典型性能曲线
1200V
APT33GF120B2_LRDQ2(G)
APT33GF120B2RDQ2 APT33GF120LRDQ2
APT33GF120B2RDQ2G * APT33GF120LRDQ2G *
* G表示符合RoHS标准的无铅终端完成。
快速IGBT & FRED
快速IGBT是新一代高压功率IGBT的。通过使用非打孔
技术的快速IGBT结合的APT续流超快速恢复外延
taxial二极管（ FRED ）提供优越的耐用性和快速开关速度。
低正向压降
RBSOA和SCSOA评分
高频率。切换到20KHz的
超低漏电流
(B2)
T-最大
TO-264
(L)
超快软恢复反并联二极管
C
G
E
最大额定值
符号
V
CES
V
GE
I
C1
I
C2
I
CM
SSOA
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
参数
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
连续集电极电流@ T
C
= 25°C
连续集电极电流@ T
C
= 100°C
集电极电流脉冲
1
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT33GF120B2_LRDQ2(G)
单位
伏
1200
±30
64
30
75
75A @ 1200V
357
-55到150
300
安培
开关安全工作区@ T
J
= 150°C
总功耗
工作和存储结温范围
马克斯。铅温度。用于焊接： 0.063"案件从10秒。
瓦
°C
静态电气特性
符号
V
（ BR ） CES
V
GE （日）
V
CE （ON）的
特性/测试条件
集电极 - 发射极击穿电压（V
GE
= 0V时，我
C
= 1.5毫安）
栅极阈值电压
(V
CE
= V
GE
, I
C
= 1毫安，T
j
= 25°C)
民
典型值
最大
单位
1200
4.5
2.0
2
2
5.5
2.5
3.1
6.5
3.0
100
6000
±120
集电极 - 发射极上的电压（V
GE
= 15V ，我
C
= 25A ，T
j
= 25°C)
集电极 - 发射极上的电压（V
GE
= 15V ，我
C
= 25A ，T
j
= 125°C)
集电极截止电流（V
CE
= 1200V, V
GE
= 0V ，T
j
= 25°C)
伏
I
CES
I
GES
A
nA
11-2005
052-6280
REV A
集电极截止电流（V
CE
= 1200V, V
GE
= 0V ，T
j
= 125°C)
栅极 - 射极漏电流（V
GE
= ±20V)
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
动态特性
符号
C
IES
C
OES
C
水库
V
GEP
Q
g
Q
ge
Q
gc
SSOA
t
D（上）
t
D（关闭）
t
f
E
on1
E
on2
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on1
E
on2
E
关闭
E
关闭
t
r
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
门极 - 发射极电压高原
总栅极电荷
3
APT33GF120B2_LRDQ2(G)
测试条件
电容
V
GE
= 0V, V
CE
= 25V
F = 1 MHz的
栅极电荷
V
CE
= 600V
I
C
= 25A
T
J
= 150℃ ，R
G
= 4.3, V
GE
=
电感式开关（ 25 ° C）
V
CC
= 800V
V
GE
= 15V
R
G
= 4.3
I
C
= 25A
V
GE
= 15V
民
典型值
最大
单位
pF
V
nC
1855
230
110
10
170
19
100
75
14
17
185
110
1315
1930
1515
14
17
220
135
1325
3325
2145
J
ns
ns
A
栅极 - 射极电荷
门极 - 集电极（ "Miller " ）充电
开关安全工作区
导通延迟时间
电流上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
导通开关能量
关断开关能量
导通延迟时间
电流上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
导通开关能量
关断开关能量
4
4
55
4
5
15V ， L = 100μH ，V
CE
= 1200V
导通开关能量（二极管）
6
T
J
= +25°C
电感式开关（ 125°C ）
V
CC
= 800V
V
GE
= 15V
R
G
= 4.3
I
C
= 25A
J
导通开关能量（二极管）
6
T
J
= +125°C
热和机械特性
符号
R
θ
JC
R
θ
JC
W
T
特征
结到外壳
（IGBT）
结到外壳
（二极管）
包装重量
民
典型值
最大
单位
° C / W
gm
.35
0.61
6.10
1重复额定值：脉冲宽度有限的最高结温。
2对于Combi机设备，I
CES
包括IGBT和FRED泄漏
3见MIL- STD- 750方法3471 。
4 E
on1
是蛤PED认证电感导通能量只IGBT的未经整流二极管的反向恢复电流的效果
增加了IGBT导通损耗。 （参见图24 ）
11-2005
5 E
on2
是钳位感性开启能量，包括在IGBT导通一个整流二极管的反向恢复电流的开关
损失。 （见图21 ， 22 ）
6 E
关闭
是按照JEDEC标准JESD24-1测定的钳位感性关断能量。 （见图21 ， 23 ）
APT保留更改的权利，恕不另行通知，该说明和信息，包含在本文中。
052-6280
