【APT30GS60KR(G)600V， 30A ，VCE （ON）的= 2.8V典型霹雳高速NPT 】,IC型号APT30GS60KR,APT30GS60KR PDF资料,APT30GS60KR经销商,ic,电子元器件-51电子网

APT30GS60KR(G)

600V， 30A ，V

CE （ON）的

= 2.8V典型

霹雳

高速NPT IGBT

迅雷HS

系列通型（NPT ）技术相似的基础上薄晶片的非穿

迅雷

系列，但市盈率较高的V

CE （ON）的

对于显着降低导通能量E

关闭

。低

开关损耗，使工作在开关频率在100kHz以上，接近功率MOSFET

性能，但成本更低。

一个非常紧密的参数分布相结合的积极V

CE （ON）的

温度COEF网络cient

可以很容易地并联雷电HS

IGBT的。控压摆率导致非常不错的噪音

振荡性和低EMI。为10μs的短路持续时间的评价，使这些IGBT的

适用于电机驱动器和逆变器应用。可靠性是由雪崩能量进一步增强

耐用性。

特点

快速，低EMI转换

非常低辐射

关闭

为实现最大的效率

额定短路

低栅极电荷

严格的参数分布

易于并联

符合RoHS

典型应用

APT30GS60KR(G)

ZVS移相和其他全桥

半桥

高功率PFC升压

焊接

感应加热

高频开关电源

C

G

E

绝对最大额定值

符号

I

C1

I

C2

I

CM

V

GE

SSOA

E

AS

t

SC

参数

连续集电极电流T

C

= @ 25°C

连续集电极电流T

C

= @ 100°C

集电极电流脉冲

1

栅极 - 发射极电压

开关安全工作区

单脉冲雪崩能量

2

总之Circut承受时间

3

等级

54

30

113

±30V

113

165

10

mJ

s

V

A

单位

热和机械特性

符号

P

D

R

θJC

R

θCS

T

J

, T

英镑

T

L

W

T

力矩

参数

总功率耗散T

C

= @ 25°C

结到外壳热阻

案件散热器的热阻，平油脂润滑表面

工作和存储结温范围

焊接温度为10秒（从案例1.6毫米）

包装重量

安装扭矩， 6-32 M3螺丝

民

-

-55

-

典型值

-

0.11

-

0.22

5.9

-

最大

250

0.50

-

150

300

-

10

1.1

单位

W

° C / W

°C

8-2007

052-6307

REV A

oz

g

·在磅

N·m的

注意事项：

这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。

Microsemi的网站 - http://www.microsemi.com

静态特性

符号

V

BR （CES）上

V

BR （ ECS ）

参数

T

J

= 25 ° C除非另有规定编

测试条件

V

GE

= 0V时，我

C

= 250A

V

GE

= 0V时，我

C

= 1A

参考至25℃

,

I

C

= 250A

V

GE

= 15V

I

C

= 30A

T

J

= 25°C

T

J

= 125°C

民

600

-

3

-

典型值

-

25

0.60

2.8

3.25

4

6.7

-

APT30GS60KR(G)

