400V
27A
0.16
APT4016BVFR
APT4016SVFR
APT4016BVFRG * APT4016SVFRG *
*
G表示符合RoHS ，无铅终端完成。
功率MOS V
FREDFET
BVFR
TO
-
24
7
功率MOS V
是新一代高电压N沟道增强
模式的功率MOSFET 。这种新技术的最小的JFET效应，
增加填充密度，并降低了导通电阻。功率MOS V
还实现了门，通过优化布局更快的开关速度。
D
3
PAK
SVFR
更快的开关
低漏
快速恢复体二极管
最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
V
GSM
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
I
AR
E
AR
E
AS
参数
漏源电压
额定雪崩能量
TO- 247或表面贴装
3
PAK
G
D
S
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT4016B_SVFR(G)
单位
伏
安培
400
27
108
±30
±40
280
2.24
-55到150
300
27
30
4
1
连续漏电流@ T
C
= 25°C
漏电流脉冲
门源电压连续
栅源电压瞬态
总功率耗散@ T
C
= 25°C
线性降额因子
工作和存储结温范围
焊接温度： 0.063"案件从10秒。
雪崩电流
1
伏
瓦
W / ℃，
°C
安培
mJ
（重复，不重复）
1
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
1210
静态电气特性
符号
BV
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
特性/测试条件
漏源击穿电压（V
GS
= 0V时，我
D
= 250A)
在国家漏极电流
2
民
典型值
最大
单位
伏
安培
400
27
0.16
250
1000
2
4
±100
(V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）
马克斯，V
GS
= 10V)
2
漏源导通电阻
(V
GS
= 10V ， 14A ）
欧
A
2-2006
050-5634修订版A
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 400V, V
GS
= 0V)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 320V V
DSS
, V
GS
= 0V ，T
C
=125°C)
门源漏电流（V
GS
= ±30V, V
DS
= 0V)
栅极阈值电压（V
DS
= V
GS
, I
D
= 1.0毫安）
APT网站 - http://www.advancedpower.com
nA
伏
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d
（上）
t
r
t
d
（关闭）
t
f
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
3
APT4016B_SVFR(G)
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
V
GS
= 10V
V
DD
= 200V
I
D
= 27A @ 25°C
V
GS
= 15V
V
DD
= 200V
I
D
= 27A @ 25°C
R
G
= 1.6
民
典型值
最大
单位
pF
3350
510
200
135
24
60
11
10
48
6
ns
nC
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller " ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源极 - 漏极二极管额定值和特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
dv
/
dt
特性/测试条件
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流
二极管的正向电压
1
2
民
典型值
最大
单位
安培
伏
V / ns的
ns
27
108
1.3
15
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
（体二极管）
(V
GS
= 0V时，我
S
= -27A)
5
峰值二极管恢复
dv
/
dt
反向恢复时间
(I
S
= -27A,
di
/
dt
= 100A / μs）内
反向恢复电荷
(I
S
= -27A,
di
/
dt
= 100A / μs）内
峰值恢复电流
(I
S
= -27A,
di
/
dt
= 100A / μs）内
t
rr
Q
rr
I
RRM
250
450
1.8
6.0
14
24
C
安培
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
特征
结到外壳
结到环境
民
典型值
最大
单位
° C / W
0.45
40
3
见MIL -STD -750方法3471
4
启动T = + 25 ° C，L = 3.32mH ， R = 25Ω ，峰值I = 27A
温度。
j
G
L
2
脉冲测试：脉冲宽度< 380 μS ，占空比< 2 ％
5 DV
/
号反映了测试电路的局限性，而不是
dt
设备本身。
IS
≤
-
ID
续。
di
/
dt
≤
700A/s
VR
≤
VDSS TJ
≤
150
°
C
[
]
APT保留更改的权利，恕不另行通知，该说明和信息，包含在本文中。
1
重复评价：脉冲宽度有限的最高结
0.5
Z
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
θ
D=0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
0.01
单脉冲
注意：
PDM
t1
t2
占空比D = T1 / T2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
0.1
0.05
050-5634修订版A
2-2006
0.001
10
-5
10
-3
10
-2
10
-1
1.0
10
矩形脉冲持续时间（秒）
图1 ，最大有效瞬态热阻抗，结点到外壳VS脉冲持续时间
10
-4
典型性能曲线
50
VGS = 6V ， 7V ， 10V 15V &
