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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第458页 > APT47GA60JD40
APT47GA60JD40
600V
高速PT IGBT
E
E
功率MOS 8
是一种高速穿通型开关模式IGBT 。低辐射
关闭
实现
27
-2
C
G
通过领先的技术，芯片设计和寿命控制过程。降低ê
关闭
-
T
SO
V
CE （ON）的
权衡的结果优于EF网络效率比其他IGBT技术。低
栅极电荷和C的大大降低比例
水库
/C
IES
提供卓越的抗噪声能力，短
"UL Recognized"
ISOTOP
延迟时间和简单的栅极驱动。的本征芯片栅极的电阻和电容
APT47GA60JD40
聚硅氧烷的栅极结构可以帮助控制di / dt的切换，从而导致低的EMI ，即使在
当在高频率切换。
康贝（ IGBT和二极管）
文件＃ E145592
特点
快速，低EMI转换
非常低辐射
关闭
为实现最大的效率
超低低C
水库
为提高抗干扰
低传导损耗
低栅极电荷
低EMI增加的固有栅极电阻
符合RoHS
典型应用
ZVS移相和其他全桥
半桥
高功率PFC升压
焊接
UPS ，太阳能，以及其他逆变器
高频率，高英法fi工业效率
绝对最大额定值
符号
V
CES
I
C1
I
C2
I
CM
V
GE
P
D
SSOA
T
J
, T
英镑
T
L
参数
集电极 - 发射极电压
连续集电极电流@ T
C
= 25°C
连续集电极电流@ T
C
= 100°C
集电极电流脉冲
1
栅极 - 发射极电压
2
总功率耗散@ T
C
= 25°C
开关安全工作区@ T
J
= 150°C
工作和存储结温范围
无铅焊接温度： 0.063"案件从10秒
评级
600
87
47
139
±30
283
139A @ 600V
-55到150
300
单位
V
A
V
W
°C
静态特性
符号
V
BR （CES）上
V
CE （ON）的
V
GE （日）
I
CES
I
GES
T
J
= 25 ° C除非另有规定编
测试条件
V
GE
= 0V时，我
C
= 1.0毫安
V
GE
= 15V,
I
C
= 47A
V
CE
= 600V,
V
GE
= 0V
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
3
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
参数
集电极 - 发射极击穿电压
电压集电极 - 发射极
门射阈值电压
零栅极电压集电极电流
栅极 - 发射极漏电流
民
600
典型值
2.0
1.9
4.5
最大
2.5
6
275
3000
±100
单位
V
V
GE
=V
CE
, I
C
= 1毫安
μA
nA
052-6338修订版B 4 - 2009
V
GS
= ±30V
Microsemi的网站 - http://www.microsemi.com
动态特性
符号
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
Q
ge
Q
gc
SSOA
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on2
E
关闭
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on2
E
关闭
T
J
= 25 ° C除非另有规定编
测试条件
电容
V
GE
= 0V, V
CE
= 25V
F = 1MHz的
栅极电荷
V
GE
= 15V
V
CE
= 300V
I
C
= 47A
T
J
= 150℃ ，R
G
= 4.7Ω
4
, V
GE
= 15V,
L = 100UH ，V
CE
= 600V
电感式开关（ 25 ° C）
V
CC
= 400V
V
GE
= 15V
I
C
= 47A
R
G
= 4.7Ω
4
T
J
= +25°C
电感式开关（ 125°C ）
V
CC
= 400V
V
GE
= 15V
I
C
= 47A
R
G
= 4.7Ω
4
6
APT47GA60JD40
民
典型值
6320
580
63
226
46
78
139
24
26
158
56
1119
693
23
28
190
109
1984
1037
μJ
ns
μJ
ns
A
nC
pF
参数
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
3
最大
单位
栅极 - 射极电荷
栅极电荷收集
开关安全工作区
导通延迟时间
电流上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
导通开关能量
关断开关能量
6
导通延迟时间
电流上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
导通开关能量
关断开关能量
T
J
= +125°C
