APT30M75BFLL
APT30M75SFLL
300V 44A 0.075
BFLL
D
3
PAK
TO-247
功率MOS 7
R
FREDFET
功率MOS 7是新一代低损耗，高电压， N沟道的
增强型功率MOSFET 。这两种传导和开关
亏损显著降低R的处理与功率MOS 7
DS （ ON）
和Q
g
。功率MOS 7结合了更低的传导损耗和开关损耗
伴随着异常快速开关速度固有APT的
专利的金属栅极结构。
较低的输入电容
降低米勒电容
更低的栅极电荷QG
最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
V
GSM
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
I
AR
E
AR
E
AS
参数
漏源电压
连续漏电流@ T
C
= 25°C
漏电流脉冲
1
SFLL
更高的功耗
容易驾驶
TO- 247或表面贴装
3
PAK封装
快速恢复体二极管
D
G
S
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT30M75
单位
伏
安培
300
44
176
±30
±40
329
2.63
-55到150
300
44
30
4
门源电压连续
栅源电压瞬态
总功率耗散@ T
C
= 25°C
线性降额因子
工作和存储结温范围
焊接温度： 0.063"案件从10秒。
雪崩电流
1
伏
瓦
W / ℃，
°C
安培
mJ
（重复，不重复）
1
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
1300
静态电气特性
符号
BV
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
特性/测试条件
漏源击穿电压（V
GS
= 0V时，我
D
= 250A)
在国家漏极电流
2
民
典型值
最大
单位
伏
安培
300
44
0.075
250
1000
±100
3
5
(V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）
马克斯，V
GS
= 10V)
2
漏源导通电阻
(V
GS
= 10V ， 22A ）
欧
A
nA
伏
1-2003
050-7164修订版A
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 300V, V
GS
= 0V)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 240V, V
GS
= 0V ，T
C
= 125°C)
门源漏电流（V
GS
= ±30V, V
DS
= 0V)
栅极阈值电压（V
DS
= V
GS
, I
D
= 1毫安）
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d
（上）
t
r
t
d
（关闭）
t
f
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
3
APT30M75 BFLL - SFLL
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
V
GS
= 10V
V
DD
= 200V
I
D
= 44A @ 25°C
V
GS
= 15V
V
DD
= 200V
I
D
= 44A @ 25°C
R
G
= 0.6
民
典型值
最大
单位
pF
3018
771
43
57
21
23
13
3
20
2
ns
nC
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller " ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源极 - 漏极二极管额定值和特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
dv
/
dt
特性/测试条件
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流
二极管的正向电压
峰值二极管恢复
1
2
dt
民
典型值
最大
单位
安培
伏
V / ns的
ns
44
176
1.3
8
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
（体二极管）
(V
GS
= 0V时，我
S
= -44A)
5
dv
/
t
rr
Q
rr
I
RRM
反向恢复时间
(I
S
= -44A,
di
/
dt
= 100A / μs）内
反向恢复电荷
(I
S
= -44A,
di
/
dt
= 100A / μs）内
峰值恢复电流
(I
S
= -44A,
di
/
dt
= 100A / μs）内
200
400
1.1
2.7
10
15.1
C
安培
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
特征
结到外壳
结到环境
民
典型值
最大
单位
° C / W
0.38
40
4起始物为
j
= + 25 ° C，L = 1.34mH ，R
G
= 25Ω ，峰值I
L
= 44A
5
dv
/
dt
号反映了测试电路的局限性，而不是
设备本身。
IS
≤
-
ID
44A
di
/
dt
≤
700A/s
VR
≤
VDSS TJ
≤
150
°
C
1重复额定值：脉冲宽度有限的最高结
温度
2脉冲测试：脉冲宽度< 380微秒，占空比< 2 ％
3见MIL- STD- 750方法3471
APT保留更改的权利，恕不另行通知，该说明和信息，包含在本文中。
0.40
Z
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
θ
0.35
0.30
0.9
0.7
0.25
0.20
0.15
0.3
0.10
0.05
0
10
-5
0.1
0.05
10
-4
单脉冲
1.0
0.5
注意：
PDM
t1
t2
占空比D = T1 /吨
2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
050-7164修订版A
1-2003
10
-3
10
-2
10
-1
矩形脉冲持续时间（秒）
