600V 40A 0.110Ω
APT40N60B2CF
APT40N60LCF
APT40N60B2CFG * APT40N60LCFG *
* G表示符合RoHS标准的无铅终端完成。
OLMOS
O
功率半导体
超级结FREDFET
T-最大
TM
TO-264
超低低R
DS （ ON）
低米勒电容
超低栅极电荷，Q
g
额定雪崩能量
至尊的dv / dt评分
内在的快速恢复体二极管
极端低反向恢复电荷
适用于ZVS应用
热门T- MAX 或TO- 264封装
G
S
D
最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
DV /
dt
I
AR
E
AR
E
AS
参数
漏源电压
连续漏电流@ T
C
= 25°C
连续漏电流@ T
C
= 100°C
漏电流脉冲
1
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT40N60B2CF(G)_LCF(G)
单位
伏
600
40
26
80
±30
417
3.33
-55到150
260
80
20
7
4
安培
门源电压连续
总功率耗散@ T
C
= 25°C
线性降额因子
工作和存储结温范围
焊接温度： 0.063"案件从10秒。
漏源电压斜率（V
DS
= 480V ，我
D
= 40A ，T
J
= 125°C)
雪崩电流
7
伏
瓦
W / ℃，
°C
V / ns的
安培
mJ
重复性雪崩能量
1
690
单脉冲雪崩能量
静态电气特性
符号
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
特性/测试条件
漏源击穿电压（V
GS
= 0V时，我
D
= 500A)
漏源导通电阻
2
民
600
典型值
最大
单位
伏
(V
GS
= 10V ，我
D
= 20A)
0.110
4.2
3400
±100
3
4
5
欧
A
nA
伏
5-2005
050-7236修订版A
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 600V, V
GS
= 0V)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 600V, V
GS
= 0V ，T
C
= 150°C)
门源漏电流（V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V)
栅极阈值电压（V
DS
= V
GS
, I
D
= 2毫安）
APT网站 - http://www.advancedpower.com
注意：这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
"COOLMOS 包括通过在网络霓虹科技股份公司研制的晶体管的一个新的家庭。 "COOLMOS"是与贸易
对在科幻霓虹技术AG."大关
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gd
t
D（上）
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
on
E
关闭
符号
I
S
V
SD
dv
APT40N60B2CF(G)_LCF(G)
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
V
GS
= 10V
V
DD
= 300V
I
D
= 40A @ 25°C
电阻开关
V
GS
= 15V
V
DD
= 380V
I
D
= 40A @ 25°C
R
G
= 1.8
6
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
3
民
典型值
最大
单位
pF
5040
1365
80
185
36
115
12
15
60
6.4
725
365
1195
440
民
典型值
最大
Q
gs
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller " ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关能量
关断开关能量
导通开关能量
关断开关能量
特性/测试条件
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流
二极管的正向电压
峰值二极管恢复
di
dv
1
2
nC
t
r
ns
电感式开关@ 25°C
V
DD
= 400V, V
GS
= 15V
I
D
= 40A ，R
G
= 5
电感式开关@ 125°C
V
DD
= 400V, V
GS
= 15V
I
D
= 40A ，R
G
= 5
6
J
源极 - 漏极二极管额定值和特性
单位
安培
伏
V / ns的
ns
C
安培
40
80
2.4
40
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
民
I
SM
（体二极管）
(V
GS
= 0V时，我
S
= -40A)
5
/
dt
/
dt
t
rr
Q
rr
I
RRM
反向恢复时间
(I
S
= -40A, /
dt
= 100A / μs）内
反向恢复电荷
(I
S
= -40A, /
dt
= 100A / μs）内
峰值恢复电流
(I
S
= -40A, /
dt
= 100A / μs）内
特征
结到外壳
结到环境
di
di
195
290
1.8
3.5
17
22
典型值
最大
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
单位
° C / W
0.30
31
1重复额定值：脉冲宽度有限的最高结
温度
2脉冲测试：脉冲宽度< 380微秒，占空比< 2 ％
3见MIL- STD- 750方法3471
APT保留更改的权利，恕不另行通知，该说明和信息，包含在本文中。
0.35
Z
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
θ
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0
0.7
0.5
0.3
4起始物为
j
= + 25 ° C，L = 13.80mH ，R
G
= 25Ω ，峰值I
L
= 10A
5
dv
/
dt
再FL ECT数字测试电路，而不是限制
设备本身。
IS
≤ -
ID
40A
di
/
dt
= 700A / μs的
VR
≤ 480V
TJ
≤
125
°
C
6李炎包括二极管的反向恢复。看到科幻居雷什18 ， 20 。
7重复雪崩导致可calcu-额外的功率损耗
作为迟来
P
AV
= E
AR
*f
0.9
5-2005
注意：
PDM
050-7236修订版A
t1
t2
0.1
0.05
10
-5
10
-4
单脉冲
占空比D =
1
/
t2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
t
10
-3
10
-2
10
-1
1.0
矩形脉冲持续时间（秒）
图1 ，最大有效瞬态热阻抗，结点到外壳VS脉冲持续时间
典型性能曲线
90%
APT40N60B2CF(G)_LCF(G)
10%
栅极电压
T
J
125°C
栅极电压
t
D（上）
t
r
漏电流
90%
5%
10%
5%
漏极电压
t
D（关闭）
t
f
漏极电压
T
J
125°C
90%
10%
0
漏电流
开关能量
开关能量
图18 ，导通开关波形和De科幻nitions
图19 ，关断开关波形和De科幻nitions
APT30DQ60
V
DD
ID
VDS
G
D.U.T.
