APT32GU30B
300V
功率MOS 7 IGBT
TO-247
功率MOS 7
IGBT是新一代高压功率IGBT的。
使用穿通科技这IGBT适用于多种频率高，
高电压开关应用，并已被优化用于高频率
开关模式电源。
G
C
低传导损耗
低栅极电荷
超快尾电流关断
最大额定值
符号
V
CES
V
GE
V
创业板
I
C1
I
C2
I
CM
SSOA
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
参数
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
栅极 - 射极电压瞬态
额定SSOA
E
C
G
E
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT32GU30B
单位
300
±20
±30
55
32
120
120A @ 300V
250
-55到150
300
瓦
°C
安培
伏
连续集电极电流@ T
C
= 25°C
连续集电极电流@ T
C
= 100°C
集电极电流脉冲
1
@ T
C
= 150°C
开关安全工作区@ T
J
= 150°C
总功耗
工作和存储结温范围
马克斯。铅温度。用于焊接： 0.063"案件从10秒。
静态电气特性
符号
BV
CES
V
GE （日）
V
CE （ON）的
特性/测试条件
集电极 - 发射极击穿电压（V
GE
= 0V时，我
C
= 250A)
栅极阈值电压
(V
CE
= V
GE
, I
C
= 1毫安，T
j
= 25°C)
民
典型值
最大
单位
300
3
4.5
1.5
1.5
250
A
nA
10-2003
050-7463
转 -
6
2.0
伏
集电极 - 发射极上的电压（V
GE
= 15V ，我
C
= 15A ，T
j
= 25°C)
集电极 - 发射极上的电压（V
GE
= 15V ，我
C
= 15A ，T
j
= 125°C)
集电极截止电流（V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V ，T
j
= 25°C)
2
2
I
CES
I
GES
集电极截止电流（V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V ，T
j
= 125°C)
栅极 - 射极漏电流（V
GE
= ±20V)
2500
±100
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
动态特性
符号
C
IES
C
OES
C
水库
V
GEP
Q
g
Q
ge
Q
gc
SSOA
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
门极 - 发射极电压高原
总栅极电荷
3
APT32GU30B
测试条件
电容
V
GE
= 0V, V
CE
= 25V
F = 1 MHz的
栅极电荷
V
GE
= 15V
V
CE
= 150V
I
C
= 15A
T
J
= 150℃ ，R
G
= 5, V
GE
=
15V ， L = 100μH ，V
CE
= 300V
电感式开关（ 25 ° C）
V
CC
= 200V
V
GE
= 15V
I
C
= 15A
4
5
民
典型值
最大
单位
1660
170
13
7.0
57
11
17
120
28
13
127
63
待定
36
66
28
13
155
119
待定
76
111
民
典型值
最大
单位
° C / W
gm
ns
ns
A
nC
V
pF
栅极 - 射极电荷
门极 - 集电极（ "Miller " ）充电
开关安全工作区
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on1
E
on2
E
关闭
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on1
E
on2
E
关闭
符号
R
θJC
R
θJC
W
T
导通延迟时间
电流上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
导通开关能量
导通开关能量（二极管）
关断开关能量
导通延迟时间
电流上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
导通开关能量
4
5
6
R
G
= 20
T
J
= +25°C
J
电感式开关（ 125°C ）
V
CC
= 200V
V
GE
= 15V
I
C
= 15A
R
G
= 20
T
J
= +125°C
导通开关能量（二极管）
关断开关能量
6
J
热和机械特性
特征
结到外壳（ IGBT ）
结到管壳（二极管）
包装重量
0.50
不适用
5.90
1重复额定值：脉冲宽度有限的最高结温。
2对于Combi机设备，I
CES
包括IGBT和FRED泄漏
3见MIL- STD- 750方法3471 。
4 E
on1
是钳位感性点灯能量只IGBT的未经整流二极管的反向恢复电流的效果
增加了IGBT导通损耗。 （参见图24 ）
5 E
on2
是钳位感性开启能量，包括在IGBT导通一个整流二极管的反向恢复电流的开关
损失。甲组合式装置用于钳位二极管所示电子
on2
测试电路。 （见图21 ， 22 ）
6 E
关闭
是按照JEDEC标准JESD24-1测定的钳位感性关断能量。 （见图21 ， 23 ）
APT保留更改的权利，恕不另行通知，该说明和信息，包含在本文中。
050-7463
转 -
10-2003
典型性能曲线
60
VGE = 15V 。
250μs的脉冲测试
<0.5 ％占空比
APT32GU30B
60
50
VGE = 10V 。
250μs的脉冲测试
<0.5 ％占空比
I
C
，集电极电流（ A）
I
C
