APT40GP60J
600V
功率MOS 7 IGBT
功率MOS 7
IGBT是新一代高压功率IGBT的。
使用穿通科技这IGBT适用于多种频率高，
高电压开关应用，并已被优化用于高频率
开关模式电源。
E
G
C
E
OT
S
2
-2
7
"UL Recognized"
低传导损耗
低栅极电荷
超快尾电流关断
最大额定值
符号
V
CES
V
GE
V
创业板
I
C1
I
C2
I
CM
SSOA
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
参数
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
栅极 - 射极电压瞬态
100 kHz的工作频率@ 400V ， 25A
200 kHz的工作频率@ 400V ， 16A
额定SSOA
C
ISOTOP
G
E
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT40GP60J
单位
600
±20
±30
86
40
160
160A @ 600V
284
-55到150
300
瓦
°C
安培
伏
连续集电极电流@ T
C
= 25°C
连续集电极电流@ T
C
= 110°C
集电极电流脉冲
1
@ T
C
= 25°C
开关安全工作区@ T
J
= 150°C
总功耗
工作和存储结温范围
马克斯。铅温度。用于焊接： 0.063"案件从10秒。
静态电气特性
符号
BV
CES
V
GE （日）
V
CE （ON）的
特性/测试条件
集电极 - 发射极击穿电压（V
GE
= 0V时，我
C
= 250A)
栅极阈值电压
(V
CE
= V
GE
, I
C
= 1毫安，T
j
= 25°C)
民
典型值
最大
单位
600
3
4.5
2.2
2.1
250
2
6
2.7
伏
集电极 - 发射极上的电压（V
GE
= 15V ，我
C
= 40A ，T
j
= 25°C)
集电极 - 发射极上的电压（V
GE
= 15V ，我
C
= 40A ，T
j
= 125°C)
集电极截止电流（V
CE
= 600V, V
GE
= 0V ，T
j
= 25°C)
2
I
CES
I
GES
A
nA
集电极截止电流（V
CE
= 600V, V
GE
= 0V ，T
j
= 125°C)
栅极 - 射极漏电流（V
GE
= ±20V)
2500
4-2003
050-7410
REV C
±100
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
动态特性
符号
C
IES
C
OES
C
水库
V
GEP
Q
g
Q
ge
Q
gc
SSOA
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
门极 - 发射极电压高原
总栅极电荷
3
APT40GP60J
测试条件
电容
V
GE
= 0V, V
CE
= 25V
F = 1 MHz的
栅极电荷
V
GE
= 15V
V
CE
= 300V
I
C
= 40A
T
J
= 150℃ ，R
G
= 5, V
GE
=
15V ， L = 100μH ，V
CE
= 600V
电感式开关（ 25 ° C）
V
CC
（峰）= 400V
V
GE
= 15V
I
C
= 40A
4
民
典型值
最大
单位
4610
395
25
7.5
135
30
40
160
20
29
64
45
385
644
352
450
20
29
89
69
385
972
615
950
J
ns
ns
A
nC
V
pF
栅极 - 射极电荷
门极 - 集电极（ "Miller " ）充电
开关SOA
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on1
E
on2
E
关闭
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on1
E
on2
E
关闭
导通延迟时间
电流上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
导通开关能量
导通开关能量（二极管）
5
关断开关能量
导通延迟时间
电流上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
导通开关能量
4
5
6
R
G
= 5
T
J
= +25°C
J
电感式开关（ 125°C ）
V
CC
（峰）= 400V
V
GE
= 15V
I
C
= 40A
R
G
= 5
T
J
= +125°C
导通开关能量（二极管）
关断开关能量
6
热和机械特性
符号
R
θJC
R
θJC
W
T
特征
结到外壳（ IGBT ）
结到管壳（二极管）
包装重量
民
典型值
最大
单位
° C / W
gm
.44
不适用
29.2
1重复额定值：脉冲宽度有限的最高结温。
2对于Combi机设备，I
CES
包括IGBT和FRED泄漏
3见MIL- STD- 750方法3471 。
4 E
on1
是钳位感性点灯能量只IGBT的未经整流二极管的反向恢复电流的效果
增加了IGBT导通损耗。 （见Figure24 。 ）
5 E
on2
是钳位感性开启能量，包括在IGBT导通一个整流二极管的反向恢复电流的开关
损失。甲组合式装置用于钳位二极管所示电子
on2
测试电路。 （见图21 ， 22 ）
6 E
关闭
是按照wtih JEDEC标准JESD24-1测量钳位感性关断能量。 （见图21 ， 23 ）
APT保留更改的权利，恕不另行通知，该说明和信息，包含在本文中。
050-7410
REV C
4-2003
典型性能曲线
10,000
5,000
资本投资者入境计划
160
140
I
C
，集电极电流（ A）
APT40GP60J
180
C，电容（ F）
1,000
500
卓越中心
P
120
100
80
60
40
20
0
100 200 300 400 500 600 700
V
CE
，集电极到发射极电压