图1 ，最大有效瞬态热阻抗，结点到外壳VS脉冲持续时间
典型性能曲线
100
遥控模型
APT30M75 BFLL - SFLL
90
I
D
，漏极电流（安培）
VGS = 15 &10V
8.5V
80
70
60
50
40
30
20
10
7V
6.5V
6V
7.5
8V
0.0329
0.00334
连接点
温度。 （ “C ）
动力
（瓦特）
0.158
0.00802
0.189
0.165
外壳温度
图2 ，瞬态热阻抗模型
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
160
140
120
TJ = -55°C
100
80
60
40
TJ = + 25°C
20
0
TJ = + 125°C
0
2
4
6
8
10
12
14
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
图4 ，传热特性
VDS>的ID （ON ）× R DS（ ON）的最大值。
250微秒。脉冲测试
@ <0.5 ％占空比
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图3 ，低电压输出特性
1.40
V
GS
0
归一
= 10V @ I = 22A
D
I
D
，漏极电流（安培）
1.30
1.20
VGS=10V
1.10
1.00
VGS=20V
0.90
0.80
0
20
40
60
80
100
120
I
D
，漏极电流（安培）
图5中，R
DS （ ON）
VS漏电流
45
40
I
D
，漏极电流（安培）
BV
DSS
，漏极 - 源极击穿
电压（归）
I
V
D
1.15
35
30
25
20
15
10
5
0
25
1.10
1.05
1.00
0.95
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图6 ，最大漏极电流与外壳温度
2.5
= 22A
= 10V
GS
0.90
-50
-25
0
25
50 75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图7 ，击穿电压与温度
1.2
2.0
V
GS （ TH）
阈值电压
（归一化）
1.1
1.0
0.9
0.8
1-2003
050-7164修订版A
1.5
1.0
0.5
0.7
0.6
-50
0.0
-50
-25
0
25 50
75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图8中，R
DS （ ON）
与温度的关系
-25
0
25
50
75 100 125 150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图9 ，阈值电压与温度
APT30M75 BFLL - SFLL
176
100
I
D
，漏极电流（安培）
操作点这里
限制根据RDS （ ON）
20,000
10,000
西塞
C，电容（pF ）
100S
10
1mS
TC = + 25°C
TJ = + 150°C
单脉冲
1
1
10
100
300
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图10 ，最大安全工作区
I
D
1,000
科斯
100
CRSS
10mS
0
10
20
30
40
50
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图11 ，电容VS漏极至源极电压
I
DR
，反向漏电流（安培）
10
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
16
= 44A
200
100
12
VDS=60V
VDS=150V
VDS=240V
TJ = + 150°C
TJ = + 25°C
10
8
4
20
30
40
50 60
70 80
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
图12 ，栅电荷VS栅极至源极电压
0
0
10
1
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
V
SD
，源极到漏极电压（伏）
图13 ，源极 - 漏极二极管的正向电压
TO- 247封装外形
漏
（散热器）
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
6.15 （ 0.242 ） BSC
PAK封装外形
4.98 (.196)
5.08 (.200)
1.47 (.058)
1.57 (.062)
15.95 (.628)
16.05 (.632)
13.41 (.528)
13.51 (.532)
3
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
1.04 (.041)
1.15 (.045)
漏
20.80 (.819)
21.46 (.845)
3.50 (.138)
3.81 (.150)
修订
4/18/95
13.79 (.543)
13.99 (.551)
修订
8/29/97
11.51 (.453)
11.61 (.457)
0.46 (.018)
0.56 （ 0.022 ） { 3 }的PLC
4.50 （ 0.177 ）最大。
0.40 (.016)
0.79 (.031)
2.87 (.113)
3.12 (.123)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
1.01 (.040)
1.40 (.055)
0.020 (.001)
0.178 (.007)
2.67 (.105)
2.84 (.112)
1.27 (.050)
1.40 (.055)
1.98 (.078)
2.08 (.082)
5.45 （ 0.215 ） BSC
{ 2的PLC。 }
1-2003
19.81 (.780)
20.32 (.800)
1.22 (.048)
1.32 (.052)
3.81 (.150)
4.06 (.160)
（铅基）
门
漏
来源
散热器（漏）
并导致
镀
050-7164修订版A
2.21 (.087)
2.59 (.102)
5.45 （ 0.215 ） BSC
2-Plcs.
