APT30GP60B2DL(G)
APT30GP60LDL(G)
600V， 30A ，V
CE （ON）的
= 2.2V典型
谐振模式的Combi IGBT
功率MOS 7
IGBT在这种谐振模式COMBI采用的是新一代的高
电压功率IGBT 。使用穿通科技这IGBT ，非常适合许多高
频率，高电压开关应用而进行了优化的高频
开关模式电源。
特点
低传导损耗
低栅极电荷
超快尾电流关断
低正向二极管电压（V
F
)
超软恢复二极管
额定SSOA
符合RoHS
典型应用
感应加热
焊接
医疗
高功率电信
移谐振模式阶段
桥
G
C
E
G
C
E
C
G
E
最大额定值
符号
V
CES
V
GE
V
创业板
I
C1
I
C2
I
CM
SSOA
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
参数
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
栅极 - 射极电压瞬态
连续集电极电流@ T
C
= 25°C
连续集电极电流@ T
C
= 110°C
集电极电流脉冲
1
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
评级
单位
600
±20
±30
100
49
120
120A @ 600V
463
-55到150
300
瓦
°C
安培
伏
@ T
C
= 25°C
开关安全工作区@ T
J
= 150°C
总功耗
工作和存储结温范围
马克斯。铅温度。用于焊接： 0.063"案件从10秒。
静态电气特性
符号
BV
CES
V
GE （日）
V
CE （ON）的
I
CES
I
GES
特性/测试条件
集电极 - 发射极击穿电压（V
GE
= 0V时，我
C
= 1.0毫安）
栅极阈值电压
(V
CE
= V
GE
, I
C
= 1毫安，T
j
= 25°C)
民
典型值
最大
单位
600
3
4.5
2.2
2.1
275
2
6
2.7
伏
集电极 - 发射极上的电压（V
GE
= 15V ，我
C
= 30A ，T
j
= 25°C)
集电极 - 发射极上的电压（V
GE
= 15V ，我
C
= 30A ，T
j
= 125°C)
集电极截止电流（V
CE
= 600V, V
GE
= 0V ，T
j
= 25°C)
2
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
Microsemi的网站 - http://www.microsemi.com
052-6355
版本B
栅极 - 射极漏电流（V
GE
= ±20V)
±100
nA
6-2009
集电极截止电流（V
CE
= 600V, V
GE
= 0V ，T
j
= 125°C)
2750
μA
动态特性
符号
C
IES
C
OES
C
水库
V
GEP
Q
g
Q
ge
Q
gc
SSOA
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on1
E
on2
E
关闭
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on1
E
on2
E
关闭
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
门极 - 发射极电压高原
总栅极电荷
3
APT30GP60B2DL_LDL(G)
测试条件
电容
V
GE
= 0V, V
CE
= 25V
F = 1 MHz的
栅极电荷
V
GE
= 15V
V
CE
= 300V
I
C
= 30A
T
J
= 150℃ ，R
G
= 5Ω, V
GE
=
15V ， L = 100μH ，V
CE
= 600V
电感式开关（ 25 ° C）
V
CC
（峰）= 400V
V
GE
= 15V
I
C
= 30A
4
民
典型值
最大
单位
pF
V
nC
3200
295
20
7.5
90
20
30
120
13
18
55
46
260
335
250
330
13
18
84
80
260
508
518
750
μ
J
ns
ns
A
栅极 - 射极电荷
门极 - 集电极（ "Miller " ）充电
开关SOA
导通延迟时间
电流上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
导通开关能量
关断开关能量
导通延迟时间
电流上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
导通开关能量
关断开关能量
4
5
R
G
= 5Ω
T
J
= +25°C
导通开关能量（二极管）
5
6
μ
J
电感式开关（ 125°C ）
V
CC
（峰）= 400V
V
GE
= 15V
I
C
= 30A
R
G
= 5Ω
T
J
= +125°C
导通开关能量（二极管）
6
热和机械特性
符号
R
θ
JC
R
θ
JC
W
T
特征
结到外壳（ IGBT ）
结到管壳（二极管）
包装重量
民
典型值
最大
单位
° C / W
gm
.27
.88
5.90
1重复额定值：脉冲宽度有限的最高结温。
2对于Combi机设备，I
CES
包括IGBT和FRED泄漏
3见MIL- STD- 750方法3471 。
4 E
on1
是钳位感性点灯能量只IGBT的未经整流二极管的反向恢复电流的效果
增加了IGBT导通损耗。 （参见图24 ）
5 E
on2
是钳位感性开启能量，包括在IGBT导通一个整流二极管的反向恢复电流的开关
损失。 （见图21 ， 22 ）
6 E
关闭
是按照JEDEC标准JESD24-1测定的钳位感性关断能量。 （见图21 ， 23 ）
Microsemi的保留权利更改，恕不另行通知，此处包含的说明和信息。
6-2009
052-6355
版本B
典型的性能与曲线
60
50
40
30
20
T
C
=25°C
10
0
T
C
=125°C
V
GE
= 15V.
