APT45M100J
1000V ，45A ， 0.18Ω最大
N沟道MOSFET
功率MOS 8
是一个高速，高电压的N沟道开关模式功率MOSFET。
一个专有的平面条形设计产量出色的可靠性和可制造性。低
开关损耗，实现低输入电容和超低低C
RSS
"Miller"电容
距离。多晶硅栅极结构的固有栅极电阻和电容
帮助控制转换速率切换过程中，从而导致低EMI和可靠并联，
即使在非常高的频率切换。在反激式的可靠性，提升，前进，
其它电路是由高雪崩能量的能力增强。
S
G
D
S
SO
T
2
-2
7
"UL Recognized"
ISOTOP
文件＃ E145592
APT45M100J
单芯片MOSFET
G
D
S
特点
快速，低EMI / RFI开关
低R
DS （ ON）
超低低C
RSS
为提高抗干扰
低栅极电荷
额定雪崩能量
符合RoHS
典型应用
PFC等升压转换器
降压转换器
双开关正激（非对称桥）
单开关正激
反激式
逆变器
绝对最大额定值
符号
I
D
I
DM
V
GS
E
AS
I
AR
参数
连续漏电流@ T
C
= 25°C
连续漏电流@ T
C
= 100°C
漏电流脉冲
栅源电压
单脉冲雪崩能量
2
雪崩电流，重复或不重复
1
评级
45
28
260
±30
4075
33
单位
A
V
mJ
A
热和机械特性
符号
P
D
R
θ
JC
R
θ
CS
T
J
,T
英镑
V
隔离
W
T
特征
总功率耗散@ T
C
= 25°C
结到外壳热阻
案件散热器的热阻，平面，脂表面
工作和存储结温范围
RMS电压
（ 50-60hHz正弦波形，从终端到安装底座，持续1分钟。 ）
包装重量
-55
2500
1.03
29.2
力矩
10
端子和安装螺钉。
1.1
MicrosemiWebsite -HTTP ： //www.microsemi.com
0.11
150
°C
V
5-2009
050-8089
版本B
民
典型值
最大
960
0.13
单位
W
° C / W
oz
g
·在磅
N·m的
静态特性
符号
V
BR （ DSS ）
ΔV
BR （ DSS ）
/ΔT
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
ΔV
GS （ TH）
/ΔT
J
I
DSS
I
GSS
T
J
= 25 ° C除非另有规定编
测试条件
V
GS
= 0V
,
I
D
= 250A
参考至25℃ ，我
D
= 250A
V
GS
= 10V
,
I
D
= 33A
V
GS
= V
DS
,
I
D
= 2.5毫安
V
DS
= 1000V
V
GS
= 0V
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
APT45M100J
典型值
1.15
0.16
4
-10
最大
单位
V
V /°C的
Ω
V
毫伏/°C的
A
nA
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度COEF网络cient
漏源导通电阻
3
门源阈值电压
阈值电压温度COEF网络cient
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
民
1000
3
0.18
5
100
500
±100
V
GS
= ±30V
动态特性
符号
g
fs
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
C
O（ CR ）
C
O（ ER ）
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
4
T
J
= 25 ° C除非另有规定编
测试条件
V
DS
= 50V
,
I
D
= 33A
V
GS
= 0V
,
V
DS
= 25V
F = 1MHz的
参数
正向跨导
输入电容
反向传输电容
输出电容
有效的输出电容，相关负责
民
典型值
75
18500
245
1555
635
最大
单位
S
pF
V
GS
= 0V
,
V
DS
= 0V至667V
5
有效的输出电容，能源相关
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
电流上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
V
GS
= 0至10V
,
I
D
= 33A,
V
DS
= 500V
电阻开关
V
DD
= 667V
,
I
D
= 33A
R
G
= 2.2Ω
6
,
V
GG
= 15V
325
570
100
270
85
75
285
70
nC
ns
源极 - 漏极二极管的特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
dv / dt的
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
1
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
山顶恢复的dv / dt
测试条件
MOSFET符号
展示
整体逆转的p-n
结二极管
（体二极管）
民
D
典型值
最大
45
单位
G
S
A
260
1.0
1300
47
10
V
ns
C
V / ns的
I
SD
= 33A
,
T
J
= 25 ° C，V
GS
= 0V
I
SD
= 33A
3
di
SD
/
DT = 100A / μs的，T
J
= 25°C
I
SD
≤
33A ， di / dt的
≤1000A/s,
V
DD
= 667V,
T
J
= 125°C
1重复额定值：脉冲宽度和温度的情况下，通过限制最高结温。
2开始在T
J
= 25℃时，L = 7.48mH ，R
G
= 2.2Ω, I
AS
= 33A.
