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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第1336页 > APT30D20SG
200V 30A
APT30D20B
APT30D20S
APT30D20BG * APT30D20SG *
* G表示符合RoHS标准的无铅终端完成。
超快软恢复整流二极管
TO
产品应用
反并联二极管
开关模式电源
-Inverters
续流二极管
电机控制器
-Converters
-Inverters
缓冲二极管
PFC
产品特点
超快恢复时间
软恢复特性
产品优势
低损失
低噪声开关
1
2
-2 4
7
D
3
PAK
冷却器运行
热门TO- 247封装或
表面贴装
3
PAK封装
高可靠性系统
低正向电压
低漏电流
提高系统功率
密度
1
2
1
2
1 - 阴极
2 - 阳极
回到案例 - 阴极
最大额定值
符号
V
R
V
RRM
V
RWM
I
F( AV )
I
F( RMS )
I
FSM
T
J
,T
英镑
T
L
特性/测试条件
最大直流反向电压
最大峰值重复反向电压
最大工作峰值反向电压
所有评分:T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT30D20B(G)_S(G)
单位
200
最大平均正向电流(T
C
= 145 ° C,占空比= 0.5 )
RMS正向电流(方波,占空比为50% )
非重复正向浪涌电流(T
J
= 45 ° C, 8.3ms的)
操作和StorageTemperature范围
焊接温度,持续10秒。
30
80
320
-55至175
300
°C
安培
静态电气特性
符号
特性/测试条件
I
F
= 30A
V
F
正向电压
I
F
= 60A
I
F
= 30A ,T
J
= 125°C
I
RM
C
T
最大反向漏电流
结电容,V
R
= 200V
APT网站 - http://www.advancedpower.com
典型值
最大
单位
1.1
1.4
0.9
1.3
V
R
= V
R
评级
V
R
= V
R
额定,T
J
= 125°C
250
500
95
A
pF
4-2005
053-2002冯ê
动态特性
符号
t
rr
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
特征
反向恢复时间
反向恢复时间
反向恢复电荷
最大反向恢复电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
最大反向恢复电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
最大反向恢复电流
I
F
= 30A ,二
F
/ DT = -1000A /微秒
V
R
= 133V ,T
C
= 125°C
I
F
= 30A ,二
F
/ DT = -200A / μs的
V
R
= 133V ,T
C
= 125°C
I
F
= 30A ,二
F
/ DT = -200A / μs的
V
R
= 133V ,T
C
= 25°C
测试条件
I
F
= 1A ,二
F
/ DT = -100A / μs的,V
R
= 30V ,T
J
= 25°C
-
APT30D20B(G)_S(G)
典型值
21
最大
单位
ns
nC
-
-
-
-
-
-
-
-
-
24
33
3
48
150
6
31
355
19
-
-
安培
ns
nC
安培
ns
nC
安培
热和机械特性
符号
R
θJC
R
θJA
W
T
特性/测试条件
结到外壳热阻
结至环境热阻
包装重量
典型值
最大
单位
° C / W
oz
g
.67
40
0.22
5.9
10
1.1
磅在
N·m的
力矩
最大安装扭矩
APT保留更改的权利,恕不另行通知,该说明和信息,包含在本文中。
0.70
Z
JC
,热阻抗( ℃/ W)
θ
0.60
0.50
0.40
0.5
0.30
0.20
0.10
0
0.3
注意:
0.9
0.7
PDM
t1
t2
0.1
0.05
10
-5
10
-4
单脉冲
占空比D =
1
/
t2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
t
10
-3
10
-2
10
-1
1.0
矩形脉冲持续时间(秒)
图1a 。最大有效瞬态热阻抗,结点到外壳与脉冲持续时间
遥控模型
连接点
TEMP (℃)
4-2005
0.289
° C / W
动力
(瓦特)
0.381
° C / W
外壳温度( ° C)
0.00448焦耳/ ℃,
053-2002冯ê
0.120焦/ ℃,
图1b ,瞬态热阻抗模型
典型性能曲线
100
t
rr
,反向恢复时间
(纳秒)
60
50
40
30
20
10
0
APT30D20B(G)_S(G)
T = 125°C
J
V =133V
R
60A
30A
15A
I
F
,正向工作电流
(A)
80
60
40
T
J
= 125°C
20
T
J
= 150°C
0
T
J
= -55°C
T
J
= 25°C
0
0.5
1
1.5
2
V
F
,阳极到阴极电压(V)的
图2.正向电流与正向电压
T = 125°C
J
V =133V
R
0
200
400
600
800 1000 1200
- 二
F
/ DT ,电流变化率( A / μs)内
图3.反向恢复时间与电流变化率
I
RRM
,反向恢复电流
(A)
20
T = 125°C
J
V = 133V
R
400
Q
rr
,反向恢复电荷
( NC )
350
300
250
200
150
100
50
0
60A
60A
30A
15
30A
10
15A
15A
5
0
200
400
600
800 1000 1200
- 二
F
/ DT ,电流变化率( A / μs)内
图4.反向恢复电荷与电流变化率
1.4
K
f
,动力参数
(归一化1000A /μs的)
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
25
50
75
100
125
150
T
J
,结温( ° C)
图6.动态参数与结温
600
C
J
,结电容
(PF )
500
400
300
200
100
0
0.0
0
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
0
200
400
600
800 1000 1200
- 二
F
/ DT ,电流变化率( A / μs)内
图5.反向恢复电流与电流变化率
90
80
70
I
F( AV )
(A)
60
50
40
30
20
10
75
100
125
150
175
外壳温度( ° C)
图7.最大平均正向电流与CaseTemperature
0
25
50
占空比= 0.5
T = 175℃
J
0
t
rr
10
100 200
V
R
,反向电压(V)的
图8.结电容与反向电压
1
053-2002冯ê
4-2005
Vr
+18V
0V
D.U.T.