250μs的脉冲测试
<0.5 ％占空比
60
50
40
30
20
10
0
APT30GP60B2DL_LDL(G)
V
GE
= 10V.
250μs的脉冲测试
<0.5 ％占空比
I
C
，集电极电流（ A）
I
C
，集电极电流（ A）
T
C
=-55°C
T
C
=-55°C
T
C
=25°C
T
C
=125°C
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
V
CE
，集气器 - 发射极电压（ V）
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
V
CE
，集气器 - 发射极电压（ V）
图1中，输出特性（Ⅴ
GE
= 15V)
200
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）
180
I
C
，集电极电流（ A）
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
2
4
6
8
10
12
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）
图3 ，传输特性
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
250μs的脉冲测试
<0.5 ％占空比
图2中，输出特性（Ⅴ
GE
= 10V)
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
10
20 30 40 50 60 70 80 90 100
栅极电荷（ NC）
图4中，栅极电荷
V
CE
=480V
I = 30A
C
中T = 25℃
J
T
J
= -55°C
V
CE
=120V
V
CE
=300V
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
T
J
= 25°C.
250μs的脉冲测试
<0.5 ％占空比
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
V
GE
= 15V.
250μs的脉冲测试
<0.5 ％占空比
I
C=
60A
I
C=
30A
I
C=
15A
I
C=
60A
I
C=
30A
I
C=
15A
8
10
12
14
16
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）
图5 ，通态电压VS门极 - 发射极电压
1.2
0
6
-25
0
25
50
75
100 125
T
J
，结TRMPERATURE （ ° C）
图6 ，通态电压VS结温
140
0
-50
BV
CES
，集电极 - 发射极击穿
电压（归）
1.10
1.05
1.0
0.95
0.90
0.85
0.8
-50
I
C,
DC集电极电流（ A）
1.15
120
100
80
60
40
20
0
-50
6-2009
052-6355
版本B
-25
0
25 50
75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图7 ，击穿电压与结温
-25
0
25 50 75 100 125 150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图8 ， DC集电极电流与外壳温度
典型的性能与曲线
10,000
5,000
1,000
500
C
OES
C
IES
140
120
I
C
，集电极电流（ A）
100
80
60
40
20
0
APT30GP60B2DL_LDL(G)
C，电容（ F）
P
100
50
C
水库
10
5
0
0
10
20
30
40
50
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
图17 ，电容VS集电极 - 发射极电压
0.30
0.25
0.20
0.9
100 200 300 400 500 600 700
V
CE
，集电极到发射极电压
图18 ， Minimim开关安全工作区
0
Z
θJC
，热阻抗（ ℃/ W）
0.7
0.15
0.5
注意：
0.3
PDM
0.10
t1
t2
0.05
0
10
-5
0.1
0.05
10
-4
单脉冲
t
占空比D = 1 / T2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
10
-3
10
-2
10
-1
矩形脉冲持续时间（秒）
图19 ，最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间
1.0
300
F
最大
，工作频率（千赫）
100
F
最大
=
分（F
max1
, f
MAX 2
)
50
f
max1
=
f
MAX 2
=
P
DISS
=
0.05
t
D（上）
+
t
r
+
t
D（关闭）
+
t
f
P
DISS
P
COND
E
ON 2
+
E
关闭
20
30
40
50
60
I
C
，集电极电流（ A）
图20 ，工作频率与集电极电流
10
T = 125
°
C
J
T = 75
°
C
C
D = 50 %
V
= 400V
CE
R =5
Ω
G
T
J
T
C
R
θ
JC
0
10
052-6355
版本B
6-2009
QQ：2880707522 复制