3脉冲测试：脉冲宽度< 380μs ，占空比< 2 ％ 。
4 C
O（ CR ）
是德网络定义为一个固定电容用相同的存储电荷为C
OSS
随着V
DS
的V = 67 ％
（ BR ） DSS
.
5 C
O（ ER ）
是德网络定义为一个固定电容具有相同储存的能量为C
OSS
随着V
DS
的V = 67 ％
（ BR ） DSS
。为了计算
O（ ER ）
为任意值
V
DS
小于V
（ BR ） DSS ，
使用这个公式：C
O（ ER ）
= -5.37E - 7 / V
DS
^ 2 + 9.48E - 8 / V
DS
+ 1.83E-10.
版本B 5-2009
6 R
G
是外部栅极电阻，不包括内部栅极电阻或栅极驱动器阻抗。 （ MIC4452 ）
Microsemi的保留权利更改，恕不另行通知，此处包含的说明和信息。
050-8089
APT45M100J
200
V
70
GS
= 10V
T = 125°C
J
180
160
I
D
，漏电流（ A）
140
120
100
80
60
40
20
0
T
J
= -55°C
60
I
D
， DRIAN电流（A）
V
GS
= 6 ，7，8 & 9V
50
40
30
20
10
0
4.5V
5V
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
T
J
= 150°C
0
5
10
15
20
25
30
V
DS （ ON）
，漏极至源极电压（ V）
图1中，输出特性
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图2中，输出特性
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
3.0
归一
V
GS
= 10V @ 33A
250
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）
马克斯。
250μSEC 。脉冲测试
@ <0.5 ％占空比
2.5
I
D
，漏电流（ A）
200
2.0
150
T
J
= -55°C
T
J
= 25°C
1.5
100
1.0
T
J
= 125°C
0.5
0
-55 -25
0
25 50 75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图3中，R
DS （ ON）
VS结温
90
80
50
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
图4 ，传热特性
30,000
10,000
C，电容（pF ）
T
J
= -55°C
C
国际空间站
g
fs
，跨导
70
60
T
J
= 25°C
50
T
J
= 125°C
1000
40
30
20
C
OSS
100
C
RSS
10
0
0
10
20
30
I
D
，漏电流（ A）
图5 ，增益VS漏电流
I
D
= 33A
40
10
200
400
600
800
1000
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图6 ，电容VS漏 - 源极电压
0
16
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
I
SD ，
反向漏电流（ A）
14
12
V
DS
=
200V
250
200
10
V
DS
=
500V
150
T
J
= 25°C
8
6
V
DS
=
800V
100
T
J
= 150°C
4
2
100 200 300 400 500 600 700 800
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
图7 ，栅极电荷VS门 - 源极电压
0
0
50
050-8089
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
图8 ，反向漏电流与源极到漏极电压
0
0
版本B
5-2009
APT45M100J
300
100
I
D
，漏电流（ A）
I
300
100
I
D
，漏电流（ A）
I
DM
DM
10
13s
100s
RDS （ ON）
1ms
10ms
100ms
T
J
=
125°C
T
C
=
75°C
DC线
10
13s
100s
1ms
RDS （ ON）
10ms
100ms
DC线
T
J
=
150°C
T
C
=
25°C
1
1
缩放为不同的案例&结
温度：
I
D
=
I