图20 ，电感式开关测试电路
T-最大
TM
（ B2 ）封装外形（ B2CF ）
E1国资委：锡，银，铜
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
TO- 264 （ L）封装外形（ LCF ）
E1国资委：锡，银，铜
4.60 (.181)
5.21 (.205)
1.80 (.071)
2.01 (.079)
19.51 (.768)
20.50 (.807)
3.10 (.122)
3.48 (.137)
5.79 (.228)
6.20 (.244)
漏
20.80 (.819)
21.46 (.845)
漏
25.48 (1.003)
26.49 (1.043)
4.50 （ 0.177 ）最大。
0.40 (.016)
0.79 (.031)
2.87 (.113)
3.12 (.123)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
2.29 (.090)
2.69 (.106)
19.81 (.780)
21.39 (.842)
2.29 (.090)
2.69 (.106)
1.01 (.040)
1.40 (.055)
门
漏
来源
0.48 (.019)
0.84 (.033)
2.59 (.102)
3.00 (.118)
门
漏
来源
2.21 (.087)
2.59 (.102)
5.45 （ 0.215 ） BSC
2-Plcs.
这些尺寸是相等的TO-247 ，而不安装孔。
尺寸以毫米（英寸）
5.45 （ 0.215 ） BSC
2-Plcs.
尺寸以毫米（英寸）
APT的产品受一个或多个USpatents 4895810的5045903 5089434 5182234 5019522
5262336 6503786 5256583 4748103 5283202 5231474 5434095 5528058和外国专利。美国和外国专利正在申请中。版权所有。
050-7236修订版A
0.76 (.030)
1.30 (.051)
2.79 (.110)
3.18 (.125)
5-2005
19.81 (.780)
20.32 (.800)
600V 40A 0.110Ω
APT40N60B2CF
APT40N60LCF
APT40N60B2CFG * APT40N60LCFG *
* G表示符合RoHS标准的无铅终端完成。
OLMOS
O
功率半导体
超级结FREDFET
T-最大
TM
TO-264
超低低R
DS （ ON）
低米勒电容
超低栅极电荷，Q
g
额定雪崩能量
至尊的dv / dt评分
内在的快速恢复体二极管
极端低反向恢复电荷
适用于ZVS应用
热门T- MAX 或TO- 264封装
G
S
D
最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
DV /
dt
I
AR
E
AR
E
AS
参数
漏源电压
连续漏电流@ T
C
= 25°C
连续漏电流@ T
C
= 100°C
漏电流脉冲
1
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT40N60B2CF(G)_LCF(G)
单位
伏
600
40
26
80
±30
417
3.33
-55到150
260
80
20
7
4
安培
门源电压连续
总功率耗散@ T
C
= 25°C
线性降额因子
工作和存储结温范围
焊接温度： 0.063"案件从10秒。
漏源电压斜率（V
DS
= 480V ，我
D
= 40A ，T
J
= 125°C)
雪崩电流
7
伏
瓦
W / ℃，
°C
V / ns的
安培
mJ
重复性雪崩能量
1
690
单脉冲雪崩能量
静态电气特性
符号
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
特性/测试条件
漏源击穿电压（V
GS
= 0V时，我
D
= 500A)
漏源导通电阻
2
民
600
典型值
最大
单位
伏
(V
GS
= 10V ，我
D
= 20A)
0.110
4.2
3400
±100
3
4
5
欧
A
nA
伏
5-2005
050-7236修订版A
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 600V, V
GS
= 0V)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 600V, V
GS
= 0V ，T
C
= 150°C)
门源漏电流（V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V)
栅极阈值电压（V
DS
= V
GS
, I
D
= 2毫安）
APT网站 - http://www.advancedpower.com
注意：这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