热和机械特性
符号
R
θJC
R
θJC
W
T
V
隔离
特征
结到外壳热阻（ IGBT ）
结到外壳热阻（二极管）
包装重量
RMS电压
（ 50-60赫兹正弦波形，从终端到安装底座，持续1分钟。 ）
民
-
典型值
-
最大
.44
1.21
单位
° C / W
g
·在磅
-
2500
29.2
-
1重复额定值：脉冲宽度和温度的情况下，通过限制最高结温。
2脉冲测试：脉冲宽度< 380μs ，占空比< 2 ％ 。
3见MIL- STD- 750方法3471 。
4 R
G
是外部栅极电阻，不包括内部栅极电阻或栅极驱动器阻抗。 （ MIC4452 ）
5 E
on2
是对能源的钳位感性转弯，其中包括在IGBT导通损耗的能量一个整流二极管的反向恢复电流。一个组合式的设备用于
钳位二极管。
6 E
关闭
是按照JEDEC标准JESD24-1测定的钳位感性关断能量。
Microsemi的保留权利更改，恕不另行通知，此处包含的说明和信息。
052-6338修订版B 4 - 2009
典型性能曲线
150
V
GE
APT47GA60JD40
350
300
I
C
，集电极电流（ A）
15V 13V
10V
9V
= 15V
I
C
，集电极电流（ A）
125
100
75
50
25
0
T
J
= 55°C
T
J
= 150°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
250
200
8V
150
100
50
0
7V
6V
5V
0
4
8
12 16 20 24 28 32
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
图2中，输出特性（T
J
= 25°C)
I = 47A
C
中T = 25℃
J
0
1
2
3
4
5
6
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
图1中，输出特性（T
J
= 25°C)
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）
250μs的脉冲
TEST<0.5 ％占空比
周期
100
20
I
C
，集电极电流（ A）
80
15
V
CE
= 120V
V
CE
= 300V
60
10
V
CE
= 480V
5
40
T
J
= 125°C
20
T
J
= 25°C
T
J
= -55°C
0
0
4
6
8
10 12 14 16
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）
图3 ，传输特性
T
J
= 25°C.
250μs的脉冲测试
<0.5 ％占空比
2
0
0
5
50
100
150
200
栅极电荷（ NC）
图4中，栅极电荷
250
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
4
3
4
I
C
= 94A
I
C
= 47A
2
I
C
= 23.5A
1
V
GE
= 15V.
250μs的脉冲测试
<0.5 ％占空比
I
C
= 94A
I
C
= 47A
3
2
I
C
= 23.5A
1
0
6
8
10
12
14
16
0
0
25
50
75
100
125
150
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）
图5 ，通态电压VS门极 - 发射极电压
1.15
T
J
，结温（ ° C）
图6 ，通态电压VS结温
120
100
80
60
40
20
0
052-6338修订版B 4 - 2009
V
GS （ TH）
阈值电压
（归一化）
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
0.80
0.75
0.70
I
C
， DC集电极电流（ A）
0
25 50 75 100 125 150
T
J
，结温
图7 ，阈值电压随结温
-50 -25
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图8 ， DC集电极电流与外壳温度
25
典型性能曲线
50
t
D（关闭）
，关断延迟时间（纳秒）
t
D（上）
，导通延迟时间（纳秒）
200
APT47GA60JD40
40
V
GE
= 15V
175
V
GE
=15V,T
J
=125°C
30
150
V
GE
=15V,T
J
=25°C
20
10
V
CE
= 400V
T
J
= 25°C
,
或125°C
R
G
= 4.7Ω
L = 100μH
125
V
CE
=
400V
R
G
=
4.7Ω
L = 100μH
0
20
40
60
80
100
I
CE
，集电极 - 发射极电流（A ）
图9 ，导通延迟时间与集电极电流
100
R
G
=
4.7Ω, L
=
100
μ
H，V
CE
=
400V
0
100
0
20
40
60
80
100
I
CE
，集电极 - 发射极电流（A ）
