APT30GF60JU3
ISOTOP
降压斩波
NPT IGBT
C
V
CES
= 600V
I
C
= 30A @ T = 100℃
应用
·
AC和DC电机控制
·
开关电源
特点
·
非穿通（ NPT ） IGBT THUNDERBOLT
G
E
A
·
·
·
- 低电压降
- 低尾电流
- 开关频率高达100kHz
- 软恢复二极管并联
- 低二极管VF
- 低漏电流
- 额定雪崩能量
- RBSOA和SCSOA评分
ISOTOP
封装（ SOT- 227 ）
极低的杂散电感
高集成度
E
G
C
A
好处
·
突出表现在高频率运行
·
稳定的温度特性
·
很皮实
·
直接安装到散热器（独立包装）
·
超低的结到外壳热阻
·
由于易于并联的VCEsat晶体管积极TC
ISOTOP
绝对最大额定值
符号
V
CES
I
C1
I
C2
I
CM
V
GE
P
D
I
LM
IF
AV
IF
RMS
参数
集电极 - 发射极击穿电压
连续集电极电流
集电极电流脉冲
门 - 发射极电压
最大功率耗散
RBSOA钳位感性负载电流
G
=11
最大平均正向电流
占空比= 0.5
RMS正向电流（方波，占空比为50％ ）
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 80°C
30
39
A
这些器件对静电放电敏感。适当汉鼎程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
1–8
APT30GF60JU3 - 牧师2004 0月，
最大额定值
600
58
30
110
±20
192
60
单位
V
A
V
W
A
APT30GF60JU3
所有评级@ T
j
= 25 ° C除非另有说明
电气特性
符号特性
BV
CES
集电极 - 发射极击穿电压
I
CES
V
CE （ON）的
V
GE （日）
I
GES
零栅极电压集电极电流
集电极发射极电压上
栅极阈值电压
门 - 发射极漏电流
测试条件
V
GE
= 0V时，我
C
= 0.25毫安
T
j
= 25°C
V
GE
= 0V
V
CE
= 600V
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
V
GE
=15V
I
C
= 30A
T
j
= 125°C
V
GE
= V
CE
, I
C
= 700A
V
GE
= ±20V, V
CE
= 0V
民
600
典型值
最大
40
1000
2.5
2.8
5
±100
单位
V
A
V
V
nA
3
2.0
2.2
4
动态特性
符号
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
Q
ge
Q
gc
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
E
ts
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
E
on
E
关闭
E
ts
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
门 - 发射极电荷
门 - 集电极费
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总开关损耗
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关能量
关断开关能量
总开关损耗
测试条件
V
GE
= 0V
V
CE
= 25V
F = 1MHz的
V
GS
= 15V
V
公共汽车
= 300V
I
C
= 30A
电阻开关（ 25 ° C）
V
GE
= 15V
V
公共汽车
= 300V
I
C
= 30A
R
G
= 10W
电感式开关（ 25 ° C）
V
GE
= 15V
V
公共汽车
= 400V
I
C
= 30A
R
G
= 10W
电感式开关（ 150 ° C）
V
GE
= 15V
V
公共汽车
= 400V
I
C
= 30A
R
G
= 10W
民
典型值
1600
150
90
140
10
60
13
41
147
200
17
28
242
34
1.2
15
27
265
41
0.5
1
1.5
最大
1850
220
150
210
15
90
26
80
220
400
30
60
360
70
2
30
50
400
80
1
2
3
单位
pF
nC
ns
ns
mJ
ns
mJ
APT网站 - http://www.advancedpower.com
2–8
APT30GF60JU3 - 牧师2004 0月，
APT30GF60JU3
二极管额定值和特性
符号
V
F
I
RM
C
T
t
rr
反向恢复时间
I
RRM
Q
rr
t
rr
Q
rr
I
RRM
最大反向恢复电流
反向恢复电荷
反向恢复时间
反向恢复电荷
最大反向恢复电流
I
F
= 30A
V
R
= 400V
的di / dt = 1000A / μs的
I
F
= 30A
V
R
= 400V
的di / dt = 200A / μs的
特征
二极管的正向电压
最大反向漏电流
结电容
反向恢复时间
测试条件
I
F
= 30A
I
F
= 60A
I
F
= 30A
V
R
= 600V
V
R
= 600V
V
R
= 200V
I
F
=1A,V
R
=30V
的di / dt = 100A / μs的
民
典型值
1.6
1.9
1.4
44
T
j
= 25°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 125°C
23
85
160
4
8
130
700
70
1300
30
ns
最大
1.8
250
500
单位
V
A
pF
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
A
nC
ns
nC
A
热和包装特点
符号特性
R
thJC
R
thJA
V
ISOL
T
J
,T
英镑
T
L
力矩
Wt
结到外壳
结到环境（ IGBT &二极管）
RMS隔离电压，任何终端来区分T = 1分，我isol<1mA ， 50 / 60Hz的
民
IGBT
二极管
2500
-55
典型值
最大
0.65
1.21
20
150
300
1.5
单位
° C / W
V
°C
牛米
g
存储温度范围
最大的铅温度对焊接： 0.063 “从案例10秒
安装力矩
（安装= 8-32或4毫米机和终端为4毫米机）