最大

-

3.15

-

5

-

50

1000

±100

毫伏/°C的

A

nA

V

单位

V

V /°C的

集电极 - 发射极击穿电压

发射极 - 集电极击穿电压

V

BR （CES）上

/

T

J

击穿电压温度COEFF

V

CE （ON）的

V

GE （日）

电压集电极 - 发射极

4

栅极 - 发射极阈值电压

V

GE （日）

/T

J

阈值电压温度COEFF

I

CES

I

GES

零栅极电压集电极电流

栅极 - 发射极漏电流

V

GE

= V

CE

, I

C

= 1毫安

V

CE

= 600V,

V

GE

= 0V

T

J

= 25°C

T

J

= 125°C

V

GE

= ±20V

动态特性

符号

g

fs

C

IES

C

OES

C

水库

C

O（ CR ）

C

O（ ER ）

Q

g

Q

ge

G

gc

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

E

on1

E

on2

E

关闭

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

E

on1

E

on2

E

关闭

参数

输入电容

输出电容

T

J

= 25 ° C除非另有规定编

测试条件

V

CE

= 50V ，我

C

= 30A

民

-

典型值

18

1600

140

90

130

95

最大

-

单位

S

正向跨导

反向传输电容

相关负责

5

反向传输电容

目前相关

6

总栅极电荷

栅极 - 射极电荷

栅极电荷收集

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

导通开关能量

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

导通开关能量

8

9

8

9

V

GE

= 0V, V

CE

= 25V

F = 1MHz的

pF

V

GE

= 0V

V

CE

= 0 400V

V

GE

= 0到15V

I

C

= 30A ，V

CE

= 300V

-

145

12

65

16

29

360

27

待定

800

570

16

29

390

22

待定

1185

695

-

mJ

ns

mJ

ns

nC

电感式开关IGBT和

二极管：

T

J

= 25 ° C，V

CC

= 400V,

I

C

= 30A

R

G

= 9.1

7

, V

GG

= 15V

关断开关能量

10

电感式开关IGBT和

二极管：

T

J

= 125°C ，V

CC

= 400V,

I

C

= 30A

R

G

= 9.1

7

, V

GG

= 15V

-

关断开关能量

10

052-6307

REV A

8-2007

典型性能曲线

120

100

80

T

J

= 25°C

V

GE

= 15V

120

100

80

60

40

20

0

APT30GS60KR(G)

T = 125°C

J

I

C

，集电极电流（ A）

I

C

，集电极电流（ A）

V

GE

= 13 & 15V

12V

11V

10V

9V

8V

6V

60

40

20

0

T

J

= 125°C

T

J

= 150°C

1

2

3

4

5

6

7

8

V

CE （ON）的

，集气器 - 发射极电压（ V）

图1中，输出特性

250μs的脉冲

TEST<0.5 ％占空比

周期

0

5

10

15

20

25

30

V

CE

，集气器 - 发射极电压（ V）

图2中，输出特性

T

J

= 25°C.

250μs的脉冲测试

<0.5 ％占空比

V

CE

，集电极 - 发射极电压（V ）

120

100

80

60

40

20

0

6

5

4

3

2

1

0

I

C

= 60A

I

C

，集电极电流（ A）

T

J

= 125°C

T

J

= 25°C

T

J

= -55°C

I

C

= 30A

I

C

= 15A

0

2

4

6

8

10

12

14

V

GE

，门极 - 发射极电压（V ）

图3 ，传输特性

6

图4 ，通态电压VS门极 - 发射极电压

16

V

GE

，门极 - 发射极电压（V ）

8

10

12

14

16

V

GE

，门极 - 发射极电压（V ）

V

CE

，集电极 - 发射极电压（V ）

5

4

I

C

= 60A

14

12

10

8

6

4

2

0

20

40

60 80 100 120 140 160

栅极电荷（ NC）

图6 ，栅极电荷

V

CE

= 120V

V

CE

= 300V

3

I

C

= 30A

I

C

= 15A

2

V

CE

= 480V

1

V

GE

= 15V.

250μs的脉冲测试

<0.5 ％占空比

25

50

75

100

125

150

T

J

，结温（ ° C）

图5 ，通态电压VS结温

2000

I

C,

DC集电极电流（ A）

1000

0

60

C

IES

50

40

30

20

10

0

25

C，电容（ F）

P

100

C

OES

C

水库

052-6307

0

100

200

300

400

500

600

V

CE

，集电极 - 发射极电压（V ）

图7 ，电容VS集电极 - 发射极电压

10

50

75

100

125

150

T

C

，外壳温度（ ° C）

图8 ， DC集电极电流与外壳温度

REV A

8-2007

典型性能曲线

25

t

D（关闭）

，关断延迟时间（纳秒）

t

D（上）

，导通延迟时间（纳秒）

500

APT30GS60KR(G)

