APT34N80B2C3
APT34N80LC3
800V
34A 0.145
超级结MOSFET
OLMOS
O
功率半导体
T- MAX
TO-264
超低低R
DS
(
ON
)
低米勒电容
超低栅极电荷，Q
g
额定雪崩能量
热门
T- MAX
或TO- 264封装
除非另有说明， Microsemi的分立MOSFET包含单个MOSFET管芯。此装置由用
两个平行MOSFET芯片。它是用于开关模式操作。它不适合于线性模式操作。
D
G
S
最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
V
GSM
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
dv
/
dt
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT34N80B2C3_LC3
单位
伏
安培
参数
漏源电压
连续漏电流@ T
C
= 25°C
漏电流脉冲
1
800
34
102
±20
±30
417
3.33
-55到150
300
50
17
0.5
4
门源电压连续
栅源电压瞬态
总功率耗散@ T
C
= 25°C
线性降额因子
工作和存储结温范围
焊接温度： 0.063"案件从10秒。
漏源电压斜率（V
DS
= 640V ，我
D
= 34A ，T
J
= 125°C)
重复性雪崩电流
重复性雪崩能量
7
7
伏
瓦
W / ℃，
°C
V / ns的
安培
mJ
I
AR
E
AR
E
AS
单脉冲雪崩能量
670
静态电气特性
符号
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
特性/测试条件
漏源击穿电压（V
GS
= 0V时，我
D
= 500A)
漏源导通电阻
2
民
典型值
最大
单位
伏
800
0.125
1.0
0.145
50
500
±200
2.10
3
3.9
(V
GS
= 10V ，我
D
= 22A)
欧
A
nA
伏
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 800V, V
GS
= 0V)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 800V, V
GS
= 0V ，T
J
= 150°C)
门源漏电流（V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V)
栅极阈值电压（V
DS
= V
GS
, I
D
= 2毫安）
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
Microsemi的网站 - http://www.microsemi.com
"COOLMOS
包括由英飞凌科技股份公司研制的晶体管的一个新的家庭。 "COOLMOS"是与贸易
英飞凌科技AG"大关
050-7147 F版
6-2006
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
on
E
关闭
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
3
APT34N80B2C3 _LC3
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
V
GS
= 10V
V
DD
= 400V
I
D
= 34A @ 25°C
电阻开关
V
GS
= 10V
V
DD
= 400V
I
D
= 34A @ 125°C
R
G
= 2.5
6
电感式开关@ 25°C
V
DD
= 533V, V
GS
= 15V
I
D
= 34A ，R
G
= 5
6
电感式开关@ 125°C
V
DD
= 533V, V
GS
= 15V
I
D
= 34A ，R
G
= 5
民
典型值
最大
单位
4510
2050
110
180
22
90
25
15
70
6
675
580
1145
670
民
典型值
最大
单位
安培
伏
ns
C
pF
355
nC
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller " ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关能量
关断开关能量
导通开关能量
关断开关能量
80
9
ns
J
源极 - 漏极二极管额定值和特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
dv
/
dt
特性/测试条件
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流
二极管的正向电压
1
2
34
102
1
855
30
6
民
典型值
最大
（体二极管）
(V
GS
= 0V时，我
S
= -
34A
)
1.2
反向恢复时间（I
S
= -
34A
， DL
S
/ DT = 100A / μs的，V
R
= 400V)
反向恢复电荷（我
S
= -
34A
， DL
S
/ DT = 100A / μs的，V
R
= 400V)
峰值二极管恢复
dv
/
dt
5
V / ns的
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
特征
结到外壳
结到环境
单位
° C / W
.30
40
1重复额定值：脉冲宽度有限的最高结
温度
2脉冲测试：脉冲宽度< 380微秒，占空比< 2 ％
3见MIL- STD- 750方法3471
Microsemi的保留权利更改，恕不另行通知，此处包含的说明和信息。
0.35
Z
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
θ
4起始物为
j
= + 25 ° C，L = 115.92mH ，R
G
= 25Ω ，峰值I
L
= 3.4A
5
IS
=
-
34A
di
/
dt
= 100A / μs的
VR
= 480V
TJ
= 125
°
C
6李炎包括二极管的反向恢复。参见图18，20 。
7 Repetitve雪崩造成额外的功率损耗，可以
计算公式为
P
AV
=E
AR
*f
0.30
0.9
0.25
0.7
0.20
0.15
0.10
0.05
0
0.5
注意：
PDM
6-2006
0.3
t1
t2