图18 ， Minimim开关安全工作区
0
100
50
CRES
10
0
0
10
20
30
40
50
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
图17 ，电容VS集电极 - 发射极电压
0.45
Z
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
θ
0.40
0.35
0.9
0.7
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0
10
-5
0.1
0.05
10
-4
单脉冲
10
0.3
0.5
注意：
PDM
t1
t2
占空比D = T1 /吨
2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
10
-3
10
-2
10
-1
1.0
矩形脉冲持续时间（秒）
图1 ，最大有效瞬态热阻抗，结点到外壳VS脉冲持续时间
遥控模型
210
F
最大
，工作频率（千赫）
连接点
温度。 （ “C ）
0.109
0.0107F
100
动力
（瓦特）
50
F
最大
=
分（F
max1
, f
MAX 2
)
f
max1
=
T
J
= 125
°
C
T
C
= 75
°
C
D = 50 %
V
CE
= 400V
R
G
= 5
0.180
0.149F
t
D（上）
0.05
+
t
r
+
t
D（关闭）
+
t
f
0.151
外壳温度
1.22F
f
MAX 2
=
P
DISS
=
P
DISS
P
COND
E
ON 2
+
E
关闭
10
T
J
T
C
R
θ
JC
图19B ，瞬态热阻抗模型
10
20
30
40
50
60
I
C
，集电极电流（ A）
图20 ，工作频率与集电极
当前
050-7410
REV C
4-2003
APT40GP60J
600V
功率MOS 7 IGBT
E
G
C
E
功率MOS 7
IGBT是新一代高压功率IGBT的。
使用穿通科技这IGBT适用于多种频率高，
高电压开关应用，并已被优化用于高频率
开关模式电源。
OT
S
2
-2
7
"UL Recognized"
低传导损耗
低栅极电荷
超快尾电流关断
最大额定值
符号
V
CES
V
GE
V
创业板
I
C1
I
C2
I
CM
SSOA
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
参数
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
栅极 - 射极电压瞬态
100 kHz的工作频率@ 400V ， 27A
200 kHz的工作频率@ 400V ， 17A
额定SSOA
C
ISOTOP
G
E
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT40GP60J
单位
600
±20
±30
86
40
160
160A @ 600V
284
-55到150
300
瓦
°C
安培
伏
连续集电极电流@ T
C
= 25°C
连续集电极电流@ T
C
= 110°C
集电极电流脉冲
1
@ T
C
= 25°C
开关安全工作区@ T
J
= 150°C
总功耗
工作和存储结温范围
马克斯。铅温度。用于焊接： 0.063"案件从10秒。
静态电气特性
符号
BV
CES
V
GE （日）
V
CE （ON）的
特性/测试条件
集电极 - 发射极击穿电压（V
GE
= 0V时，我
C
= 250A)
栅极阈值电压
(V
CE
= V
GE
, I
C
= 1毫安，T
j
= 25°C)
民
典型值
最大
单位
600
3
4.5
2.6
2.4
250
2
6
2.7
伏
集电极 - 发射极上的电压（V
GE
= 15V ，我
C
= 40A ，T
j
= 25°C)
集电极 - 发射极上的电压（V
GE
= 15V ，我
C
= 40A ，T
j
= 125°C)
集电极截止电流（V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V ，T
j
= 25°C)
集电极截止电流（V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V ，T
j
= 125°C)
栅极 - 射极漏电流（V
GE
= ±20V)
2
I
CES
I
GES
A
nA
REV A 5-2002
050-7410
2500
±100
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
动态特性
符号
C
IES
C
OES
C
水库
V
GEP
Q
g
Q
ge
Q
gc
SSOA
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
门极 - 发射极电压高原
总栅极电荷
3
APT40GP60J
测试条件
电容
V
GE
= 0V, V
CE
= 25V
F = 1 MHz的
栅极电荷
V
GE
= 15V
V
CE
= 300V
I
C
= 40A
T
J
= 150℃ ，R
G
= 5, V
GE
=
15V ， L = 100μH ，V
CE
= 600V
电感式开关（ 25 ° C）
V
CC
（峰）= 400V
V
GE
= 15V
I
C
= 40A
4
民
典型值
最大
单位
4470
406
25
6.8
123
28
33
160
18
25
56
42
385
613
295
18
24
74
71
357
815
519
J
ns
ns
A
nC
V
pF
栅极 - 射极电荷
门极 - 集电极（ "Miller " ）充电
开关SOA
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on1
E
on2
E
关闭
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on1
E
on2
E
关闭
