添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线：13751165337  13692101218
Pdf资料  |  热门库存  |  IC详细资料  |  网站地图
IC供应 PDF资料 非IC供应
51电子网联系电话：13751165337
首页
供应信息
求购信息
非IC专区
技术资料
电子资讯
招聘中心
会展信息 51旺铺 会员中心
位置：首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第184页 > APT35GN120SG
典型性能曲线
APT35GN120B
APT35GN120B_S(G)
APT35GN120S
APT35GN120BG APT35GN120SG
1200V
* G表示符合RoHS标准的无铅终端完成。
利用最新的非穿通（ NPT）场站的技术，这些IGBT的
具有非常短的，低幅度的尾电流和低的Eoff 。沟槽栅设计
结果优于V
CE （ON）的
性能。从非常紧张的易于并联的结果
参数分布及微正压V
CE （ON）的
温度COEF网络cient 。内建的
栅极电阻保证了超可靠运行。低栅极电荷简化网络连接的ES栅极驱动
设计和最小化损失。
G
(B)
TO
-2
47
D
3
PAK
(S)
C
G
E
1200V NPT场站
沟槽栅：低V
CE （ON）的
简单的并联
为10μs短路能力
综合型栅极电阻：低EMI ，高可靠性
C
E
C
G
E
应用范围：焊接，感应加热，太阳能逆变器，开关电源，马达驱动器， UPS
最大额定值
符号
V
CES
V
GE
I
C1
I
C2
I
CM
SSOA
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
参数
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
连续集电极电流@ T
C
= 25°C
连续集电极电流@ T
C
= 110°C
集电极电流脉冲
1
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT35GN120B_S(G)
单位
伏
1200
±30
94
46
105
105A @ 1200V
379
-55到150
安培
@ T
C
= 150°C
开关安全工作区@ T
J
= 150°C
总功耗
工作和存储结温范围
马克斯。铅温度。用于焊接： 0.063"案件从10秒。
瓦
°C
300
静态电气特性
符号
V
（ BR ） CES
V
GE （日）
V
CE （ON）的
特性/测试条件
集电极 - 发射极击穿电压（V
GE
= 0V时，我
C
= 250A)
栅极阈值电压
(V
CE
= V
GE
, I
C
= 1毫安，T
j
= 25°C)
民
典型值
最大
单位
1200
5
1.4
5.8
1.7
1.9
100
2
6.5
伏
集电极 - 发射极上的电压（V
GE
= 15V ，我
C
= 35A ，T
j
= 25°C)
集电极 - 发射极上的电压（V
GE
= 15V ，我
C
= 35A ，T
j
= 125°C)
2.1
I
CES
I
GES
R
GINT
集电极截止电流（V
CE
= 1200V, V
GE
= 0V ，T
j
= 25°C)
2
A
nA
Ω
修订版D 7-2009
050-7601
集电极截止电流（V
CE
= 1200V, V
GE
= 0V ，T
j
= 125°C)
栅极 - 射极漏电流（V
GE
= ±20V)
综合型栅极电阻
待定
600
6
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
Microsemi的网站 - http://www.microsemi.com
动态特性
符号
C
IES
C
OES
C
水库
V
GEP
Q
g
Q
ge
Q
gc
SSOA
SCSOA
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on1
E
on2
E
关闭
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on1
E
on2
E
关闭
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
门极 - 发射极电压高原
总栅极电荷
3
APT35GN120B_S(G)
测试条件
电容
V
GE
= 0V, V
CE
= 25V
F = 1 MHz的
栅极电荷
V
GE
= 15V
V
CE
= 600V
I
C
= 35A
T
J
= 150℃ ，R
G
= 2.2Ω
7
,
V
GE
=
15V ， L = 100μH ，V
CE
= 1200V
V
CC
= 960V, V
GE
= 15V,
T
J
= 125 ° C，R
G
= 2.2Ω
7
电感式开关（ 25 ° C）
V
CC
= 800V
V
GE
= 15V
I
C
= 35A
4
5
民
典型值
最大
单位
2500
150
120
9.5
220
15
130
105
10
24
22
300
55
待定
2395
2315
24
22
365
100
待定
3745
3435
J
ns
ns
A
nC
V
pF
栅极 - 射极电荷
门极 - 集电极（ "Miller " ）充电
开关安全工作区
短路安全工作区
s
导通延迟时间
电流上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
导通开关能量
R
G
= 2.2Ω
7
导通开关能量（二极管）
关断开关能量
导通延迟时间
电流上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