尺寸以毫米（英寸）
来源
漏
门
单位为毫米（英寸）
APT的设备涵盖了以下一个USpatents的一个或多个：
4,895,810
5,256,583
5,045,903
4,748,103
5,089,434
5,283,202
5,182,234
5,231,474
5,019,522
5,434,095
5,262,336
5,528,058
APT30M75BFLL
APT30M75SFLL
300V 44A 0.075
BFLL
D
3
PAK
TO-247
功率MOS 7
TM
FREDFET
功率MOS 7
TM
是新一代低损耗，高电压， N沟道的
增强型功率MOSFET 。这两种传导和开关
损失与功率MOS 7解决
TM
通过显著降低
DS （ ON）
和Q
g
。功率MOS 7
TM
结合了低导通损耗和开关损耗
伴随着异常快速开关速度固有APT的
专利的金属栅极结构。
较低的输入电容
降低米勒电容
更低的栅极电荷QG
最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
V
GSM
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
I
AR
E
AR
E
AS
参数
漏源电压
SFLL
更高的功耗
容易驾驶
TO- 247或表面贴装
3
PAK封装
快速恢复体二极管
D
G
S
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT30M75
单位
伏
安培
连续漏电流@ T
C
= 25°C
漏电流脉冲
1
门源电压连续
栅源电压瞬态
总功率耗散@ T
C
= 25°C
线性降额因子
工作和存储结温范围
焊接温度： 0.063"案件从10秒。
雪崩电流
1
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
L
A
IC
N
H
EC ION
T T
E A
C M
n个R
A○
V F
值D N
A
I
300
44
176
±30
±40
325
2.60
300
44
30
（重复，不重复）
1
4
伏
瓦
W / ℃，
°C
安培
mJ
-55到150
1300
静态电气特性
符号
BV
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
特性/测试条件
漏源击穿电压（V
GS
= 0V时，我
D
= 250A)
在国家漏极电流
2
民
典型值
最大
单位
伏
安培
300
44
0.075
250
1000
3
5
±100
(V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）
马克斯，V
GS
= 10V)
2
漏源导通电阻
(V
GS
= 10V ， 0.5升
D [续]
)
欧
A
nA
伏
零栅极电压漏极电流（V
DS
= V
DSS
, V
GS
= 0V)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 0.8 V
DSS
, V
GS
= 0V ，T
C
= 125°C)
门源漏电流（V
GS
= ±30V, V
DS
= 0V)
栅极阈值电压（V
DS
= V
GS
, I
D
= 1毫安）
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
美国
欧洲
405 S.W.哥伦比亚街
舍曼MAGRET
德，俄勒冈州97702 -1035
F- 33700梅里捏克 - 法国
电话： （ 541 ） 382-8028
电话： （ 33 ） 5 57 92 15 15
传真： （ 541 ） 388-0364
FAX ： （ 33 ） 10 56 47 97 61
050-7164冯 - 2-2002
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d
（上）
t
r
t
d
（关闭）
t
f
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
3
APT30M75 BFLL - SFLL
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
V
GS
= 10V
V
DD
= 0.5 V
DSS
V
GS
= 15V
民
典型值
最大
单位
pF
3160
750
36
59
16
23
11
10
27
9
nC
栅极 - 源电荷
导通延迟时间
上升时间
栅 - 漏极（ "Miller " ）充电
打开-O FF延迟时间
下降时间