导通延迟时间
电流上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
导通开关能量
导通开关能量（二极管）
5
关断开关能量
导通延迟时间
电流上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
导通开关能量
4
5
6
R
G
= 5
T
J
= +25°C
J
电感式开关（ 125°C ）
V
CC
（峰）= 400V
V
GE
= 15V
I
C
= 40A
R
G
= 5
T
J
= +125°C
导通开关能量（二极管）
关断开关能量
6
热和机械特性
符号
R
θJC
R
θJC
W
T
特征
结到外壳（ IGBT ）
结到管壳（二极管）
包装重量
民
典型值
最大
单位
° C / W
gm
.44
不适用
29.2
1重复额定值：脉冲宽度有限的最高结温。
2对于Combi机设备，I
CES
包括IGBT和FRED泄漏
3见MIL- STD- 750方法3471 。
4 E
on1
是钳位感性点灯能量只IGBT的未经整流二极管的反向恢复电流的效果
增加了IGBT导通损耗。 （参见图24 ）
5 E
on2
是钳位感性开启能量，包括在IGBT导通一个整流二极管的反向恢复电流的开关
损失。甲组合式装置用于钳位二极管所示电子
on2
测试电路。 （见图21 ， 22 ）
6 E
关闭
是钳位感性关断能量。 （见图21 ， 23 ）
APT保留更改的权利，恕不另行通知，该说明和信息，包含在本文中。
050-7410
REV A 5-2002
APT的设备涵盖了以下一个USpatents的一个或多个：
4,895,810
5,256,583
5,045,903
4,748,103
5,089,434
5,283,202
5,182,234
5,231,474
5,019,522
5,434,095
5,262,336
5,528,058
典型性能曲线
10,000
5,000
资本投资者入境计划
160
140
I
C
，集电极电流（ A）
APT40GP60J
180
C，电容（ F）
1,000
500
卓越中心
P
120
100
80
60
40
20
0
100 200 300 400 500 600 700
V
CE
，集电极到发射极电压
图18 ， Minimim开关安全工作区
0
100
50
CRES
10
0
0
10
20
30
40
50
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
图17 ，电容VS集电极 - 发射极电压
0.45
D=0.5
Z
θ
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
0.1
0.05
0.2
0.1
0.05
0.01
0.005
单脉冲
PDM
0.01
0.02
注意：
t1
t2
占空比D = T1 /吨
2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
0.001
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1.0
矩形脉冲持续时间（秒）
图19 ，最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间
10
350
F
最大
，工作频率（千赫）
100
F
最大
=
分（F
max1
, f
MAX 2
)
50
f
max1
=
T
J
= 125
°
C
T
C
= 75
°
C
D = 50 %
V
CE
= 400V
R
G
= 5
t
D（上）
0.05
+
t
r
+
t
D（关闭）
+
t
f
f
MAX 2
=
P
DISS
=
P
DISS
P
COND
E
ON 2
+
E
关闭
10
T
J
T
C
R
θ
JC
10
20
30
40
50
60
I
C
，集电极电流（ A）
图20 ，工作频率与集电极
当前
050-7410
REV A 5-2002
APT40GP60J
600V
功率MOS 7 IGBT
功率MOS 7
IGBT是新一代高压功率IGBT的。
使用穿通科技这IGBT适用于多种频率高，
高电压开关应用，并已被优化用于高频率
开关模式电源。
E
G
C
E
OT
S
2
-2
7
"UL Recognized"
低传导损耗
低栅极电荷
超快尾电流关断
最大额定值
符号
V
CES
V
GE
V
创业板
I
C1
I
C2
I
CM
SSOA
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
参数
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
栅极 - 射极电压瞬态
100 kHz的工作频率@ 400V ， 25A
200 kHz的工作频率@ 400V ， 16A
额定SSOA
C
ISOTOP
G
E
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT40GP60J
单位
600
±20
±30
86
40
160
160A @ 600V
284
-55到150
300
瓦
°C
安培
伏
连续集电极电流@ T
C
= 25°C
连续集电极电流@ T
C
= 110°C
集电极电流脉冲
1
@ T
C
= 25°C
开关安全工作区@ T
J
= 150°C
总功耗
工作和存储结温范围
马克斯。铅温度。用于焊接： 0.063"案件从10秒。
静态电气特性
符号
BV
CES
V
GE （日）
V
CE （ON）的
特性/测试条件
集电极 - 发射极击穿电压（V
GE
= 0V时，我
C
= 250A)
栅极阈值电压
(V
CE
= V
GE
, I
C
= 1毫安，T
j
= 25°C)
民
典型值
最大
单位
600
3
4.5
2.2
2.1
250
2
6
2.7
伏
集电极 - 发射极上的电压（V
GE
= 15V ，我
C
= 40A ，T
j
= 25°C)