导通开关能量
44
6
T
J
= +25°C
J
电感式开关（ 125°C ）
V
CC
= 800V
V
GE
= 15V
I
C
= 35A
R
G
= 2.2Ω
7
55
导通开关能量（二极管）
关断开关能量
66
T
J
= +125°C
热和机械特性
符号
R
θ
JC
R
θ
JC
W
T
特征
结到外壳
（IGBT）
结到外壳
（二极管）
包装重量
民
典型值
最大
单位
° C / W
gm
.33
不适用
5.9
1重复额定值：脉冲宽度有限的最高结温。
2对于Combi机设备，I
CES
包括IGBT和FRED泄漏
3见MIL- STD- 750方法3471 。
4 E
on1
是蛤PED认证电感导通能量只IGBT的未经整流二极管的反向恢复电流的效果
增加了IGBT导通损耗。 （参见图24 ）
5 E
on2
是钳位感性开启能量，包括在IGBT导通一个整流二极管的反向恢复电流的开关
损失。 （见图21 ， 22 ）
修订版D 7-2009
6 E
关闭
是按照JEDEC标准JESD24-1测定的钳位感性关断能量。 （见图21 ， 23 ）
7 R
G
是外部栅极电阻，不包括研究
GINT
或非门驱动器阻抗。 （ MIC4452 ）
Microsemi的保留权利更改，恕不另行通知，此处包含的说明和信息。
050-7601
典型性能曲线
120
15V
I
C
，集电极电流（ A）
12V
I
C
，集电极电流（ A）
100
80
11V
60
10V
40
9V
20
8V
0
7V
0
2
4
6
8
10
12
V
CE
，集气器 - 发射极电压（ V）
250μs的脉冲
TEST<0.5 ％占空比
周期
APT35GN120B_S(G)
120
15V
100
12V
11V
10V
40
9V
20
0
8V
7V
0
2
4
6
8
10
12
14
V
CE
，集气器 - 发射极电压（ V）
80
60
图1中，输出特性（T
J
= 25°C)
100
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）
图2中，输出特性（T
J
= 125°C)
16
14
12
V
CE
= 600V
10
8
6
4
2
0
0
50
100
150
200
栅极电荷（ NC）
250
V
CE
= 960V
I = 35A
C
中T = 25℃
J
I
C
，集电极电流（ A）
80
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
40
T
J
= -55°C
V
CE
= 240V
60
20
0
0
2
4
6
8
10
12
14
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）
图3 ，传输特性
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
图4中，栅极电荷
3
I
C
= 70A
2.5
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1.0
0.5
10
12
14
16
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）
图5 ，通态电压VS门极 - 发射极电压
1.10
0
8
I
C
= 17.5A
I
C
= 35A
T
J
= 25°C.
250μs的脉冲测试
<0.5 ％占空比
I
C
= 70A
2
I
C
= 35A
1.5
1
0.5
I
C
= 17.5A
V
GE
= 15V.
250μs的脉冲测试
<0.5 ％占空比
-25
0
25
50
75 100 125
T
J
，结温（ ° C）
图6 ，通态电压VS结温
140
0
-50
BV
CES
，集电极 - 发射极击穿
电压（归）
1.05
I
C,
DC集电极电流（ A）
120
100
80
60
40
20
0
-50
修订版D 7-2009
050-7601
焊接温度
有限
1.00
0.95
-25
0
25
50
75
100 125
T
J
，结温（ ° C）
图7 ，击穿电压与结温
0.90
-50
-25
0
25 50 75 100 125 150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图8 ， DC集电极电流与外壳温度
APT35GN120B_S(G)
30
t
D（关闭）
，关断延迟时间（纳秒）
t
D（上）
，导通延迟时间（纳秒）
25
V
GE
= 15V
450
350
300
250
V
GE
=15V,T
J
=25°C
V
GE
=15V,T
J
=125°C
20
15
10
5
0
V
CE
= 800V
T
J
= 25°C
,
T
J
=125°C
R
G
= 2.2Ω
L = 100 μH
200
150
100
50
0
V
CE
=
800V
R
G
=
2.2Ω
L = 100 μH
10
20
30
40
50
60
70
80
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图9 ，导通延迟时间与集电极电流
80
70
60
t
r,
上升时间（纳秒）
t
f,
下降时间（纳秒）
50
40
30
20
10
10
20
30
40
50
60
70
80
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图11 ，电流上升时间与集电极电流
12000
E
ON2
，开启能量损失（ μJ ）
V
= 800V
CE
V
= +15V
GE
R = 2.2Ω
G
10
20
30
40
50
60
70
80