图10 ，关闭延迟时间与集电极电流
R
G
=
4.7Ω, L
=
100
μ
H，V
CE
=
400V
T
J
=
125°C ，V
GE
=
15V
140
120
100
80
t
r
，上升时间（ NS ）
t
r
，下降时间（ NS ）
60
80
60
40
20
0
40
T
J
=
25 ° C，V
GE
=
15V
20
T
J
=
25或125°C ，V
GE
=
15V
0
20
40
60
80
100
I
CE
，集电极 - 发射极电流（A ）
图11 ，电流上升时间与集电极电流
5000
0
E
关闭
,
TURN OFF能量损失（ μJ ）
E
on2
,
开启能量损失（ μJ ）
V
= 400V
CE
V
= +15V
GE
R = 4.7Ω
G
0
20
40
60
80
100
I
CE
，集电极 - 发射极电流（A ）
图12 ，电流下降时间与集电极电流
4000
3500
3000
2500
2000
1500
1000
500
0
20
40
60
80
100
I
CE
，集电极 - 发射极电流（A ）
图14 ，关断能量损耗VS集电极电流
5000
V
= 400V
CE
V
= +15V
GE
R = 4.7Ω
G
V
= 400V
CE
V
= +15V
GE
R = 4.7Ω
G
4000
T
J
=
125°C
3000
T
J
=
125°C
2000
1000
T
J
=
25°C
T
J
=
25°C
0
20
40
60
80
100
I
CE
，集电极 - 发射极电流（A ）
图13 ，开启能量损耗VS集电极电流
15000
开关损耗（ μJ ）
V
= 400V
CE
V
= +15V
GE
T = 125°C
J
0
0
12000
E
on2,
94A
开关损耗（ μJ ）
4000
E
on2,
94A
9000
E
on2,
94A
3000
E
on2,
94A
052-6338修订版B 4 - 2009
6000
2000
E
关，
47A
E
关，
47A
E
on2,
23.5A
E
关，
23.5A
3000
E
on2,
47A
E
关，
47A
E
关，
23.5A
E
on2,
23.5A
1000
10
20
30
40
50
R
G
，栅极电阻（欧姆）
图15 ，开关损耗VS栅极电阻
0
0
25
50
75
100
125
T
J
，结温（ ° C）
图16 ，开关损耗VS结温
0
0
典型性能曲线
10,000
C
IES
I
C
，集电极电流（ A）
800
APT47GA60JD40
C，电容（pF ）
100
1,000
C
OES
100
C
水库
10
1
0
100
200
300
400
500
600
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
图17 ，电容VS集电极 - 发射极电压
10
1
10
100
1000
V
CE
，集电极 - 发射极电压
图18 ，最小开关安全工作区
0.1
0.50
Z
θ
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
0.45
0.40
0.35
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0
10
-5
0.1
0.05
10
-4
单脉冲
0.3
0.5
注意：
D = 0.9
0.7
PDM
t1
t2
占空比D =
1
/
t2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
t
10
-2
10
-3
0.1
1
矩形脉冲持续时间（秒）
图19A ，最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间
10
T
J
(°C)
T
C
(°C)
耗散功率
（瓦特）
.0059
.2413
0.0802
Z
EXT
是外热
阻抗：案例下沉，
下沉到环境等设置为
只有建模时零
的情况下结。
图19B ，瞬态热阻抗模型
Z
EXT
.0925
.26312
.0828
052-6338修订版B 4 - 2009
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AWT6224RM28P9
ASRD703B
AMS1084CD-2.5
ADM6315-35D4ART-RL
AM27S49A-45DC
AME8501AEEVCE42
APA4838RI-TR
AAT2554IRN-CAP-T1
AS339P-E1
AM29LV800BB80FCB
AMC002CFLKA-150
ADS1205IRGETG4
AM29LV800BT-90EK
AH174D-WA-B
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    -
    -
    -
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