"COOLMOS 包括通过在网络霓虹科技股份公司研制的晶体管的一个新的家庭。 "COOLMOS"是与贸易
对在科幻霓虹技术AG."大关
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gd
t
D（上）
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
on
E
关闭
符号
I
S
V
SD
dv
APT40N60B2CF(G)_LCF(G)
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
V
GS
= 10V
V
DD
= 300V
I
D
= 40A @ 25°C
电阻开关
V
GS
= 15V
V
DD
= 380V
I
D
= 40A @ 25°C
R
G
= 1.8
6
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
3
民
典型值
最大
单位
pF
5040
1365
80
185
36
115
12
15
60
6.4
725
365
1195
440
民
典型值
最大
Q
gs
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller " ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关能量
关断开关能量
导通开关能量
关断开关能量
特性/测试条件
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流
二极管的正向电压
峰值二极管恢复
di
dv
1
2
nC
t
r
ns
电感式开关@ 25°C
V
DD
= 400V, V
GS
= 15V
I
D
= 40A ，R
G
= 5
电感式开关@ 125°C
V
DD
= 400V, V
GS
= 15V
I
D
= 40A ，R
G
= 5
6
J
源极 - 漏极二极管额定值和特性
单位
安培
伏
V / ns的
ns
C
安培
40
80
2.4
40
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
民
I
SM
（体二极管）
(V
GS
= 0V时，我
S
= -40A)
5
/
dt
/
dt
t
rr
Q
rr
I
RRM
反向恢复时间
(I
S
= -40A, /
dt
= 100A / μs）内
反向恢复电荷
(I
S
= -40A, /
dt
= 100A / μs）内
峰值恢复电流
(I
S
= -40A, /
dt
= 100A / μs）内
特征
结到外壳
结到环境
di
di
195
290
1.8
3.5
17
22
典型值
最大
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
单位
° C / W
0.30
31
1重复额定值：脉冲宽度有限的最高结
温度
2脉冲测试：脉冲宽度< 380微秒，占空比< 2 ％
3见MIL- STD- 750方法3471
APT保留更改的权利，恕不另行通知，该说明和信息，包含在本文中。
0.35
Z
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
θ
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0
0.7
0.5
0.3
4起始物为
j
= + 25 ° C，L = 13.80mH ，R
G
= 25Ω ，峰值I
L
= 10A
5
dv
/
dt
再FL ECT数字测试电路，而不是限制
设备本身。
IS
≤ -
ID
40A
di
/
dt
= 700A / μs的
VR
≤ 480V
TJ
≤
125
°
C
6李炎包括二极管的反向恢复。看到科幻居雷什18 ， 20 。
7重复雪崩导致可calcu-额外的功率损耗
作为迟来
P
AV
= E
AR
*f
0.9
5-2005
注意：
PDM
050-7236修订版A
t1
t2
0.1
0.05
10
-5
10
-4
单脉冲
占空比D =
1
/
t2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
t
10
-3
10
-2
10
-1
1.0
矩形脉冲持续时间（秒）
图1 ，最大有效瞬态热阻抗，结点到外壳VS脉冲持续时间
典型性能曲线
90%
APT40N60B2CF(G)_LCF(G)
10%
栅极电压
T
J
125°C
栅极电压
t
D（上）
t
r
漏电流
90%
5%
10%
5%
漏极电压
t
D（关闭）
t
f
漏极电压
T
J
125°C
90%
10%
0
漏电流
开关能量
开关能量
图18 ，导通开关波形和De科幻nitions
图19 ，关断开关波形和De科幻nitions
APT30DQ60
V
DD
ID
VDS
G
D.U.T.
