400V
57A
APT40M70B2VFR
*
G
APT40M70LVFR
0.070
APT40M70B2VFRG * APT40M70LVFRG *
指符合RoHS ，无铅终端完成。
功率MOS V
FREDFET
功率MOS V
是新一代高电压N沟道增强
模式的功率MOSFET 。这种新技术的最小的JFET效应，
增加填充密度，并降低了导通电阻。功率MOS V
还实现了门，通过优化布局更快的开关速度。
B2VFR
T- MAX
TO-264
LVFR
T- MAX
或TO- 264封装
更快的开关
低漏
最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
V
GSM
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
I
AR
E
AR
E
AS
参数
漏源电压
额定雪崩能量
快速恢复体二极管
G
D
S
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT40M70B2_LVFR(G)
单位
伏
安培
400
57
228
±30
±40
520
4.16
-55到150
300
57
50
4
1
连续漏电流@ T
C
= 25°C
漏电流脉冲
门源电压连续
栅源电压瞬态
总功率耗散@ T
C
= 25°C
线性降额因子
工作和存储结温范围
焊接温度： 0.063"案件从10秒。
雪崩电流
1
伏
瓦
W / ℃，
°C
安培
mJ
（重复，不重复）
1
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
2500
静态电气特性
符号
BV
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
特性/测试条件
漏源击穿电压（V
GS
= 0V时，我
D
= 250A)
在国家漏极电流
2
民
典型值
最大
单位
伏
安培
400
57
0.070
250
1000
±100
2
4
(V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）
马克斯，V
GS
= 10V)
2
漏源导通电阻
(V
GS
= 10V ， 0.5升
D [续]
)
欧
A
nA
伏
3-2006
050-5850修订版A
零栅极电压漏极电流（V
DS
= V
DSS
, V
GS
= 0V)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 0.8 V
DSS
, V
GS
= 0V ，T
C
= 125°C)
门源漏电流（V
GS
= ±30V, V
DS
= 0V)
栅极阈值电压（V
DS
= V
GS
, I
D
= 2.5毫安）
APT网站 - http://www.advancedpower.com
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
3
APT40M70B2_LVFR(G)
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
V
GS
= 10V
V
DD
= 200V
I
D
= 57A @ 25°C
V
GS
= 15V
V
DD
= 200V
I
D
= 57A @ 25°C
R
G
= 0.6
民
典型值
最大
单位
7410
1140
450
330
40
125
16
16
55
5
8890
1600
675
495
40
190
32
32
80
10
ns
nC
pF
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源极 - 漏极二极管额定值和特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
dv
/
dt
特性/测试条件
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流
二极管的正向电压
峰值二极管恢复
1
2
dt
民
典型值
最大
单位
安培
伏
V / ns的
ns
C
安培
57
228
1.3
15
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
（体二极管）
(V
GS
= 0V时，我
S
= -57A)
5
dv
/
t
rr
Q
rr
I
RRM
反向恢复时间
(I
S
= -57A,
di
/
dt
= 100A / μs）内
反向恢复电荷
(I
S
= -57A,
di
/
dt
= 100A / μs）内
峰值恢复电流
(I
S
= -57A,
di
/
dt
= 100A / μs）内
250
500
1.6
5.5
15
27
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
特征
结到外壳
结到环境
民
典型值
最大
单位
° C / W
0.24
40
1重复额定值：脉冲宽度有限的最高结
温度
2脉冲测试：脉冲宽度< 380微秒，占空比< 2 ％
3见MIL- STD- 750方法3471
4起始物为
j
= + 25 ° C，L = 1.54mH ，R
G
= 25Ω ，峰值I
L
= 57A
5
dv
/
dt
号反映了测试电路的局限性，而不是
设备本身。
IS
≤
-
ID
57A
di
/
dt
≤
700A/s
VR
≤400V
TJ
≤
150
°
C
APT保留更改的权利，恕不另行通知，该说明和信息，包含在本文中。
0.3
Z
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
θ
D=0.5
0.1
0.05
0.2
0.1
0.05
0.01
0.005
0.02
0.01
单脉冲
注意：
PDM
t1
t2
占空比D = T1 /吨
2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
050-5850修订版A
3-2006
0.001
10
-5
10
-3
10
-2
10
-1
1.0
矩形脉冲持续时间（秒）
图1 ，最大有效瞬态热阻抗，结点到外壳VS脉冲持续时间
10
-4
10
典型性能曲线
100
APT40M70B2_LVFR(G)
100
VGS = 6V ， 7V ， 10V 15V &