050-7147 F版
0.1
0.05
10
-5
10
-4
单脉冲
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
占空比D = T1 / T2
10
-3
10
-2
10
-1
矩形脉冲持续时间（秒）
图1 ，最大有效瞬态热阻抗，结点到外壳VS脉冲持续时间
1.0
典型性能曲线
I
D
，漏极电流（安培）
50
APT34N80B2C3 _LC3
VGS = 15 & 10V
6.5V
6V
5.5V
40
T
J
( C)
0.117
耗散功率
（瓦特）
0.00828
0.174
T
C
( C)
0.183
30
5V
Z
EXT
20
Z
EXT
是外热
阻抗：案例下沉，
下沉到环境等设置为
只有建模时零
的情况下结。
10
4.5V
4V
图2 ，瞬态热阻抗模型
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
0
2
4
6
8
10
12
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图3 ，低电压输出特性
1.40
1.30
1.20
VGS=10V
1.10
1.00
0.90
0.80
归一
V
= 10V @ 17A
GS
0
100
90
I
D
，漏极电流（安培）
VDS>的ID （ON ）× R DS（ ON）的最大值。
250微秒。脉冲测试
@ <0.5 ％占空比
80
70
60
50
40
30
20
10
0
TJ = -55°C
TJ = + 25°C
TJ = + 125°C
0 1 2
3 4
5 6 7
8
9 10
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
图4 ，传热特性
VGS=20V
0
10
20
30
40
50
I
D
，漏极电流（安培）
图5中，R
DS （ ON）
VS漏电流
60
35
30
25
20
15
10
5
0
25
BV
DSS
，漏极 - 源极击穿
电压（归）
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
0.80
I
D
，漏极电流（安培）
50
75
100
125
150
-50
0
50
100
150
R
DS
（ON ） ，漏极至源极导通电阻
（归一化）
T
C
，外壳温度（ ° C）
图6 ，最大漏极电流与外壳温度
3.0
I
V
D
T
J
，结温（ ° C）
图7 ，击穿电压与温度
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50
= 17A
= 10V
2.0
1.5
1.0
0.5
0
-50
V
GS
（ TH ） ，阈值电压
（归一化）
2.5
GS
-25
0
25
50
75
100 125 150
-25
0
25
50
75
100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图8 ，导通电阻与温度
T
C
，外壳温度（ ° C）
图9 ，阈值电压与温度
050-7147 F版
6-2006
典型性能曲线
I
D
，漏极电流（安培）
20,000
10,000
APT34N80B2C3 _LC3
西塞
C，电容（pF ）
图中删除
1000
科斯
100
CRSS
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图10 ，最大安全工作区
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
I
D
0
10
20
30
40
50
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图11 ，电容VS漏极至源极电压
I
DR
，反向漏电流（安培）
10
= 34A
200
100
TJ = + 150°C
TJ = + 25°C
10
16
VDS = 160V
12
VDS = 400V
8
VDS = 640V
50
100
150
200
250
300
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
图12 ，栅极电荷VS栅极至源极电压
0
180
160
140
t
D（上）
和T
D（关闭）
（纳秒）
4
0
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
V
SD
，源极到漏极电压（伏）
图13 ，源极 - 漏极二极管的正向电压
90
80
70
V
DD
G
1
= 533V
t
D（关闭）
R
= 5
T = 125°C
J
t
f
L = 100μH
120
100
80
60
40
20
0
0
V
DD
G
= 533V
60
t
r
和T
f
（纳秒）
R
= 5
T = 125°C
J
50
40
30
20
t
r
L = 100μH
t
D（上）
30
40
50
60
I
D
(A)
图14 ，延迟时间 - 电流
V
DD
G
10
0
0
10
20
10
20
30
40
50
60
I
D
(A)
图15 ，上升和下降时间 - 电流
4000
V
I
DD
2000
= 533V
R
= 5
= 533V
3500
开关能量（ μJ ）
D
J
= 34A
T = 125°C
开关能量（ μJ ）
1500
J
T = 125°C
L = 100μH
E
ON
包括
二极管的反向恢复。
E
关闭
L = 100μH
E
ON
包括
二极管的反向恢复。
3000
2500
2000
1500
1000
500
1000
E
关闭
E
on
E
on
6-2006
500
050-7147 F版
30
40
50
60
I
D
(A)
图16 ，开关能量 - 电流
0
0
10
20
10 15 20 25 30 35 40 45 50
R
G
，栅极电阻（欧姆）
图17 ，交换能量 - 栅极电阻
0
0
5
APT34N80B2C3 _LC3
栅极电压
10 %
T = 125℃
J
t
D（上）
漏电流
90%
t
D（关闭）
栅极电压
T = 125℃
J
90%
漏极电压
90%
5%
t
r
10 %
t
f
10%
0
漏电流
5%
漏极电压
开关能量
开关能量
图18 ，导通开关波形和定义
图19 ，关断开关波形和定义
APT15DF100
V
DD
I
C
V
CE
G
D.U.T.