图20 ，电感式开关测试电路
T-最大
TM
（ B2 ）封装外形（ B2CF ）
E1国资委：锡，银，铜
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
TO- 264 （ L）封装外形（ LCF ）
E1国资委：锡，银，铜
4.60 (.181)
5.21 (.205)
1.80 (.071)
2.01 (.079)
19.51 (.768)
20.50 (.807)
3.10 (.122)
3.48 (.137)
5.79 (.228)
6.20 (.244)
漏
20.80 (.819)
21.46 (.845)
漏
25.48 (1.003)
26.49 (1.043)
4.50 （ 0.177 ）最大。
0.40 (.016)
0.79 (.031)
2.87 (.113)
3.12 (.123)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
2.29 (.090)
2.69 (.106)
19.81 (.780)
21.39 (.842)
2.29 (.090)
2.69 (.106)
1.01 (.040)
1.40 (.055)
门
漏
来源
0.48 (.019)
0.84 (.033)
2.59 (.102)
3.00 (.118)
门
漏
来源
2.21 (.087)
2.59 (.102)
5.45 （ 0.215 ） BSC
2-Plcs.
这些尺寸是相等的TO-247 ，而不安装孔。
尺寸以毫米（英寸）
5.45 （ 0.215 ） BSC
2-Plcs.
尺寸以毫米（英寸）
APT的产品受一个或多个USpatents 4895810的5045903 5089434 5182234 5019522
5262336 6503786 5256583 4748103 5283202 5231474 5434095 5528058和外国专利。美国和外国专利正在申请中。版权所有。
050-7236修订版A
0.76 (.030)
1.30 (.051)
2.79 (.110)
3.18 (.125)
5-2005
19.81 (.780)
20.32 (.800)
600V 40A 0.110Ω
APT40N60B2CF
APT40N60LCF
APT40N60B2CFG * APT40N60LCFG *
* G表示符合RoHS标准的无铅终端完成。
OLMOS
O
功率半导体
超级结FREDFET
T-最大
TM
极低的RDS（ON）
低米勒电容
超低栅极电荷QG
额定雪崩能量
至尊的dv / dt评分
内在的快速恢复体二极管
极端低反向恢复电荷
适用于ZVS应用
热门T- MAX 或TO- 264封装
TO-264
D
G
S
除非另有说明， Microsemi的离散FREDFETs包含单个FREDFET模具。此装置是由具有两个
平行FREDFET模具。它是用于开关模式操作。它不适合于线性模式操作。
最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
DV /
dt
I
AR
E
AR
E
AS
参数
漏源电压
连续漏电流@ T
C
= 25°C
连续漏电流@ T
C
= 100°C
漏电流脉冲
1
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT40N60B2CF(G)_LCF(G)
单位
伏
600
40
26
80
±30
417
3.33
-55到150
260
80
20
7
4
安培
门源电压连续
总功率耗散@ T
C
= 25°C
线性降额因子
工作和存储结温范围
焊接温度： 0.063"案件从10秒。
漏源电压斜率（V
DS
= 480V ，我
D
= 40A ，T
J
= 125°C)
雪崩电流
7
伏
瓦
W / ℃，
°C
V / ns的
安培
mJ
重复性雪崩能量
1
690
单脉冲雪崩能量
静态电气特性
符号
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
特性/测试条件
漏源击穿电压（V
GS
= 0V时，我
D
= 500A)
漏源导通电阻
2
民
600
典型值
最大
单位
伏
(V
GS
= 10V ，我
D
= 20A)
0.110
4.2
3400
±100
3
4
5
欧
A
nA
伏
6-2006
050-7236修订版B
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 600V, V
GS
= 0V)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 600V, V
GS
= 0V ，T
C
= 150°C)
门源漏电流（V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V)
栅极阈值电压（V
DS
= V
GS
, I
D
= 2毫安）
注意：这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
Microsemi的网站 - http://www.microsemi.com
"COOLMOS 包括通过在网络霓虹科技股份公司研制的晶体管的一个新的家庭。 "COOLMOS"是与贸易
对在科幻霓虹技术AG."大关
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gd
t
D（上）
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
on
E
关闭
符号
I
S
V
SD
dv
APT40N60B2CF(G)_LCF(G)
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
V
GS
= 10V
V
DD
= 300V
I
D
= 40A @ 25°C
电阻开关
V
GS
= 15V
V
DD
= 380V
I
D
= 40A @ 25°C
R
G
= 1.8
6
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
3
民
