添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线:13751165337  13692101218
51电子网联系电话:13751165337
位置:首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第1565页 > APT26GU30B
典型性能曲线
APT26GU30B
APT26GU30B
300V
功率MOS 7 IGBT
功率MOS 7 IGBT是新一代高压功率IGBT的。
使用穿通科技这IGBT适用于多种频率高,
高电压开关应用,并已被优化用于高频率
开关模式电源。
TO-247
G
低传导损耗
低栅极电荷
超快尾电流关断
最大额定值
符号
V
CES
V
GE
V
创业板
I
C1
I
C2
I
CM
SSOA
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
参数
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
栅极 - 射极电压瞬态
额定SSOA
C
E
C
G
E
所有评分:T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT26GU30B
单位
300
±20
±30
47
26
85
85A @ 300V
187
-55到150
300
°C
安培
连续集电极电流@ T
C
= 25°C
连续集电极电流@ T
C
= 100°C
集电极电流脉冲
1
@ T
C
= 150°C
开关安全工作区@ T
J
= 150°C
总功耗
工作和存储结温范围
马克斯。铅温度。用于焊接: 0.063"案件从10秒。
静态电气特性
符号
BV
CES
V
GE (日)
V
CE (ON)的
特性/测试条件
集电极 - 发射极击穿电压(V
GE
= 0V时,我
C
= 250A)
栅极阈值电压
(V
CE
= V
GE
, I
C
= 1毫安,T
j
= 25°C)
典型值
最大
单位
300
3
4.5
1.5
1.5
250
A
nA
4-2004
050-7459
版本B
6
2.0
集电极 - 发射极上的电压(V
GE
= 15V ,我
C
= 13A ,T
j
= 25°C)
集电极 - 发射极上的电压(V
GE
= 15V ,我
C
= 13A ,T
j
= 125°C)
集电极截止电流(V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V ,T
j
= 25°C)
2
2
I
CES
I
GES
集电极截止电流(V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V ,T
j
= 125°C)
栅极 - 射极漏电流(V
GE
= ±20V)
2500
±100
注意事项:
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
动态特性
符号
C
IES
C
OES
C
水库
V
GEP
Q
g
Q
ge
Q
gc
SSOA
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
E
on1
E
on2
E
关闭
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
E
on1
E
on2
E
关闭
符号
R
θJC
R
θJC
W
T
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
门极 - 发射极电压高原
总栅极电荷
3
APT26GU30B
测试条件
电容
V
GE
= 0V, V
CE
= 25V
F = 1 MHz的
栅极电荷
V
GE
= 15V
V
CE
= 150V
I
C
= 13A
T
J
= 150℃ ,R
G
= 5, V
GE
=
15V , L = 100μH ,V
CE
= 300V
电感式开关( 25 ° C)
V
CC
= 200V
V
GE
= 15V
I
C
= 13A
4
5
典型值
最大
单位
pF
V
nC
A
1200
120
6
7.0
37
8
10
85
11
14
60
55
待定
48
60
11
14
70
100
待定
80
95
典型值
最大
单位
° C / W
gm
ns
ns
栅极 - 射极电荷
门极 - 集电极( "Miller " )充电
开关安全工作区
导通延迟时间
电流上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
导通开关能量
关断开关能量
导通延迟时间
电流上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
导通开关能量
关断开关能量
特征
结到外壳( IGBT )
结到管壳(二极管)
包装重量
4
5
R
G
= 20
T
J
= +25°C
导通开关能量(二极管)
6
J
电感式开关( 125°C )
V
CC
= 200V
V
GE
= 15V
I
C
= 13A
R
G
= 20
T
J
= +125°C
导通开关能量(二极管)
6
J
热和机械特性
0.67
不适用
5.9
1重复额定值:脉冲宽度有限的最高结温。
2对于Combi机设备,I
CES
包括IGBT和FRED泄漏
3见MIL- STD- 750方法3471 。
4 E
on1
是钳位感性点灯能量只IGBT的未经整流二极管的反向恢复电流的效果
增加了IGBT导通损耗。 (参见图24 )
5 E
on2
是钳位感性开启能量,包括在IGBT导通一个整流二极管的反向恢复电流的开关
损失。甲组合式装置用于钳位二极管所示电子
on2
测试电路。 (见图21 , 22 )
6 E
关闭
是按照JEDEC标准JESD24-1测定的钳位感性关断能量。 (见图21 , 23 )
APT保留更改的权利,恕不另行通知,该说明和信息,包含在本文中。
050-7459
版本B
APT的产品受一个或多个USpatents 4895810的5045903 5089434 5182234 5019522
5262336 6503786 5256583 4748103 5283202 5231474 5434095 5528058和外国专利。美国和外国专利正在申请中。版权所有。
4-2004
典型性能曲线
60
50
40
T
C
= -55°C
30
T
C
= 125°C
20
T
C
= 25°C
10
0
VGE = 15V 。
250μs的脉冲测试
<0.5 %占空比
60
50
40
30
20
10
0
APT26GU30B
VGE = 10V 。
250μs的脉冲测试
<0.5 %占空比
I
C
,集电极电流( A)
I
C
,集电极电流( A)
T
C
=-55°C
T
C
=25°C
T
C
=125°C
0
1
2
3
4
V
CE
,集气器 - 发射极电压( V)
250μs的脉冲测试
<0.5 %占空比
0
1
2
3
4
V
CE
,集气器 - 发射极电压( V)
I
C
= 13A
T
J
= 25°C
图1中,输出特性(Ⅴ
GE
= 15V)
100
V
GE
,门极 - 发射极电压(V )
图2中,输出特性(Ⅴ
GE
= 10V)
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