图20 ，电感式开关测试电路
T-最大
TM
（ B2 ）封装外形
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
TO- 264 （ L）包装外形
4.60 (.181)
5.21 (.205)
1.80 (.071)
2.01 (.079)
19.51 (.768)
20.50 (.807)
3.10 (.122)
3.48 (.137)
5.79 (.228)
6.20 (.244)
漏
20.80 (.819)
21.46 (.845)
漏
25.48 (1.003)
26.49 (1.043)
4.50 （ 0.177 ）最大。
0.40 (.016)
0.79 (.031)
2.87 (.113)
3.12 (.123)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
2.29 (.090)
2.69 (.106)
19.81 (.780)
21.39 (.842)
2.29 (.090)
2.69 (.106)
1.01 (.040)
1.40 (.055)
2.21 (.087)
2.59 (.102)
5.45 （ 0.215 ） BSC
2-Plcs.
这些尺寸是相等的TO-247 ，而不安装孔。
尺寸以毫米（英寸）
5.45 （ 0.215 ） BSC
2-Plcs.
尺寸以毫米（英寸）
Microsemi的产品受一个或多个USpatents 4895810的5045903 5089434 5182234 5019522 5262336 6503786
5256583 4748103 5283202 5231474 5434095 5528058和外国专利。美国和外国专利正在申请中。版权所有。
050-7147 F版
0.48 (.019)
0.84 (.033)
2.59 (.102)
3.00 (.118)
0.76 (.030)
1.30 (.051)
2.79 (.110)
3.18 (.125)
6-2006
19.81 (.780)
20.32 (.800)
门
漏
来源
门
漏
来源
APT34N80B2C3
APT34N80LC3
800V
34A 0.145
超级结MOSFET
OLMOS
O
功率半导体
T- MAX
TO-264
超低低R
DS
(
ON
)
低米勒电容
超低栅极电荷，Q
g
额定雪崩能量
热门
T- MAX
或TO- 264封装
最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
V
GSM
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
dv
/
dt
D
G
S
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT34N80B2C3_LC3
单位
伏
安培
参数
漏源电压
连续漏电流@ T
C
= 25°C
漏电流脉冲
1
800
34
102
±20
±30
417
3.33
-55到150
300
50
17
0.5
4
门源电压连续
栅源电压瞬态
总功率耗散@ T
C
= 25°C
线性降额因子
工作和存储结温范围
焊接温度： 0.063"案件从10秒。
漏源电压斜率（V
DS
= 640V ，我
D
= 34A ，T
J
= 125°C)
重复性雪崩电流
重复性雪崩能量
7
7
伏
瓦
W / ℃，
°C
V / ns的
安培
mJ
I
AR
E
AR
E
AS
单脉冲雪崩能量
670
静态电气特性
符号
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
特性/测试条件
漏源击穿电压（V
GS
= 0V时，我
D
= 500A)
漏源导通电阻
2
民
典型值
最大
单位
伏
800
0.125
1.0
0.145
50
500
±200
2.10
3
3.9
(V
GS
= 10V ，我
D
= 22A)
欧
A
nA
伏
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 800V, V
GS
= 0V)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 800V, V
GS
= 0V ，T
J
= 150°C)
门源漏电流（V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V)
栅极阈值电压（V
DS
= V
GS
, I
D
= 2毫安）
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
"COOLMOS
包括由英飞凌科技股份公司研制的晶体管的一个新的家庭。 "COOLMOS"是与贸易
英飞凌科技AG"大关
050-7147冯ê
6-2004
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
on
E
关闭
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
3
APT34N80B2C3 _LC3
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
V
GS
= 10V
V
DD
= 400V
I
D
= 34A @ 25°C
电阻开关
V
GS
= 10V
V
DD
= 400V
I
D
= 34A @ 125°C
R
G
= 2.5
6
电感式开关@ 25°C
V
DD
= 533V, V
GS
= 15V
I
D
= 34A ，R
G
= 5
6
电感式开关@ 125°C
