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APT33GF120B2RD
APT33GF120LRD
1200V
APT33GF120B2RD
52A
TO-264
( LRD )
快速IGBT & FRED
快速IGBT
是新一代高压功率IGBT的。使用非
穿透技术的快速IGBT 结合了APT自由
续流超快恢复外延二极管( FRED )提供优越的
耐用性和快速开关速度。
G
T-最大
(B2RD)
低正向压降
高频率。切换到20KHz的
低尾电流
超低漏电流
RBSOA和SCSOA评分
超快软恢复反并联二极管
最大额定值( IGBT )
符号
V
CES
V
CGR
V
GE
I
C1
I
C2
I
CM1
I
CM2
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
参数
集电极 - 发射极电压
C
G
E
C
C
E
APT33GF120LRD
G
E
APT33GF120B2RD/LRD
单位
所有评分:T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
1200
RY
A
IN
集电极 - 栅极电压(R
GE
= 20K)
栅极 - 发射极电压
连续集电极电流@ T
C
= 25°C
连续集电极电流@ T
C
= 90°C
集电极电流脉冲
集电极电流脉冲
总功耗
1
1
1200
±20
52
33
104
66
300
-55到150
300
°C
安培
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 90°C
工作和存储结温范围
马克斯。铅温度。用于焊接: 0.063"案件从10秒。
静态电气特性( IGBT )
符号
BV
CES
V
GE
( TH )
V
CE
(上)
特性/测试条件
集电极 - 发射极击穿电压(V
GE
= 0V时,我
C
= 0.5mA)即可
栅极阈值电压
(V
CE
= V
GE
, I
C
= 700μA ,T
j
= 25°C)
典型值
最大
单位
PR
EL
IM
1200
4.5
5.5
2.7
3.3
6.5
3.2
3.9
0.5
2
集电极 - 发射极上的电压(V
GE
= 15V ,我
C
= 25A ,T
j
= 25°C)
集电极 - 发射极上的电压(V
GE
= 15V ,我
C
= 25A ,T
j
= 125°C)
集电极截止电流(V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V ,T
j
= 25°C)
栅极 - 射极漏电流(V
GE
=
±20V,
V
CE
= 0V)
2
I
CES
I
GES
集电极截止电流(V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V ,T
j
= 125°C)
5.0
±100
mA
nA
注意事项:
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
美国
405 S.W.哥伦比亚街
APT网站 - http://www.advancedpower.com
德,俄勒冈州97702-1035
F- 33700梅里捏克 - 法国
电话: ( 541 ) 382-8028
电话: ( 33 ) 5 57 92 15 15
传真: ( 541 ) 388-0364
FAX : ( 33 ) 10 56 47 97 61
欧洲
大道J.F.肯尼迪蝙蝠B4公园Cadéra北
052-6254修订版A
动态特性( IGBT )
符号
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
d
(上)
t
r
t
d
(关闭)
t
f
t
d
(上)
t
r
t
d
(关闭)
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
t
d
(上)
t
r
t
d
(关闭)
t
f
E
ts
GFE
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
3
APT33GF120B2RD/LRD
测试条件
电容
V
GE
= 0V
V
CE
= 25V
F = 1 MHz的
栅极电荷
V
GE
= 15V
V
CC
= 0.5V
CES
电阻开关( 25
°
C)
V
GE
= 15V
I
C
= I
C2
V
CC
= 0.8V
CES
I
C
= I
C2
典型值
最大
单位
1650
230
110
165
20
100
30
140
155
200
28
60
280
30
3.0
3.0
6.0
2200
325
160
250
30
150
nC
pF
栅极 - 射极电荷
门极 - 集电极( "Miller" )充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
RY
8.5
ns
EL
IM
电感式开关( 150
°
C)
V
(峰值) = 0.66V
CES
V
GE
= 15V
I
C
= I
C2
R
G
= 10
T
J
= +150°C
IN
R
G
=10
A
ns
导通开关能量
4
关断开关能量
总开关损耗
导通延迟时间
上升时间
4
mJ
PR
电感式开关( 25
°
C)
V
(峰值) = 0.66V
CES
V
GE
= 15V
I
C
= I
C2
R
G
= 10
28
70
250
25
5.0
20
mJ
S
ns
打开-O FF延迟时间
下降时间
总开关损耗
4
T
J
= +25°C
V
CE
= 20V ,我
C
= 25A
正向跨导
热和机械特性( IGBT和FRED )
符号
R
θJC
R
θJA
W
T
特征
结到外壳( IGBT )
结到外壳( FRED )
结到环境
典型值
最大
单位
0.42
0.90
40
0.22
oz
gm
° C / W
包装重量
6.1
10
磅在
N·m的
力矩
1
使用6-32或3毫米捆绑头机螺钉安装扭矩
1.1
052-6254修订版A
重复评价:脉冲宽度有限的最高结温。
泄露包括FRED和IGBT 。
见MIL -STD -750方法3471