VGS=15V
I
D
，漏极电流（安培）
I
D
，漏极电流（安培）
80
80
VGS=10V
VGS = 6V & 7V
5.5V
5.5V
60
5V
40
4.5V
4V
0
0
50
100
150
200
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图2 ，典型输出特性
60
5V
40
20
20
4.5V
4V
0
0
2
4
6
8
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图3 ，典型输出特性
归一
= 10V @ 0.5 I [续]
D
TJ = -55°C
R
DS
（ON ） ，漏极至源极导通电阻
100
1.8
V
GS
I
D
，漏极电流（安培）
80
TJ = + 25°C
TJ = + 125°C
VDS>的ID （ON ）× R DS（ ON）的最大值。
250μSEC 。脉冲测试
@ <0.5 ％占空比
1.6
60
1.4
40
1.2
VGS=10V
VGS=20V
20
TJ = + 125°C
TJ = + 25°C
TJ = -55°C
1.0
0
2
4
6
8
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
图4 ，一般传输特性
60
0
0.8
0
40
80
120
160
200
I
D
，漏极电流（安培）
图5中，R
DS
（ ON）与漏电流
1.15
I
D
，漏极电流（安培）
50
40
30
20
10
0
BV
DSS
，漏极 - 源极击穿
电压（归）
25
I
D
1.10
1.05
1.00
0.95
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图6 ，最大漏极电流与外壳温度
0.90
-25
0
25
50 75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图7 ，击穿电压与温度
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50
R
DS
（ON ） ，漏极至源极导通电阻
（归一化）
2.5
= 0.5 I
V
GS
D
[续]
= 10V
2.0
1.5
1.0
V
GS
（ TH ） ，阈值电压
（归一化）
0.5
0.0
-50
-25
0
25 50
75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图8 ，导通电阻与温度
0
25
50
75 100 125 150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图9 ，阈值电压与温度
-50
-25
050-5850修订版A
3-2006
APT40M70B2_LVFR(G)
300
I
D
，漏极电流（安培）
100
50
操作点这里
限制根据RDS （ ON）
10S
100S
30,000
10,000
C，电容（pF ）
西塞
1mS
5,000
科斯
1,000
500
CRSS
10
5
10mS
100mS
DC
1
.5
TC = + 25°C
TJ = + 150°C
单脉冲
.1
1
5 10
50 100
400
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图10 ，最大安全工作区
I = I [续]
D
D
100
.01
.1
1
10
50
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图11 ，典型电容VS漏极至源极电压
I
DR
，反向漏电流（安培）
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
20
200
100
50
TJ = + 150°C
TJ = + 25°C
16
VDS=80V
VDS=200V
12
VDS=320V
8
10
5
4
100
200
300
400
500
600
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
图12 ，栅极电荷VS栅极至源极电压
0
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
V
SD
，源极到漏极电压（伏）
图13 ，典型的源极 - 漏极二极管的正向电压
1
T-最大
TM
（ B2 ）封装外形（ B2VFR ）
E1国资委：锡，银，铜
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
TO- 264 （ L）封装外形（ LVFR ）
E1国资委：锡，银，铜
4.60 (.181)
5.21 (.205)
1.80 (.071)
2.01 (.079)
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
19.51 (.768)
20.50 (.807)
3.10 (.122)
3.48 (.137)
5.79 (.228)
6.20 (.244)
漏
20.80 (.819)
21.46 (.845)
漏
25.48 (1.003)
26.49 (1.043)
4.50 （ 0.177 ）最大。
0.40 (.016)
0.79 (.031)
2.87 (.113)
3.12 (.123)
3-2006
19.81 (.780)
20.32 (.800)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
1.01 (.040)
1.40 (.055)
2.29 (.090)
2.69 (.106)
2.29 (.090)
2.69 (.106)
门
漏
来源
0.48 (.019)
0.84 (.033)
2.59 (.102)
3.00 (.118)
19.81 (.780)
21.39 (.842)
门
漏
来源
050-5850修订版A
2.21 (.087)
2.59 (.102)
5.45 （ 0.215 ） BSC
2-Plcs.
0.76 (.030)
1.30 (.051)
2.79 (.110)
3.18 (.125)
5.45 （ 0.215 ） BSC
2-Plcs.