5
10
15
20
25
30
栅极电荷( NC)
图4中,栅极电荷
35
40
V
CE
= 240V
I
C
,集电极电流( A)
80
V
CE
= 60V
V
CE
= 150V
60
TJ = -55°C
TJ = 25°C
TJ = 125°C
40
20
0
0
2
4
6
8
10
V
GE
,门极 - 发射极电压(V )
图3 ,传输特性
TJ = 25°C 。
250μs的脉冲测试
<0.5 %占空比
V
CE
,集电极 - 发射极电压(V )
V
CE
,集电极 - 发射极电压(V )
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
I
C
=
26A
2.5
I
C
=
26A
2.0
I
C
=
13A
1.5
I
C
=
6.5A
I
C
=
13A
I
C
=
6.5A
1.0
0.5
VGE = 15V 。
250μs的脉冲测试
<0.5 %占空比
8
10
12
14
16
V
GE
,门极 - 发射极电压(V )
图5 ,通态电压VS门极 - 发射极电压
1.10
6
0
25
50
75
100 125
T
J
,结温( ° C)
图6 ,通态电压VS结温
70
0
-50
-25
BV
CES
,集电极 - 发射极击穿
电压(归)
1.05
I
C,
DC集电极电流( A)
60
50
40
30
20
10
0
-50
4-2004
1.00
0.95
050-7459
-25
0
25
50
75
100 125
T
J
,结温( ° C)
图7 ,击穿电压与结温
0.90
-50
0
25
50
75 100 125 150
T
C
,外壳温度( ° C)
图8 , DC集电极电流与外壳温度
-25
版本B
14
t
D(关闭)
,关断延迟时间(纳秒)
t
D(上)
,导通延迟时间(纳秒)
80
70
60
APT26GU30B
V
GE
=15V,T
J
=125°C
12
10
8
6
4
2
0
V
CE
= 400V
T
J
= 25 ° C,T
J
=125°C
R
G
= 20
L = 100 μH
V
GE
= 15V
V
GE
=15V,T
J
=25°C
50
40
30
20
10
0
V
CE
= 200V
R
G
= 20
L = 100 μH
5
10
15
20
25
30
I
CE
,集电极到发射极电流( A)
图9 ,导通延迟时间与集电极电流
30
25
t
r,
上升时间(纳秒)
t
f,
下降时间(纳秒)
5
10
15
20
25
30
I
CE
,集电极到发射极电流( A)
图10 ,关闭延迟时间与集电极电流
120
R
G
=
20, L
=
100
H,V
CE
=
200V
100
80
60
40
20
T
=
25 ° C,V
GE
=
15V
J
20
15
10
5
0
R
G
=
20, L
=
100
H,V
CE
=
200V
T
J
=
25或125°C ,V
GE
=
15V
T
J
=
125°C ,V
GE
=
15V
5
10
15
20
25
30
I
CE
,集电极到发射极电流( A)
图11 ,电流上升时间与集电极电流
250
E
ON2
,开启能量损失( μJ )
V
CE
= 200V
V
GE
= +15V
R
G
= 20
5
10
15
20
25
30
I
CE
,集电极到发射极电流( A)
图12 ,电流下降时间与集电极电流
250
E
关闭
,关闭能量损失( μJ )
V
CE
= 200V
V
GE
= +15V
R
G
= 20
0
200
T
=
125°C,V
GE
=
15V
J
200
T
J
=
125°C ,V
GE
=
15V
150
150
100
100
50
T
J
=
25°C,V
GE
=
15V
50
T
=
25 ° C,V
GE
=
15V
J
5
10
15
20
25
30
I
CE
,集电极到发射极电流( A)
图13 ,开启能量损耗VS集电极电流
300
开关损耗( μJ )
V
CE
= 200V
V
GE
= +15V
T
J
= 125
°
C
0
5
10
15
20
25
30
I
CE
,集电极到发射极电流( A)
图14 ,关闭能量损失VS集电极电流
250
开关损耗( μJ )
V
CE
= 200V
V
GE
= +15V
R
G
= 20
0
E
关,
26A
250
200
150
100
50
0
200
E
关,
26A
E
on2,
26A
150
E
on2,
26A
E
关,
13A
E
on2,
13A
E
on2,
6.5A
0
100
E
关,
13A
50
E
关,
6.5A
E
on2,
6.5A
0
0
E
on2,
13A
4-2004
E
关,
6.5A
版本B
050-7459
10
20
30
40
50
R
G
,栅极电阻(欧姆)
图15 ,开关损耗与栅极电阻
25
50
75
100
125
T
J
,结温( ° C)
图16 ,开关损耗VS结温
典型性能曲线
2,000
1,000
500
C,电容( F)
P
100
资本投资者入境计划
80
I
C
,集电极电流( A)
APT26GU30B
100
50
卓越中心
60
40
10
CRES
20
10
20
30
40
50
V
CE
,集电极 - 发射极电压(伏)
图17 ,电容VS集电极 - 发射极电压
0.70
0.60
0.50
0.40
0.5
0.30
0.20
0.10
0
0.3
0.9
1
0
50
100 150 200 250 300 350
V
CE
,集电极到发射极电压
图18 , Minimim开关安全工作区
0
0
Z
θ
JC
,热阻抗( ℃/ W)
0.7
注意:
PDM
t1
t2
0.1
0.05
10
-5
10
-4
单脉冲
占空比D = T1 /吨
2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
10
-3
10
-2
10
-1
矩形脉冲持续时间(秒)
图19A ,最大有效瞬态热阻抗,结到外壳与脉冲持续时间
1.0
遥控模型
连接点
TEMP (℃)
0.192
0.00537F
300
F
最大
,工作频率(千赫)
100
动力
(瓦特)
0.391
0.0342F
F
最大
=
分(F
max1
, f
MAX 2
)
50
f
max1
=
T
J
= 125
°
C
T
C
= 75
°
C
D = 50 %
V
CE
= 200V
R
G
= 20
t
D(上)
0.05
+
t
r
+
t
D(关闭)
+
t
f
0.0860
外壳温度( ° C)
0.432F
f
MAX 2
=
P
DISS
=
P
DISS
P
COND
E
ON 2
+
E
关闭
图19B ,瞬态热阻抗模型
10
15 20 25
30
35
40 45
I
C
,集电极电流( A)
图20 ,工作频率与集电极电流
10
5
T
J
T
C
R
θ
JC
050-7459
版本B
4-2004
查看更多APT26GU30BPDF信息
推荐型号
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    APT26GU30B
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881793588 复制

