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2
3
2
3
APT2X151DL60J
APT2X150DL60J
600V 150A
1
4
1
4
反平行
APT2X150DL60J
并行
APT2X151DL60J
超快软恢复双整流器器二极管
2
产品应用
反并联二极管
开关模式电源
-Inverters
续流二极管
- 电机控制器
- 转换器
缓冲二极管
不间断电源
感应加热
高速整流器器
3
4
产品特点
超快恢复时间( TRR )
产品优势
低损失
1
软Recoverery特性低噪声开关
低正向电压
低正向电压
高阻断电压
低漏电流
冷却器运行
2
T-
SO
27
"UL Recongnized"
高可靠性系统
提高系统功率
密度
ISOTOP
文件# 145592
最大额定值
符号
V
R
V
RRM
V
RWM
I
F( AV )
I
F( RMS )
I
FSM
T
J
, T
英镑
所有的每二极管额定值:T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
评级
单位
特性/测试条件
最大直流反向电压
最大峰值重复反向电压
最大工作峰值反向电压
最大平均正向电流(T
C
= 40 ° C,占空比= 0.5 )
RMS正向Currrent (方波,占空比为50% )
非重复正向浪涌电流(T
J
= 45 ° C, 8.3毫秒)
工作和存储结温范围
600
150
165
1000
-55至175
°C
安培
静态电气特性
符号
特性/测试条件
I
F
= 150A
V
F
正向电压
I
F
= 300A
I
F
= 150A ,T
J
= 125°C
I
RM
C
T
最大反向漏电流
结电容,V
R
= 200V
V
R
= 600V
V
R
= 600V ,T
J
= 125°C
139
典型值
1.25
2.0
1.25
最大
1.6
单位
25
250
pF
052-6320修订版B 6 - 2009
μA
1连续电流限制由封装引线温度。
Microsemi的网站 - http://www.microsemi.com
动态特性
符号
t
rr
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
APT2X151_150DL60J
典型值
51
ns
408
I
F
= 150A ,二
F
/ DT = -200A / μs的
V
R
= 400V ,T
C
= 25°C
2387
13
639
I
F
= 150A ,二
F
/ DT = -200A / μs的
V
R
= 400V ,T
C
= 125°C
7253
21
299
I
F
= 150A ,二
F
/ DT = -1000A /
μs
V
R
= 400V ,T
C
= 125°C
12075
68
nC
安培
ns
nC
安培
ns
nC
安培
特性/测试条件
反向恢复时间
反向恢复时间
反向恢复电荷
最大反向恢复电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
最大反向恢复电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
最大反向恢复电流
I
F
= 1A ,二
F
/ DT = -15A /微秒,V
R
= 30V ,T
J
= 25°C
最大
单位
热和机械特性
符号
R
θJC
V
隔离
W
T
特性/测试条件
结到外壳热阻
RMS电压
( 50-60mHz正弦波形,从终端到安装底座,持续1分钟。 )
包装重量
典型值
最大
0.56
单位
° C / W
2500
1.03
29.2
10
oz
g
磅在
N·m的
力矩
最大安装扭矩
1.1
Microsemi的保留权利更改,恕不另行通知,此处包含的说明和信息。
0.6
Z
θ
JC
,热阻抗( ℃/ W)
0.5
0.4
0.3
注意:
PDM
0.2
0.1
0
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
t1
t2
占空比D =
1
/
t2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
t
10
-1
1.0
矩形脉冲持续时间(秒)
图1.最大有效瞬态热阻抗,结点到外壳与脉冲持续时间
052-6320修订版B 6 - 2009
典型性能曲线
400
350
I
F
,正向电流( A)
300
250
200
150
100
50
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
V
F
,阳极到阴极电压(V)的
图2 ,正向电流与正向电压
T = 125°C
J
V = 400V
R
700
600
t
rr
,集电极电流( A)
75A
500
400
300
200
100
0
150A
APT2X151_150DL60J
T = 125°C
J
V = 400V
R
T
J
= 125°C
T
J
= 55°C
T
J
= 150°C
T
J
= 25°C
0
Q
rr
,反向恢复电荷
( NC )
14000
12000