这些尺寸是相等的TO-247 ，而不安装孔。
尺寸以毫米（英寸）
尺寸以毫米（英寸）
APT的产品受一个或多个USpatents 4895810的5045903 5089434 5182234 5019522
5262336 6503786 5256583 4748103 5283202 5231474 5434095 5528058和外国专利。美国和外国专利正在申请中。版权所有。
400V
57A
APT40M70B2VFR
*
G
APT40M70LVFR
0.070
APT40M70B2VFRG * APT40M70LVFRG *
指符合RoHS ，无铅终端完成。
功率MOS V
FREDFET
功率MOS V
是新一代高电压N沟道增强
模式的功率MOSFET 。这种新技术的最小的JFET效应，
增加填充密度，并降低了导通电阻。功率MOS V
还实现了门，通过优化布局更快的开关速度。
B2VFR
T- MAX
TO-264
LVFR
T- MAX
或TO- 264封装
更快的开关
低漏
最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
V
GSM
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
I
AR
E
AR
E
AS
参数
漏源电压
额定雪崩能量
快速恢复体二极管
G
D
S
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT40M70B2_LVFR(G)
单位
伏
安培
400
57
228
±30
±40
520
4.16
-55到150
300
57
50
4
1
连续漏电流@ T
C
= 25°C
漏电流脉冲
门源电压连续
栅源电压瞬态
总功率耗散@ T
C
= 25°C
线性降额因子
工作和存储结温范围
焊接温度： 0.063"案件从10秒。
雪崩电流
1
伏
瓦
W / ℃，
°C
安培
mJ
（重复，不重复）
1
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
2500
静态电气特性
符号
BV
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
特性/测试条件
漏源击穿电压（V
GS
= 0V时，我
D
= 250A)
在国家漏极电流
2
民
典型值
最大
单位
伏
安培
400
57
0.070
250
1000
±100
2
4
(V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）
马克斯，V
GS
= 10V)
2
漏源导通电阻
(V
GS
= 10V ， 0.5升
D [续]
)
欧
A
nA
伏
3-2006
050-5850修订版A
零栅极电压漏极电流（V
DS
= V
DSS
, V
GS
= 0V)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 0.8 V
DSS
, V
GS
= 0V ，T
C
= 125°C)
门源漏电流（V
GS
= ±30V, V
DS
= 0V)
栅极阈值电压（V
DS
= V
GS
, I
D
= 2.5毫安）
APT网站 - http://www.advancedpower.com
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
3
APT40M70B2_LVFR(G)
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
V
GS
= 10V
V
DD
= 200V
I
D
= 57A @ 25°C
V
GS
= 15V
V
DD
= 200V
I
D
= 57A @ 25°C
R
G
= 0.6
民
典型值
最大
单位
7410
1140
450
330
40
125
16
16
55
5
8890
1600
675
495
40
190
32
32
80
10
ns
nC
pF
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源极 - 漏极二极管额定值和特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
dv
/
dt
特性/测试条件
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流
二极管的正向电压
峰值二极管恢复
1
2
dt
民
典型值
最大
单位
安培
伏
V / ns的
ns
C
安培
57
228
1.3
15
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
（体二极管）
(V
GS
= 0V时，我
S
= -57A)
5
dv
/
t
rr
Q
rr
I
RRM
反向恢复时间
(I
S
= -57A,
di
/
dt
= 100A / μs）内
反向恢复电荷
(I
S
= -57A,
di
/
dt
= 100A / μs）内
峰值恢复电流
(I
S
= -57A,
di
/
dt
= 100A / μs）内
250
500
1.6
5.5
15
27
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
特征
结到外壳
结到环境
民
典型值
最大
单位
° C / W
0.24
40
1重复额定值：脉冲宽度有限的最高结
温度
2脉冲测试：脉冲宽度< 380微秒，占空比< 2 ％
3见MIL- STD- 750方法3471
4起始物为
j
= + 25 ° C，L = 1.54mH ，R
G
= 25Ω ，峰值I
L
= 57A
5
dv
/
dt
号反映了测试电路的局限性，而不是
设备本身。
IS
≤
-
ID
57A
di
/
dt
≤
700A/s
VR
≤400V
TJ
≤
150
°
C
APT保留更改的权利，恕不另行通知，该说明和信息，包含在本文中。
0.3
Z
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
θ
D=0.5
0.1
0.05
0.2
0.1
0.05
0.01
0.005
0.02
0.01
单脉冲
注意：
PDM
t1
t2
占空比D = T1 /吨
2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
050-5850修订版A
3-2006
0.001
10
-5
10
-3
10
-2
10
-1
1.0
矩形脉冲持续时间（秒）
图1 ，最大有效瞬态热阻抗，结点到外壳VS脉冲持续时间
10
-4
10
典型性能曲线
100
APT40M70B2_LVFR(G)
100
VGS = 6V ， 7V ， 10V 15V &
VGS=15V
I
D
，漏极电流（安培）