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图10 ，关闭延迟时间与集电极电流
150
125
100
75
50
25
T
J
=
25 ° C，V
GE
=
15V
T
J
=
125°C ，V
GE
=
15V
R
G
=
2.2Ω, L
=
100
H，V
CE
=
800V
R
G
=
2.2Ω, L
=
100
H，V
CE
=
800V
T
J
=
25或125°C ，V
GE
=
15V
0
10
20
30
40
50
60
70
80
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图12 ，电流下降时间与集电极电流
8000
E
关闭
，关闭能量损失（ μJ ）
7000
6000
5000
4000
3000
2000
T
J
=
25 ° C，V
GE
=
15V
V
= 800V
CE
V
= +15V
GE
R = 2.2Ω
G
0
10000
T
J
=
125°C,V
GE
=
15V
T
J
=
125°C ，V
GE
=
15V
8000
6000
4000
2000
T
J
=
25°C,V
GE
=
15V
1000
10
20
30
40
50
60
70
80
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图14 ，关闭能量损失VS集电极电流
12000
V
= 800V
CE
V
= +15V
GE
R = 2.2Ω
G
10
20
30
40
50
60
70
80
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图13 ，开启能量损耗VS集电极电流
25000
开关损耗（ μJ ）
V
= 800V
CE
V
= +15V
GE
T = 125°C
J
0
0
开关损耗（ μJ ）
E
on2,
70A
20000
10000
8000
6000
4000
2000
0
E
on2,
70A
E
关，
70A
15000
E
关，
70A
10000
修订版D 7-2009
E
on2,
35A
E
关，
17.5A
E
on2,
17.5A
0
E
关，
35A
5000
E
on2,
35A
E
on2,
17.5A
E
关，
35A
E
关，
17.5A
050-7601
10
20
30
40
50
R
G
，栅极电阻（欧姆）
图15 ，开关损耗与栅极电阻
0
0
25
50
75
100
125
T
J
，结温（ ° C）
图16 ，开关损耗VS结温
典型性能曲线
4,000
C
IES
1,000
C，电容（ F）
P
APT35GN120B_S(G)
I
C
，集电极电流（ A）
120
100
80
60
40
20
500
C
0es
100
50
C
水库
10
0
10
20
30
40
50
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
图17 ，电容VS集电极 - 发射极电压
200 400 600 800 1000 1200 1400
V
CE
，集电极到发射极电压
图18 ， Minimim开关安全工作区
0
0
0.35
0.30
0.25
0.20
0.5
0.15
0.10
0.05
0
0.3
注意：
0.9
Z
θ
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
0.7
PDM
t1
t2
0.1
0.05
10
-5
10
-4
单脉冲
占空比D =
1
/
t2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
t
10
-3
10
-2
10
-1
矩形脉冲持续时间（秒）
图19 ，最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间
1.0
140
F
最大
，工作频率（千赫）
F
最大
= MIN （F
最大
, f
max2
)
10
f
max1
=
f
max2
=
P
DISS
=
0.05
t
D（上）
+ t
r
+ t
D（关闭）
+ t
f
P
DISS
- P
COND
E
on2
+ E
关闭
T
J
- T
C
R
θJC
20
30
40
50
60
70
I
C
，集电极电流（ A）
图20 ，工作频率与集电极电流
1
T = 125
°
C
J
T = 75
°
C
C
D = 50 %
V
= 800V
CE
R = 2.2Ω
G
10
050-7601
修订版D 7-2009
查看更多APT35GN120SGPDF信息
推荐型号
AMPAL20R4ADC
AT28C256-15FC
AP28F256A-120
APT10050JVFR
AM29F040-70JIB
ACT-SF512K32N-26P5M
AO20A48-SL
AP1117Y15L-U
ADA3200DAK4BN
AOB4184
A71-H25X
AON7423
AMPAL22P10AJC
ADE3700SX
AP34063S8G-U
AS7C513-10JC
A54SX08P-1PQ208I
A54SX08A-1TQ208I
AZ431-B
APL1086-285GC-TU
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    APT35GN120SG
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市科恒伟业电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881936556 复制 点击这里给我发消息 QQ：1838629145 复制 点击这里给我发消息 QQ：1366534167 复制