集电极 - 发射极上的电压（V
GE
= 15V ，我
C
= 40A ，T
j
= 125°C)
集电极截止电流（V
CE
= 600V, V
GE
= 0V ，T
j
= 25°C)
2
I
CES
I
GES
A
nA
集电极截止电流（V
CE
= 600V, V
GE
= 0V ，T
j
= 125°C)
栅极 - 射极漏电流（V
GE
= ±20V)
2500
4-2003
050-7410
REV C
±100
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
动态特性
符号
C
IES
C
OES
C
水库
V
GEP
Q
g
Q
ge
Q
gc
SSOA
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
门极 - 发射极电压高原
总栅极电荷
3
APT40GP60J
测试条件
电容
V
GE
= 0V, V
CE
= 25V
F = 1 MHz的
栅极电荷
V
GE
= 15V
V
CE
= 300V
I
C
= 40A
T
J
= 150℃ ，R
G
= 5, V
GE
=
15V ， L = 100μH ，V
CE
= 600V
电感式开关（ 25 ° C）
V
CC
（峰）= 400V
V
GE
= 15V
I
C
= 40A
4
民
典型值
最大
单位
4610
395
25
7.5
135
30
40
160
20
29
64
45
385
644
352
450
20
29
89
69
385
972
615
950
J
ns
ns
A
nC
V
pF
栅极 - 射极电荷
门极 - 集电极（ "Miller " ）充电
开关SOA
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on1
E
on2
E
关闭
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on1
E
on2
E
关闭
导通延迟时间
电流上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
导通开关能量
导通开关能量（二极管）
5
关断开关能量
导通延迟时间
电流上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
导通开关能量
4
5
6
R
G
= 5
T
J
= +25°C
J
电感式开关（ 125°C ）
V
CC
（峰）= 400V
V
GE
= 15V
I
C
= 40A
R
G
= 5
T
J
= +125°C
导通开关能量（二极管）
关断开关能量
6
热和机械特性
符号
R
θJC
R
θJC
W
T
特征
结到外壳（ IGBT ）
结到管壳（二极管）
包装重量
民
典型值
最大
单位
° C / W
gm
.44
不适用
29.2
1重复额定值：脉冲宽度有限的最高结温。
2对于Combi机设备，I
CES
包括IGBT和FRED泄漏
3见MIL- STD- 750方法3471 。
4 E
on1
是钳位感性点灯能量只IGBT的未经整流二极管的反向恢复电流的效果
增加了IGBT导通损耗。 （见Figure24 。 ）
5 E
on2
是钳位感性开启能量，包括在IGBT导通一个整流二极管的反向恢复电流的开关
损失。甲组合式装置用于钳位二极管所示电子
on2
测试电路。 （见图21 ， 22 ）
6 E
关闭
是按照wtih JEDEC标准JESD24-1测量钳位感性关断能量。 （见图21 ， 23 ）
APT保留更改的权利，恕不另行通知，该说明和信息，包含在本文中。
050-7410
REV C
4-2003
典型性能曲线
10,000
5,000
资本投资者入境计划
160
140
I
C
，集电极电流（ A）
APT40GP60J
180
C，电容（ F）
1,000
500
卓越中心
P
120
100
80
60
40
20
0
100 200 300 400 500 600 700
V
CE
，集电极到发射极电压
图18 ， Minimim开关安全工作区
0
100
50
CRES
10
0
0
10
20
30
40
50
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
图17 ，电容VS集电极 - 发射极电压
0.45
Z
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
θ
0.40
0.35
0.9
0.7
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0
10
-5
0.1
0.05
10
-4
单脉冲
10
0.3
0.5
注意：
PDM
t1
t2
占空比D = T1 /吨
2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
10
-3
10
-2
10
-1
1.0
矩形脉冲持续时间（秒）
图1 ，最大有效瞬态热阻抗，结点到外壳VS脉冲持续时间
遥控模型
210
F
最大
，工作频率（千赫）
连接点
温度。 （ “C ）
0.109
0.0107F
100
动力
（瓦特）
50
F
最大
=
分（F
max1
, f
MAX 2
)
f
max1
=
T
J
= 125
°
C
T
C
= 75
°
C
D = 50 %
V
CE
= 400V
R
G
= 5
0.180
0.149F
t
D（上）
0.05
+
t
r
+
t
D（关闭）
+
t
f
0.151
外壳温度
1.22F
f
MAX 2
=
P
DISS
=
P
DISS
P
COND
E
ON 2
+
E
关闭
10
T
J
T
C
R
θ
JC
图19B ，瞬态热阻抗模型
10
20
30
40
50
60
I
C
，集电极电流（ A）
图20 ，工作频率与集电极
当前
050-7410
REV C
4-2003
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