APT2X51DC120J
APT2X50DC120J
ISOTOP
碳化硅二极管
电源模块
2
3
V
RRM
= 1200V
I
F
= 50A @ T
C
= 100°C
应用
不间断电源（ UPS ）
感应加热
焊接设备
高速整流器
2
3
1
4
特点
反平行
反平行
APT2X60DC120J
APT2X50DC120J
1
并行
4
并行
APT2X51DC120J
APT2X61DC120J
2
4
3
好处
SiC肖特基二极管
- 零反向恢复
- 零正向恢复
- 温度独立的开关行为
- 对VF正温度系数
ISOTOP
封装（ SOT- 227 ）
极低的杂散电感
高集成度
1
ISOTOP
突出表现在高频率运行
低损耗
低噪声开关
直接安装到散热器（独立包装）
超低的结到外壳热阻
符合RoHS
绝对最大额定值（每腿）
符号
V
R
V
RRM
I
F（ AV ）
I
FSM
参数
最大直流反向电压
最大峰值重复反向电压
最大平均正向电流
占空比= 50 ％
非重复正向浪涌电流
10 s
最大额定值
1200
T
C
= 100°C
T
C
= 25°C
50
650
单位
V
A
这些器件对静电放电敏感。正确的处理程序应遵循。请参阅应用笔记
APT0502上www.microsemi.com
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APT2X51_50DC120J - 牧师0 2009年2月
APT2X51DC120J
APT2X50DC120J
所有评级@ T
j
= 25 ° C除非另有说明
电气特性（每腿）
符号特性
V
F
I
RM
Q
C
C
二极管的正向电压
最大反向漏电流
总容性充电
总电容
测试条件
I
F
= 50A
T
j
= 25°C
T
j
= 175°C
T
j
= 25°C
V
R
= 1200V
T
j
= 175°C
I
F
= 50A ，V
R
= 600V
的di / dt = 2500A / μs的
F = 1MHz时， V
R
= 200V
F = 1MHz时， V
R
= 400V
民
典型值
1.6
2.3
160
280
200
480
345
最大
1.8
3.0
1000
5000
单位
V
A
nC
pF
散热及封装特性（每腿）
符号
R
thJC
R
thJA
V
ISOL
T
J
,T
英镑
T
L
力矩
Wt
特征
结到外壳热阻
结到环境（ IGBT &二极管）
RMS隔离电压，任何终端来区分T = 1分，我isol<1mA ， 50 / 60Hz的
民
典型值
最大
0.32
20
175
300
1.5
单位
° C / W
V
°C
牛米
g
存储温度范围
最大的铅温度对焊接： 0.063 “从案例10秒
安装力矩
（安装= 8-32或4毫米机和终端为4毫米机）
包装重量
2500
-55
29.2
SOT- 227 （ ISOTOP
）包装外形
31.5 (1.240)
31.7 (1.248)
7.8 (.307)
8.2 (.322)
W=4.1 (.161)
W=4.3 (.169)
H=4.8 (.187)
H=4.9 (.193)
（4处）
11.8 (.463)
12.2 (.480)
8.9 (.350)
9.6 (.378)
六角螺母M4
（4处）
r = 4.0 (.157)
（ 2处）
4.0 (.157)
4.2 (.165)
（ 2处）
25.2 (0.992)
0.75 (.030) 12.6 (.496) 25.4 (1.000)
0.85 (.033) 12.8 (.504)
3.3 (.129)
3.6 (.143)
14.9 (.587)
15.1 (.594)
30.1 (1.185)
30.3 (1.193)
38.0 (1.496)
38.2 (1.504)
1.95 (.077)
2.14 (.084)
3
4
*发射极端子短路
在内部。目前的处理
能力是相等的任一
发射极端子。
2
尺寸以毫米（英寸）
1
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APT2X51DC120J
APT2X50DC120J
典型的二极管特性曲线
最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间
0.35
热阻抗（ ℃/ W）
0.3
0.25
0.2
0.15
0.1
0.05
0.3
0.1
0.05
0.0001
0.001
单脉冲
0.01
0.1
1
10
0.9
0.7
0.5
0
0.00001
矩形脉冲持续时间（秒）
正向特性
反向特性
500
T
J
=25°C
100
I
F
正向电流（ A）
80
T
J
=75°C
I
R
反向电流（ μA ）
400
300
T
J
=75°C
60
40
20
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
V
F
正向电压（ V）
电容vs.Reverse电压
T
J
=125°C
T
J
=175°C
200
T
J
=125°C
100
T
J
=175°C
T
J
=25°C
0
400
600
800
1000 1200 1400 1600
V
R
反向电压（ V）
3500
C，电容（pF ）
3000
2500
2000
1500
1000
500
0
1
10
100
V
R
反向电压
1000
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ISOTOP是意法半导体NV的注册商标。
Microsemi的保留更改的权利，恕不另行通知，此处包含的规格和信息
Microsemi的产品受一项或多项美国专利4895810 5045903 5089434 5182234 5019522 5262336 6503786 5256583 4748103
5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 6,939,743 7,352,045 5,283,201 5,801,417 5,648,283 7,196,634 6,664,594 7,157,886 6,939,743 7,342,262
和外国专利。中美和国外专利正在申请中。版权所有。
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3–3
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