D（ T为25
°
C)
*(
T
J
-
T
C
)/125
0.1
1
10
100
1000
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图9 ，正向安全工作区
0.1
C
10
100
1000
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图10 ，最大正向安全工作区
1
0.14
0.12
0.10
0.08
0.5
0.06
0.04
0.02
0
0.3
注意：
Z
θ
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
D = 0.9
0.7
PDM
t1
t2
t
1
=脉冲持续时间
0.1
0.05
10
-5
单脉冲
10
-4
占空比D =
1
/
t2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
t
10
-3
10
-2
10
-1
矩形脉冲持续时间（秒）
图11.最大有效瞬态热阻抗结到外壳与脉冲持续时间
1.0
SOT- 227 （ ISOTOP
）包装外形
31.5 (1.240)
31.7 (1.248)
7.8 (.307)
8.2 (.322)
W=4.1 (.161)
W=4.3 (.169)
H=4.8 (.187)
H=4.9 (.193)
（4处）
11.8 (.463)
12.2 (.480)
8.9 (.350)
9.6 (.378)
六角螺母M4
（4处）
r = 4.0 (.157)
（ 2处）
4.0 (.157)
4.2 (.165)
（ 2处）
25.2 (0.992)
0.75 (.030) 12.6 (.496) 25.4 (1.000)
0.85 (.033) 12.8 (.504)
3.3 (.129)
3.6 (.143)
1.95 (.077)
2.14 (.084)
版本B 5-2009
14.9 (.587)
15.1 (.594)
30.1 (1.185)
30.3 (1.193)
38.0 (1.496)
38.2 (1.504)
*资料来源
漏
*发射极端子短路
在内部。目前的处理
能力是相等的任一
源极端子。
*资料来源
尺寸以毫米（英寸）
门
050-8089
ISOTOP
是意法半导体NV的注册商标。 Microsemi的产品受一个或多个USpatents 4895810的5045903 5089434 5182234
5019522 5262336 6503786 5256583 4748103 5283202 5231474 5434095 5528058和外国专利。美国和外国专利正在申请中。版权所有。
APT45M100J
1000V ，45A ， 0.18Ω最大
N沟道MOSFET
功率MOS 8
是一个高速，高电压的N沟道开关模式功率MOSFET。
一个专有的平面条形设计产量出色的可靠性和可制造性。低
开关损耗，实现低输入电容和超低低C
RSS
"Miller"电容
距离。多晶硅栅极结构的固有栅极电阻和电容
帮助控制转换速率切换过程中，从而导致低EMI和可靠并联，
即使在非常高的频率切换。在反激式的可靠性，提升，前进，
其它电路是由高雪崩能量的能力增强。
S
G
D
S
SO
T
2
-2
7
ISOTOP
"UL Recognized"
文件＃ E145592
APT45M100J
G
D
单芯片MOSFET
S
特点
快速，低EMI / RFI开关
低R
DS （ ON）
超低低C
RSS
为提高抗干扰
低栅极电荷
额定雪崩能量
符合RoHS
典型应用
PFC等升压转换器
降压转换器
双开关正激（非对称桥）
单开关正激
反激式
逆变器
绝对最大额定值
符号
I
D
I
DM
V
GS
E
AS
I
AR
参数
连续漏电流@ T
C
= 25°C
连续漏电流@ T
C
= 100°C
漏电流脉冲
栅源电压
单脉冲雪崩能量
2
雪崩电流，重复或不重复
1
评级
45
28
260
±30
4075
33
单位
A
V
mJ
A
热和机械特性
符号
P
D
R
θ
JC
R
θ
CS
T
J
,T
英镑
V
隔离
W
T
特征
总功率耗散@ T
C
= 25°C
结到外壳热阻
案件散热器的热阻，平面，脂表面
工作和存储结温范围
RMS电压
（ 50-60hHz正弦波形，从终端到安装底座，持续1分钟。 ）
包装重量
-55
2500
1.03
29.2
10
1.1
0.11
150
民
典型值
最大
960
0.13
单位
W
° C / W
°C
V
oz
g
·在磅
N·m的
10-2006