，集电极电流（ A）
50
T
C
=25°C
40
30
T
C
=125°C
20
T
C
=-55°C
T
C
=-55°C
40
T
C
=25°C
30
T
C
=125°C
20
10
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
V
CE
，集气器 - 发射极电压（ V）
图1中，输出特性（Ⅴ
GE
= 15V)
100
250μs的脉冲测试
TJ = -55°C
<0.5 ％占空比
10
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
V
CE
，集气器 - 发射极电压（ V）
图2中，输出特性（Ⅴ
GE
= 10V)
16
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）
14
12
I
C
= 15A
T
J
= 25°C
I
C
，集电极电流（ A）
80
V
CE
= 60V
V
CE
= 150V
10
8
6
4
2
0
0
10
20
30
40
50
栅极电荷（ NC）
图4中，栅极电荷
60
70
V
CE
= 240V
60
40
TJ = 25°C
20
TJ = 125°C
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）
图3 ，传输特性
TJ = 25°C 。
250μs的脉冲测试
<0.5 ％占空比
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
5
4.5
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）
图5 ，通态电压VS门极 - 发射极电压
1.2
0
5
I
C=
30A
I
C=
15A
I
C=
7.5A
2
I
C
=
30A
1.6
I
C
=
15A
1.2
I
C
=
7.5A
0.8
0.4
VGE = 15V 。
250μs的脉冲测试
<0.5 ％占空比
-25
0
25
50
75
100 125
T
J
，结温（ ° C）
图6 ，通态电压VS结温
80
0
-50
BV
CES
，集电极 - 发射极击穿
电压（归）
I
C,
DC集电极电流（ A）
1.15
1.10
1.05
1.0
0.95
0.9
0.85
0.8
-50
70
60
50
40
10-2003
050-7463
转 -
30
20
10
-25
0
25
50
75 100 125 150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图8 ， DC集电极电流与外壳温度
0
-50
-25
0
25
50
75
100 125
T
J
，结温（ ° C）
图7 ，击穿电压与结温
APT32GU30B
30
t
D（上）
，导通延迟时间（纳秒）
160
V
GE
= 15V
t
D（关闭）
，关断延迟时间（纳秒）
25
20
140
120
V
GE
=
15V,T
J
=125°C
V
GE
=
15V,T
J
=25°C
100
80
60
40
20
0
V
CE
= 200V
R
G
= 20
L = 100 μH
15
10
V
CE
= 200V
T
J
= 25 ° C，T
J
=125°C
R
G
= 20
L = 100 μH
5
5
0
10
15
20
25
30
35
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图9 ，导通延迟时间与集电极电流
25
R
G
=
20, L
=
100
H，V
CE
=
200V
5
10
15
20
25
30
35
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图10 ，关闭延迟时间与集电极电流
140
120
20
t
r,
上升时间（纳秒）
t
f,
下降时间（纳秒）
100
80
60
40
20
T
=
125°C ，V
GE
=
10V或15V
J
15
10
T
=
25或125°C ，V
GE
=
15V
J
T
J
=
25 ° C，V
GE
=
10V或15V
5
R
=
20, L
=
100
H，V
CE
=
200V
G
5
10
15
20
25
30
35
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图11 ，电流上升时间与集电极电流
200
E
ON2
，开启能量损失（ μJ ）
V
CE
= 200V
L = 100 μH
R
G
= 20
0
5
10
15
20
25
30
35
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图12 ，电流下降时间与集电极电流
300
E
关闭
，关闭能量损失（ μJ ）
T
=
125°C ，V
GE
=
10V或15V
J
0
150
T
J
= 125°C ，V
GE
=15V
250
200
150
100
50
T
J
=
25 ° C，V
GE
=
10V或15V
V
CE
= 200V
L = 100 μH
R
G
= 20
100
50
T
J
= 25 ° C，V
GE
=15V
5
10
15
20
25
30
35
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图13 ，开启能量损耗VS集电极电流
400
开关损耗（ μJ ）
V
CE
= 200V
V
GE
= +15V
T
J
= 125°C
0
5
10
15
20
25
30
35
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图14 ，关闭能量损失VS集电极电流
300
开关损耗（ μJ ）