30H
di
F
/ DT调整
APT20M36BLL
APT30D20B(G)_S(G)
TRR /的Qrr
波形
2878 PEARSON
当前
变压器
图9.二极管测试电路
1
2
3
4
I
F
- 正向导通电流
di
F
/ DT - 费率二极管电流变化通过过零。
I
RRM
- 最大反向恢复电流。
1
4
5
3
2
TRR - 反转
恢复
时间,从零交叉的地方测得二极管
电流变为从正到负,该点处的直
通过我行
RRM
0.25我
RRM
通过零通行证。
QRR - 曲线下面积定义由我
RRM
和TRR 。
0.25 IRRM
5
图10 ,二极管反向恢复波形和德网络nitions
TO- 247封装外形
E1国资委:锡,银,铜
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
6.15 ( 0.242 ) BSC
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
PAK封装外形
E3 100 %锡
4.90 (.193)
5.10 (.201)
1.45 (.057)
1.60 (.063)
15.85 (.624)
16.05(.632)
13.30 (.524)
13.60(.535)
3
阴极
(散热器)
1.00 (.039)
1.15(.045)
阴极
20.80 (.819)
21.46 (.845)
3.50 (.138)
3.81 (.150)
18.70 (.736)
19.10 (.752)
0.40 (.016)
0.65 (.026)
12.40 (.488)
12.70 (.500)
4-2005
4.50 ( 0.177 )最大。
0.40 (.016)
0.79 (.031)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
1.01 (.040)
1.40 (.055)
19.81 (.780)
20.32 (.800)
0.020 (.001)
0.250 (.010)
2.70 (.106)
2.90 (.114)
1.15 (.045)
1.45 (.057)
1.20 (.047)
1.90 (.075) 1.40 (.055)
2.10 (.083)
5.45 ( 0.215 ) BSC
( 2的PLC。 )
2.40 (.094)
2.70 (.106)
(铅基)
053-2002冯ê
阳极
2.21 (.087)
2.59 (.102)
散热器(阴极)
并导致
阴极
10.90 ( 0.430 ) BSC
尺寸以毫米(英寸)
阳极
阴极
单位为毫米(英寸)
APT的产品受一个或多个USpatents 4895810的5045903 5089434 5182234 5019522
5262336 6503786 5256583 4748103 5283202 5231474 5434095 5528058和外国专利。美国和外国专利正在申请中。版权所有。
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    APT30D20SG
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:0755-82578309/18898790342
联系人:李小姐
地址:深圳市福田区华强北海外装饰大厦B座7B33
APT30D20SG
Microchip
21+
10500
███原装现货正品
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881147140 复制

电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
APT30D20SG
Microchip Technology
24+
10000
D3PAK
原厂一级代理,原装现货
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电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
APT30D20SG
Microchip Technology
24+
16000
D3PAK
全新原装现货,原厂代理。
QQ:
电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
APT30D20SG
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19200
原装正品欢迎询价
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地址:广东省深圳市福田区福华路嘉汇新汇商中心1020
APT30D20SG
microchip
15421
23+
原包装原标现货,假一罚十,
0.1
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电话:0755-/83218466/83200833
联系人:销售部
地址:深圳市罗湖区北站路1号中贸大厦402
APT30D20SG
Microchip Technology Inc.
24+
22000
TO-268-2
原装正品假一赔百!
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
APT30D20SG
Microchip Technology
21+
12540
SMD
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2956528467 复制

电话:400-168-7299
联系人:King
地址:深圳市福田区福田街道福安社区福华一路国际商会大厦A栋1305-1306
APT30D20SG
MICROCHIP/微芯
22+
5500
原装正品,诚信经营
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
APT30D20SG
Microchip Technology
21+
12540
SMD
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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