REV A
典型性能曲线
80
70
I
C
，集电极电流（ A）
60
50
40
30
20
10
0
0
1
2
3
4
5
6
V
CE
，集气器 - 发射极电压（ V）
250μs的脉冲
TEST<0.5 ％占空比
周期
V
GE
= 15V
100
90
I
C
，集电极电流（ A）
80
70
60
50
40
30
20
10
0
APT33GF120B2_LRDQ2(G)
15V
13V
12V
11V
T
J
= 25°C
T
J
= -55°C
T
J
= 125°C
10V
9V
8V
7V
80
70
60
50
40
30
20
10
图1中，输出特性（T
J
= 25°C)
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）
16
14
12
10
图2中，输出特性（T
J
= 125°C)
I = 25A
C
中T = 25℃
J
0
5
10
15
V
CE
，集气器 - 发射极电压（ V）
V
CE
= 240V
V
CE
= 600V
I
C
，集电极电流（ A）
T
J
= -55°C
8
6
4
2
0
0
20
V
CE
= 960V
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
0
0
2
4
6
8
10
12
14
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）
图3 ，传输特性
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
40 60 80 100 120 140 160 180 200
栅极电荷（ NC）
图4中，栅极电荷
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
5
4
I
C
= 50A
T
J
= 25°C.
250μs的脉冲测试
<0.5 ％占空比
5
4
I
C
= 50A
I
C
= 25A
3
I
C
= 25A
3
2
I
C
= 12.5A
2
I
C
= 12.5A
1
1
V
GE
= 15V.
250μs的脉冲测试
<0.5 ％占空比
10
12
14
16
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）
图5 ，通态电压VS门极 - 发射极电压
1.15
0
8
25
50
75
100
125
150
T
J
，结温（ ° C）
图6 ，通态电压VS结温
90
0
0
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
0.80
0.75
0.70
-50 -25
0
25 50 75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图7 ，阈值电压与结温
I
C,
DC集电极电流（ A）
V
GS （ TH）
阈值电压
1.10
80
70
60
50
40
30
20
10
-25
0
25 50 75 100 125 150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图8 ， DC集电极电流与外壳温度
0
-50
11-2005
052-6280
REV A
（归一化）
典型性能曲线
3,000
I
C
，集电极电流（ A）
C
IES
80
70
60
50
40
30
20
10
APT33GF120B2_LRDQ2(G)
1,000
C，电容（ F）
500
C
OES
100
50
C
水库
P
0
10
20
30
40
50
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
图17 ，电容VS集电极 - 发射极电压
10
0
200 400 600 800 1000 1200 1400
V
CE
，集电极到发射极电压
图18 ， Minimim开关安全工作区
0
0.40
0.35
D = 0.9
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0
10
-5
0.3
0.7
0.5
Z
θ
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
注意：
PDM
t1
t2
0.1
0.05
10
-4
单脉冲
占空比D =
1
/
t2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
t
10
-3
10
-2
10
-1
矩形脉冲持续时间（秒）
图19A ，最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间
1.0
100
F
最大
，工作频率（千赫）
50
遥控模型
连接点
TEMP 。 （ ° C）
0.125
动力
（瓦特）
0.225
外壳温度。 （ ° C）
0.148
0.0138
10
5
T = 125
°
C
J
T = 75
°
C
C
D = 50 %
V
= 800V
CE
R = 4.3
G
= MIN （F
最大
, f
max2
)
0.05
f
max1
=
t
D（上）
+ t
r
+ t
D（关闭）
+ t
f
最大
F
f
max2
=
P
DISS
=
P
DISS
- P
COND
E
on2
+ E
关闭
T
J
- T
C
R
θJC
图19B ，瞬态热阻抗模型
15 20 25 30 35 40 45 50
I
C
，集电极电流（ A）
图20 ，工作频率与集电极电流
0
5
10
052-6280
REV A
11-2005
QQ：2881677436 复制