V
CE
= 200V
V
GE
= +15V
R
G
= 20
0
E
关闭
30A
E
关闭
30A
250
200
300
200
E
on2
30A
150
E
on2
30A
100
50 E
on2
15A
0
E
关闭
7.5A
E
on2
7.5A
0
E
关闭
15A
10-2003
100
E
关闭
15A
E
关闭
7.5A
E
on2
15A
转 -
E
on2
7.5A
0
10 15 20 25 30 35 40 45 50
R
G
，栅极电阻（欧姆）
图15 ，开关损耗与栅极电阻
5
050-7463
25
50
75
100
125
T
J
，结温（ ° C）
图16 ，开关损耗VS结温
典型性能曲线
3,000
资本投资者入境计划
120
1,000
C，电容（ F）
I
C
，集电极电流（ A）
APT32GU30B
140
500
卓越中心
100
50
100
80
60
40
20
0
P
CRES
0
10
20
30
40
50
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
图17 ，电容VS集电极 - 发射极电压
10
0
50
100 150 200 250 300 350
V
CE
，集电极到发射极电压
图18 ， Minimim开关安全工作区
0.60
Z
θ
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
0.50
0.9
0.40
0.7
0.30
0.5
0.20
0.3
0.10
0.1
0.05
10
-5
10
-4
单脉冲
注意：
PDM
t1
t2
t
占空比D = 1 / T2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
0
10
-3
10
-2
10
-1
矩形脉冲持续时间（秒）
图19A ，最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间
1.0
400
F
最大
，工作频率（千赫）
遥控模型
连接点
TEMP 。 （
°C)
0.216
动力
（瓦特）
0.284
外壳温度
0.161F
0.00600F
100
F
最大
=
分（F
max1
, f
MAX 2
)
50
f
max1
=
T
J
= 125
°
C
T
C
= 75
°
C
D = 50 %
V
CE
= 200V
R
G
= 5
t
D（上）
0.05
+
t
r
+
t
D（关闭）
+
t
f
f
MAX 2
=
P
DISS
=
P
DISS
P
COND
E
ON 2
+
E
关闭
图19B ，瞬态热阻抗模型
10
20
30
40
50
60
I
C
，集电极电流（ A）
图20 ，工作频率与集电极电流
10
T
J
T
C
R
θ
JC
0
050-7463
转 -
10-2003
APT32GU30B
300V
功率MOS 7 IGBT
TO-247
功率MOS 7
IGBT是新一代高压功率IGBT的。
使用穿通科技这IGBT适用于多种频率高，
高电压开关应用，并已被优化用于高频率
开关模式电源。
G
C
低传导损耗
低栅极电荷
超快尾电流关断
最大额定值
符号
V
CES
V
GE
V
创业板
I
C1
I
C2
I
CM
SSOA
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
参数
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
栅极 - 射极电压瞬态
额定SSOA
E
C
G
E
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT32GU30B
单位
300
±20
±30
55
32
120
120A @ 300V
250
-55到150
300
瓦
°C
安培
伏
连续集电极电流@ T
C
= 25°C
连续集电极电流@ T
C
= 100°C
集电极电流脉冲
1
@ T
C
= 150°C
开关安全工作区@ T
J
= 150°C
总功耗
工作和存储结温范围
马克斯。铅温度。用于焊接： 0.063"案件从10秒。
静态电气特性
符号
BV
CES
V
GE （日）
V
CE （ON）的
特性/测试条件
集电极 - 发射极击穿电压（V
GE
= 0V时，我
C
= 250A)
栅极阈值电压
(V
CE
= V
GE
, I
C
= 1毫安，T
j
= 25°C)
民
典型值
最大
单位
300
3
4.5
1.5
1.5
250
A
nA
10-2003
050-7463
转 -
6
2.0
伏
集电极 - 发射极上的电压（V
GE
= 15V ，我
C
= 15A ，T
j
= 25°C)
集电极 - 发射极上的电压（V
GE
= 15V ，我
C
= 15A ，T
j
= 125°C)
集电极截止电流（V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V ，T
j
= 25°C)
2
2
I
CES
I
GES
集电极截止电流（V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V ，T
j
= 125°C)
栅极 - 射极漏电流（V
GE
= ±20V)
2500
±100
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
动态特性
符号
C
IES
C
OES
C
水库
V
GEP
Q
g
Q
ge
Q
gc
SSOA
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
门极 - 发射极电压高原
总栅极电荷
3
APT32GU30B
测试条件
电容
V
GE
= 0V, V
CE