I
D
，漏极电流（安培）
I
D
，漏极电流（安培）
APT4016B_SVFR(G)
50
VGS=15V
5.5V
40
VGS=10V
VGS=7V
30
5V
20
5.5V
6V
40
30
5V
20
10
4.5V
10
4.5V
4V
0
40
80
120
160
200
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图2 ，典型输出特性
R
DS
（ON ） ，漏极至源极导通电阻
4V
0
2
4
6
8
10
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图3 ，典型输出特性
2.0
V
GS
0
0
50
I
D
，漏极电流（安培）
TJ = -55°C
TJ = + 25°C
TJ = + 125°C
归一
= 10V @ 0.5 I [续]
D
40
1.8
1.6
1.4
30
VDS>的ID （ON ）× R DS（ ON）的最大值。
250μSEC 。脉冲测试
@ <0.5 ％占空比
VGS=10V
VGS=20V
20
1.2
1.0
0.8
10
TJ = + 125°C
0
TJ = + 25°C
TJ = -55°C
0
2
4
6
8
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
图4 ，一般传输特性
30
I
D
，漏极电流（安培）
0
20
40
60
80
100
I
D
，漏极电流（安培）
图5中，R
DS
（ ON）与漏电流
24
BV
DSS
，漏极 - 源极击穿
电压（归）
1.15
1.10
18
1.05
12
1.00
6
0.95
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图6 ，最大漏极电流与外壳温度
R
DS
（ON ） ，漏极至源极导通电阻
（归一化）
0
25
-25
0
25 50 75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图7 ，击穿电压与温度
1.2
0.90
-50
2.5
I = 0.5 I [续]
D
D
V
GS
（ TH ） ，阈值电压
（归一化）
V
GS
= 10V
2.0
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
10-2005
1.5
1.0
0.5
0.0
-50
-25
0
25 50
75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图8 ，导通电阻与温度
-25
0
25 50 75 100 125 150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图9 ，阈值电压与温度
0.6
-50
050-5634修订版A
APT4016B_SVFR(G)
150
100
I
D
，漏极电流（安培）
10,000
10S
操作点这里
限制根据RDS （ ON）
50
100S
C，电容（pF ）
5,000
西塞
10
5
1mS
10mS
1
.5
TC = + 25°C
TJ = + 150°C
单脉冲
100mS
DC
1,000
500
科斯
CRSS
.1
1
5 10
50 100
400
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图10 ，最大安全工作区
I = I [续]
D
D
.01
.1
1
10
50
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图11 ，典型电容VS漏极至源极电压
I
DR
，反向漏电流（安培）
100
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
20
VDS=80V
VDS=200V
12
VDS=320V
8
200
100
50
TJ = + 150°C
TJ = + 25°C
16
10
5
1
.5
4
50
100
150
200
250
300
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
图12 ，栅极电荷VS栅极至源极电压
0
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
V
SD
，源极到漏极电压（伏）
图13 ，典型的源极 - 漏极二极管的正向电压
.1
TO- 247 （ BVFR ）封装外形
E1国资委：锡，银，铜
PAK （ SVFR ）封装外形
E3 100 ％锡
3
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
漏
（散热器）
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
6.15 （ 0.242 ） BSC
4.98 (.196)
5.08 (.200)
1.47 (.058)
1.57 (.062)
15.95 (.628)
16.05(.632)
1.04 (.041)
1.15(.045)
13.41 (.528)
13.51(.532)
漏
20.80 (.819)
21.46 (.845)
3.50 (.138)
3.81 (.150)
修订
4/18/95
13.79 (.543)
13.99(.551)
修订
8/29/97
11.51 (.453)
11.61 (.457)
0.46 (.018)
0.56 （ 0.022 ） { 3 }的PLC
10-2005
4.50 （ 0.177 ）最大。
0.40 (.016)
0.79 (.031)
2.87 (.113)
3.12 (.123)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
0.020 (.001)
0.178 (.007)
2.67 (.105)
2.84 (.112)
1.27 (.050)
1.40 (.055)
1.98 (.078)
2.08 (.082)
5.45 （ 0.215 ） BSC
{ 2的PLC。 }
19.81 (.780)
20.32 (.800)
1.01 (.040)
1.40 (.055)
1.22 (.048)
1.32 (.052)
3.81 (.150)
4.06 (.160)
（铅基）
050-5634修订版A
门
漏
来源
散热器（漏）
并导致
镀
2.21 (.087)
2.59 (.102)
5.45 （ 0.215 ） BSC
2-Plcs.