电话：0755-88917652分机801-83200050
联系人：柯
地址：深圳市福田区华强北振兴华101号华匀大厦二栋五楼516室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票！！
APT35GN120SG
Microch
1925+
6852
NA
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险！！
深圳市珩瑞科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2938238007 复制 点击这里给我发消息 QQ：1840507767 复制

电话：0755-82578309/18898790342
联系人：李小姐
地址：深圳市福田区华强北海外装饰大厦B座7B33
APT35GN120SG
Microchip
21+
10500
███原装现货正品
深圳市芯泽盛世科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881147140 复制

电话：0755-89697985
联系人：李
地址：深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
APT35GN120SG
Microchip Technology
24+
10000
D3PAK
原厂一级代理，原装现货
深圳市诺洋电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881501653 复制

电话：0755-83223003
联系人：朱
地址：福田区红荔路上步工业区201栋西座316
APT35GN120SG
Microchip Technology
24+
3769
D3PAK
全新原装现货，原厂代理。
深圳市科恒伟业电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2236823936 复制

电话：0755-82569753-32922817-36561078-801
联系人：李小姐
地址：深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼508-510室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票！！
APT35GN120SG
Microch
1926+
6852
NA
只做进口原装正品现货，或订货假一赔十！
深圳市芯福林电子科技有限公司
QQ：
电话：0755-82574045
联系人：张女士
地址：广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
APT35GN120SG
微芯
21+22+
19200
原装正品欢迎询价
深圳市川蓝电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2276945435 复制 点击这里给我发消息 QQ：2801615837 复制

电话：0755-82522939
联系人：彭小姐
地址：广东省深圳市福田区福华路嘉汇新汇商中心1020
APT35GN120SG
microchip
15420
23+
原包装原标现货，假一罚十，
0.1
深圳市世品佳电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：296271020 复制
电话：0755-/83218466/83200833
联系人：销售部
地址：深圳市罗湖区北站路1号中贸大厦402
APT35GN120SG
Microchip Technology
24+
22000
D3PAK
原装正品假一赔百！
深圳市壹芯创科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

电话：0755-82780082
联系人：朱先生
地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层
APT35GN120SG
Microchip(微芯)
23+
8000
N/A
只做原装 正品现货
国芯通（深圳）国际电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2956528467 复制

电话：400-168-7299
联系人：King
地址：深圳市福田区福田街道福安社区福华一路国际商会大厦A栋1305-1306
APT35GN120SG
MICROCHIP/微芯
22+
5500
原装正品，诚信经营
查询更多APT35GN120SG供应信息
深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功！