典型值
最大
单位
pF
5040
1365
80
185
36
115
12
15
60
6.4
725
365
1195
440
民
典型值
最大
Q
gs
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller " ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关能量
关断开关能量
导通开关能量
关断开关能量
特性/测试条件
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流
二极管的正向电压
峰值二极管恢复
di
dv
1
2
nC
t
r
ns
电感式开关@ 25°C
V
DD
= 400V, V
GS
= 15V
I
D
= 40A ，R
G
= 5
电感式开关@ 125°C
V
DD
= 400V, V
GS
= 15V
I
D
= 40A ，R
G
= 5
6
J
源极 - 漏极二极管额定值和特性
单位
安培
伏
V / ns的
ns
C
安培
40
80
2.4
40
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
民
I
SM
（体二极管）
(V
GS
= 0V时，我
S
= -40A)
5
/
dt
/
dt
t
rr
Q
rr
I
RRM
反向恢复时间
(I
S
= -40A, /
dt
= 100A / μs）内
反向恢复电荷
(I
S
= -40A, /
dt
= 100A / μs）内
峰值恢复电流
(I
S
= -40A, /
dt
= 100A / μs）内
特征
结到外壳
结到环境
di
di
195
290
1.8
3.5
17
22
典型值
最大
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
单位
° C / W
0.30
31
1重复额定值：脉冲宽度有限的最高结
温度
2脉冲测试：脉冲宽度< 380微秒，占空比< 2 ％
3见MIL- STD- 750方法3471
Microsemi的保留权利更改，恕不另行通知，此处包含的说明和信息。
0.35
Z
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
θ
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0
0.7
0.5
0.3
4起始物为
j
= + 25 ° C，L = 13.80mH ，R
G
= 25Ω ，峰值I
L
= 10A
5
dv
/
dt
再FL ECT数字测试电路，而不是限制
设备本身。
IS
≤ -
ID
40A
di
/
dt
= 700A / μs的
VR
≤ 480V
TJ
≤
125
°
C
6李炎包括二极管的反向恢复。看到科幻居雷什18 ， 20 。
7重复雪崩导致可calcu-额外的功率损耗
作为迟来
P
AV
= E
AR
*f
0.9
6-2006
注意：
PDM
050-7236修订版B
t1
t2
0.1
0.05
10
-5
10
-4
单脉冲
占空比D =
1
/
t2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
t
10
-3
10
-2
10
-1
1.0
矩形脉冲持续时间（秒）
图1 ，最大有效瞬态热阻抗，结点到外壳VS脉冲持续时间
典型性能曲线
90%
APT40N60B2CF(G)_LCF(G)
10%
栅极电压
T
J
125°C
栅极电压
t
D（上）
t
r
漏电流
90%
5%
10%
5%
漏极电压
t
D（关闭）
t
f
漏极电压
T
J
125°C
90%
10%
0
漏电流
开关能量
开关能量
图18 ，导通开关波形和De科幻nitions
图19 ，关断开关波形和De科幻nitions
APT30DQ60
V
DD
ID
VDS
G
D.U.T.
图20 ，电感式开关测试电路
T-最大
TM
（ B2 ）封装外形（ B2CF ）
E1国资委：锡，银，铜
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
TO- 264 （ L）封装外形（ LCF ）
E1国资委：锡，银，铜
4.60 (.181)
5.21 (.205)
1.80 (.071)
2.01 (.079)
19.51 (.768)
20.50 (.807)
3.10 (.122)
3.48 (.137)
5.79 (.228)
6.20 (.244)
漏
20.80 (.819)
21.46 (.845)
漏
25.48 (1.003)
26.49 (1.043)
4.50 （ 0.177 ）最大。
0.40 (.016)
0.79 (.031)
2.87 (.113)
3.12 (.123)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
2.29 (.090)
2.69 (.106)
19.81 (.780)
21.39 (.842)
2.29 (.090)
2.69 (.106)
1.01 (.040)
1.40 (.055)
门
漏
来源
0.48 (.019)
0.84 (.033)
2.59 (.102)
3.00 (.118)
门
漏
来源
2.21 (.087)
2.59 (.102)
5.45 （ 0.215 ） BSC
2-Plcs.
这些尺寸是相等的TO-247 ，而不安装孔。
尺寸以毫米（英寸）
5.45 （ 0.215 ） BSC
2-Plcs.
尺寸以毫米（英寸）
Microsemi的产品受一个或多个USpatents 4895810的5045903 5089434 5182234 5019522 5262336 6503786
5256583 4748103 5283202 5231474 5434095 5528058和外国专利。美国和外国专利正在申请中。版权所有。
050-7236修订版B
0.76 (.030)
1.30 (.051)
2.79 (.110)
3.18 (.125)
6-2006
19.81 (.780)
20.32 (.800)
QQ：2880707522 复制