I
D
，漏极电流（安培）
80
80
VGS=10V
VGS = 6V & 7V
5.5V
5.5V
60
5V
40
4.5V
4V
0
0
50
100
150
200
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图2 ，典型输出特性
60
5V
40
20
20
4.5V
4V
0
0
2
4
6
8
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图3 ，典型输出特性
归一
= 10V @ 0.5 I [续]
D
TJ = -55°C
R
DS
（ON ） ，漏极至源极导通电阻
100
1.8
V
GS
I
D
，漏极电流（安培）
80
TJ = + 25°C
TJ = + 125°C
VDS>的ID （ON ）× R DS（ ON）的最大值。
250μSEC 。脉冲测试
@ <0.5 ％占空比
1.6
60
1.4
40
1.2
VGS=10V
VGS=20V
20
TJ = + 125°C
TJ = + 25°C
TJ = -55°C
1.0
0
2
4
6
8
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
图4 ，一般传输特性
60
0
0.8
0
40
80
120
160
200
I
D
，漏极电流（安培）
图5中，R
DS
（ ON）与漏电流
1.15
I
D
，漏极电流（安培）
50
40
30
20
10
0
BV
DSS
，漏极 - 源极击穿
电压（归）
25
I
D
1.10
1.05
1.00
0.95
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图6 ，最大漏极电流与外壳温度
0.90
-25
0
25
50 75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图7 ，击穿电压与温度
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50
R
DS
（ON ） ，漏极至源极导通电阻
（归一化）
2.5
= 0.5 I
V
GS
D
[续]
= 10V
2.0
1.5
1.0
V
GS
（ TH ） ，阈值电压
（归一化）
0.5
0.0
-50
-25
0
25 50
75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图8 ，导通电阻与温度
0
25
50
75 100 125 150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图9 ，阈值电压与温度
-50
-25
050-5850修订版A
3-2006
APT40M70B2_LVFR(G)
300
I
D
，漏极电流（安培）
100
50
操作点这里
限制根据RDS （ ON）
10S
100S
30,000
10,000
C，电容（pF ）
西塞
1mS
5,000
科斯
1,000
500
CRSS
10
5
10mS
100mS
DC
1
.5
TC = + 25°C
TJ = + 150°C
单脉冲
.1
1
5 10
50 100
400
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图10 ，最大安全工作区
I = I [续]
D
D
100
.01
.1
1
10
50
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图11 ，典型电容VS漏极至源极电压
I
DR
，反向漏电流（安培）
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
20
200
100
50
TJ = + 150°C
TJ = + 25°C
16
VDS=80V
VDS=200V
12
VDS=320V
8
10
5
4
100
200
300
400
500
600
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
图12 ，栅极电荷VS栅极至源极电压
0
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
V
SD
，源极到漏极电压（伏）
图13 ，典型的源极 - 漏极二极管的正向电压
1
T-最大
TM
（ B2 ）封装外形（ B2VFR ）
E1国资委：锡，银，铜
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
TO- 264 （ L）封装外形（ LVFR ）
E1国资委：锡，银，铜
4.60 (.181)
5.21 (.205)
1.80 (.071)
2.01 (.079)
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
19.51 (.768)
20.50 (.807)
3.10 (.122)
3.48 (.137)
5.79 (.228)
6.20 (.244)
漏
20.80 (.819)
21.46 (.845)
漏
25.48 (1.003)
26.49 (1.043)
4.50 （ 0.177 ）最大。
0.40 (.016)
0.79 (.031)
2.87 (.113)
3.12 (.123)
3-2006
19.81 (.780)
20.32 (.800)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
1.01 (.040)
1.40 (.055)
2.29 (.090)
2.69 (.106)
2.29 (.090)
2.69 (.106)
门
漏
来源
0.48 (.019)
0.84 (.033)
2.59 (.102)
3.00 (.118)
19.81 (.780)
21.39 (.842)
门
漏
来源
050-5850修订版A
2.21 (.087)
2.59 (.102)
5.45 （ 0.215 ） BSC
2-Plcs.
0.76 (.030)
1.30 (.051)
2.79 (.110)
3.18 (.125)
5.45 （ 0.215 ） BSC
2-Plcs.
这些尺寸是相等的TO-247 ，而不安装孔。
尺寸以毫米（英寸）
尺寸以毫米（英寸）
APT的产品受一个或多个USpatents 4895810的5045903 5089434 5182234 5019522
5262336 6503786 5256583 4748103 5283202 5231474 5434095 5528058和外国专利。美国和外国专利正在申请中。版权所有。
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