APT44F80B2
APT44F80L
800V, 47A, 0.21 Max t
rr
≤370ns
N沟道FREDFET
功率MOS 8
是一个高速，高电压的N沟道开关模式功率MOSFET。
这种“ FREDFET ”版本有一个漏极 - 源极（身体）二极管已优化
在ZVS阶段高可靠性，通过减少吨转向桥及其它电路
rr
软
回收，回收率高dv / dt能力。低栅电荷，高增益，和一个大大
的C比率降低
RSS
/C
国际空间站
使其具有很好的抗干扰性和低开关损耗。该
固有栅极电阻和多晶硅栅结构有助于控制的电容
di / dt的切换，从而导致低的EMI和可靠并联，即使在切换时
在非常高的频率。
T-最大
TO-264
APT44F80B2
APT44F80L
D
单芯片FREDFET
G
S
特点
快速，低EMI转换
低吨
rr
对于高可靠性
超低低C
RSS
为提高抗噪声能力
低栅极电荷
额定雪崩能量
符合RoHS标准
典型应用
ZVS移相和其他全桥
半桥
PFC等升压转换器
降压转换器
单和两个开关正激
反激式
绝对最大额定值
符号
I
D
I
DM
V
GS
E
AS
I
AR
参数
连续漏电流@ T
C
= 25°C
连续漏电流@ T
C
= 100°C
漏电流脉冲
1
栅 - 源电压
单脉冲雪崩能量
2
雪崩电流，重复或不重复
评级
47
29
173
±30
1980
24
V
mJ
A
A
单位
热和机械特性
符号
P
D
R
θ
JC
R
θ
CS
T
J
, T
英镑
T
L
W
T
力矩
特征
总功率耗散@ T
C
= 25°C
结到外壳热阻
案件散热器的热阻，平面，脂表面
工作和存储结温范围
焊接温度为10秒（从案例1.6毫米）
包装重量
民
-
-
-
-55
-
-
-
-
-
典型值
-
-
.11
-
-
0.22
6.2
-
-
最大
1135
.11
-
150
300
-
-
10
1.1
单位
W
° C / W
°C
oz
g
·在磅
N·m的
版本C 05-2009
050-8161
安装扭矩（ TO- 264封装） ， 4-40或M3螺丝
Microsemi的网站 - http://www.microsemi.com
静态特性
符号
V
BR （ DSS ）
V
BR （ DSS ）
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
/T
J
I
DSS
I
GSS
参数
漏源击穿电压
T
J
= 25°C unless otherwise specified
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
参考至25℃ ，我
D
= 250A
APT44F80B2_L
典型值
0.87
0.17
2.5
4
-10
250
1000
±100
0.21
5
最大
单位
V
V /°C的
V
毫伏/°C的
A
nA
民
800
击穿电压温度系数
漏源导通电阻
3
门源阈值电压
阈值电压温度COEF网络cient
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
V
GS
= 10V ，我
D
= 24A
V
GS
= V
DS
, I
D
= 2.5毫安
V
DS
= 800V
V
GS
= 0V
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
V
GS
= ±30V
动态特性
符号
参数
正向跨导
输入电容
反向传输电容
输出电容
4
5
T
J
= 25°C unless otherwise specified
测试条件
V
DS
= 50V ，我
D
= 24A
V
GS
= 0V, V
DS
= 25V
F = 1MHz的
民
典型值
43
9330
160
930
440
220
305
51
155
55
电阻开关
V
DD
= 400V ，我
D
= 24A
R
G
= 4.7
6
, V
GG
= 15V
75
230
70
ns
nC
pF
最大
单位
S
g
fs
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
C
O（ CR ）
C
O（ ER ）
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
有效的输出电容，相关负责
有效的输出电容，能源相关
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
电流上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至533V
V
GS
= 0 10V，我
D
= 24A,
V
DS
= 400V
源极 - 漏极二极管特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
I
RRM
dv / dt的
050-8161版本C 05-2009
参数
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
1
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
山顶恢复的dv / dt
测试条件
MOSFET符号
显示积分
反向P- N结
二极管（体二极管）
G
S
D
民
典型值
最大
47
173
1.0
单位
A
V
nS
μC
A
I
SD
= 24A ，T
J
= 25 ° C，V
GS
= 0V
T
J
= 25°C
I
SD
= 24A
3
320
590
1.91
5.18
12.1
18.1
370
710
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
di
SD
/
DT = 100A / μs的
V
DD
= 100V
I
SD
≤ 24A ， di / dt的≤1000A /微秒，V
DD
= 400V,
T
J
= 125°C
25
V / ns的
重复评价：脉冲宽度和温度的情况下受到最大结温。
开始在T
J
= 25℃时，L = 6.9mH ，R
G
= 25, I
AS
= 24A.
脉冲测试：脉冲宽度< 380μs ，占空比< 2 ％ 。
C
O（ CR ）
是德网络定义为一个固定电容用相同的存储电荷为C
OSS
随着V
DS
的V = 67 ％
（ BR ） DSS
.