包装重量
29.2
APT网站 - http://www.advancedpower.com
3–8
APT30GF60JU3 - 牧师2004 0月，
APT30GF60JU3
典型的IGBT性能曲线
0.7
0.6
热阻抗（ ℃/ W）
0.9
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.7
0.5
0.3
0.1
单脉冲
0.05
0
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
矩形普尔斯持续时间（秒）
1
10
图7 ，最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间
APT网站 - http://www.advancedpower.com
4–8
APT30GF60JU3 - 牧师2004 0月，
APT30GF60JU3
APT网站 - http://www.advancedpower.com
5–8
APT30GF60JU3 - 牧师2004 0月，
APT30GF60JU3
ISOTOP
降压斩波
NPT IGBT
C
V
CES
= 600V
I
C
= 30A @ T = 100℃
应用
AC和DC电机控制
开关电源
特点
非穿通（ NPT ） IGBT THUNDERBOLT
G
E
A
- 低电压降
- 低尾电流
- 开关频率高达100kHz
- 软恢复二极管并联
- 低二极管VF
- 低漏电流
- 额定雪崩能量
- RBSOA和SCSOA评分
ISOTOP
封装（ SOT- 227 ）
极低的杂散电感
高集成度
E
G
C
A
好处
突出表现在高频率运行
稳定的温度特性
很皮实
直接安装到散热器（独立包装）
超低的结到外壳热阻
由于易于并联阳性T
C
V的
CESAT
符合RoHS
ISOTOP
绝对最大额定值
符号
V
CES
I
C1
I
C2
I
CM
V
GE
P
D
I
LM
IF
A V
IF
RMS
参数
集电极 - 发射极击穿电压
连续集电极电流
集电极电流脉冲
门 - 发射极电压
最大功率耗散
RBSOA钳位感性负载电流
G
=11
最大平均正向电流
占空比= 0.5
RMS正向电流（方波，占空比为50％ ）
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 80°C
60
30
39
A
A
这些器件对静电放电敏感。适当汉鼎程序应遵循。
www.Microsemi.com
1–8
APT30GF60JU3 - 版本1
2006年6月，
最大额定值
600
58
30
110
±20
192
单位
V
A
V
W
APT30GF60JU3
菜刀二极管额定值和特性
符号
V
F
I
RM
C
T
t
rr
反向恢复时间
I
RRM
Q
rr
t
rr
Q
rr
I
RRM
最大反向恢复电流
反向恢复电荷
反向恢复时间
反向恢复电荷
最大反向恢复电流
I
F
= 30A
V
R
= 400V
的di / dt = 1000A / μs的
I
F
= 30A
V
R
= 400V
的di / dt = 200A / μs的
特征
二极管的正向电压
最大反向漏电流
结电容
反向恢复时间
测试条件
I
F
= 30A
I
F
= 60A
I
F
= 30A
V
R
= 600V
V
R
= 600V
V
R
= 200V
I
F
=1A,V
R
=30V
的di / dt = 100A / μs的
民
典型值
1.6
1.9
1.4
44
T
j
= 25°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 125°C
23
85
160
4
8
130
700
70
1300
30
ns
最大
1.8
250
500
单位
V
A
pF
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
A
nC
ns
nC
A
热和包装特点
符号
R
thJC
R
thJA
V
ISOL
T
J
,T
英镑
T
L
力矩
Wt
特征
结到外壳热阻
结到环境（ IGBT &二极管）
RMS隔离电压，任何终端来区分T = 1分，我isol<1mA ， 50 / 60Hz的
民
IGBT
二极管
2500
-55
典型值
最大
0.65
1.21
20
150
300
1.5
单位
° C / W
V
°C
牛米
g
存储温度范围
最大的铅温度对焊接： 0.063 “从案例10秒
安装力矩
（安装= 8-32或4毫米机和终端为4毫米机）
包装重量
29.2
www.Microsemi.com
3–8
APT30GF60JU3 - 版本1
2006年6月，
APT30GF60JU3
典型的IGBT性能曲线
0.7
0.6
热阻抗（ ℃/ W）
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.3
0.1
0.9
0.7
0.5
单脉冲
0.0001
0.001
0.01
0.1
矩形脉冲持续时间（秒）
1
10
图7 ，最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间
www.Microsemi.com
4–8
APT30GF60JU3 - 版本1
0.05
0
0.00001
2006年6月，
APT30GF60JU3
ISOTOP
降压斩波
NPT IGBT
C
V
CES
= 600V
I
C
= 30A @ T = 100℃
应用
·
AC和DC电机控制
·
开关电源
特点
·
非穿通（ NPT ） IGBT THUNDERBOLT
G
E
A
·
·
·
- 低电压降
- 低尾电流
- 开关频率高达100kHz
- 软恢复二极管并联
- 低二极管VF
- 低漏电流
- 额定雪崩能量
- RBSOA和SCSOA评分
ISOTOP
封装（ SOT- 227 ）
极低的杂散电感
高集成度
E
G
C
A
好处
·
突出表现在高频率运行
·
稳定的温度特性
·
很皮实
·
直接安装到散热器（独立包装）
·
超低的结到外壳热阻
·
由于易于并联的VCEsat晶体管积极TC
ISOTOP
绝对最大额定值
符号
V
CES
I
C1
I
C2
I
CM
V
GE
P
D
I
LM
IF
AV
IF
RMS
参数
集电极 - 发射极击穿电压
连续集电极电流
集电极电流脉冲
门 - 发射极电压
最大功率耗散
RBSOA钳位感性负载电流
G
=11
最大平均正向电流