电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
APT26GU30B
APT
2443+
23000
一级代理专营,原装现货,价格优势
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3539722974 复制 点击这里给我发消息 QQ:2480898381 复制

电话:0755-23915992/23140719
联系人:李
地址:深圳市福田区振华路中航苑鼎城大夏1709室
APT26GU30B
APT
24+
2177
MODULE
公司大量 现货随时可以发货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1076493713 复制 点击这里给我发消息 QQ:173779730 复制
电话:0755-82170267
联系人:李经理
地址:深圳市福田区园岭街道上林社区八卦四路2号先科机电大厦1210
APT26GU30B
IXYS/艾赛斯
23+
115371
SOP8
有挂就有货 支持订货.备货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
APT26GU30B
APT
21+
15360
NULL
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3539722974 复制 点击这里给我发消息 QQ:3449124707 复制
电话:0755-23915992/23140719
联系人:李小姐
地址:深圳市福田区振华路中航苑鼎城大夏1709室
APT26GU30B
APT
24+
2050
TO-247
公司大量全新原装 正品 随时可以发货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
APT26GU30B
IXYS
16
11599
TO3P
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
APT26GU30B
√ 欧美㊣品
▲10/11+
9410
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
APT26GU30B
√ 欧美㊣品
▲10/11+
9158
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2885393495 复制

电话:0755-82865294/82517859
联系人:吴小姐
地址:深圳市福田区深南中路电子科技大厦A座36楼C09室
APT26GU30B
APT
24+
1680
MODULE
假一罚十,原装进口正品现货供应,只做原装
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:892174007 复制 点击这里给我发消息 QQ:2300949663 复制 点击这里给我发消息 QQ:2719079875 复制

电话:15821228847 // 13764057178 // 15026993318
联系人:销售部
地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
APT26GU30B
APT
2024
21000
APT
原装现货上海库存,欢迎查询
查询更多APT26GU30B供应信息

深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功!