050-8089
REV A
力矩
端子和安装螺钉。
Microsemi的网站 - http://www.microsemi.com
静态特性
符号
V
BR （ DSS ）
V
BR （ DSS ）
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
/T
J
I
DSS
I
GSS
T
J
= 25 ° C除非另有规定编
测试条件
V
GS
= 0V
,
I
D
= 250A
参考至25℃ ，我
D
= 250A
V
GS
= 10V
,
I
D
= 33A
APT45M100J
典型值
1.15
最大
单位
V
V /°C的
V
毫伏/°C的
A
nA
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度COEF网络cient
漏源导通电阻
3
门源阈值电压
阈值电压温度COEF网络cient
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
民
1000
V
GS
= V
DS
,
I
D
= 2.5毫安
V
DS
= 1000V
V
GS
= 0V
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
3
0.16
4
-10
0.18
5
100
500
±100
V
GS
= ±30V
动态特性
符号
g
fs
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
C
O（ CR ）
C
O（ ER ）
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
4
T
J
= 25 ° C除非另有规定编
测试条件
V
DS
= 50V
,
I
D
= 33A
V
GS
= 0V
,
V
DS
= 25V
F = 1MHz的
参数
正向跨导
输入电容
反向传输电容
输出电容
有效的输出电容，相关负责
民
典型值
75
18500
245
1555
635
最大
单位
S
pF
5
V
GS
= 0V
,
V
DS
= 0V至667V
有效的输出电容，能源相关
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
电流上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
V
GS
= 0至10V
,
I
D
= 33A,
V
DS
= 500V
电阻开关
V
DD
= 667V
,
I
D
= 33A
R
G
= 2.2
6
,
V
GG
= 15V
325
570
100
270
85
75
285
70
nC
ns
源极 - 漏极二极管的特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
dv / dt的
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
1
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
山顶恢复的dv / dt
测试条件
MOSFET符号
展示
整体逆转的p-n
结二极管
（体二极管）
民
D
典型值
最大
45
单位
A
G
S
3
260
1.0
1300
47
10
V
ns
C
V / ns的
I
SD
= 33A
,
T
J
= 25 ° C，V
GS
= 0V
I
SD
= 33A
di
SD
/
DT = 100A / μs的，T
J
= 25°C
I
SD
≤ 33A ， di / dt的≤1000A /微秒，V
DD
= 667V,
T
J
= 125°C
1重复额定值：脉冲宽度和温度的情况下，通过限制最高结温。
2开始在T
J
= 25℃时，L = 7.48mH ，R
G
= 2.2, I
AS
= 33A.
3脉冲测试：脉冲宽度< 380μs ，占空比< 2 ％ 。
4 C
O（ CR ）
是德网络定义为一个固定电容用相同的存储电荷为C
OSS
随着V
DS
的V = 67 ％
（ BR ） DSS
.
5 C
O（ ER ）
是德网络定义为一个固定电容具有相同储存的能量为C
OSS
随着V
DS
的V = 67 ％
（ BR ） DSS
。为了计算
O（ ER ）
为任意值
10-2006
V
DS
小于V
（ BR ） DSS ，
使用这个公式：C
O（ ER ）
= -5.37E - 7 / V
DS
^ 2 + 9.48E - 8 / V
DS
+ 1.83E-10.