源极 - 漏极二极管额定值和特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
dv
/
dt
特性/测试条件
脉冲源电流
1
连续源电流（体二极管）
（体二极管）
5
二极管的正向电压
峰值二极管恢复
dv
/
dt
t
rr
Q
rr
I
RRM
反向恢复时间
(I
S
= -I
D
[续]
di
/
dt
= 100A / μs）内
反向恢复电荷
(I
S
= -I
D
[续]
di
/
dt
= 100A / μs）内
峰值恢复电流
(I
S
= -I
D
[续]
di
/
dt
= 100A / μs）内
L
A
IC
N
H
C
TE TION
E A
C M
n个R
VA FO
值D N
A
I
I
D
= I
D
[续] @ 25°C
V
DD
= 0.5 V
DSS
R
G
= 1.6
I
D
= I
D
[续] @ 25°C
民
典型值
2
ns
最大
单位
安培
伏
V / ns的
ns
44
176
1.3
8
200
400
(V
GS
= 0V时，我
S
= -I
D
[续] ）
T
j
= 25°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
0.80
3.80
10
23
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
C
安培
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
特征
结到外壳
结到环境
民
典型值
最大
单位
° C / W
0.38
40
3
见MIL -STD -750方法3471
4
启动T = + 25 ° C，L = 1.34mH ， R = 25Ω ，峰值I = 44A
温度。
j
G
L
2
脉冲测试：脉冲宽度< 380 μS ，占空比< 2 ％
5 DV
/
号反映了测试电路的局限性，而不是
dt
设备本身。
IS
≤
-
ID
续。
di
/
dt
≤
700A/s
VR
≤
VDSS TJ
≤
150
°
C
[
]
APT保留更改的权利，恕不另行通知，该说明和信息，包含在本文中。
1
重复评价：脉冲宽度有限的最高结
TO- 247封装外形
漏
（散热器）
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
6.15 （ 0.242 ） BSC
PAK封装外形
4.98 (.196)
5.08 (.200)
1.47 (.058)
1.57 (.062)
15.95 (.628)
16.05 (.632)
13.41 (.528)
13.51 (.532)
3
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
1.04 (.041)
1.15 (.045)
漏
20.80 (.819)
21.46 (.845)
3.50 (.138)
3.81 (.150)
修订
4/18/95
13.79 (.543)
13.99 (.551)
修订
8/29/97
11.51 (.453)
11.61 (.457)
0.46 (.018)
0.56 （ 0.022 ） { 3 }的PLC
4.50 （ 0.177 ）最大。
0.40 (.016)
0.79 (.031)
2.87 (.113)
3.12 (.123)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
1.01 (.040)
1.40 (.055)
0.020 (.001)
0.178 (.007)
2.67 (.105)
2.84 (.112)
1.27 (.050)
1.40 (.055)
1.98 (.078)
2.08 (.082)
5.45 （ 0.215 ） BSC
{ 2的PLC。 }
050-7164 REV- 2-2002
19.81 (.780)
20.32 (.800)
1.22 (.048)
1.32 (.052)
3.81 (.150)
4.06 (.160)
（铅基）
门
漏
来源
散热器（漏）
并导致
镀
2.21 (.087)
2.59 (.102)
5.45 （ 0.215 ） BSC
2-Plcs.
尺寸以毫米（英寸）
来源
漏
门
单位为毫米（英寸）
APT的设备涵盖了以下一个USpatents的一个或多个：
4,895,810
5,256,583
5,045,903
4,748,103
5,089,434
5,283,202
5,182,234
5,231,474
5,019,522
5,434,095
5,262,336
5,528,058
QQ：2881677436 复制