= 25V
F = 1 MHz的
栅极电荷
V
GE
= 15V
V
CE
= 150V
I
C
= 15A
T
J
= 150℃ ，R
G
= 5, V
GE
=
15V ， L = 100μH ，V
CE
= 300V
电感式开关（ 25 ° C）
V
CC
= 200V
V
GE
= 15V
I
C
= 15A
4
5
民
典型值
最大
单位
1660
170
13
7.0
57
11
17
120
28
13
127
63
待定
36
66
28
13
155
119
待定
76
111
民
典型值
最大
单位
° C / W
gm
ns
ns
A
nC
V
pF
栅极 - 射极电荷
门极 - 集电极（ "Miller " ）充电
开关安全工作区
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on1
E
on2
E
关闭
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on1
E
on2
E
关闭
符号
R
θJC
R
θJC
W
T
导通延迟时间
电流上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
导通开关能量
导通开关能量（二极管）
关断开关能量
导通延迟时间
电流上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
导通开关能量
4
5
6
R
G
= 20
T
J
= +25°C
J
电感式开关（ 125°C ）
V
CC
= 200V
V
GE
= 15V
I
C
= 15A
R
G
= 20
T
J
= +125°C
导通开关能量（二极管）
关断开关能量
6
J
热和机械特性
特征
结到外壳（ IGBT ）
结到管壳（二极管）
包装重量
0.50
不适用
5.90
1重复额定值：脉冲宽度有限的最高结温。
2对于Combi机设备，I
CES
包括IGBT和FRED泄漏
3见MIL- STD- 750方法3471 。
4 E
on1
是钳位感性点灯能量只IGBT的未经整流二极管的反向恢复电流的效果
增加了IGBT导通损耗。 （参见图24 ）
5 E
on2
是钳位感性开启能量，包括在IGBT导通一个整流二极管的反向恢复电流的开关
损失。甲组合式装置用于钳位二极管所示电子
on2
测试电路。 （见图21 ， 22 ）
6 E
关闭
是按照JEDEC标准JESD24-1测定的钳位感性关断能量。 （见图21 ， 23 ）
APT保留更改的权利，恕不另行通知，该说明和信息，包含在本文中。
050-7463
转 -
10-2003
典型性能曲线
60
VGE = 15V 。
250μs的脉冲测试
<0.5 ％占空比
APT32GU30B
60
50
VGE = 10V 。
250μs的脉冲测试
<0.5 ％占空比
I
C
，集电极电流（ A）
I
C
，集电极电流（ A）
50
T
C
=25°C
40
30
T
C
=125°C
20
T
C
=-55°C
T
C
=-55°C
40
T
C
=25°C
30
T
C
=125°C
20
10
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
V
CE
，集气器 - 发射极电压（ V）
图1中，输出特性（Ⅴ
GE
= 15V)
100
250μs的脉冲测试
TJ = -55°C
<0.5 ％占空比
10
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
V
CE
，集气器 - 发射极电压（ V）
图2中，输出特性（Ⅴ
GE
= 10V)
16
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）
14
12
I
C
= 15A
T
J
= 25°C
I
C
，集电极电流（ A）
80
V
CE
= 60V
V
CE
= 150V
10
8
6
4
2
0
0
10
20
30
40
50
栅极电荷（ NC）
图4中，栅极电荷
60
70
V
CE
= 240V
60
40
TJ = 25°C
20
TJ = 125°C
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）
图3 ，传输特性
TJ = 25°C 。
250μs的脉冲测试
<0.5 ％占空比
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
5
4.5
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）
图5 ，通态电压VS门极 - 发射极电压
1.2
0
5
I
C=
30A
I
C=
15A
I
C=
7.5A
2
I
C
=
30A
1.6
I
C
=
15A
1.2
I
C
=
7.5A
0.8
0.4
VGE = 15V 。
250μs的脉冲测试
<0.5 ％占空比
-25
0
25
50
75
100 125
T
J
，结温（ ° C）
图6 ，通态电压VS结温
80
0
-50
BV
CES
，集电极 - 发射极击穿
电压（归）
I
C,
DC集电极电流（ A）
1.15
1.10
1.05
1.0
0.95
0.9
0.85
0.8
-50
70
60
50
40
10-2003
050-7463
转 -
30
20
10
-25
0
25
50
75 100 125 150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图8 ， DC集电极电流与外壳温度
0
-50
-25
0
25
50
75
100 125
T
J
，结温（ ° C）
图7 ，击穿电压与结温
APT32GU30B
30
t
D（上）
，导通延迟时间（纳秒）
160
V
GE