尺寸以毫米（英寸）
来源
漏
门
单位为毫米（英寸）
APT的产品受一个或多个USpatents 4895810的5045903 5089434 5182234 5019522
5262336 6503786 5256583 4748103 5283202 5231474 5434095 5528058和外国专利。美国和外国专利正在申请中。版权所有。
400V
27A
0.16
APT4016BVFR
APT4016SVFR
APT4016BVFRG * APT4016SVFRG *
*
G表示符合RoHS ，无铅终端完成。
功率MOS V
FREDFET
BVFR
TO
-
24
7
功率MOS V
是新一代高电压N沟道增强
模式的功率MOSFET 。这种新技术的最小的JFET效应，
增加填充密度，并降低了导通电阻。功率MOS V
还实现了门，通过优化布局更快的开关速度。
D
3
PAK
SVFR
更快的开关
低漏
快速恢复体二极管
最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
V
GSM
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
I
AR
E
AR
E
AS
参数
漏源电压
额定雪崩能量
TO- 247或表面贴装
3
PAK
G
D
S
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT4016B_SVFR(G)
单位
伏
安培
400
27
108
±30
±40
280
2.24
-55到150
300
27
30
4
1
连续漏电流@ T
C
= 25°C
漏电流脉冲
门源电压连续
栅源电压瞬态
总功率耗散@ T
C
= 25°C
线性降额因子
工作和存储结温范围
焊接温度： 0.063"案件从10秒。
雪崩电流
1
伏
瓦
W / ℃，
°C
安培
mJ
（重复，不重复）
1
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
1210
静态电气特性
符号
BV
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
特性/测试条件
漏源击穿电压（V
GS
= 0V时，我
D
= 250A)
在国家漏极电流
2
民
典型值
最大
单位
伏
安培
400
27
0.16
250
1000
2
4
±100
(V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）
马克斯，V
GS
= 10V)
2
漏源导通电阻
(V
GS
= 10V ， 14A ）
欧
A
2-2006
050-5634修订版A
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 400V, V
GS
= 0V)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 320V V
DSS
, V
GS
= 0V ，T
C
=125°C)
门源漏电流（V
GS
= ±30V, V
DS
= 0V)
栅极阈值电压（V
DS
= V
GS
, I
D
= 1.0毫安）
APT网站 - http://www.advancedpower.com
nA
伏
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d
（上）
t
r
t
d
（关闭）
t
f
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
3
APT4016B_SVFR(G)
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
V
GS
= 10V
V
DD
= 200V
I
D
= 27A @ 25°C
V
GS
= 15V
V
DD
= 200V
I
D
= 27A @ 25°C
R
G
= 1.6
民
典型值
最大
单位
pF
3350
510
200
135
24
60
11
10
48
6
ns
nC
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller " ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源极 - 漏极二极管额定值和特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
dv
/
dt
特性/测试条件
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流
二极管的正向电压
1
2
民
典型值
最大
单位
安培
伏
V / ns的
ns
27
108
1.3
15
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
（体二极管）
(V
GS
= 0V时，我
S
= -27A)
5
峰值二极管恢复
dv
/
dt
反向恢复时间
(I
S
= -27A,
di
/
dt
= 100A / μs）内
反向恢复电荷
(I
S
= -27A,
di
/
dt
= 100A / μs）内
峰值恢复电流
(I
S
= -27A,
di
/
dt
= 100A / μs）内
t
rr
Q
rr
I
RRM
250
450
1.8
6.0
14
24
C
安培
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
特征
结到外壳
结到环境
民
典型值
最大
单位
° C / W
0.45
40
3
见MIL -STD -750方法3471
4
启动T = + 25 ° C，L = 3.32mH ， R = 25Ω ，峰值I = 27A
温度。
j
G
L
2
脉冲测试：脉冲宽度< 380 μS ，占空比< 2 ％
5 DV
/
号反映了测试电路的局限性，而不是
dt
设备本身。
IS
≤
-
ID
续。
di
/
dt
≤
700A/s
VR
≤
VDSS TJ
≤
150
°
C
[
]
APT保留更改的权利，恕不另行通知，该说明和信息，包含在本文中。
1
重复评价：脉冲宽度有限的最高结
0.5
Z
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
θ
D=0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
0.01
单脉冲
注意：
PDM
t1
t2
占空比D = T1 / T2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
0.1
0.05
050-5634修订版A
2-2006
0.001
10
-5
10
-3
10
-2
10
-1
1.0
10
矩形脉冲持续时间（秒）
图1 ，最大有效瞬态热阻抗，结点到外壳VS脉冲持续时间
10
-4
典型性能曲线
50
VGS = 6V ， 7V ， 10V 15V &
I
D
，漏极电流（安培）
I
D
，漏极电流（安培）