C
O（ ER ）
是德网络定义为一个固定电容具有相同储存的能量为C
OSS
随着V
DS
的V = 67 ％
（ BR ） DSS
。为了计算
O（ ER ）
为任意值
V
DS
小于V
（ BR ） DSS ，
使用这个公式：C
O（ ER ）
= -8.32E -8 / V
DS
^ 2 + 3.49E - 8 / V
DS
+ 1.30E-10.
6 R
G
是外部栅极电阻，不包括内部栅极电阻或栅极驱动器阻抗。 （ MIC4452 ）
Microsemi的保留更改的权利，恕不另行通知，规格和信息所包含。
1
2
3
4
5
APT44F80B2_L
V
GS
= 10V
T
J
= -55°C
T = 125°C
J
V
GS
= 10&15V
6V
5.5V
I
D
，漏电流（ A）
T
J
= 25°C
I
D
， DRIAN电流（A）
5V
T
J
= 150°C
T
J
= 125°C
4.5V
4V
V
DS （ ON）
，漏极至源极电压（ V）
Figure 1, Output Characteristics
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
-55 -25
0
25 50 75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
Figure 3, R
DS （ ON）
VS结温
80
70
g
fs
，跨导
60
50
40
30
20
10
00
10
20
30
40
I
D
，漏电流（ A）
Figure 5, Gain vs Drain Current
I
D
= 24A
归一
V
GS
= 10V @ 24A
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
Figure 2, Output Characteristics
160
140
I
D
，漏电流（ A）
120
100
80
60
40
20
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
Figure 4, Transfer Characteristics
C
国际空间站
T
J
= -55°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）
马克斯。
250μSEC 。脉冲测试
@ <0.5 ％占空比
20,000
10,000
T
J
= -55°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
C，电容（pF ）
1000
C
OSS
100
C
RSS
50
10
100
200
300
400
500
600
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
Figure 6, Capacitance vs Drain-to-Source Voltage
0
160
I
SD ，
反向漏电流（ A）
140
120
100
80
60
40
20
0
0
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
V
DS
=
160V
T
J
= 25°C
V
DS
=
400V
V
DS
=
640V
T
J
= 150°C
050-8161
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
Figure 7, Gate Charge vs Gate-to-Source Voltage
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
Figure 8, Reverse Drain Current vs Source-to-Drain Voltage
版本C 05-2009
APT44F80B2_L
200
100
I
DM
200
100
I
D
，漏电流（ A）
I
DM
I
D
，漏电流（ A）
10
13s
RDS （ ON）
100s
1ms
10ms
T
J
=
125°C
T
C
=
75°C
100ms
DC线
10
RDS （ ON）
13s
100s
1ms
10ms
1
1
T
J
=
150°C
T
C
=
25°C
0.1
1
10
100
800
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
Figure 9, Forward Safe Operating Area
0.1
缩放为不同的案例&结
100ms
温度：
I
D
=
I
D（ T = 25℃）
*(
T
J
-
T
C
)/125
DC线
°
C
10
100
800
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
Figure 10, Maximum Forward Safe Operating Area
1
Z
θ
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
D = 0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
单脉冲
注意：
PDM
t1
t2
占空比D =
1
/
t2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
t
1
=脉冲持续时间
t
矩形脉冲持续时间（秒）
Figure 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance Junction-to-Case vs Pulse Duration
T-最大
(B2) Package Outline
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
TO-264 (L) Package Outline
E3 100 ％锡镀
4.60 (.181)
5.21 (.205)
1.80 (.071)
2.01 (.079)
19.51 (.768)
20.50 (.807)
3.10 (.122)
3.48 (.137)
5.79 (.228)
6.20 (.244)
漏
20.80 (.819)
21.46 (.845)
漏
25.48 (1.003)
26.49 (1.043)
4.50 （ 0.177 ）最大。
0.40 (.016)
0.79 (.031)
2.87 (.113)
3.12 (.123)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
2.29 (.090)
2.69 (.106)
19.81 (.780)
21.39 (.842)
2.29 (.090)
2.69 (.106)
19.81 (.780)
20.32 (.800)
1.01 (.040)
1.40 (.055)
门
漏
来源
0.48 (.019)
0.84 (.033)
2.59 (.102)
3.00 (.118)
门
漏
来源
050-8161版本C 05-2009
2.21 (.087)
2.59 (.102)
5.45 （ 0.215 ） BSC
2-Plcs.
0.76 (.030)
1.30 (.051)
2.79 (.110)
3.18 (.125)
5.45 （ 0.215 ） BSC
2-Plcs.
这些尺寸是相等的TO-247 ，而不安装孔。
尺寸以毫米（英寸）
尺寸以毫米（英寸）
Microsemi’s products are covered by one or more of U.S. patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522 5,262,336 6,503,786 5,256,583
4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 6,939,743 and foreign patents. us and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
QQ：2880707522 复制