10000
8000
6000
4000
2000
0
0
200
400
600
800
1000
- 二
F
/ DT ,电流变化率( A / μs)内
图3 ,反向恢复时间与电流变化率
80
I
RRM
,反向恢复电流
(A)
70
60
50
40
30
20
10
0
75A
T = 125°C
J
V = 400V
R
150A
150A
75A
0
200
400
600
800
1000
- 二
F
/ DT ,电流变化率( A / μs)内
图4 ,反向恢复电荷与电流变化率
1.2
1
0.8
0.6
Q
RR
0.4
0.2
0
0
200
400
600
800
1000
- 二
F
/ DT ,电流变化率( A / μs)内
变化图5 ,反向恢复电流与电流变化率
200
180
160
t
RR
K
f
,动力参数
(归一化1000A /μs的)
140
I
F( AV )
(A)
I
RRM
120
100
80
60
40
20
0
25
50
75
100
125
150
T
J
,结温( ° C)
图6 ,动态参数VS结温
1400
C
J
,结电容(pF )
1200
1000
800
75
100
125 150
175
外壳温度( ° C)
图7 ,最大平均正向电流与外壳温度
0
25
50
400
200
0
10
100
500
V
R
,反向电压(V)的
图8 ,结电容与反向电压
1
052-6320修订版B 6 - 2009
600
Vr
+18V
0V
D.U.T.
di
F
/ DT调整
APT2X151_150DL60J
TRR /的Qrr
波形
当前
变压器
图9.二极管测试电路
1
2
3
4
I
F
- 正向导通电流
di
F
/ DT - 费率二极管电流变化通过过零。
I
RRM
- 最大反向恢复电流。
1
4
6
5
3
2
0.25 IRRM
斜率=迪
M
/ DT
TRR - 反转
恢复
时间,从零交叉的地方测得二极管
电流变为从正到负,该点处的直
通过我行
RRM
0.25我
RRM
通过零通行证。
QRR - 曲线下面积定义由我
RRM
和TRR 。
di
M
/ DT - 电流增大时TRR的结尾部分的最大速率。
5
6
图10 ,二极管反向恢复波形和德网络nitions
SOT- 227 ( ISOTOP
)包装外形
31.5 (1.240)
31.7 (1.248)
7.8 (.307)
8.2 (.322)
W=4.1 (.161)
W=4.3 (.169)
H=4.8 (.187)
H=4.9 (.193)
(4处)
11.8 (.463)
12.2 (.480)
8.9 (.350)
9.6 (.378)
六角螺母M4 H100
(4处)
r = 4.0 (.157)
( 2处)
4.0 (.157)
4.2 (.165)
( 2处)
25.2 (0.992)
0.75 (.030) 12.6 (.496) 25.4 (1.000)
0.85 (.033) 12.8 (.504)
3.3 (.129)
3.6 (.143)
14.9 (.587)
15.1 (.594)
052-6320修订版B 6 - 2009
1.95 (.077)
2.14 (.084)
反平行
APT2X100D60J
并行
APT2X101D60J
30.1 (1.185)
30.3 (1.193)
38.0 (1.496)
38.2 (1.504)
阳极2
阴极1阴极1
阳极1
尺寸以毫米(英寸)
阴极2
阳极1
阴极2
阳极2
Microsemi的产品受一项或多项美国专利4895810 5045903 5089434 5182234 5019522 5262336 6503786 5256583
4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 6,939,743, 7,352,045 5,283,201 5,801,417 5,648,283 7,196,634 6,664,594 7,157,886 6,939,743 7,342,262
和外国专利。美国和外国专利正在申请中。版权所有。
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    -
    -
    -
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电话:0512-82613006
联系人:曾小姐
地址:昆山市朝阳东路99号4楼
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一级授权代理IGBT模块 可控硅模块 二极管 晶闸管 熔断器 保证全新原装正品
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电话:0755-88917652分机801-83200050
联系人:柯
地址:深圳市福田区华强北振兴华101号华匀大厦二栋五楼516室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票!!
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