APT26M100JCU3
ISOTOP
降压斩波
MOSFET和SiC二极管的菜刀
电源模块
D
V
DSS
= 1000V
R
DSON
= 330mΩ （典型值） @ TJ = 25°C
I
D
= 26A @ T C = 25°C
应用
AC和DC电机控制
开关电源
特点
G
S
功率MOS 8 MOSFET
- 低R
DSON
- 低投入和米勒电容
- 低栅极电荷
- 额定雪崩能量
A
SiC肖特基二极管
- 零反向恢复
- 零正向恢复
- 温度独立的开关行为
- 对VF正温度系数
ISOTOP
封装（ SOT- 227 ）
极低的杂散电感
高集成度
S
D
A
G
ISOTOP
好处
突出表现在高频率
手术
稳定的温度特性
很皮实
直接安装到散热器（独立包装）
超低的结到外壳热阻
由于易于并联的VCEsat晶体管积极TC
符合RoHS
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
R
DSON
P
D
I
AR
参数
漏极 - 源极击穿电压
连续漏电流
漏电流脉冲
栅 - 源电压
漏 - 源极导通电阻
最大功率耗散
雪崩电流（重复，不重复）
T
c
= 25°C
T
c
= 80°C
最大额定值
1000
26
20
140
±30
396
543
18
单位
V
2009年9月
1-5
APT26M100JCU3 - 牧师0
A
V
mΩ
W
A
T
c
= 25°C
这些器件对静电放电敏感。适当汉鼎程序应遵循。请参阅应用笔记
APT0502上www.microsemi.com
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APT26M100JCU3
所有评级@ T
j
= 25 ° C除非另有说明
电气特性
符号特性
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
I
GSS
零栅极电压漏极电流
漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
门 - 源极漏电流
测试条件
T
j
= 25°C
V
DS
=1000V
V
GS
= 0V
T
j
= 125°C
V
GS
= 10V ，我
D
= 18A
V
GS
= V
DS
, I
D
= 2.5毫安
V
GS
= ±30 V
民
典型值
最大
100
500
396
5
±100
单位
A
mΩ
V
nA
3
330
4
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅 - 源电荷
栅 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1MHz的
V
GS
= 10V
V
公共汽车
= 500V
I
D
= 18A
电阻开关@ 25°C
V
GS
= 15V
V
公共汽车
= 667V
I
D
= 18A
R
G
= 2.2Ω
民
典型值
7868
825
104
305
55
145
44
40
150
38
ns
nC
最大
单位
pF
碳化硅二极管菜刀额定值和特性
符号特性
V
RRM
最大峰值重复反向电压
I
RM
I
F
V
F
Q
C
C
最大反向漏电流
直流正向电流
二极管的正向电压
总容性充电
总电容
I
F
= 10A
测试条件
V
R
=1200V
T
j
= 25°C
T
j
= 175°C
TC = 100℃
T
j
= 25°C
T
j
= 175°C
民
1200
典型值
32
56
10
1.6
2.3
80
96
69
最大
200
1000
1.8
3
单位
V
A
A
V
nC
pF
I
F
= 10A ，V
R
= 600V
的di / dt = 500A / μs的
F = 1MHz时， V
R
= 200V
F = 1MHz时， V
R
= 400V
符号特性
R
thJC
R
thJA
V
ISOL
T
J
,T
英镑
T
L
力矩
Wt
结到外壳热阻
结到环境（ IGBT &二极管）
RMS隔离电压，任何终端来区分T = 1分，我isol<1mA ， 50 / 60Hz的
民
MOSFET
碳化硅二极管
2500
-40
典型值
最大
0.23
1.65
20
150
300
1.5
单位
° C / W
V
°C
牛米
g
存储温度范围
最大的铅温度对焊接： 0.063 “从案例10秒
安装力矩
（安装= 8-32或4毫米机和终端为4毫米机）
包装重量
29.2
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2-5
APT26M100JCU3 - 牧师0
2009年9月
热和包装特点
APT26M100JCU3
SOT- 227 （ ISOTOP
）包装外形
31.5 (1.240)
31.7 (1.248)
7.8 (.307)
8.2 (.322)
W=4.1 (.161)
W=4.3 (.169)
H=4.8 (.187)
H=4.9 (.193)
（4处）
11.8 (.463)
12.2 (.480)
8.9 (.350)
9.6 (.378)
六角螺母M4
（4处）
r = 4.0 (.157)
（ 2处）
4.0 (.157)
4.2 (.165)
（ 2处）
25.2 (0.992)
0.75 (.030) 12.6 (.496) 25.4 (1.000)
0.85 (.033) 12.8 (.504)
3.3 (.129)
3.6 (.143)
14.9 (.587)
15.1 (.594)
30.1 (1.185)
30.3 (1.193)
38.0 (1.496)
38.2 (1.504)
1.95 (.077)
2.14 (.084)
阳极
漏
*发射极端子短路
在内部。目前的处理
能力是相等的任一
发射极端子。
来源
尺寸以毫米（英寸）
门
典型MOSFET的性能曲线
美心庵有效的瞬态千卡人林pedance ，结到外壳与脉冲持续时间
0.25
热阻抗（ ℃/ W）
0.9
0.2
0.7
0.15
0.5
0.1
0.05
0.3
0.1
0.05
单P ulse
0
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
矩形脉冲持续时间（秒）
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3-5
APT26M100JCU3 - 牧师0
2009年9月
APT26M100JCU3
典型的SiC二极管的性能曲线
最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间
1.8
热阻抗（ ℃/ W）
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0.1
0.05
0.0001
0.001
单脉冲
0.01
0.1
1
10
0
0.00001
0.3
0.7
0.5
0.9
矩形脉冲持续时间（秒）
正向特性
反向特性
100
T
J
=25°C
20
I
F
正向电流（ A）
16
T
J
=75°C
I
R
反向电流（ μA ）
75
12
8
4
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
V
F
正向电压（ V）
电容vs.Reverse电压
T
J
=125°C
50
T
J
=75°C
T
J
=125°C
T
J
=175°C
T
J
=25°C
25
T
J
=175°C
0
400
600
800
1000 1200 1400 1600
V
R
反向电压（ V）
700
C，电容（pF ）
600
500
400
300
200
100
0
2009年9月
5-5
APT26M100JCU3 - 牧师0
1
10
100
V
R
反向电压
1000
ISOTOP是意法半导体NV的注册商标。
Microsemi的保留更改的权利，恕不另行通知，此处包含的规格和信息
Microsemi的产品受一项或多项美国专利4895810 5045903 5089434 5182234 5019522 5262336 6503786 5256583 4748103
5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 6,939,743 7,352,045 5,283,201 5,801,417 5,648,283 7,196,634 6,664,594 7,157,886 6,939,743 7,342,262
和外国专利。中美和国外专利正在申请中。版权所有。
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