V
DD
= 533V, V
GS
= 15V
I
D
= 34A ，R
G
= 5
民
典型值
最大
单位
4510
2050
110
180
22
90
25
15
70
6
675
580
1145
670
民
典型值
最大
单位
安培
伏
ns
C
pF
355
nC
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller " ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关能量
关断开关能量
导通开关能量
关断开关能量
80
9
ns
J
源极 - 漏极二极管额定值和特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
dv
/
dt
特性/测试条件
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流
二极管的正向电压
1
2
34
102
1
855
30
6
民
典型值
最大
（体二极管）
(V
GS
= 0V时，我
S
= -
34A
)
1.2
反向恢复时间（I
S
= -
34A
， DL
S
/ DT = 100A / μs的，V
R
= 400V)
反向恢复电荷（我
S
= -
34A
， DL
S
/ DT = 100A / μs的，V
R
= 400V)
峰值二极管恢复
dv
/
dt
5
V / ns的
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
特征
结到外壳
结到环境
单位
° C / W
.30
40
1重复额定值：脉冲宽度有限的最高结
温度
2脉冲测试：脉冲宽度< 380微秒，占空比< 2 ％
3见MIL- STD- 750方法3471
APT保留更改的权利，恕不另行通知，该说明和信息，包含在本文中。
0.35
Z
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
θ
4起始物为
j
= + 25 ° C，L = 115.92mH ，R
G
= 25Ω ，峰值I
L
= 3.4A
5
IS
=
-
34A
di
/
dt
= 100A / μs的
VR
= 480V
TJ
= 125
°
C
6李炎包括二极管的反向恢复。参见图18，20 。
7 Repetitve雪崩造成额外的功率损耗，可以
计算公式为
P
AV
=E
AR
*f
0.30
0.9
0.25
0.7
0.20
0.15
0.10
0.05
0
0.5
注意：
PDM
6-2004
0.3
t1
t2
050-7147冯ê
0.1
0.05
10
-5
10
-4
单脉冲
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
占空比D = T1 / T2
10
-3
10
-2
10
-1
矩形脉冲持续时间（秒）
图1 ，最大有效瞬态热阻抗，结点到外壳VS脉冲持续时间
1.0
典型性能曲线
I
D
，漏极电流（安培）
50
APT34N80B2C3 _LC3
VGS = 15 & 10V
6.5V
6V
5.5V
40
遥控模型
连接点
TEMP 。 （ ° C）
0.117
动力
（瓦特）
0.183
外壳温度。 （ ° C）
0.174F
0.00828F
30
5V
20
10
4.5V
4V
图2 ，瞬态热阻抗模型
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
0
2
4
6
8
10
12
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图3 ，低电压输出特性
1.40
1.30
1.20
VGS=10V
1.10
1.00
0.90
0.80
归一
= 10V @ 17A
V
GS
0
100
90
I
D
，漏极电流（安培）
VDS>的ID （ON ）× R DS（ ON）的最大值。
250微秒。脉冲测试
@ <0.5 ％占空比
80
70
60
50
40
30
20
10
0
TJ = -55°C
TJ = + 25°C
TJ = + 125°C
0 1 2
3 4
5 6 7
8
9 10
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
图4 ，传热特性
VGS=20V
0
10
20
30
40
50
I
D
，漏极电流（安培）
图5中，R
DS （ ON）
VS漏电流
60
35
30
25
20
15
10
5
0
25
BV
DSS
，漏极 - 源极击穿
电压（归）
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
0.80
I
D
，漏极电流（安培）
50
75
100
125
150
-50
0
50
100
150
R
DS
（ON ） ，漏极至源极导通电阻
（归一化）
T
C
，外壳温度（ ° C）
图6 ，最大漏极电流与外壳温度
3.0
I
V
D
T
J
，结温（ ° C）
图7 ，击穿电压与温度
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50
= 17A
= 10V
2.0
1.5
1.0
0.5
0
-50
V
GS
（ TH ） ，阈值电压
（归一化）
2.5
GS
-25
0
25
50
75
100 125 150
-25
0
25
50
75
100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图8 ，导通电阻与温度
T
C
，外壳温度（ ° C）
图9 ，阈值电压与温度