20

V

GE

= 15V

15

400

V

GE

=15V,T

J

=125°C

V

GE

=15V,T

J

=25°C

300

10

200

5

V

CE

= 400V

T

J

= 25°C

,

T

J

=125°C

10

20

30

40

50

60

70

I

CE

，集电极到发射极电流（ A）

图9 ，导通延迟时间与集电极电流

70

60

50

40

30

20

10

20

30

40

50

60

70

I

CE

，集电极到发射极电流（ A）

图11 ，电流上升时间与集电极电流

4000

0

T

J

=

25或125°C ，V

GE

=

15V

R

G

= 9.1Ω ， L = 100μH ，V

CE

= 400V

100

0

R

G

= 9.1

L = 100μH

0

10

20

30

40

50

60

70

I

CE

，集电极到发射极电流（ A）

图10 ，关闭延迟时间与集电极电流

60

50

t

f,

下降时间（纳秒）

40

30

20

10

0

T

J

=

125°C ，V

GE

=

15V

T

J

=

25 ° C，V

GE

=

15V

R

G

= 9.1Ω ， L = 100μH ，V

CE

= 400V

0

V

CE

= 400V

R

G

=

9.1

L = 100μH

t

r,

上升时间（纳秒）

0

10

20

30

40

50

60

70

I

CE

，集电极到发射极电流（ A）

图12 ，电流下降时间与集电极电流

1600

E

关闭

，关闭能量损失（ μJ ）

1400

1200

1000

800

600

400

200

0

T

J

=

25 ° C，V

GE

=

15V

= 400V

V

CE

= +15V

V

GE

R = 9.1

G

E

ON2

，开启能量损失（ μJ ）

= 400V

V

CE

= +15V

V

GE

R = 9.1

G

3000

T

J

=

125°C,V

GE

=

15V

T

J

=

125°C ，V

GE

=

15V

2000

1000

T

J

=

25°C,V

GE

=

15V

0

10

20

30

40

50

60

70

I

CE

，集电极到发射极电流（ A）

图13 ，开启能量损耗VS集电极电流

开关损耗（兆焦耳）

5

= 400V

V

CE

= +15V

V

GE

T = 125°C

J

0

10

20

30

40

50

60

70

I

CE

，集电极到发射极电流（ A）

图14 ，关闭能量损失VS集电极电流

4

开关损耗（兆焦耳）

= 400V

V

CE

= +15V

V

GE

R = 9.1

G

4

3

E

on2,

60A

3

E

on2,

60A

E

关，

60A

2

E

关，

60A

2

E

on2,

30A

8-2007

1

E

on2

,

30A

E

on2

,

15A

REV A

E

关，

30A

E

关，

15A

E

on2

15A

,

E

关闭

,

30A

052-6307

10

20

30

40

50

R

G

，栅极电阻（欧姆）

图15 ，开关损耗与栅极电阻

0

25

50

75

100

125

T

J

，结温（ ° C）

图16 ，开关损耗VS结温

0

E

关，

15A

0

典型性能曲线

200

100

I

C

，集电极电流（ A）

I

C

，集电极电流（ A）

I

CM

APT30GS60KR(G)

200

100

I

CM

10

V

CE

（上）

10

V

CE

（上）

13s

100s

1ms

13s

100s

1ms

1

10ms

100ms

1

T

J

=

150°C

T

C

=

25°C

10ms

100ms

DC线

0.1

T

J

=

125°C

T

C

=

75°C

DC线

1

10

100

800

V

CE

，集电极 - 发射极电压（V ）

图17 ，正向安全工作区

0.1

缩放为不同的案例&结

温度：

I

C

=

I

C（ΔT = 25

°

C)

*(

T

J

-

T

C

)/125

C

1

10

100

800

V

CE

，集电极 - 发射极电压（V ）

图18 ，最大正向安全工作区

0.60

0.50

0.40

0.30

0.20

0.10

0

Z

θ

JC

，热阻抗（ ℃/ W）

0.9

0.7

0.5

0.3

0.1

0.05

10

-5

10

-4

注意：

PDM

t1

t2

单脉冲

占空比D =

1

/

t2

山顶TJ = PDM X Z

θJC

+ TC

t

10

-3

10

-2

10

-1

矩形脉冲持续时间（秒）

图19 ，最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间

1.0

120

F

最大

，工作频率（千赫）

T = 75

°

C

T

J

(°C)

0.0838

耗散功率

（瓦特）

0.00245

0.00548

0.165

0.207

T

C

(°C)

0.209

T = 100

°

C

10

C

Z

EXT

F

最大

= MIN （F

最大

, f

max2

)

0.05

f

max1

=

t

D（上）

+ t

r

+ t

D（关闭）

+ t

f

max2

=

P

DISS

=

P

DISS

- P

COND

E

on2

+ E

关闭

T

J

- T

C

R

θJC

Z

EXT

是外热

阻抗：案例下沉，

下沉到环境等设置为

只有建模时零

的情况下结。

图20中的瞬态热阻抗模型

10

20

30

40

50

I

C

，集电极电流（ A）

图21 ，工作频率与集电极电流

1

T = 125

°

C

J

T = 75

°

C

D = 50 %

= 400V

V

CE

R = 9.1

G

0

052-6307

REV A

8-2007