开关损耗包括FRED和IGBT 。
APT保留更改的权利,恕不另行通知,该说明和信息,包含在本文中。
2
3
4
APT33GF120B2RD/LRD
初步
功耗
P
合计
=
(T
C
)
参数:
T
j
150 °C
320
集电极电流
I
C
=
(T
C
)
参数:
V
GE
15 V ,
T
j
150 °C
55
A
W
P
合计
240
I
C
45
40
35
30
200
160
25
120
20
15
10
40
5
0
0
20
40
60
80
100
120
°C
160
0
0
20
40
60
80
100
120
°C
160
80
T
C
T
C
安全工作区
I
C
=
(V
CE
)
参数:
D
= 0,
T
C
= 25°C ,
T
j
150 °C
10
3
瞬态热阻抗
Z
日JC
=
(t
p
)
参数:
D =吨
p
/
T
10
0
IGBT
A
K / W
I
C
10
2
tp
= 2.0s
10 s
Z
thJC
10
-1
100 s
10
1
D = 0.50
1毫秒
0.20
10
-2
10
0
10毫秒
0.10
0.05
0.02
0.01
单脉冲
DC
10
-1
0
10
10
1
10
2
10
3
V
10
-3
-5
10
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
s 10
0
欧洲
大道J.F.肯尼迪蝙蝠B4公园Cadéra北
F- 33700梅里捏克 - 法国
德,俄勒冈州97702 -1035
电话: ( 33 ) 5 57 92 15 15
电话: ( 541 ) 382-8028
FAX : ( 33 ) 10 56 47 97 61
传真: ( 541 ) 388-0364
美国
405 S.W.哥伦比亚街
052-6254修订版A
V
CE
t
p
APT33GF120B2RD/LRD
初步
典型值。输出特性
典型值。输出特性
I
C
=
f
(V
CE
)
参数:
t
p
= 80 s,
T
j
= 25 °C
55
A
I
C
=
f
(V
CE
)
参数:
t
p
= 80 s,
T
j
= 125 °C
55
A
I
C
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
1.0
0
17V
15V
13V
11V
9V
7V
I
C
45
40
35
30
25
20
15
10
5
17V
15V
13V
11V
9V
7V
1.5
2
2.0
4
2.5
6
3.0
V
V
CE
3.5
10
0
2.0
0
2.5
2
3.0
4
3.5
6
4.0
V
V
CE
4.5
10
典型值。传输特性
I
C
=
f
(V
GE
)
参数:
t
p
=80s,V
CE
=20 V
60
A
50
I
C
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
2
4
6
8
10
V
14
V
GE
052-6254修订版A
欧洲
大道J.F.肯尼迪蝙蝠B4公园Cadéra北
F- 33700梅里捏克 - 法国
德,俄勒冈州97702 -1035
电话: ( 33 ) 5 57 92 15 15
电话: ( 541 ) 382-8028
FAX : ( 33 ) 10 56 47 97 61
传真: ( 541 ) 388-0364
美国
405 S.W.哥伦比亚街
典型值。栅极电荷
V
GE
=
(Q
)
参数:
I
PULS
=
26A
25 A
20
V
典型值。电容
C
=
f
(V
CE
)
参数:
V
GE
= 0 V , F = 1兆赫
10
1
nF
V
GE
16
14
12
10
C
600 V
800 V
C
IES
西塞
10
0
科斯
C
OES
8
10
-1
6
4
2
0
0
10
-2
0
C
水库
CRSS
20
40
60
80
100
120
140
170
5
10
15
20
25
30
Q
V
40
V
CE
短路安全工作区
反向偏置安全工作区
I
中信建投
=
f
(V
CE
) ,
T
j
= 150°C
参数:
V
GE
= ± 15 V,
t
sc
10微秒,L < 25 nH的
10
I
Cpuls
=
f
(V
CE
) ,
T
j
= 150°C
参数:
V
GE
= 15 V
2.5
I
中信建投
/I
C(90°C)
I
Cpuls
/I
C
6
1.5
4
1.0
2
0.5
0
0
200
400
600
800
1000 1200
V
1600
V
CE
0.0
0
200
400
600
800
1000 1200
V
1600
V
CE
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封装
单价/备注
操作
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    APT33GF120B2RD
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    终端采购配单精选

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电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
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电话:0755-23915992/23140719
联系人:李小姐
地址:深圳市福田区振华路中航苑鼎城大夏1709室
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公司大量 现货随时可以发货
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地址:上海公司:上海市静安区海宁路1399号金城大厦 北京公司:海淀区中关村大街 32 号蓝天科技综合楼 青岛公司:城阳区正阳路205号海都国际A座805
APT33GF120B2RD
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