6 R
G
是外部栅极电阻，不包括内部栅极电阻或栅极驱动器阻抗。 （ MIC4452 ）
Microsemi的保留权利更改，恕不另行通知，此处包含的说明和信息。
050-8089
REV A
200
180
160
I
D
，漏电流（ A）
140
120
100
80
60
40
20
0
V
GS
= 10V
70
T
J
= -55°C
APT45M100J
T = 125°C
J
60
I
D
， DRIAN电流（A）
V
GS
= 6 ，7，8 & 9V
50
40
30
20
10
0
0
4.5V
T
J
= 25°C
5V
T
J
= 125°C
T
J
= 150°C
30
25
20
15
10
5
0
V
DS （ ON）
，漏极至源极电压（ V）
图1中，输出特性
归一
V
GS
= 10V @ 33A
30
25
20
15
10
5
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图2中，输出特性
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
250
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）
马克斯。
250μSEC 。脉冲测试
@ <0.5 ％占空比
200
I
D
，漏电流（ A）
150
T
J
= -55°C
T
J
= 25°C
100
50
T
J
= 125°C
0
25 50 75 100 125 150
0
-55 -25
T
J
，结温（ ° C）
图3中，R
DS （ ON）
VS结温
90
80
0
0
8
7
6
5
4
3
2
1
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
图4 ，传热特性
30,000
10,000
C，电容（pF ）
T
J
= -55°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
C
国际空间站
g
fs
，跨导
70
60
50
40
30
20
10
0
0
1000
C
OSS
100
C
RSS
30
20
10
I
D
，漏电流（ A）
图5 ，增益VS漏电流
I
D
= 33A
40
1000
800
600
400
200
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图6 ，电容VS漏 - 源极电压
0
250
I
SD ，
反向漏电流（ A）
10
16
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
14
12
10
8
6
4
2
200
V
DS
=
200V
V
DS
=
500V
150
T
J
= 25°C
V
DS
=
800V
50
T
J
= 150°C
050-8089
100 200 300 400 500 600 700 800
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
图7 ，栅极电荷VS门 - 源极电压
0
0
1.5
1.2
0.9
0.6
0.3
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
图8 ，反向漏电流与源极到漏极电压
0
0
REV A
10-2006
100
300
100
I
D
，漏电流（ A）
I
DM
300
100
I
D
，漏电流（ A）
I
DM
APT45M100J
10
13s
100s
RDS （ ON）
1ms
10
13s
100s
RDS （ ON）
1ms
10ms
100ms
DC线
1
10ms
100ms
1
T
J
=
150°C
T
C
=
25°C
0.1
T
J
=
125°C
T
C
=
75°C
DC线
1
1000
100
10
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图9 ，正向安全工作区
0.1
缩放为不同的案例&结
温度：
I
D
=
I
D（ T为25
°
C)
*(
T
J
-
T
C
)/125
C
1000
100
10
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图10 ，最大正向安全工作区
1
T
J
(°C)
0.0270
耗散功率
（瓦特）
0.0767
1.04
T
C
(°C)
0.102
Z
EXT
是外热
阻抗：案例下沉，
下沉到环境等设置为
只有建模时零
的情况下结。
图11 ，瞬态热阻抗模型
0.14
Z
θ
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
0.12
0.10
0.08
0.5
D = 0.9
0.7
0.06
0.04
0.02
0
0.3
Z
EXT
注意：
PDM
t1
t2
0.1
0.05
单脉冲
占空比D =
1
/
t2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
t
1
=脉冲持续时间
t
10
-5
10
-1
10
-2
10
-3
矩形脉冲持续时间（秒）
图12.最大有效瞬态热阻抗结到外壳与脉冲持续时间
10
-4
1.0
SOT- 227 （ ISOTOP
）包装外形
31.5 (1.240)
31.7 (1.248)
7.8 (.307)
8.2 (.322)
W=4.1 (.161)
W=4.3 (.169)
H=4.8 (.187)
H=4.9 (.193)
（4处）
11.8 (.463)
12.2 (.480)
8.9 (.350)
9.6 (.378)
六角螺母M4
（4处）
r = 4.0 (.157)
（ 2处）
4.0 (.157)
4.2 (.165)
（ 2处）
25.2 (0.992)
0.75 (.030) 12.6 (.496) 25.4 (1.000)
0.85 (.033) 12.8 (.504)
10-2006
3.3 (.129)
3.6 (.143)
14.9 (.587)
15.1 (.594)
1.95 (.077)
2.14 (.084)
*资料来源
漏
*发射极端子短路
在内部。目前的处理
能力是相等的任一
源极端子。
30.1 (1.185)
30.3 (1.193)
38.0 (1.496)
38.2 (1.504)
REV A
*资料来源
尺寸以毫米（英寸）
门
050-8089
ISOTOP
是意法半导体NV的注册商标。 Microsemi的产品受一个或多个USpatents 4895810的5045903 5089434 5182234
5019522 5262336 6503786 5256583 4748103 5283202 5231474 5434095 5528058和外国专利。美国和外国专利正在申请中。版权所有。
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