45 50
R
G
，栅极电阻（欧姆）
图17 ，交换能量 - 栅极电阻
0
0
5
典型性能曲线
APT47N60BC3_SC3
10%
t
D（上）
栅极电压
T
J
= 125 C
90%
栅极电压
T
J
= 125 C
t
D（关闭）
t
f
90%
t
r
90%
5%
开关能量
集电极电流
集电极电流
10%
5%
集电极电压
集电极电压
开关能量
0
10%
图18 ，导通开关波形和定义
图19 ，关断开关波形和定义
APT30DF60
V
DD
I
C
V
CE
G
D.U.T.
图20 ，电感式开关测试电路
TO- 247封装外形
漏
（散热器）
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
6.15 （ 0.242 ） BSC
PAK封装外形
4.98 (.196)
5.08 (.200)
1.47 (.058)
1.57 (.062)
15.95 (.628)
16.05 (.632)
13.41 (.528)
13.51 (.532)
3
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
1.04 (.041)
1.15 (.045)
漏
20.80 (.819)
21.46 (.845)
3.50 (.138)
3.81 (.150)
修订
4/18/95
13.79 (.543)
13.99 (.551)
修订
8/29/97
11.51 (.453)
11.61 (.457)
0.46 (.018)
0.56 （ 0.022 ） { 3 }的PLC
4.50 （ 0.177 ）最大。
0.40 (.016)
0.79 (.031)
2.87 (.113)
3.12 (.123)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
1.01 (.040)
1.40 (.055)
19.81 (.780)
20.32 (.800)
2.21 (.087)
2.59 (.102)
5.45 （ 0.215 ） BSC
2-Plcs.
尺寸以毫米（英寸）
来源
漏
门
单位为毫米（英寸）
APT的产品受一个或多个USpatents 4895810的5045903 5089434 5182234 5019522
5262336 6503786 5256583 4748103 5283202 5231474 5434095 5528058和外国专利。美国和外国专利正在申请中。版权所有。
050-7144冯ê
门
漏
来源
5.45 （ 0.215 ） BSC
{ 2的PLC。 }
散热器（漏）
并导致
镀
4-2004
0.020 (.001)
0.178 (.007)
2.67 (.105)
2.84 (.112)
1.27 (.050)
1.40 (.055)
1.98 (.078)
2.08 (.082)
1.22 (.048)
1.32 (.052)
3.81 (.150)
4.06 (.160)
（铅基）
QQ：2881677436 复制