占空比= 0.5
RMS正向电流（方波，占空比为50％ ）
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 80°C
30
39
A
这些器件对静电放电敏感。适当汉鼎程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
1–8
APT30GF60JU3 - 牧师2004 0月，
最大额定值
600
58
30
110
±20
192
60
单位
V
A
V
W
A
APT30GF60JU3
所有评级@ T
j
= 25 ° C除非另有说明
电气特性
符号特性
BV
CES
集电极 - 发射极击穿电压
I
CES
V
CE （ON）的
V
GE （日）
I
GES
零栅极电压集电极电流
集电极发射极电压上
栅极阈值电压
门 - 发射极漏电流
测试条件
V
GE
= 0V时，我
C
= 0.25毫安
T
j
= 25°C
V
GE
= 0V
V
CE
= 600V
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
V
GE
=15V
I
C
= 30A
T
j
= 125°C
V
GE
= V
CE
, I
C
= 700A
V
GE
= ±20V, V
CE
= 0V
民
600
典型值
最大
40
1000
2.5
2.8
5
±100
单位
V
A
V
V
nA
3
2.0
2.2
4
动态特性
符号
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
Q
ge
Q
gc
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
E
ts
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
E
on
E
关闭
E
ts
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
门 - 发射极电荷
门 - 集电极费
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总开关损耗
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关能量
关断开关能量
总开关损耗
测试条件
V
GE
= 0V
V
CE
= 25V
F = 1MHz的
V
GS
= 15V
V
公共汽车
= 300V
I
C
= 30A
电阻开关（ 25 ° C）
V
GE
= 15V
V
公共汽车
= 300V
I
C
= 30A
R
G
= 10W
电感式开关（ 25 ° C）
V
GE
= 15V
V
公共汽车
= 400V
I
C
= 30A
R
G
= 10W
电感式开关（ 150 ° C）
V
GE
= 15V
V
公共汽车
= 400V
I
C
= 30A
R
G
= 10W
民
典型值
1600
150
90
140
10
60
13
41
147
200
17
28
242
34
1.2
15
27
265
41
0.5
1
1.5
最大
1850
220
150
210
15
90
26
80
220
400
30
60
360
70
2
30
50
400
80
1
2
3
单位
pF
nC
ns
ns
mJ
ns
mJ
APT网站 - http://www.advancedpower.com
2–8
APT30GF60JU3 - 牧师2004 0月，
APT30GF60JU3
二极管额定值和特性
符号
V
F
I
RM
C
T
t
rr
反向恢复时间
I
RRM
Q
rr
t
rr
Q
rr
I
RRM
最大反向恢复电流
反向恢复电荷
反向恢复时间
反向恢复电荷
最大反向恢复电流
I
F
= 30A
V
R
= 400V
的di / dt = 1000A / μs的
I
F
= 30A
V
R
= 400V
的di / dt = 200A / μs的
特征
二极管的正向电压
最大反向漏电流
结电容
反向恢复时间
测试条件
I
F
= 30A
I
F
= 60A
I
F
= 30A
V
R
= 600V
V
R
= 600V
V
R
= 200V
I
F
=1A,V
R
=30V
的di / dt = 100A / μs的
民
典型值
1.6
1.9
1.4
44
T
j
= 25°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 125°C
23
85
160
4
8
130
700
70
1300
30
ns
最大
1.8
250
500
单位
V
A
pF
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
A
nC
ns
nC
A
热和包装特点
符号特性
R
thJC
R
thJA
V
ISOL
T
J
,T
英镑
T
L
力矩
Wt
结到外壳
结到环境（ IGBT &二极管）
RMS隔离电压，任何终端来区分T = 1分，我isol<1mA ， 50 / 60Hz的
民
IGBT
二极管
2500
-55
典型值
最大
0.65
1.21
20
150
300
1.5
单位
° C / W
V
°C
牛米
g
存储温度范围
最大的铅温度对焊接： 0.063 “从案例10秒
安装力矩
（安装= 8-32或4毫米机和终端为4毫米机）
包装重量
29.2
APT网站 - http://www.advancedpower.com
3–8
APT30GF60JU3 - 牧师2004 0月，
APT30GF60JU3
典型的IGBT性能曲线
0.7
0.6
热阻抗（ ℃/ W）
0.9
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.7
0.5
0.3
0.1
单脉冲
0.05
0
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
矩形普尔斯持续时间（秒）
1
10
图7 ，最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间
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4–8
APT30GF60JU3 - 牧师2004 0月，
APT30GF60JU3
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