= 15V
t
D（关闭）
，关断延迟时间（纳秒）
25
20
140
120
V
GE
=
15V,T
J
=125°C
V
GE
=
15V,T
J
=25°C
100
80
60
40
20
0
V
CE
= 200V
R
G
= 20
L = 100 μH
15
10
V
CE
= 200V
T
J
= 25 ° C，T
J
=125°C
R
G
= 20
L = 100 μH
5
5
0
10
15
20
25
30
35
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图9 ，导通延迟时间与集电极电流
25
R
G
=
20, L
=
100
H，V
CE
=
200V
5
10
15
20
25
30
35
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图10 ，关闭延迟时间与集电极电流
140
120
20
t
r,
上升时间（纳秒）
t
f,
下降时间（纳秒）
100
80
60
40
20
T
=
125°C ，V
GE
=
10V或15V
J
15
10
T
=
25或125°C ，V
GE
=
15V
J
T
J
=
25 ° C，V
GE
=
10V或15V
5
R
=
20, L
=
100
H，V
CE
=
200V
G
5
10
15
20
25
30
35
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图11 ，电流上升时间与集电极电流
200
E
ON2
，开启能量损失（ μJ ）
V
CE
= 200V
L = 100 μH
R
G
= 20
0
5
10
15
20
25
30
35
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图12 ，电流下降时间与集电极电流
300
E
关闭
，关闭能量损失（ μJ ）
T
=
125°C ，V
GE
=
10V或15V
J
0
150
T
J
= 125°C ，V
GE
=15V
250
200
150
100
50
T
J
=
25 ° C，V
GE
=
10V或15V
V
CE
= 200V
L = 100 μH
R
G
= 20
100
50
T
J
= 25 ° C，V
GE
=15V
5
10
15
20
25
30
35
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图13 ，开启能量损耗VS集电极电流
400
开关损耗（ μJ ）
V
CE
= 200V
V
GE
= +15V
T
J
= 125°C
0
5
10
15
20
25
30
35
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图14 ，关闭能量损失VS集电极电流
300
开关损耗（ μJ ）
V
CE
= 200V
V
GE
= +15V
R
G
= 20
0
E
关闭
30A
E
关闭
30A
250
200
300
200
E
on2
30A
150
E
on2
30A
100
50 E
on2
15A
0
E
关闭
7.5A
E
on2
7.5A
0
E
关闭
15A
10-2003
100
E
关闭
15A
E
关闭
7.5A
E
on2
15A
转 -
E
on2
7.5A
0
10 15 20 25 30 35 40 45 50
R
G
，栅极电阻（欧姆）
图15 ，开关损耗与栅极电阻
5
050-7463
25
50
75
100
125
T
J
，结温（ ° C）
图16 ，开关损耗VS结温
典型性能曲线
3,000
资本投资者入境计划
120
1,000
C，电容（ F）
I
C
，集电极电流（ A）
APT32GU30B
140
500
卓越中心
100
50
100
80
60
40
20
0
P
CRES
0
10
20
30
40
50
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
图17 ，电容VS集电极 - 发射极电压
10
0
50
100 150 200 250 300 350
V
CE
，集电极到发射极电压
图18 ， Minimim开关安全工作区
0.60
Z
θ
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
0.50
0.9
0.40
0.7
0.30
0.5
0.20
0.3
0.10
0.1
0.05
10
-5
10
-4
单脉冲
注意：
PDM
t1
t2
t
占空比D = 1 / T2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
0
10
-3
10
-2
10
-1
矩形脉冲持续时间（秒）
图19A ，最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间
1.0
400
F
最大
，工作频率（千赫）
遥控模型
连接点
TEMP 。 （
°C)
0.216
动力
（瓦特）
0.284
外壳温度
0.161F
0.00600F
100
F
最大
=
分（F
max1
, f
MAX 2
)
50
f
max1
=
T
J
= 125
°
C
T
C
= 75
°
C
D = 50 %
V
CE
= 200V
R
G
= 5
t
D（上）
0.05
+
t
r
+
t
D（关闭）
+
t
f
f
MAX 2
=
P
DISS
=
P
DISS
P
COND
E
ON 2
+
E
关闭
图19B ，瞬态热阻抗模型
10
20
30
40
50
60
I
C
，集电极电流（ A）
图20 ，工作频率与集电极电流
10
T
J
T
C
R
θ
JC
0
050-7463
转 -
10-2003
QQ：2881677436 复制