050-7147冯ê
6-2004
典型性能曲线
102
50
C，电容（pF ）
操作点这里
限制根据RDS （ ON）
20,000
10,000
APT34N80B2C3 _LC3
西塞
I
D
，漏极电流（安培）
10
100S
1000
科斯
100
CRSS
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
I
D
= 34A
I
DR
，反向漏电流（安培）
1
10
100
800
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图10 ，最大安全工作区
16
.1
TC = + 25°C
TJ = + 150°C
单脉冲
1mS
10mS
10
0
10
20
30
40
50
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图11 ，电容VS漏极至源极电压
200
100
TJ = + 150°C
TJ = + 25°C
10
12
VDS = 160V
8
VDS = 400V
4
VDS = 640V
50
100
150
200
250
300
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
图12 ，栅极电荷VS栅极至源极电压
180
160
140
t
D（上）
和T
D（关闭）
（纳秒）
0
0
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
V
SD
，源极到漏极电压（伏）
图13 ，源极 - 漏极二极管的正向电压
90
V
DD
G
1
= 533V
t
D（关闭）
80
70
R
= 5
T = 125°C
J
t
f
L = 100μH
120
100
80
60
40
20
0
0
V
DD
G
= 533V
60
t
r
和T
f
（纳秒）
R
= 5
T = 125°C
J
50
40
30
20
t
r
L = 100μH
t
D（上）
30
40
50
60
I
D
(A)
图14 ，延迟时间 - 电流
V
DD
G
10
0
0
10
20
10
20
30
40
50
60
I
D
(A)
图15 ，上升和下降时间 - 电流
4000
V
I
DD
2000
= 533V
R
= 5
= 533V
3500
开关能量（ μJ ）
D
J
= 34A
T = 125°C
开关能量（ μJ ）
1500
J
T = 125°C
L = 100μH
E
ON
包括
二极管的反向恢复。
E
关闭
L = 100μH
E
ON
包括
二极管的反向恢复。
3000
2500
2000
1500
1000
500
1000
E
关闭
E
on
E
on
6-2004
500
050-7147冯ê
30
40
50
60
I
D
(A)
图16 ，开关能量 - 电流
0
0
10
20
10 15 20 25 30 35 40 45 50
R
G
，栅极电阻（欧姆）
图17 ，交换能量 - 栅极电阻
0
0
5
APT34N80B2C3 _LC3
栅极电压
10 %
T = 125℃
J
t
D（上）
漏电流
90%
t
D（关闭）
栅极电压
T = 125℃
J
90%
漏极电压
90%
5%
t
r
10 %
t
f
10%
0
漏电流
5%
漏极电压
开关能量
开关能量
图18 ，导通开关波形和定义
图19 ，关断开关波形和定义
APT15DF100
V
DD
I
C
V
CE
G
D.U.T.
图20 ，电感式开关测试电路
T-最大
TM
（ B2 ）封装外形
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
TO- 264 （ L）包装外形
4.60 (.181)
5.21 (.205)
1.80 (.071)
2.01 (.079)
19.51 (.768)
20.50 (.807)
3.10 (.122)
3.48 (.137)
5.79 (.228)
6.20 (.244)
漏
20.80 (.819)
21.46 (.845)
漏
25.48 (1.003)
26.49 (1.043)
4.50 （ 0.177 ）最大。
0.40 (.016)
0.79 (.031)
2.87 (.113)
3.12 (.123)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
2.29 (.090)
2.69 (.106)
19.81 (.780)
21.39 (.842)
2.29 (.090)
2.69 (.106)
1.01 (.040)
1.40 (.055)
2.21 (.087)
2.59 (.102)
5.45 （ 0.215 ） BSC
2-Plcs.
这些尺寸是相等的TO-247 ，而不安装孔。
尺寸以毫米（英寸）
5.45 （ 0.215 ） BSC
2-Plcs.
尺寸以毫米（英寸）
APT的产品受一个或多个USpatents 4895810的5045903 5089434 5182234 5019522
5262336 6503786 5256583 4748103 5283202 5231474 5434095 5528058和外国专利。美国和外国专利正在申请中。版权所有。
050-7147冯ê
0.48 (.019)
0.84 (.033)
2.59 (.102)
3.00 (.118)
0.76 (.030)
1.30 (.051)
2.79 (.110)
3.18 (.125)
6-2004
19.81 (.780)
20.32 (.800)
门
漏
来源
门
漏
来源
QQ：2880707522 复制