APT4016B_SVFR(G)
50
VGS=15V
5.5V
40
VGS=10V
VGS=7V
30
5V
20
5.5V
6V
40
30
5V
20
10
4.5V
10
4.5V
4V
0
40
80
120
160
200
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图2 ，典型输出特性
R
DS
（ON ） ，漏极至源极导通电阻
4V
0
2
4
6
8
10
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图3 ，典型输出特性
2.0
V
GS
0
0
50
I
D
，漏极电流（安培）
TJ = -55°C
TJ = + 25°C
TJ = + 125°C
归一
= 10V @ 0.5 I [续]
D
40
1.8
1.6
1.4
30
VDS>的ID （ON ）× R DS（ ON）的最大值。
250μSEC 。脉冲测试
@ <0.5 ％占空比
VGS=10V
VGS=20V
20
1.2
1.0
0.8
10
TJ = + 125°C
0
TJ = + 25°C
TJ = -55°C
0
2
4
6
8
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
图4 ，一般传输特性
30
I
D
，漏极电流（安培）
0
20
40
60
80
100
I
D
，漏极电流（安培）
图5中，R
DS
（ ON）与漏电流
24
BV
DSS
，漏极 - 源极击穿
电压（归）
1.15
1.10
18
1.05
12
1.00
6
0.95
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图6 ，最大漏极电流与外壳温度
R
DS
（ON ） ，漏极至源极导通电阻
（归一化）
0
25
-25
0
25 50 75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图7 ，击穿电压与温度
1.2
0.90
-50
2.5
I = 0.5 I [续]
D
D
V
GS
（ TH ） ，阈值电压
（归一化）
V
GS
= 10V
2.0
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
10-2005
1.5
1.0
0.5
0.0
-50
-25
0
25 50
75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图8 ，导通电阻与温度
-25
0
25 50 75 100 125 150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图9 ，阈值电压与温度
0.6
-50
050-5634修订版A
APT4016B_SVFR(G)
150
100
I
D
，漏极电流（安培）
10,000
10S
操作点这里
限制根据RDS （ ON）
50
100S
C，电容（pF ）
5,000
西塞
10
5
1mS
10mS
1
.5
TC = + 25°C
TJ = + 150°C
单脉冲
100mS
DC
1,000
500
科斯
CRSS
.1
1
5 10
50 100
400
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图10 ，最大安全工作区
I = I [续]
D
D
.01
.1
1
10
50
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图11 ，典型电容VS漏极至源极电压
I
DR
，反向漏电流（安培）
100
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
20
VDS=80V
VDS=200V
12
VDS=320V
8
200
100
50
TJ = + 150°C
TJ = + 25°C
16
10
5
1
.5
4
50
100
150
200
250
300
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
图12 ，栅极电荷VS栅极至源极电压
0
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
V
SD
，源极到漏极电压（伏）
图13 ，典型的源极 - 漏极二极管的正向电压
.1
TO- 247 （ BVFR ）封装外形
E1国资委：锡，银，铜
PAK （ SVFR ）封装外形
E3 100 ％锡
3
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
漏
（散热器）
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
6.15 （ 0.242 ） BSC
4.98 (.196)
5.08 (.200)
1.47 (.058)
1.57 (.062)
15.95 (.628)
16.05(.632)
1.04 (.041)
1.15(.045)
13.41 (.528)
13.51(.532)
漏
20.80 (.819)
21.46 (.845)
3.50 (.138)
3.81 (.150)
修订
4/18/95
13.79 (.543)
13.99(.551)
修订
8/29/97
11.51 (.453)
11.61 (.457)
0.46 (.018)
0.56 （ 0.022 ） { 3 }的PLC
10-2005
4.50 （ 0.177 ）最大。
0.40 (.016)
0.79 (.031)
2.87 (.113)
3.12 (.123)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
0.020 (.001)
0.178 (.007)
2.67 (.105)
2.84 (.112)
1.27 (.050)
1.40 (.055)
1.98 (.078)
2.08 (.082)
5.45 （ 0.215 ） BSC
{ 2的PLC。 }
19.81 (.780)
20.32 (.800)
1.01 (.040)
1.40 (.055)
1.22 (.048)
1.32 (.052)
3.81 (.150)
4.06 (.160)
（铅基）
050-5634修订版A
门
漏
来源
散热器（漏）
并导致
镀
2.21 (.087)
2.59 (.102)
5.45 （ 0.215 ） BSC
2-Plcs.
尺寸以毫米（英寸）
来源
漏
门
单位为毫米（英寸）
APT的产品受一个或多个USpatents 4895810的5045903 5089434 5182234 5019522
5262336 6503786 5256583 4748103 5283202 5231474 5434095 5528058和外国专利。美国和外国专利正在申请中。版权所有。
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